放射线敏感性组合物的处理方法与流程

技术特征：
1.一种放射线敏感性组合物的处理方法，其特征在于，所述放射线敏感性组合物具有：作为具有酸基的自由基聚合性化合物(a)、具有环氧基的自由基聚合性化合物(b)、以及其他自由基聚合性化合物(c)的共聚物的可溶于碱水溶液的树脂(a)，和放射线敏感性产酸化合物(b)；其中，所述方法包含下述工序(α)：从led元件对所述放射线敏感性组合物照射主峰值波长在375nm以上且395nm以下的范围内的紫外线，提高所述放射线敏感性组合物的透射率。2.根据权利要求1所述的放射线敏感性组合物的处理方法，其特征在于，所述紫外线的半值宽度为20nm以下。3.根据权利要求1所述的放射线敏感性组合物的处理方法，其特征在于，所述紫外线的波长365nm下的光强度相对于所述主峰值波长的光强度小于10％。4.根据权利要求2所述的放射线敏感性组合物的处理方法，其特征在于，所述紫外线的波长365nm下的光强度相对于所述主峰值波长的光强度小于10％。5.根据权利要求3所述的放射线敏感性组合物的处理方法，其特征在于，所述工序(α)是从所述led元件经由截止波长为365nm以下的光的滤波器向所述放射线敏感性组合物照射所述紫外线的工序。6.根据权利要求4所述的放射线敏感性组合物的处理方法，其特征在于，所述工序(α)是从所述led元件经由截止波长为365nm以下的光的滤波器向所述放射线敏感性组合物照射所述紫外线的工序。7.根据权利要求1～6中任一项所述的放射线敏感性组合物的处理方法，其特征在于，所述放射线敏感性产酸化合物(b)为1,2
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醌二叠氮化合物。8.根据权利要求1～6中任一项所述的放射线敏感性组合物的处理方法，其特征在于，所述放射线敏感性产酸化合物(b)在所述放射线敏感性组合物中所占的比例相对于所述树脂(a)100质量份为15
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30质量份。9.根据权利要求1～6中任一项所述的放射线敏感性组合物的处理方法，其特征在于，所述其他自由基聚合性化合物(c)是来源于选自具有脂环式结构的(甲基)丙烯酸酯、具有芳香环结构的(甲基)丙烯酸酯、芳香族乙烯基化合物、n
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取代马来酰亚胺化合物、以及具有杂环结构的乙烯基化合物中的至少1种单体的结构单元。10.根据权利要求1～6中任一项所述的放射线敏感性组合物的处理方法，其特征在于，所述方法具有：对基底膜进行成膜的工序(β1)，在通过所述工序(β1)而成膜的所述基底膜的上层涂布所述放射线敏感性组合物的工序(β2)，和在所述工序(β2)之后，对所述放射线敏感性组合物依次执行预烘烤、曝光以及显影的各处理的工序(β3)；其中，所述工序(α)在所述工序(β3)之后执行。11.根据权利要求7所述的放射线敏感性组合物的处理方法，其特征在于，所述放射线敏感性产酸化合物(b)在所述放射线敏感性组合物中所占的比例相对于所述树脂(a)100质量份为15
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30质量份。
12.根据权利要求11所述的放射线敏感性组合物的处理方法，其特征在于，所述其他自由基聚合性化合物(c)是来源于选自具有脂环式结构的(甲基)丙烯酸酯、具有芳香环结构的(甲基)丙烯酸酯、芳香族乙烯基化合物、n
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取代马来酰亚胺化合物、以及具有杂环结构的乙烯基化合物中的至少1种单体的结构单元。13.根据权利要求12所述的放射线敏感性组合物的处理方法，其特征在于，所述方法具有：对基底膜进行成膜的工序(β1)，在通过所述工序(β1)而成膜的所述基底膜的上层涂布所述放射线敏感性组合物的工序(β2)，和在所述工序(β2)之后，对所述放射线敏感性组合物依次执行预烘烤、曝光以及显影的各处理的工序(β3)；其中，所述工序(α)在所述工序(β3)之后执行。14.根据权利要求7所述的放射线敏感性组合物的处理方法，其特征在于，所述其他自由基聚合性化合物(c)是来源于选自具有脂环式结构的(甲基)丙烯酸酯、具有芳香环结构的(甲基)丙烯酸酯、芳香族乙烯基化合物、n
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取代马来酰亚胺化合物、以及具有杂环结构的乙烯基化合物中的至少1种单体的结构单元。15.根据权利要求14所述的放射线敏感性组合物的处理方法，其特征在于，所述方法具有：对基底膜进行成膜的工序(β1)，在通过所述工序(β1)而成膜的所述基底膜的上层涂布所述放射线敏感性组合物的工序(β2)，和在所述工序(β2)之后，对所述放射线敏感性组合物依次执行预烘烤、曝光以及显影的各处理的工序(β3)；其中，所述工序(α)在所述工序(β3)之后执行。16.根据权利要求8所述的放射线敏感性组合物的处理方法，其特征在于，所述其他自由基聚合性化合物(c)是来源于选自具有脂环式结构的(甲基)丙烯酸酯、具有芳香环结构的(甲基)丙烯酸酯、芳香族乙烯基化合物、n
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取代马来酰亚胺化合物、以及具有杂环结构的乙烯基化合物中的至少1种单体的结构单元。17.根据权利要求7所述的放射线敏感性组合物的处理方法，其特征在于，所述方法具有：对基底膜进行成膜的工序(β1)，在通过所述工序(β1)而成膜的所述基底膜的上层涂布所述放射线敏感性组合物的工序(β2)，和在所述工序(β2)之后，对所述放射线敏感性组合物依次执行预烘烤、曝光以及显影的各处理的工序(β3)；其中，所述工序(α)在所述工序(β3)之后执行。18.根据权利要求17所述的放射线敏感性组合物的处理方法，其特征在于，所述放射线敏感性产酸化合物(b)在所述放射线敏感性组合物中所占的比例相对于所述树脂(a)100质量份为15
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30质量份。
19.根据权利要求8所述的放射线敏感性组合物的处理方法，其特征在于，所述方法具有：对基底膜进行成膜的工序(β1)，在通过所述工序(β1)而成膜的所述基底膜的上层涂布所述放射线敏感性组合物的工序(β2)，和在所述工序(β2)之后，对所述放射线敏感性组合物依次执行预烘烤、曝光以及显影的各处理的工序(β3)；其中，所述工序(α)在所述工序(β3)之后执行。20.根据权利要求16所述的放射线敏感性组合物的处理方法，其特征在于，所述方法具有：对基底膜进行成膜的工序(β1)，在通过所述工序(β1)而成膜的所述基底膜的上层涂布所述放射线敏感性组合物的工序(β2)，和在所述工序(β2)之后，对所述放射线敏感性组合物依次执行预烘烤、曝光以及显影的各处理的工序(β3)；其中，所述工序(α)在所述工序(β3)之后执行。21.根据权利要求9所述的放射线敏感性组合物的处理方法，其特征在于，所述方法具有：对基底膜进行成膜的工序(β1)，在通过所述工序(β1)而成膜的所述基底膜的上层涂布所述放射线敏感性组合物的工序(β2)，和在所述工序(β2)之后，对所述放射线敏感性组合物依次执行预烘烤、曝光以及显影的各处理的工序(β3)；其中，所述工序(α)在所述工序(β3)之后执行。

技术总结
本发明提供一种即使使用LED光源，也能够对放射线敏感性组合物赋予高的透射性、抑制气泡的产生的放射线敏感性组合物的处理方法。本发明的放射线敏感性组合物的处理方法的特征在于，放射线敏感性组合物具有：作为具有酸基的自由基聚合性化合物(a)、具有环氧基的自由基聚合性化合物(b)、以及其他自由基聚合性化合物(c)的共聚物的可溶于碱水溶液的树脂(A)和放射线敏感性产酸化合物(B)，其中，所述方法包含下述工序(α)：从LED元件对放射线敏感性组合物照射主峰值波长在375nm以上且395nm以下的范围内的紫外线，提高放射线敏感性组合物的透射率。的透射率。的透射率。


技术研发人员：浅冈高英 新木利治 藤井总一郎 吉田知识
受保护的技术使用者：优志旺电机株式会社
技术研发日：2021.04.09
技术公布日：2021/10/18