阵列基板及液晶显示面板的制作方法

1.本技术属于显示设备技术领域，尤其涉及一种阵列基板及液晶显示面板。


背景技术：

2.薄膜晶体管液晶显示器(tft
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lcd)具有体积小、功耗低、无辐射等特点，在当前的平板显示器市场中占据了主导地位。根据驱动液晶的电场方向，tft
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lcd分为垂直电场型和水平电场型。而垂直电场型包括扭转向列(tn)tft
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lcd，水平电场型包括边缘场效应(ffs)tft
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lcd、共平面场效应(ips)tft
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lcd。其中，ips型或ffs型tft
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lcd具有宽视角、高开口率等优点，在液晶显示领域得到了广泛的应用。
3.目前，在tft
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lcd的阵列基板中，通常将公共电极整面连通，具体为在横向上每行像素的公共电极全部直连，纵向上通过桥接方式将上下两行像素的公共电极连通，这样将整面像素的公共电极可以全部连通；其中，桥接方式包括隔两个像素桥接一次、隔一个像素桥接一次以及全部桥接这三种。
4.然而，由于公共电极信号在输入时存在波动，使阵列基板边缘像素的公共电极电压不稳定，公共电极与像素电极的压差与面内的其他像素不同，进而导致边缘像素与其他像素的亮度不均，影响了显示品质。


技术实现要素：

5.有鉴于此，本技术提供了一种阵列基板及液晶显示面板，以解决显示亮度不均的问题。
6.本技术第一方面的实施例提出了一种阵列基板，包括：
7.透明基板；
8.位于所述透明基板上的扫描线；
9.与所述扫描线交叉以形成像素区域的数据线；
10.位于所述扫描线和所述数据线交叉处的薄膜晶体管；
11.像素电极，与相应的所述薄膜晶体管相连接；及
12.公共电极，所述公共电极与所述像素电极共同形成电场；
13.绝缘膜层，设于所述像素电极与所述公共电极之间，所述绝缘膜层具有主体区域和厚度不同于所述主体区域的调整区域，所述调整区域对应所述阵列基板边缘的多个像素区域，所述主体区域对应所述阵列基板的其余像素区域。
14.上述阵列基板中，由于像素电极与公共电极之间的绝缘膜层具有调整区域，调整区域与透明基板边缘的多个像素区域(边缘像素区域)对应设置，且调整区域与主体区域的厚度不同，进而边缘像素区域内公共电极和像素电极之间的距离不同于其他像素区域，可调整边缘像素区域的电场强度，使边缘像素区域与其他像素区域的亮度一致，解决了边缘像素显示异常、阵列基板显示亮度不均的问题，提升了显示品质。
15.在一实施例中，所述绝缘膜层的调整区域的厚度大于所述主体区域的厚度。
16.通过设置调整区域的厚度大于主体区域的厚度，可以使边缘像素区域的电容小于其余像素区域内的电容，以减小边缘像素区域的电场强度，进而减小边缘像素区域的亮度，使边缘像素区域与面内其余像素区域的亮度一致。
17.在一实施例中，所述薄膜晶体管包括连接到所述扫描线的栅极、连接到所述数据线的源极、与所述源极相对地形成的漏极以及半导体层；
18.所述绝缘膜层为覆盖于所述薄膜晶体管上方的平坦层，且所述公共电极设于所述平坦层背离所述透明基板的一侧，所述像素电极与所述源极和漏极位于同层。
19.通过在平坦层上设置调整区域，可调整相应像素区域内像素电极与公共电极之间的距离，进而改变相应像素区域的电容和电场强度，从而调整了对相应像素区域的亮度
20.在一实施例中，所述薄膜晶体管包括连接到所述扫描线的栅极、连接到所述数据线的源极、与所述源极相对地形成的漏极以及半导体层；
21.所述公共电极与所述栅极位于同层且设于所述透明基板上；
22.所述绝缘膜层包括覆盖所述栅极和所述公共电极的栅极绝缘层和覆盖所述薄膜晶体管的平坦层，所述像素电极设于所述平坦层上方且通过开设于所述平坦层中的通孔连接所述漏极，所述平坦层和所述栅极绝缘层中的至少一者具有所述调整区域。
23.通过采用上述技术方案，将平坦层和栅极绝缘层中的至少一者设置有调整区域，可以使调整区域所对应的像素区域内像素电极与公共电极之间的距离不同于其他像素区域，进而使阵列基板的显示亮度一致。
24.在一实施例中，所述平坦层具有所述调整区域，且所述平坦层的调整区域比主体区域的厚度大
25.平坦层的调整区域与主体区域之间的厚度差可依据实际需求设置，只要能实现边缘像素区域和其余像素区域的亮度一致即可，若小于上述范围，则调整亮度的效果不大；若大于上述范围，容易造成厚度差异较大、平坦性不佳。
26.在一实施例中，所述栅极绝缘层具有所述调整区域，且所述栅极绝缘层的调整区域比主体区域的厚度大通过设置满足上述条件的厚度差，可实现面内亮度均匀一致的要求。
27.在一实施例中，所述栅极绝缘层和所述平坦层均具有所述调整区域，且所述栅极绝缘层的调整区域和所述平坦层的调整区域在垂直于所述透明基板的方向上对位设置。
28.通过采用上述技术方案，同时在平坦层和栅极绝缘层上设置调整区域，可达成调整边缘像素区域亮度的目的，且容易满足制程条件的要求。
29.在一实施例中，所述像素电极和所述公共电极在垂直于所述透明基板的方向上至少部分重叠设置，且所述像素电极和所述公共电极中的至少一者具有狭缝。
30.通过采用上述技术方案，公共电极与像素电极可共同形成共平面电场或边缘电场，且提升电场的均匀性及显示亮度的均匀性。
31.在一实施例中，所述阵列基板还包括驱动电路，所述调整区域对应靠近所述驱动电路的一列或多列像素区域，所述调整区域沿着平行于所述数据线的方向延伸。
32.由于公共电极的驱动电压在开始输入信号时有波动，故将调整区域设置于靠近驱动电路一侧的一列或多列像素区域中，可以解决边缘像素显示异常的问题。
33.本技术的第二方面提出一种液晶显示面板，包括如第一方面任一项实施例所述的
阵列基板、与所述阵列基板相对设置的对向基板以及位于所述阵列基板和所述对向基板之间的液晶层。
34.上述液晶显示面板通过在阵列基板的绝缘膜层中设置厚度不同的主体区域和调整区域，能够调整边缘像素区域的亮度，使边缘像素区域与其他像素区域的亮度一致，提升了显示品质。
附图说明
35.为了更清楚地说明本技术实施例中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动性的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
36.图1是本技术第一实施例提供的阵列基板的结构示意图之一；
37.图2是本技术第一实施例提供的阵列基板的结构示意图之二；
38.图3是本技术第一实施例提供的阵列基板的结构示意图之三；
39.图4是本技术第二实施例提供的阵列基板的结构示意图；
40.图5是本技术第二实施例提供的阵列基板的结构示意图之二；
41.图6是本技术第三实施例提供的阵列基板的结构示意图；
42.图7是本技术第四实施例提供的阵列基板的结构示意图；
43.图8是本技术实施例提供的液晶显示面板的结构示意图。
44.图中标记的含义为：
45.100、液晶显示面板；10、阵列基板；11、透明基板；12、扫描线；13、数据线；14、薄膜晶体管；141、栅极；142、源极；143、漏极；144、半导体层；15、像素电极；16、公共电极；161、公共电极线；171、平坦层；172、栅极绝缘层；18、驱动电路；20、对向基板。
具体实施方式
46.为了使本技术的目的、技术方案及优点更加清楚明白，以下结合附图即实施例，对本技术进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本技术，并不用于限定本技术。
47.需要说明的是，当元件被称为“固定于”或“设置于”另一个元件，它可以直接在另一个元件上或者间接在该另一个元件上。当一个元件被称为是“连接于”另一个元件，它可以是直接连接到另一个元件或间接连接至该另一个元件上。
48.需要理解的是，术语“长度”、“宽度”、“上”、“下”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。在本技术的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
49.在本技术中，除非另有明确的规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”、“固定”等术语应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或成一体；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内
部的连通或两个元件的相互作用关系。对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
50.为了说明本技术所述的技术方案，下面结合具体附图及实施例来进行说明。
51.本技术的第一实施例提出了一种阵列基板。请参照图1至图3，阵列基板10包括透明基板11，位于透明基板11上的扫描线12，与扫描线12交叉以形成像素区域的数据线13，位于扫描线12和数据线13交叉处的薄膜晶体管14，以及像素电极15和公共电极16。其中，每个像素电极15均位于一个对应的像素区域内，像素电极15与该像素区域内的薄膜晶体管14相连接，公共电极16与像素电极15共同形成电场，以驱动液晶旋转。可选的，公共电极16与像素电极15形成的电场为共平面电场或边缘电场。
52.阵列基板10还包括绝缘膜层，绝缘膜层设于像素电极15与公共电极16之间，绝缘膜层具有厚度不同的主体区域和调整区域，调整区域对应阵列基板10边缘的多个像素区域(即边缘像素区域)，主体区域对应阵列基板10的其余像素区域。也即是说，绝缘膜层的调整区域位于边缘像素区域的像素电极15和公共电极16之间，绝缘膜层的主体区域位于其余像素区域的像素电极15和公共电极16之间。
53.其中，像素电极15和公共电极16在垂直于透明基板11的方向上至少部分重叠设置，且像素电极15、绝缘膜层和公共电极16共同形成了电容结构。
54.上述阵列基板10中，由于像素电极15与公共电极16之间的绝缘膜层具有调整区域，调整区域与透明基板11边缘的多个像素区域对应设置，且调整区域与主体区域的厚度不同，进而边缘像素区域内公共电极16和像素电极15之间的距离不同于其他像素区域，可调整边缘像素区域内的电容，进而调整其电场强度和穿透率，使边缘像素区域与其他像素区域的亮度一致，解决了边缘像素区域显示异常的问题，提升了显示品质。
55.在一实施例中，阵列基板10还包括驱动电路18，驱动电路18用于驱动像素区域中的薄膜晶体管14。绝缘膜层的调整区域对应靠近驱动电路18的一列或多列像素区域，且调整区域沿着平行于数据线13的方向延伸。由于公共电极16的驱动电压在开始输入信号时有波动，故将调整区域设置于靠近驱动电路18一侧的一列或多列像素区域中，可以解决边缘像素显示异常的问题。
56.可选地，驱动电路18可位于阵列基板10的一侧或多侧，则调整区域也可位于主体区域的一侧或多侧。例如，驱动电路18位于多个像素区域的两侧，则调整区域位于阵列基板的两侧的边缘。
57.在一实施例中，为了使公共电极16与像素电极15共同形成共平面电场或边缘电场，且提升电场的均匀性及显示亮度的均匀性，公共电极16和像素电极15中的至少一者具有狭缝，即公共电极16和像素电极15中的至少一者包括经由狭缝区隔开的多个电极条。如图2所示，在本实施例中，像素电极15为面电极，公共电极16为具有狭缝的隔栅状电极，但不限于此。
58.可选地，公共电极16和像素电极15均为ito电极；可以理解，在其他实施例中，公共电极16也可为金属电极。
59.在一实施例中，在驱动电路18开始输入驱动信号时，位于边缘的像素区域中的公共电极的电压通常偏大，造成边缘像素区域的亮度较亮，因此，调整区域的厚度大于主体区域的厚度。如图3所示，调整区域(b所示区域)的厚度大于主体区域(a所示区域)的厚度。
60.根据电容的计算公式c＝ε*s/4πk*d，其中，ε为介质介电常数，s为两极板的正对面积，d为两极板间的距离，k为静电力常量。
61.假设绝缘膜层的调整区域的厚度为d1，主体区域的厚度为d2，则d1>d2；与调整区域所对应的像素区域中的电容为c1，与主体区域所对应的像素区域中的电容为c2，则c1<c2。因此，通过设置调整区域的厚度大于主体区域的厚度，可以使边缘像素区域的电容小于其余像素区域内的电容，以减小边缘像素区域的电场强度，进而减小边缘像素区域的亮度，使边缘像素区域与面内其余像素区域的亮度一致。
62.在其他实施例中，若改善之前边缘像素区域存在亮度较暗的情况，则也可以将调整区域的厚度设置为小于主体区域的厚度。
63.如图2所示，在第一实施例中，每个薄膜晶体管14包括连接到扫描线12的栅极141、连接到数据线13的源极142、与源极142相对地形成的漏极143以及半导体层144。其中，栅极141上方盖设有栅极绝缘层172。栅极绝缘层172可为氧化硅材质，但不限于此。像素电极15可设于栅极绝缘层172上方并接触漏极143，也可直接搭接在漏极143上，以提升像素区域的开口率较大。
64.在第一实施例中，像素电极15和公共电极16之间的绝缘膜层为覆盖于薄膜晶体管14上方的平坦层171，且公共电极16设于平坦层171背离透明基板11的一侧，像素电极15与源极142和漏极143位于同层。公共电极16通过开设于平坦层171和栅极绝缘层172上的过孔连接至公共电极线161。可选的，平坦层171为氮化硅、氧化硅中的至少一种。
65.通过在平坦层171上设置调整区域，可调整相应像素区域内像素电极15与公共电极16之间的距离，进而改变相应像素区域的电容和电场强度，从而调整了对相应像素区域的亮度，解决边缘像素区域亮度异常的问题，提升显示品质。
66.请参照图4和图5，本技术第二实施例提供了一种阵列基板10，其中，像素电极15和公共电极16之间的绝缘膜层具有调整区域，且调整区域与透明基板11边缘的多个像素区域对应设置；不同之处在于，公共电极16与栅极141位于同层且设于透明基板11上；像素电极15和公共电极16之间的绝缘膜层包括覆盖栅极141和公共电极16的栅极绝缘层172和覆盖薄膜晶体管14的平坦层171，像素电极15设于平坦层171上方且通过开设于平坦层171中的通孔连接漏极143。
67.在第二实施例中，平坦层171具有调整区域(图5中b所示区域)和主体区域(图5中a所示区域)。其中，平坦层171的调整区域位于阵列基板10边缘的像素区域中，平坦层171的调整区域的厚度大于主体区域的厚度。
68.可选地，平坦层171的主体区域的厚度为平坦层171的调整区域比平坦层171的主体区域的厚度大平坦层171的调整区域与主体区域之间的厚度差可依据实际需求设置，只要能实现边缘像素区域和其余像素区域的亮度一致即可。若小于上述范围，则调整亮度的效果不大，若大于上述范围，容易造成厚度差异较大、平坦性不佳。
69.进一步的，平坦层171的调整区域比平坦层171的主体区域的厚度大例如，等。由于通常边缘像素区域和其余像素区域的亮度差异不大，通过设置满足上述条件的厚度差，可实现面内亮度均匀一致
的要求
70.请参照图6，本技术第三实施例与第二实施例相似，不同之处在于，栅极绝缘层172具有调整区域，栅极绝缘层172的调整区域的厚度大于主体区域的厚度；平坦层171则具有均匀的厚度。
71.可选地，栅极绝缘层172的主体区域的厚度为栅极绝缘层172的调整区域比栅极绝缘层172的主体区域的厚度大栅极绝缘层172的调整区域与主体区域之间的厚度差可依据实际需求设置，只要能实现边缘像素区域和其余像素区域的亮度一致即可。
72.进一步的，栅极绝缘层172的调整区域比栅极绝缘层172的主体区域的厚度大例如等。通过设置满足上述条件的厚度差，可实现面内亮度均匀一致的要求；若小于上述范围，则调整亮度的效果不大，若大于上述范围，容易造成厚度差异较大、平坦性不佳。
73.请参照图7，本技术第四实施例与第二实施例相似，不同之处在于，平坦层171和栅极绝缘层172均具有调整区域，且平坦层171的调整区域与栅极绝缘层172的调整区域在垂直于透明基板11的方向上对位设置，即设于相同的像素区域中。如此，同时在平坦层171和栅极绝缘层172上设置调整区域，可达成调整边缘像素区域亮度的目的，且容易满足制程条件的要求。
74.本技术的第二至第四实施例，将平坦层171和栅极绝缘层172中的至少一者设置有调整区域，可以使调整区域所对应的像素区域内像素电极15与公共电极16之间的距离不同于其他像素区域，进而使阵列基板10的显示亮度一致。
75.在以上任一实施例中，可通过多段式调整光罩对绝缘膜层材料进行光刻，以形成具有不同厚度区域的绝缘膜层。其中，可以通过控制半色调掩膜版上挡光线条的粗细来控制光的透过率，也可使用具有不同光透过率的材质来制作调掩模版。多段式调整光罩上具有透过率不同的多个区域，对应于透过率较高的区域，绝缘膜层的厚度较大；对应于透过率较低的区域，绝缘膜层的厚度较小。
76.在另一实施例中，平坦层171和/或栅极绝缘层172可包括至少一个子层。当子层的数量为多个时，多个子层依次堆叠，且可通过不同道构图工艺进行制作。
77.请参照图8，本技术的第二方面提出一种液晶显示面板100，包括如第一方面的阵列基板10、与阵列基板10相对设置的对向基板20以及位于阵列基板10和对向基板20之间的液晶层。
78.上述液晶显示面板100通过在阵列基板10的绝缘膜层中设置厚度不同的主体区域和调整区域，能够调整边缘像素区域的亮度，使边缘像素区域与其他像素区域的亮度一致，提升了显示品质。
79.以上实施例仅用以说明本技术的技术方案，而非对其限制；尽管参照前述实施例对本技术进行了详细的说明，本领域的普通技术人员应当理解：其依然可以对前述各实施例所记载的技术方案进行修改，或者对其中部分技术特征进行等同替换；而这些修改或者替换，并不使相应技术方案的本质脱离本技术各实施例技术方案的精神和范围，均应包含在本技术的保护范围之内。