一种半导体加工用硅材料热熔成锭装置的制作方法

技术特征：
1.一种半导体加工用硅材料热熔成锭装置，包括炉体，炉体的内部设置有加热器(1)、保温筒(2)、电极(3)和坩埚，加热器(1)与电极(3)电性连接；其特征在于，还包括储料箱(4)、加料管(5)和加料电机(6)，所述炉体包括底部炉体(7)、中部炉体(8)和顶部炉盖(9)，所述储料箱(4)安装于顶部炉盖(9)上，并在储料箱(4)的底端连通设置有连通管(10)，所述加料管(5)的顶端与顶部炉盖(9)的底端左侧固定连接，所述加料电机(6)安装于顶部炉盖(9)的顶端，并在加料电机(6)的底部输出端设置有加料轴(11)，所述加料轴(11)的底端穿过顶部炉盖(9)伸入至加料管(5)内，并在加料轴(11)上设置有螺旋输送叶片(12)，加料管(5)的底端设置有加料嘴(13)，所述加料嘴(13)的底部输出端伸入至坩埚内，所述连通管(10)的底端与加料管(5)的外侧顶部连通，并在连通管(10)上设置有开关阀(14)。2.根据权利要求1所述的一种半导体加工用硅材料热熔成锭装置，其特征在于，所述加料管(5)的包括上部分的过渡段和下部分的加热段，所述加热段包括位于内层的钨合金层(15)、位于外层的石墨保护层(16)以及位于钨合金层(15)和石墨保护层(16)之间的加热腔，所述加热腔内安装有硅碳棒(17)。3.根据权利要求1所述的一种半导体加工用硅材料热熔成锭装置，其特征在于，所述加料嘴(13)采用石墨材质，并且加料嘴(13)为上大下小的漏斗结构。4.根据权利要求1所述的一种半导体加工用硅材料热熔成锭装置，其特征在于，所述螺旋输送叶片(12)采用耐热合金材质。5.根据权利要求1所述的一种半导体加工用硅材料热熔成锭装置，其特征在于，所述坩埚包括石墨坩埚(18)以及位于石墨坩埚(18)内侧的石英坩埚(19)，所述石墨坩埚(18)的内底壁上设置有若干定位槽(20)，所述石英坩埚(19)的底端设置有若干定位柱(21)，所述若干定位柱(21)分别插入至若干定位槽(20)内。6.根据权利要求1所述的一种半导体加工用硅材料热熔成锭装置，其特征在于，所述坩埚的底端设置有坩埚托盘(22)，所述坩埚托盘(22)的底端设置有坩埚轴(23)。7.根据权利要求5所述的一种半导体加工用硅材料热熔成锭装置，其特征在于，所述若干定位柱(21)均为上大下小的圆台结构。8.根据权利要求1所述的一种半导体加工用硅材料热熔成锭装置，其特征在于，所述炉体的底部设置有炉底护盘(24)，所述炉底护盘(24)与底部炉体(7)一体成型，所述中部炉体(8)安装于底部炉体(7)的顶端，所述顶部炉盖(9)盖装于中部炉体(8)顶端。

技术总结
本实用新型涉及半导体加工附属装置的技术领域，特别是涉及一种半导体加工用硅材料热熔成锭装置，可以在硅材料装填不够的情况对硅材料进行添加，从而节省热能损耗，降低单晶硅生产成本，包括炉体，炉体的内部设置有加热器、保温筒、电极和坩埚，加热器与电极电性连接；还包括储料箱、加料管和加料电机，炉体包括底部炉体、中部炉体和顶部炉盖，储料箱安装于顶部炉盖上，储料箱的底端连通设置有连通管，加料电机的底部输出端设置有加料轴，加料轴的底端穿过顶部炉盖伸入至加料管内，加料轴上设置有螺旋输送叶片，加料管的底端设置有加料嘴，加料嘴的底部输出端伸入至坩埚内，连通管的底端与加料管的外侧顶部连通，并在连通管上设置有开关阀。开关阀。开关阀。


技术研发人员：马克军
受保护的技术使用者：致胜精工机电（天津）有限公司
技术研发日：2021.01.11
技术公布日：2021/9/17