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拉晶炉的冷却装置以及拉晶炉的制作方法

2021-09-10 23:13:00 来源:中国专利 TAG:晶体 冷却 装置 生长 设备

技术特征:
1.一种拉晶炉的冷却装置,其特征在于,包括至少一个具有中空结构的管道,所述中空结构中容纳有冷却液,所述管道位于拉晶炉的腔室中,所述管道的管壁上形成有多个凸起和/或多个凹陷。2.如权利要求1所述的拉晶炉的冷却装置,其特征在于,所述冷却装置包括水冷管、水冷环和/或水冷屏,其中所述水冷管固定在所述拉晶炉炉盖上,所述水冷环和水冷屏设置在所述拉晶炉中生长出的晶体的周围。3.如权利要求1所述的拉晶炉的冷却装置,其特征在于,所述管道的内壁和/或外壁上形成有所述凸起和/或所述凹陷。4.如权利要求1所述的拉晶炉的冷却装置,其特征在于,所述管壁上的所有的所述凸起和/或所述凹陷的形状包括沿所述管道周向设置的螺纹、沿管道长度方向延伸的条纹、圆形凸包或圆形凹槽中的至少一种。5.如权利要求1或4所述的拉晶炉的冷却装置,其特征在于,所述凸起的高度为0.2mm~2mm;所述凹陷的深度为0.2mm~2mm。6.如权利要求4所述的拉晶炉的冷却装置,其特征在于,所述螺纹的螺纹方向与所述管道的延伸方向之间存在5度~10度的夹角。7.如权利要求2所述的拉晶炉的冷却装置,其特征在于,所述管道的至少部分外壁上还覆盖有吸热层。8.如权利要求7所述的拉晶炉的冷却装置,其特征在于,所述吸热层的材料为管壁表面氧化的产物、特氟龙涂料或者电镀镍。9.一种拉晶炉,其特征在于,包括:腔室、位于所述腔室底部的坩埚、位于所述坩埚外侧的加热装置以及位于坩埚上方的权利要求1至8中任一项所述的冷却装置。

技术总结
本实用新型提供了一种拉晶炉的冷却装置和拉晶炉,其中所述拉晶炉的冷却装置包括至少一个具有中空结构的管道,所述中空结构中容纳有冷却液,所述管道位于拉晶炉的腔室中,所述管道的管壁上形成有多个凸起和/或多个凹陷。即所述冷却装置通过在管壁上形成凸起和/或凹陷,增加了换热面积,从而提高了冷却液的换热效率,降低了晶体的温度以及增加了晶体的温度梯度,因此,晶体的生长速度也得以提高。晶体的生长速度也得以提高。晶体的生长速度也得以提高。


技术研发人员:沈伟民 王刚
受保护的技术使用者:上海新昇半导体科技有限公司
技术研发日:2020.07.29
技术公布日:2021/9/9
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