晶片去胶方法与流程

1.本技术涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种能够去除表面碎晶屑的晶片去胶方法。


背景技术：

2.在晶圆制造过程中，因产品应力或机台故障等原因，会使得晶片发生碎片的问题，晶片碎片过程中会产生一些碎晶屑，这些碎晶屑可能会在后续其他晶片光刻过程中，掺入光刻胶中，并与该光刻胶一同附着在晶片表面。因此不仅需要对该晶片的光刻胶进行去胶操作，还需要去除嵌入在光刻胶中的碎晶屑。
3.在相关技术中，常规的光刻胶去胶方法是通过稀释液对光刻胶进行冲洗，以稀释去除该光刻胶，但是由于该稀释液的流量不足等原因，难以将嵌入在光刻胶中的碎晶屑完全去除，一旦对碎晶屑未完全去除的晶片进行加工，不仅会出现玷污后续机台的问题，更严重的情况还会使机台报废。


技术实现要素：

4.本技术提供了一种晶片去胶方法，可以解决相关技术中不能有效去除嵌入在光刻胶中碎晶屑的问题。
5.为了解决背景技术中所述的技术问题，本技术提供一种晶片去胶方法，所述晶片去胶方法包括依次以下步骤：
6.提供表面覆盖有光刻胶的晶片，所述光刻胶中嵌入有碎晶屑；
7.使得所述晶片以第一转速旋转；
8.向以所述第一转速旋转的晶片光刻胶上冲入光刻显影液，使得所述光刻显影液溶解所述光刻胶表层，去除位于所述光刻胶表层中的碎晶屑；
9.向以所述第一转速旋转的晶片光刻胶上冲入稀释液，使得所述稀释液溶解剩余光刻胶，去除嵌入在剩余光刻胶中的碎晶屑。
10.可选地，所述使得所述晶片以第一转速旋转旋转的步骤中，所述第一转速旋转的转速范围为第一转速可以为50至2000转/分钟。
11.可选地，所述向以所述第一转速旋转的晶片光刻胶上冲入光刻显影液，使得所述光刻显影液溶解所述光刻胶表层，去除位于所述光刻胶表层中的碎晶屑的步骤，包括：
12.以1000ml/min至1400ml/min的流速，向以所述第一转速旋转的晶片光刻胶上冲入光刻显影液，使得所述光刻显影液溶解所述光刻胶表层，去除位于所述光刻胶表层中的碎晶屑。
13.可选地，所述以1000ml/min至1400ml/min的流速，向以所述第一转速旋转的晶片光刻胶上冲入光刻显影液，使得所述光刻显影液溶解所述光刻胶表层，去除位于所述光刻胶表层中的碎晶屑的步骤，包括：
14.以1000ml/min至1400ml/min的流速，向以所述第一转速旋转的晶片光刻胶上冲洗
光刻显影液，冲洗时间为120秒至150秒，使得所述光刻显影液溶解所述光刻胶表层，去除位于所述光刻胶表层中的碎晶屑。
15.可选地，向以所述第一转速旋转的晶片光刻胶上冲入稀释液，使得所述稀释液溶解剩余光刻胶，去除嵌入在剩余光刻胶中的碎晶屑的步骤，包括：
16.以60ml/min至100ml/min的流速，向以所述第一转速旋转的晶片光刻胶上冲入稀释液，使得所述稀释液溶解剩余光刻胶，去除嵌入在剩余光刻胶中的碎晶屑。
17.可选地，所述以60ml/min至100ml/min的流速，向以所述第一转速旋转的晶片光刻胶上冲入稀释液，使得所述稀释液溶解剩余光刻胶，去除嵌入在剩余光刻胶中的碎晶屑的步骤，包括：
18.以60ml/min至100ml/min的流速，向以所述第一转速旋转的晶片光刻胶上冲洗稀释液，冲洗时间为200秒至300秒，使得所述稀释液溶解剩余光刻胶，去除嵌入在剩余光刻胶中的碎晶屑。
19.可选地，所述稀释液的成分包括：丙二醇甲醚和丙二醇甲醚醋酸酯。
20.本技术技术方案，至少包括如下优点：本技术通过提供表面覆盖有光刻胶的晶片，所述光刻胶中嵌入有碎晶屑；使得该晶片以第一转速旋转；向以所述第一转速旋转的晶片光刻胶上冲入光刻显影液，使得所述光刻显影液溶解所述光刻胶表层，去除位于所述光刻胶表层中的碎晶屑；向以所述第一转速旋转的晶片光刻胶上冲入稀释液，使得所述稀释液溶解剩余光刻胶，去除嵌入在剩余光刻胶中的碎晶屑，从而能够提高晶片光刻胶中碎晶屑的去除率，解决相关技术不能有效去除嵌入在光刻胶中碎晶屑的问题。
附图说明
21.为了更清楚地说明本技术具体实施方式或现有技术中的技术方案，下面将对具体实施方式或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图是本技术的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
22.图1示出了本技术一实施例提供的晶片去胶方法流程图；
23.图2a示出了向以第一转速旋转的晶片光刻胶上冲入显影液的示意图；
24.图2b示出了向以第一转速旋转的晶片光刻胶上冲入稀释液的示意图；
25.图3示出了相关技术的晶片光刻胶中碎晶屑的去除率，和本技术提供的方法对晶片光刻胶中碎晶屑的去除率的对比图
具体实施方式
26.下面将结合附图，对本技术中的技术方案进行清楚、完整的描述，显然，所描述的实施例是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在不做出创造性劳动的前提下所获得的所有其它实施例，都属于本技术保护的范围。
27.在本技术的描述中，需要说明的是，术语“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、
以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，术语“第一”、“第二”、“第三”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
28.在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电气连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，还可以是两个元件内部的连通，可以是无线连接，也可以是有线连接。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
29.此外，下面所描述的本技术不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
30.图1示出了本技术一实施例提供的晶片去胶方法流程图，参照图1可以看出，该晶片去胶方法包括依次进行的以下步骤：
31.步骤s11：提供表面覆盖有光刻胶的晶片，所述光刻胶中嵌入有碎晶屑。
32.如背景技术中所述，在晶圆制造过程中，因产品应力或机台故障等原因，会使得晶片发生碎片的问题，晶片碎片过程中会产生一些碎晶屑，这些碎晶屑可能会在后续其他晶片光刻过程中，掺入光刻胶中，并与该光刻胶一同附着在晶片表面。
33.步骤s12：使得该晶片以第一转速旋转。
34.可以理解的是，使得该晶片以第一转速旋转，能够使得后续向晶片表面的光刻胶冲入光刻显影液或者稀释液时，能够使得液体对晶片上的光刻胶进行均匀地冲洗，使得光刻胶与光刻显影液或者稀释液充分反应。
35.在使得该晶片以第一转速旋转时，可选地，该第一转速可以为50至2000转/分钟。
36.步骤s13：向以所述第一转速旋转的晶片光刻胶上冲入光刻显影液，使得所述光刻显影液溶解所述光刻胶表层，去除位于所述光刻胶表层中的碎晶屑。
37.图2a示出了步骤s13：向以所述第一转速旋转的晶片光刻胶上冲入光刻显影液的示意图，从图2a中可以看出，用于流出光刻显影液的装置220位于晶片210的中间，用于向该晶片210的中间部位冲入光刻显影液。在晶片210旋转的作用下，冲入晶片210中间部位的光刻显影液能够向周围甩开，从而浸润该晶片210表面上的所有光刻胶，使得光刻胶能够与该光刻显影液充分反应。反应完全后的光刻胶表层被该光刻显影液溶解，从而随着该光刻显影液的流动被带走去除，位于该光刻胶表层的碎晶屑同样被去除。
38.可选地，向以所述第一转速旋转的晶片光刻胶上冲入光刻显影液，使得所述光刻显影液溶解所述光刻胶表层，去除位于所述光刻胶表层中的碎晶屑的步骤s13过程中，可以以1000ml/min至1400ml/min的流速，向以所述第一转速旋转的晶片光刻胶上冲入光刻显影液，使得所述光刻显影液溶解所述光刻胶表层，去除位于所述光刻胶表层中的碎晶屑。
39.在以1000ml/min至1400ml/min的流速，向以所述第一转速旋转的晶片光刻胶上冲入光刻显影液，使得所述光刻显影液溶解所述光刻胶表层，去除位于所述光刻胶表层中的碎晶屑时，冲洗时间可以为120秒至150秒，使得所述光刻显影液溶解所述光刻胶表层，去除位于所述光刻胶表层中的碎晶屑。
40.步骤s14：向以所述第一转速旋转的晶片光刻胶上冲入稀释液，使得所述稀释液溶解剩余光刻胶，去除嵌入在剩余光刻胶中的碎晶屑。
41.图2b示出了向以第一转速旋转的晶片光刻胶上冲入稀释液的示意图，从图2b中可
以看出该用于流出稀释液的装置230位于晶片210的中间，用于向该晶片210的中间部位冲入稀释液。在晶片210旋转的作用下，冲入晶片210中间部位的稀释液能够向周围甩开，从而浸润该晶片210表面上的所有剩余光刻胶，使得剩余光刻胶能够与该稀释液充分反应。反应完全后的剩余光刻胶被该稀释液溶解，从而随着该稀释液的流动被带走去除，位于该剩余光刻胶中碎晶屑同样被去除。
42.可选地，可以以60ml/min至100ml/min的流速，向以所述第一转速旋转的晶片光刻胶上冲入稀释液，使得所述稀释液溶解剩余光刻胶，去除嵌入在剩余光刻胶中的碎晶屑。
43.在以60ml/min至100ml/min的流速，向以所述第一转速旋转的晶片光刻胶上冲入稀释液，使得所述稀释液溶解剩余光刻胶，去除嵌入在剩余光刻胶中的碎晶屑时，冲洗时间可以为200秒至300秒。
44.本实施例中，该稀释液的成分可以包括：丙二醇甲醚和丙二醇甲醚醋酸酯。作为其中一种实施例，为了使得该稀释液对光刻胶由较好的溶解性，该丙二醇甲醚占比70％，该丙二醇甲醚醋酸酯占比30％。
45.图3示出了相关技术的晶片光刻胶中碎晶屑的去除率和本技术提供的方法对晶片光刻胶中碎晶屑的去除率的对比图，其中折线a表示相关技术的晶片光刻胶中碎晶屑的去除率的折线图，折线b表示本技术提供的方法对晶片光刻胶中碎晶屑的去除率折线图，对比折线a和折线b，可以看出本技术提供的晶片去胶方法的对晶片光刻胶中碎晶屑的去除率更高且更稳定。
46.显然，上述实施例仅仅是为清楚地说明所作的举例，而并非对实施方式的限定。对于所属领域的普通技术人员来说，在上述说明的基础上还可以做出其它不同形式的变化或变动。这里无需也无法对所有的实施方式予以穷举。而由此所引伸出的显而易见的变化或变动仍处于本技术创造的保护范围之中。