无应力碳化硅籽晶固定装置及坩埚的制作方法

技术特征：
1.一种无应力碳化硅籽晶固定装置，其特征在于，包括籽晶托和籽晶盖，其中：所述籽晶托为中部掏空的环形结构，沿其中轴线方向依次包括籽晶支撑部、籽晶容纳部、籽晶盖容纳部；所述籽晶支撑部的内周形状与籽晶的外周形状相同，所述籽晶支撑部的中心至其小边的距离小于所述籽晶的中心至其小边的距离，所述籽晶支撑部的中心至其大边的距离小于所述籽晶的中心至其大边的距离，所述籽晶支撑部的内径小于所述籽晶的外径；所述籽晶容纳部的内径大于所述籽晶的外径，所述籽晶容纳部的高度大于所述籽晶的厚度；所述籽晶盖容纳部的内径与所述籽晶盖的外径相匹配，所述籽晶盖为可拆卸装入所述籽晶盖容纳部。2.根据权利要求1所述的无应力碳化硅籽晶固定装置，其特征在于，所述籽晶容纳部的内周形状与所述籽晶的外周形状相同，所述籽晶容纳部的中心至其小边的距离大于所述籽晶的中心至其小边的距离，所述籽晶容纳部的中心至其大边的距离大于所述籽晶的中心至其大边的距离。3.根据权利要求1所述的无应力碳化硅籽晶固定装置，其特征在于，所述籽晶盖容纳部的高度等于所述籽晶盖的厚度。4.根据权利要求1所述的无应力碳化硅籽晶固定装置，其特征在于，所述籽晶盖容纳部的内径大于所述籽晶容纳部的内径。5.根据权利要求1所述的无应力碳化硅籽晶固定装置，其特征在于，由所述籽晶盖容纳部至所述籽晶支撑部的方向，所述籽晶支撑部的内径逐渐增大。6.根据权利要求1或5所述的无应力碳化硅籽晶固定装置，其特征在于，所述籽晶支撑部的高度为0.5～1mm。7.根据权利要求1所述的无应力碳化硅籽晶固定装置，其特征在于，所述籽晶支撑部的中心至其小边的距离比所述籽晶的中心至其小边的距离小0.5～1mm，所述籽晶支撑部的中心至其大边的距离比所述籽晶的中心至其大边的距离小0.5～1mm，所述籽晶支撑部的内径比所述籽晶的外径小1～2mm。8.根据权利要求2所述的无应力碳化硅籽晶固定装置，其特征在于，所述籽晶容纳部的中心至其小边的距离比所述籽晶的中心至其小边的距离大0.05～0.1mm，所述籽晶容纳部的中心至其大边的距离比所述籽晶的中心至其大边的距离大0.05～0.1mm，所述籽晶容纳部的内径比所述籽晶的外径大0.1～0.2mm，所述籽晶容纳部的高度比所述籽晶的厚度大0.2～0.5mm。9.根据权利要求1所述的无应力碳化硅籽晶固定装置，其特征在于，所述籽晶盖容纳部与所述籽晶盖为过盈配合。10.一种坩埚，其特征在于，所述坩埚的内壁上设置有支撑件，所述支撑件用于支撑权利要求1至9任一所述的无应力碳化硅籽晶固定装置。

技术总结
本申请提供了一种无应力碳化硅籽晶固定装置及坩埚，该碳化硅籽晶固定装置包括籽晶托和籽晶盖。籽晶托设计为中部掏空的环形结构，并且沿其中轴线方向依次包括籽晶支撑部、籽晶容纳部、籽晶盖容纳部。同时，设置籽晶支撑部的内周形状与籽晶的外周形状相同，在尺寸上，籽晶支撑部的内径小于籽晶的外径，籽晶容纳部的内径大于籽晶的外径，籽晶容纳部的高度大于籽晶的厚度。利用上述结构和尺寸设计，将籽晶装入籽晶托，并将籽晶盖装入籽晶托后，仅籽晶的边缘依靠自身的重力与籽晶支撑部相接触，进而在单晶生长过程中，籽晶与籽晶固定装置之间不存在热膨胀系数不匹配导致的应力问题，可以消除籽晶受到的外加机械应力，有利于高质量SiC单晶生长。单晶生长。单晶生长。


技术研发人员：胡小波 徐南 张木青 杨祥龙 于国建 陈秀芳 王垚浩 徐现刚
受保护的技术使用者：广州南砂晶圆半导体技术有限公司
技术研发日：2020.12.30
技术公布日：2021/9/14