1.本公开涉及多芯光纤(以下称为“mcf”)。2.本技术要求于2020年3月19日提交的日本专利申请no.2020‑049135的优先权，该申请的全部内容通过引用并入本文。
背景技术：
：：3.近年来，如以下非专利文献1至4所示，对可应用于传输线路的mcf进行了各种研究。然而，对于在光向被覆侧的泄露变得显著的波长范围内信号质量劣化的原因，尚未进行充分研究。4.(专利文献1)wo2016/1576395.(非专利文献1)b.zhu等人，“seven‑coremulticorefibertransmissionsforpassiveopticalnetwork,”opticsexpress，第18卷，no.11，2010年5月24日，11117‑11122页6.(非专利文献2)tetsuyahayashi，“multi‑corefiberforhigh‑capacityspatially‑multiplexedtransmission,”2013年8月，[在线]，[2020年2月21日检索]，网址http://hdl.handle.net/2115/53864[0007](非专利文献3)tetsuyahayashi等人，“125‑μm‑claddingeight‑coremulti‑corefiberrealizingultra‑high‑densitycablesuitableforo‑bandshort‑reachopticalinterconnects,”journaloflightwavetechnology，第34卷，no.1，2016年1月1日，85‑92页[0008](非专利文献4)m.travagnin，“berpenaltyinducedbycoherentmpinoiseinftthopticallinks,”journaloflightwavetechnology，第31卷，no.18，2013年9月15日，3021‑3031页技术实现要素：[0009]一方面，根据本公开的实施方案的多芯光纤(mcf)包括多个芯部、共用包层以及被覆。多个芯部中的每一个芯部沿多芯光纤的中心轴延伸。共用包层包围多个芯部的每一个芯部，并且共用包层的折射率小于多个芯部中的每一个芯部的折射率。mcf的中心轴穿过垂直于中心轴的共用包层的截面的中心。被覆包围共用包层。此外，多个芯部中的任一芯部在850nm至1700nm的波长范围内的波长处的被覆泄漏损失为0.01db/km以上。被覆包括漏光传播抑制被覆层。漏光传播抑制被覆层相对于波长在850nm至1700nm或1260nm至1625nm的波长范围内的光具有第一光学特性或第二光学特性。在本文中，第一光学特性由作为相对于上述光的衰减指数的“每1μm厚度的吸光度”为0.1db以上所定义。第二光学特性由“每1μm厚度的吸光度”与“厚度”的乘积为0.1db以上所定义。附图说明[0010]图1为示出了根据本公开的第一实施方案的mcf的截面结构以及本公开的全部实施方案共用的折射率分布的图；[0011]图2为示出了根据本公开的第二实施方案的mcf的第一截面结构和第二截面结构的图；[0012]图3为示出了根据本公开的第三实施方案的mcf的第一截面结构和第二截面结构的图；[0013]图4为示出了根据本公开的第四实施方案的mcf的截面结构的图；[0014]图5为示出了作为测定试样所准备的根据比较例的mcf的截面结构和根据第二实施方案的mcf的第二截面结构的图；以及[0015]图6为示出了根据比较例的mcf中的各芯部(芯部1至芯部8)的损耗光谱和根据第二实施方案的mcf中的各芯部(芯部1至芯部8)的损耗光谱的图。具体实施方式[0016][本发明要解决的问题][0017]本发明人通过研究相关领域的技术，结果发现了以下问题。即，在向被覆侧的光泄露变得显著的波段中，相关领域中的mcf示出了信号品质的劣化，这不能通过由于光泄漏导致的传输损耗(光强度减弱)进行解释。根据本发明人的发现，信号品质的劣化是由于“在芯部传播的光”和“由芯部向被覆泄露的光分量中的再耦合至芯部的光分量”之间的干涉引起的。[0018]做出本公开以解决上述问题。本公开的目的是提供这样的mcf，该mcf具有防止由于来自被覆的反射分量而导致的光传输信号的品质劣化的结构。[0019][本发明的有利效果][0020]根据本公开的mcf防止了光传输信号的品质的劣化。[0021][本公开的实施方案的描述][0022]以下描述是与上述非专利文献1至4相关的研究结果。[0023]在非专利文献1公开的mcf中，如从图1可以看出的，外周芯部(垂直于中心轴的mcf的截面中的最外侧的芯部)的传输损耗从约1450nm处起开始增加，并且在1450nm至1500nm的波长范围内产生类似于干涉图案的振动。[0024]在非专利文献2公开的mcf中，如从图2.20可以看出的，外周芯部的传输损耗从约1400nm处起开始增加，并且在1400nm至1700nm的波长范围内产生类似于干涉图案的振幅。这是由“在芯部传播的光”和“由芯部向被覆泄露的光分量中的再耦合至芯部的光分量”之间的干涉造成的(参见图2.30)。[0025]非专利文献3公开了这样的mcf，其包括在外径为125μm的包层内以环状布置的八个芯部。此外，图6(a)示出了各芯部的损耗光谱。从图6(a)可以看出，在o波段(从1260nm至1360nm的波长范围)中抑制了向被覆的泄漏损失，但是泄漏损失在比o波段更长的波段中变得显著。换句话说，在比o波段更长的波段中，由“在芯部传播的光”和“由芯部向被覆泄露的光分量中的再耦合至芯部的光分量”之间的干涉产生的干涉图案变得显而易见。[0026]非专利4公开了多路径干涉(mpi)使光传输信号的品质劣化。[0027]根据本公开的多芯光纤(mcf)具有漏光传播抑制被覆层，该漏光传播抑制被覆层位于设置于裸光纤的外周面上的被覆之中或表层上。该结构使得能够抑制由各芯部向被覆泄露的光分量的强度损失，并且能够通过被覆表面上向各芯部的反射从而使再耦合至各芯部的漏光分量的强度降低。因此，能够防止由于“在芯部传播的光”和“由芯部向被覆泄露的光分量中的再耦合至芯部的光分量”之间的干涉引起的光传输信号的品质劣化。首先，将单独列举和描述本公开的实施方案的细节。[0028](1)根据本公开的一个方面的mcf包括多个芯部、共用包层以及被覆。多个芯部中的每一个芯部沿mcf的中心轴延伸。共用包层包围多个芯部的每一个芯部，并且共用包层的折射率小于多个芯部中的每一个芯部的折射率。mcf的中心轴穿过垂直于中心轴的共用包层的截面的中心。被覆包围共用包层。此外，多个芯部中的任一芯部在850nm至1700nm的波长范围内的波长处的被覆泄漏损失为0.01db/km以上。被覆包括漏光传播抑制被覆层。漏光传播抑制被覆层相对于波长在850nm至1700nm或1260nm至1625nm的波长范围内的光具有第一光学特性或第二光学特性。在本文中，第一光学特性由作为相对于上述波长范围内的光的衰减指数的“每1μm厚度的吸光度”为0.1db以上所定义。第二光学特性由“每1μm厚度的吸光度”与“厚度”的乘积为0.1db以上所定义。[0029]在多个芯部中，在850nm至1700nm的波长范围内，芯部中心(截面中心)距被覆最近的芯部和芯部中心距被覆最远的芯部之间的传输损耗之差可为0.01db/km以上。即使具有这种宏弯损耗，根据本公开的mcf也不会产生干涉图案。[0030]在此，由沿着垂直于中心轴的径向方向从特定层的内周面到外周面的长度(或者由内径和外径之差)给出特定层的“厚度”。此外，可以通过(例如)上述专利文献1中公开的方法测定多个芯部中的任一芯部的被覆泄漏损失。特别地，“被覆泄漏损失”是指由于被引导穿过芯部的光的强度降低引起的传输损耗，而被引导穿过芯部的光的强度降低是由于被引导穿过芯部的光向折射率高于芯部的折射率的被覆的泄漏而导致的。当被覆泄漏损失太大而无法忽略时，高强度的光泄漏到被覆中并且在被覆中传播一定距离。通常，树脂等的“吸光度”(材料本身的吸收和散射)是通过制备具有预定厚度的树脂的“片材”并将透光率的常用对数乘以‑1而获得的值。在此，吸光度与片材的厚度(光在树脂中的传播长度)成比例。[0031](2)作为本公开的一个方面，多个芯部和共用包层这两者均优选由石英玻璃构成。此外，作为本公开的一个方面，被覆优选由紫外线固化性树脂构成。其原因在于，作为典型的石英玻璃系光纤的制造过程的一部分，可在经拉丝的裸光纤的表面(共用包层的外周面)上设置包括漏光传播非抑制被覆层的树脂。[0032](3)作为本公开的一个方面，被覆优选具有第一结构和第二结构。第一结构完全由多个漏光传播抑制被覆层构成。第二结构由漏光传播抑制被覆层和具有第三光学特性的漏光传播非抑制被覆层构成，该第三光学特性由“每1μm厚度的吸光度”相对于在上述波长范围内的光为0.005db以下所定义。该构造使得即使当以波导模式在各芯部中传播的光的电场的一部分穿透漏光传播非抑制被覆层时，也能够抑制以波导模式在各芯部中传播的光的传输损耗的劣化。[0033](4)作为本公开的一个方面，在被覆包括漏光传播抑制被覆层和漏光传播非抑制被覆层的情况下，漏光传播非抑制被覆层优选设置在共用包层的外周面上，并且漏光传播抑制被覆层优选设置在漏光传播非抑制被覆层的外周面上。此外，作为本公开的一个方面，漏光传播非抑制被覆层的杨氏模量优选为2mpa以下或1mpa以下。此外，漏光传播抑制被覆层的杨氏模量优选为0.8gpa以上、1gpa以上或2gpa以上。在这种情况下，能够获得充分抑制由于对mcf的侧压而由共用包层向mcf的内部施加的微弯的效果。[0034](5)作为本公开的一个方面，漏光传播非抑制被覆层可以包括第一漏光传播非抑制被覆层和第二漏光传播非抑制被覆层。在这种情况下，第一漏光传播非抑制被覆层优选设置在共用包层的外周面上，并且第二漏光传播非抑制被覆层优选设置在第一漏光传播非抑制被覆层的外周面上。此外，漏光传播抑制被覆层优选设置在第二漏光传播非抑制被覆层的外周面上。作为本公开的一个方面，第一漏光传播非抑制被覆层的杨氏模量优选为2mpa以下或1mpa以下。第二漏光传播非抑制被覆层的杨氏模量优选为0.8gpa以上、1gpa以上或2gpa以上。这种构成也示出抑制了由于对mcf的侧压而由共用包层向mcf的内部施加的微弯的前景。[0035](6)作为本公开的一个方面，漏光传播抑制被覆层的厚度优选为1μm以上10μm以下、或者1μm以上5μm以下。此外，作为本公开的一个方面，优选地，漏光传播抑制被覆层通过响应于可见光区域中的白光的照射而引起预定的光谱的反射或散射，从而呈现预定颜色。在这种情况下，操作者可以识别漏光传播抑制被覆层，这使得更容易处理mcf。[0036](7)根据本公开的一个方面，漏光传播抑制被覆层可以由碳构成，并且漏光传播抑制被覆层可以在与共用包层的外周面接触的状态下位于共用包层的外周面上。在这种情况下，作为本公开的一个方面，漏光传播抑制被覆层的厚度优选为10nm以上1μm以下。上述范围的厚度能够同时实现漏光传播的抑制和光纤的挠性。[0037](8)另一方面，作为本公开的一个方面，漏光传播抑制被覆层可以由金属构成，并且漏光传播抑制被覆层可以在与共用包层的外周面接触的状态下位于共用包层的外周面上。在这种情况下，作为本公开的一个方面，漏光传播抑制被覆层的厚度优选为1μm以上30μm以下。上述范围的厚度能够同时实现漏光传播的抑制和光纤的挠性。[0038](9)作为本公开的一个方面，在漏光传播抑制被覆层直接设置于共用包层的外周面上的构造中，漏光传播抑制被覆层的外周面可以覆盖有由树脂构成的被覆层。在这种情况下，由树脂构成的被覆用作漏光传播抑制被覆层的物理保护层。[0039]如上所述，在[本公开的实施方案的描述]中列举的各方面可应用于其他方面或这些方面的任意组合。[0040][本公开的实施方案的细节][0041]将参考附图详细描述根据本公开的mcf的具体实例。予以注意，本发明不限定于以下的实例，而是由权利要求表示，并且旨在包括与权利要求同等的内容和在权利要求的范围内的所有修改。在附图的描述中，予以注意，将用相同的附图标记表示相同的元件，并且将省略多余的描述。[0042](第一实施方案)[0043]图1为示出了根据本公开的第一实施方案的多芯光纤(mcf)的截面结构以及本公开的全部实施方案共用的折射率分布的图。[0044]图1的上部示出了根据第一实施方案的mcf10的垂直于中心轴ax的截面结构。mcf10包括裸光纤100和设置在裸光纤100的外周面上的被覆。裸光纤100包括以等间隔包围中心轴ax并与中心轴ax等距的八个芯部101。在由八个芯部101包围的区域中，设置有用于检查各芯部101的位置的标记物105。各芯部101和标记物105沿中心轴ax延伸。在各芯部101的外周面上设置有内包层102，在各内包层102的外周面上设置有沟槽103，并且在沟槽103的外周面上设置有共用包层104。各芯部101、各内包层102、各沟槽103和共用包层104优选由石英玻璃构成。此外，设置在裸光纤100的外周面上的被覆优选由紫外线固化性树脂构成。在光纤的纺丝中，用紫外线照射涂布在共用包层104的外周面上的树脂溶液，以有利于制造具有良好的制造性的被覆光纤(mcf10)。[0045]图1的上部中的“rc”表示从mcf10的截面中心(中心轴ax穿过该截面中心，以下将该截面中心简称为“中心”)到各芯部101的截面中心(以下简称为“中心”)的长度。“oct”表示从各芯部101的中心到共用包层104和被覆之间的界面的最短长度。“cd”表示裸光纤100的外径(对应于共用包层104的外径)。[0046]图1的下部示出了mcf10中各芯部101周围的折射率分布。该折射率分布示出了在距各芯部101的中心的长度为r(沿各芯部101的径向的长度，在图1中称为“芯部半径”)的位置处的相对折射率差(使用共用包层104的折射率作为基准)。长度a表示各芯部101的半径。长度b表示从各芯部101的中心到各内包层102的外周面的长度(各内包层102的外半径)。长度c表示从各芯部101的中心到各沟槽103的外周面的长度(各沟槽103的外半径)。如图1的折射率分布所示，在各芯部101周围，各内包层102的折射率低于各芯部101的折射率。各沟槽103的折射率低于各内包层102的折射率。共用包层104的折射率高于各沟槽103的折射率并且低于各芯部101的折射率和各内包层102的折射率。图1的下部中的折射率分布是共用包层104由纯二氧化硅构成的实例。然而，共用包层104的构成材料可为包含杂质(折射率调节剂)的石英玻璃。[0047]八个芯部101中的任一芯部在850nm至1700nm的波长范围内的波长处的被覆层泄漏损失为0.01db/km以上(例如，可以通过上述专利文献1所述的方法测定被覆泄漏损失)。在八个芯部101中，在850nm至1700nm的波长范围内，芯部中心距被覆最近的芯部和芯部中心距被覆最远的芯部之间的传输损耗之差可为0.01db/km以上。即使具有这样的宏弯损耗，根据本公开的mcf10也不会产生干涉图案。[0048]在第一实施方案中，mcf10的被覆由包含树脂(uv保护效果树脂)的漏光传播抑制被覆层110a构成。漏光传播抑制被覆层110a相对于波长在850nm至1700nm或1260nm至1625nm的波长范围内的光具有第一光学特性或第二光学特性。由“每1μm厚度的吸光度”或相对于上述波长范围内的光的衰减指数为0.1db以上来定义第一光学特性。由“每1μm厚度的吸光度”与“厚度”的乘积为0.1db以上来定义第二光学特性。[0049]予以注意，也称为光密度的“吸光度”是光谱学中的无量纲量，其表示当光穿过指定对象时光的强度降低了多少。在光谱化学中，将波长λ处的吸光度aλ定义为aλ＝‑log10(i/io)。作为一个实例，由‑(log10(i/io))/t给出厚度为t(单位：μm)的物质的“每1μm厚度的吸光度”。换句话说，由入射光强度io与透射光强度i之比(透射率)的常用对数给出这些等式，并且两个等式都使用负号，这是因为当光被吸收时的值应当为正数。透射率相对于光路长度呈指数衰减，而吸光度以对数表示并且与光路长度成正比。例如，在透射率为0.1(吸光度为1)的物体的厚度为三倍的情况下，透射率为0.13＝0.001，而吸光度则简单地为三倍。[0050](第二实施方案)[0051]图2为示出了根据本公开的第二实施方案的多芯光纤(mcf)的第一截面结构和第二截面结构的图。[0052]根据第二实施方案的mcf20a和20b的被覆结构不同于图1的上部所示的根据第一实施方案的mcf10。另一方面，根据第二实施方案的mcf20a和20b这两者都包括这样的裸光纤(石英系光纤)，该裸光纤的截面结构与根据第一实施方案的mcf10所包括的裸光纤100的截面结构相同。[0053]在图2的上部所示的根据第二实施方案的mcf20a中，被覆包括设置在共用包层104的外周面上的漏光传播非抑制被覆层120和设置在漏光传播非抑制被覆层120的外周面上的由树脂构成的漏光传播抑制被覆层110a。漏光传播非抑制被覆层120具有第三光学特性，即，相对于波长在850nm至1700nm或1260nm至1625nm的波长范围内的光，“每1μm厚度的吸光度”为0.005db以下。另一方面，与第一实施方案相同，漏光传播抑制被覆层110a具有上述第一光学特性或第二光学特性。该构造使得即使当以波导模式在各芯部101中传播的光的电场的一部分穿透漏光传播非抑制被覆层120时，也能够抑制以波导模式在各芯部101中传播的光的传输损耗的劣化。此外，为了获得抑制由于对mcf20a的侧压而由共用包层104向mcf20a的内部施加的微弯的效果，漏光传播非抑制被覆层120的杨氏模量优选为2mpa以下，并且更优选为1mpa以下。另一方面，漏光传播抑制被覆层110a的杨氏模量优选为0.8gpa以上、更优选为1gpa以上、并且还更优选为2gpa以上。[0054]在图2的下部所示的根据第二实施方案的mcf20b中，被覆包括设置在共用包层104的外周面上的第一漏光传播非抑制被覆层120a和设置在第一漏光传播非抑制被覆层120a的外周面上的第二漏光传播非抑制被覆层120b。漏光传播抑制被覆层110b设置在第二漏光传播非抑制被覆层120b的外周面上。该构造也使得即使当以波导模式在各芯部101中传播的光的电场的一部分穿透漏光传播非抑制被覆层120a和120b时，也能够抑制以波导模式在各芯部101中传播的光的传输损耗的劣化。此外，为了获得抑制由于对mcf20b的侧压而由共用包层104向mcf20b的内部施加的微弯的效果，第一漏光传播非抑制被覆层120a的杨氏模量优选为2mpa以下，并且更优选为1mpa以下。另一方面，第二漏光传播非抑制被覆层120b的杨氏模量优选为0.8gpa以上，更优选为1gpa以上，并且还优选为2gpa以上。在此，漏光传播抑制被覆层110b的厚度优选为1μm以上10μm以下，并且更优选为1μm以上5μm以下。[0055]在根据第二实施方案的mcf20a和20b这两者中，设置在共用包层104的外周面上的全部被覆由树脂构成。[0056]在根据第二实施方案的mcf20a和20b中，被覆优选由紫外线固化性树脂构成。在光纤的纺丝中，用紫外线照射涂布在共用包层104的外周面上的树脂溶液，以有利于制造具有良好制造性的被覆光纤(mcf20a和20b)。[0057]此外，如根据第二实施方案的mcf20a和20b那样，在漏光传播抑制被覆层110a设置在漏光传播非抑制被覆层120的外侧的构造中，或者在漏光传播抑制被覆层110b设置在第一漏光传播非抑制被覆层120a和第二漏光传播非抑制被覆层120b的外侧的构造中，漏光传播抑制被覆层110a和漏光传播抑制被覆层110b这两者均优选通过响应于可见光区域中的白光的照射而引起预定的光谱的反射或散射，从而呈现预定颜色。具体而言，漏光传播抑制被覆层110a和漏光传播抑制被覆层110b优选呈现预定颜色，例如红色、蓝色、黄色、绿色、黑色、白色、灰色、橙色及桃红色。因此，操作者可以识别漏光传播抑制被覆层110a和110b，这使得更易于处理mcf20a和20b。[0058](第三实施方案)[0059]图3为示出了根据本公开的第三实施方案的多芯光纤(mcf)的第一截面结构和第二截面结构的图。[0060]根据第三实施方案的mcf30a和30b的被覆结构不同于图1的上部所示的根据第一实施方案的mcf10以及根据第二实施方案的mcf20a和20b。另一方面，根据第三实施方案的mcf30a和30b这两者均包括这样的裸光纤(石英系光纤)，该裸光纤的截面结构与根据第一实施方案的mcf10中所包括的裸光纤100的截面结构相同。[0061]在根据第三实施方案的mcf30a和30b这两者中，在裸光纤100的外周面(共用包层104的外周面)上设置有由碳(非金属)或金属构成的漏光传播抑制被覆层110c。特别地，在图3的上部所示的根据第三实施方案的mcf30a中，在裸光纤100的外周面上设置有作为漏光传播抑制被覆层110c的碳被覆。如mcf30a中那样，当采用由碳(非金属)构成的漏光传播抑制被覆层110c时，该漏光传播抑制被覆层110c的厚度优选为10nm以上1μm以下。另一方面，在图3的下部所示的mcf30b中，在裸光纤100的外周面上设置有作为漏光传播抑制被覆层110c的金属被覆。如mcf30b中那样，当采用由金属构成的漏光传播抑制被覆层110c时，该漏光传播抑制被覆层110c的厚度优选为1μm以上30μm以下。在mcf30b中，在漏光传播抑制被覆层110c的外周面上设置有用于保护漏光传播抑制被覆层110c的漏光传播非抑制被覆层(由树脂构成的被覆层)120。可以将漏光传播非抑制被覆层设置在碳被覆上。[0062]以这种方式，在漏光传播抑制被覆层110c由碳或金属构成的情况下，能够在上述厚度范围内防止泄漏光的传播，并实现光纤的挠性。[0063](第四实施方案)[0064]图4为示出了根据本公开的第四实施方案的多芯光纤(mcf)的截面结构的图。[0065]根据第四实施方案的mcf40的被覆结构不同于图1的上部所示的根据第一实施方案的mcf10以及根据第二实施方案的mcf20a和20b、以及根据第三实施方案的mcf30a和30b。另一方面，根据第四实施方案的mcf40包括这样的裸光纤(石英系光纤)，该裸光纤的截面结构与根据第一实施方案的mcf10中所包括的裸光纤100的截面结构相同。[0066]在裸光纤100的外周面(在共用包层104的外周面)上，根据第四实施方案的mcf40具有这样的被覆结构，该被覆结构中结合了第二和第三实施方案中的结构。换句话说，根据第四实施方案的mcf40的被覆包括位于共用包层104的外周面上的漏光传播抑制被覆层110c(第三实施方案)、位于漏光传播抑制被覆层110c的外周面上的漏光传播非抑制被覆层120、以及位于漏光传播非抑制被覆层120的外周面上的漏光传播抑制被覆层110a(第二实施方案)。[0067]图4所示的漏光传播抑制被覆层110c由碳或金属构成。当由碳构成的漏光传播抑制被覆层110c设置在共用包层104的外周面上时，漏光传播抑制被覆层110c的厚度优选为10nm以上1μm以下。另一方面，当由金属构成的漏光传播抑制被覆层110c设置在共用包层104的外周面上时，漏光传播抑制被覆层110c的厚度优选为1μm以上30μm以下。此外，图4所示的漏光传播抑制被覆层110a设置在漏光传播非抑制被覆层120(设置在漏光传播抑制被覆层110c的外周面上的树脂层)的外周面上，并由树脂构成。[0068]在图4所示的根据第四实施方案的mcf40中，设置在裸光纤100的外周面上的被覆包括彼此不同的漏光传播抑制被覆层110a和漏光传播抑制被覆层110c，并且漏光传播抑制被覆层110a和漏光传播抑制被覆层110c之间夹有漏光传播非抑制被覆层120。因此，能够更可靠地抑制漏光的传播，并确保光纤的挠性。[0069]予以注意，对于第一至第四实施方案中采用的由树脂构成的漏光传播抑制被覆层110a、由树脂构成的漏光传播抑制被覆层110b、以及由碳或金属构成的漏光传播抑制被覆层110c，其相对于波长在850nm至1700nm或1260nm至1625nm的波长范围内的光均具有第一光学特性或第二光学特性。由“每1μm厚度的吸光度”或相对于上述波长范围内的光的衰减指数为0.1db以上来定义第一光学特性。由“每1μm厚度的吸光度”与“厚度”的乘积为0.1db以上来定义第二光学特性。[0070](测定结果)[0071]图5为示出了所准备的作为测定试样的根据比较例的mcf500的截面结构和根据第二实施方案的mcf20b的第二截面结构的图。[0072]图6为示出了根据比较例的mcf500中的各芯部101(芯部1至芯部8)的损耗光谱和根据第二实施方案的mcf20b中的各芯部101(芯部1至芯部8)的损耗光谱的图。作为漏光传播抑制被覆层的技术效果，本发明人进行了实验并确认了抑制“在芯部传播的光”和“由芯部向被覆泄露的光分量中的再耦合至芯部的光分量”之间的干涉的效果。[0073]根据比较例准备的mcf500(图5的上部)和根据第二实施方案的mcf20b(图5的下部)各自包括具有相同的截面结构的裸光纤。换句话说，mcf500和mcf20b这两者都是通过相同光纤母材进行拉丝而获得的，并且区别仅在于被覆结构不同。[0074]在裸光纤100中，使用共用包层104的折射率作为基准(例如，纯二氧化硅水平)，各芯部101的相对折射率差为0.35±0.05％(0.30％以上0.40％以下)，各内包层102的相对折射率差为0.05±0.05％(0％以上0.1％以下)，并且各沟槽103的相对折射率差为‑0.70±0.05％(‑0.75％以上‑0.65％以下)。各芯部101的外径(直径)2a为6.4±0.5μm(5.9μm以上6.9μm以下)。各芯部101的外径2a与各内包层102的外径(各沟槽的内径)2b的比率a/b为0.4±0.05(0.35以上0.45以下)。各内包层102的外径2b与各沟槽103的外径2c的比率b/c为0.6±0.1(0.5以上0.7以下)。[0075]共用包层104的外径cd为125±15μm(110μm以上140μm以下)。从共用包层104的中心(与中心轴ax相交的截面的中心)到各芯部101的中心的长度rc为40.5±1.5μm(39.0μm以上42μm以下)。从各芯部101的中心(截面的中心)到共用包层104和被覆之间的界面的最短长度oct为22±2μm(20μm以上24μm以下)。[0076]根据比较例的mcf500的被覆(图5的上部)包括设置在共用包层104的外周面上的第一漏光传播非抑制被覆层120a和设置在第一漏光传播非抑制被覆层120a的外周面上的第二漏光传播非抑制被覆层120b。根据比较例的该mcf500不包括漏光传播抑制被覆层。包括第一漏光传播非抑制被覆层120a和第二漏光传播非抑制被覆层120b的被覆的外径为250±15μm(235μm以上265μm以下)。第一漏光传播非抑制被覆层120a和第二漏光传播非抑制被覆层120b在850nm至1700nm的波长范围内的“每1μm厚度的吸光度”为0.003db/μm以下，并且在850nm至1600nm的波长范围内的“每1μm厚度的吸光度”为0.0015db/μm以下。[0077]另一方面，根据第二实施方案的mcf20b的被覆(图5的下部)包括位于共用包层104的外周面上的第一漏光传播非抑制被覆层120a、位于第一漏光传播非抑制被覆层120a的外周面上的第二漏光传播非抑制被覆层120b、以及位于第二漏光传播非抑制被覆层120b的外周面上的漏光传播抑制被覆层110b。在根据第二实施方案的mcf20b中，第一漏光传播非抑制被覆层120a和第二漏光传播非抑制被覆层120b具有与根据比较例的mcf500相同的结构。[0078]此外，在根据第二实施方案的mcf20b(图5的下部)中，漏光传播抑制被覆层110b的厚度为3±2μm(1μm以上5μm以下)。漏光传播抑制被覆层110b在850nm至1700nm的整个波长范围内的“每1μm厚度的吸光度”为0.1db/μm以上。“每1μm厚度的吸光度”与“厚度”的乘积为0.3±0.2db以上(0.1db以上或0.5db以上)。[0079]比较图6的上部(根据比较例的mcf500)所示的各芯部101(芯部1至芯部8)的损耗光谱和图6的下部(根据第二实施方案的mcf20b)所示的各芯部101(芯部1至芯部8)的损耗光谱，两种mcf的共同点在于，在1300nm至1400nm的波长范围内，由于向被覆的泄漏，传输损耗趋于随着波长的增加而升高。然而，在1300nm至1400nm的波长范围的长波长区域中，根据比较例的mcf500的传输损耗光谱示出了显著的干涉图案(振幅)。换句话说，在根据比较例的mcf500中，在1300至1400nm的波长范围的长波长区域，在“在芯部传播的光”和“由芯部向被覆泄露的光分量中的再耦合至芯部的光分量”之间存在强烈的干涉。[0080]另一方面，可以看出，即使在1300nm至1400nm的波长范围的长波长区域中，根据第二实施方案的mcf20b也能够抑制“在芯部传播的光”和“由芯部向被覆泄露的光分量中的再耦合至芯部的光分量”之间的干涉。因此，当传输线采用抑制了“在芯部传播的光”和“由芯部向被覆泄露的光分量中的再耦合至芯部的光分量”之间的干涉的根据实施方案的mcf(mcf10、mcf20a、mcf20b、mcf30a、mcf30b和mcf40)中的任一mcf时，即使在被覆泄漏损失显著增加的波段(在图6所示的实例中，为1400nm至1600nm的波长范围)中，虽然传输损耗增加，但是也能够传输光信号而不会由于干涉导致信号品质劣化。当前第1页12当前第1页12
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：：3.近年来，如以下非专利文献1至4所示，对可应用于传输线路的mcf进行了各种研究。然而，对于在光向被覆侧的泄露变得显著的波长范围内信号质量劣化的原因，尚未进行充分研究。4.(专利文献1)wo2016/1576395.(非专利文献1)b.zhu等人，“seven‑coremulticorefibertransmissionsforpassiveopticalnetwork,”opticsexpress，第18卷，no.11，2010年5月24日，11117‑11122页6.(非专利文献2)tetsuyahayashi，“multi‑corefiberforhigh‑capacityspatially‑multiplexedtransmission,”2013年8月，[在线]，[2020年2月21日检索]，网址http://hdl.handle.net/2115/53864[0007](非专利文献3)tetsuyahayashi等人，“125‑μm‑claddingeight‑coremulti‑corefiberrealizingultra‑high‑densitycablesuitableforo‑bandshort‑reachopticalinterconnects,”journaloflightwavetechnology，第34卷，no.1，2016年1月1日，85‑92页[0008](非专利文献4)m.travagnin，“berpenaltyinducedbycoherentmpinoiseinftthopticallinks,”journaloflightwavetechnology，第31卷，no.18，2013年9月15日，3021‑3031页技术实现要素：[0009]一方面，根据本公开的实施方案的多芯光纤(mcf)包括多个芯部、共用包层以及被覆。多个芯部中的每一个芯部沿多芯光纤的中心轴延伸。共用包层包围多个芯部的每一个芯部，并且共用包层的折射率小于多个芯部中的每一个芯部的折射率。mcf的中心轴穿过垂直于中心轴的共用包层的截面的中心。被覆包围共用包层。此外，多个芯部中的任一芯部在850nm至1700nm的波长范围内的波长处的被覆泄漏损失为0.01db/km以上。被覆包括漏光传播抑制被覆层。漏光传播抑制被覆层相对于波长在850nm至1700nm或1260nm至1625nm的波长范围内的光具有第一光学特性或第二光学特性。在本文中，第一光学特性由作为相对于上述光的衰减指数的“每1μm厚度的吸光度”为0.1db以上所定义。第二光学特性由“每1μm厚度的吸光度”与“厚度”的乘积为0.1db以上所定义。附图说明[0010]图1为示出了根据本公开的第一实施方案的mcf的截面结构以及本公开的全部实施方案共用的折射率分布的图；[0011]图2为示出了根据本公开的第二实施方案的mcf的第一截面结构和第二截面结构的图；[0012]图3为示出了根据本公开的第三实施方案的mcf的第一截面结构和第二截面结构的图；[0013]图4为示出了根据本公开的第四实施方案的mcf的截面结构的图；[0014]图5为示出了作为测定试样所准备的根据比较例的mcf的截面结构和根据第二实施方案的mcf的第二截面结构的图；以及[0015]图6为示出了根据比较例的mcf中的各芯部(芯部1至芯部8)的损耗光谱和根据第二实施方案的mcf中的各芯部(芯部1至芯部8)的损耗光谱的图。具体实施方式[0016][本发明要解决的问题][0017]本发明人通过研究相关领域的技术，结果发现了以下问题。即，在向被覆侧的光泄露变得显著的波段中，相关领域中的mcf示出了信号品质的劣化，这不能通过由于光泄漏导致的传输损耗(光强度减弱)进行解释。根据本发明人的发现，信号品质的劣化是由于“在芯部传播的光”和“由芯部向被覆泄露的光分量中的再耦合至芯部的光分量”之间的干涉引起的。[0018]做出本公开以解决上述问题。本公开的目的是提供这样的mcf，该mcf具有防止由于来自被覆的反射分量而导致的光传输信号的品质劣化的结构。[0019][本发明的有利效果][0020]根据本公开的mcf防止了光传输信号的品质的劣化。[0021][本公开的实施方案的描述][0022]以下描述是与上述非专利文献1至4相关的研究结果。[0023]在非专利文献1公开的mcf中，如从图1可以看出的，外周芯部(垂直于中心轴的mcf的截面中的最外侧的芯部)的传输损耗从约1450nm处起开始增加，并且在1450nm至1500nm的波长范围内产生类似于干涉图案的振动。[0024]在非专利文献2公开的mcf中，如从图2.20可以看出的，外周芯部的传输损耗从约1400nm处起开始增加，并且在1400nm至1700nm的波长范围内产生类似于干涉图案的振幅。这是由“在芯部传播的光”和“由芯部向被覆泄露的光分量中的再耦合至芯部的光分量”之间的干涉造成的(参见图2.30)。[0025]非专利文献3公开了这样的mcf，其包括在外径为125μm的包层内以环状布置的八个芯部。此外，图6(a)示出了各芯部的损耗光谱。从图6(a)可以看出，在o波段(从1260nm至1360nm的波长范围)中抑制了向被覆的泄漏损失，但是泄漏损失在比o波段更长的波段中变得显著。换句话说，在比o波段更长的波段中，由“在芯部传播的光”和“由芯部向被覆泄露的光分量中的再耦合至芯部的光分量”之间的干涉产生的干涉图案变得显而易见。[0026]非专利4公开了多路径干涉(mpi)使光传输信号的品质劣化。[0027]根据本公开的多芯光纤(mcf)具有漏光传播抑制被覆层，该漏光传播抑制被覆层位于设置于裸光纤的外周面上的被覆之中或表层上。该结构使得能够抑制由各芯部向被覆泄露的光分量的强度损失，并且能够通过被覆表面上向各芯部的反射从而使再耦合至各芯部的漏光分量的强度降低。因此，能够防止由于“在芯部传播的光”和“由芯部向被覆泄露的光分量中的再耦合至芯部的光分量”之间的干涉引起的光传输信号的品质劣化。首先，将单独列举和描述本公开的实施方案的细节。[0028](1)根据本公开的一个方面的mcf包括多个芯部、共用包层以及被覆。多个芯部中的每一个芯部沿mcf的中心轴延伸。共用包层包围多个芯部的每一个芯部，并且共用包层的折射率小于多个芯部中的每一个芯部的折射率。mcf的中心轴穿过垂直于中心轴的共用包层的截面的中心。被覆包围共用包层。此外，多个芯部中的任一芯部在850nm至1700nm的波长范围内的波长处的被覆泄漏损失为0.01db/km以上。被覆包括漏光传播抑制被覆层。漏光传播抑制被覆层相对于波长在850nm至1700nm或1260nm至1625nm的波长范围内的光具有第一光学特性或第二光学特性。在本文中，第一光学特性由作为相对于上述波长范围内的光的衰减指数的“每1μm厚度的吸光度”为0.1db以上所定义。第二光学特性由“每1μm厚度的吸光度”与“厚度”的乘积为0.1db以上所定义。[0029]在多个芯部中，在850nm至1700nm的波长范围内，芯部中心(截面中心)距被覆最近的芯部和芯部中心距被覆最远的芯部之间的传输损耗之差可为0.01db/km以上。即使具有这种宏弯损耗，根据本公开的mcf也不会产生干涉图案。[0030]在此，由沿着垂直于中心轴的径向方向从特定层的内周面到外周面的长度(或者由内径和外径之差)给出特定层的“厚度”。此外，可以通过(例如)上述专利文献1中公开的方法测定多个芯部中的任一芯部的被覆泄漏损失。特别地，“被覆泄漏损失”是指由于被引导穿过芯部的光的强度降低引起的传输损耗，而被引导穿过芯部的光的强度降低是由于被引导穿过芯部的光向折射率高于芯部的折射率的被覆的泄漏而导致的。当被覆泄漏损失太大而无法忽略时，高强度的光泄漏到被覆中并且在被覆中传播一定距离。通常，树脂等的“吸光度”(材料本身的吸收和散射)是通过制备具有预定厚度的树脂的“片材”并将透光率的常用对数乘以‑1而获得的值。在此，吸光度与片材的厚度(光在树脂中的传播长度)成比例。[0031](2)作为本公开的一个方面，多个芯部和共用包层这两者均优选由石英玻璃构成。此外，作为本公开的一个方面，被覆优选由紫外线固化性树脂构成。其原因在于，作为典型的石英玻璃系光纤的制造过程的一部分，可在经拉丝的裸光纤的表面(共用包层的外周面)上设置包括漏光传播非抑制被覆层的树脂。[0032](3)作为本公开的一个方面，被覆优选具有第一结构和第二结构。第一结构完全由多个漏光传播抑制被覆层构成。第二结构由漏光传播抑制被覆层和具有第三光学特性的漏光传播非抑制被覆层构成，该第三光学特性由“每1μm厚度的吸光度”相对于在上述波长范围内的光为0.005db以下所定义。该构造使得即使当以波导模式在各芯部中传播的光的电场的一部分穿透漏光传播非抑制被覆层时，也能够抑制以波导模式在各芯部中传播的光的传输损耗的劣化。[0033](4)作为本公开的一个方面，在被覆包括漏光传播抑制被覆层和漏光传播非抑制被覆层的情况下，漏光传播非抑制被覆层优选设置在共用包层的外周面上，并且漏光传播抑制被覆层优选设置在漏光传播非抑制被覆层的外周面上。此外，作为本公开的一个方面，漏光传播非抑制被覆层的杨氏模量优选为2mpa以下或1mpa以下。此外，漏光传播抑制被覆层的杨氏模量优选为0.8gpa以上、1gpa以上或2gpa以上。在这种情况下，能够获得充分抑制由于对mcf的侧压而由共用包层向mcf的内部施加的微弯的效果。[0034](5)作为本公开的一个方面，漏光传播非抑制被覆层可以包括第一漏光传播非抑制被覆层和第二漏光传播非抑制被覆层。在这种情况下，第一漏光传播非抑制被覆层优选设置在共用包层的外周面上，并且第二漏光传播非抑制被覆层优选设置在第一漏光传播非抑制被覆层的外周面上。此外，漏光传播抑制被覆层优选设置在第二漏光传播非抑制被覆层的外周面上。作为本公开的一个方面，第一漏光传播非抑制被覆层的杨氏模量优选为2mpa以下或1mpa以下。第二漏光传播非抑制被覆层的杨氏模量优选为0.8gpa以上、1gpa以上或2gpa以上。这种构成也示出抑制了由于对mcf的侧压而由共用包层向mcf的内部施加的微弯的前景。[0035](6)作为本公开的一个方面，漏光传播抑制被覆层的厚度优选为1μm以上10μm以下、或者1μm以上5μm以下。此外，作为本公开的一个方面，优选地，漏光传播抑制被覆层通过响应于可见光区域中的白光的照射而引起预定的光谱的反射或散射，从而呈现预定颜色。在这种情况下，操作者可以识别漏光传播抑制被覆层，这使得更容易处理mcf。[0036](7)根据本公开的一个方面，漏光传播抑制被覆层可以由碳构成，并且漏光传播抑制被覆层可以在与共用包层的外周面接触的状态下位于共用包层的外周面上。在这种情况下，作为本公开的一个方面，漏光传播抑制被覆层的厚度优选为10nm以上1μm以下。上述范围的厚度能够同时实现漏光传播的抑制和光纤的挠性。[0037](8)另一方面，作为本公开的一个方面，漏光传播抑制被覆层可以由金属构成，并且漏光传播抑制被覆层可以在与共用包层的外周面接触的状态下位于共用包层的外周面上。在这种情况下，作为本公开的一个方面，漏光传播抑制被覆层的厚度优选为1μm以上30μm以下。上述范围的厚度能够同时实现漏光传播的抑制和光纤的挠性。[0038](9)作为本公开的一个方面，在漏光传播抑制被覆层直接设置于共用包层的外周面上的构造中，漏光传播抑制被覆层的外周面可以覆盖有由树脂构成的被覆层。在这种情况下，由树脂构成的被覆用作漏光传播抑制被覆层的物理保护层。[0039]如上所述，在[本公开的实施方案的描述]中列举的各方面可应用于其他方面或这些方面的任意组合。[0040][本公开的实施方案的细节][0041]将参考附图详细描述根据本公开的mcf的具体实例。予以注意，本发明不限定于以下的实例，而是由权利要求表示，并且旨在包括与权利要求同等的内容和在权利要求的范围内的所有修改。在附图的描述中，予以注意，将用相同的附图标记表示相同的元件，并且将省略多余的描述。[0042](第一实施方案)[0043]图1为示出了根据本公开的第一实施方案的多芯光纤(mcf)的截面结构以及本公开的全部实施方案共用的折射率分布的图。[0044]图1的上部示出了根据第一实施方案的mcf10的垂直于中心轴ax的截面结构。mcf10包括裸光纤100和设置在裸光纤100的外周面上的被覆。裸光纤100包括以等间隔包围中心轴ax并与中心轴ax等距的八个芯部101。在由八个芯部101包围的区域中，设置有用于检查各芯部101的位置的标记物105。各芯部101和标记物105沿中心轴ax延伸。在各芯部101的外周面上设置有内包层102，在各内包层102的外周面上设置有沟槽103，并且在沟槽103的外周面上设置有共用包层104。各芯部101、各内包层102、各沟槽103和共用包层104优选由石英玻璃构成。此外，设置在裸光纤100的外周面上的被覆优选由紫外线固化性树脂构成。在光纤的纺丝中，用紫外线照射涂布在共用包层104的外周面上的树脂溶液，以有利于制造具有良好的制造性的被覆光纤(mcf10)。[0045]图1的上部中的“rc”表示从mcf10的截面中心(中心轴ax穿过该截面中心，以下将该截面中心简称为“中心”)到各芯部101的截面中心(以下简称为“中心”)的长度。“oct”表示从各芯部101的中心到共用包层104和被覆之间的界面的最短长度。“cd”表示裸光纤100的外径(对应于共用包层104的外径)。[0046]图1的下部示出了mcf10中各芯部101周围的折射率分布。该折射率分布示出了在距各芯部101的中心的长度为r(沿各芯部101的径向的长度，在图1中称为“芯部半径”)的位置处的相对折射率差(使用共用包层104的折射率作为基准)。长度a表示各芯部101的半径。长度b表示从各芯部101的中心到各内包层102的外周面的长度(各内包层102的外半径)。长度c表示从各芯部101的中心到各沟槽103的外周面的长度(各沟槽103的外半径)。如图1的折射率分布所示，在各芯部101周围，各内包层102的折射率低于各芯部101的折射率。各沟槽103的折射率低于各内包层102的折射率。共用包层104的折射率高于各沟槽103的折射率并且低于各芯部101的折射率和各内包层102的折射率。图1的下部中的折射率分布是共用包层104由纯二氧化硅构成的实例。然而，共用包层104的构成材料可为包含杂质(折射率调节剂)的石英玻璃。[0047]八个芯部101中的任一芯部在850nm至1700nm的波长范围内的波长处的被覆层泄漏损失为0.01db/km以上(例如，可以通过上述专利文献1所述的方法测定被覆泄漏损失)。在八个芯部101中，在850nm至1700nm的波长范围内，芯部中心距被覆最近的芯部和芯部中心距被覆最远的芯部之间的传输损耗之差可为0.01db/km以上。即使具有这样的宏弯损耗，根据本公开的mcf10也不会产生干涉图案。[0048]在第一实施方案中，mcf10的被覆由包含树脂(uv保护效果树脂)的漏光传播抑制被覆层110a构成。漏光传播抑制被覆层110a相对于波长在850nm至1700nm或1260nm至1625nm的波长范围内的光具有第一光学特性或第二光学特性。由“每1μm厚度的吸光度”或相对于上述波长范围内的光的衰减指数为0.1db以上来定义第一光学特性。由“每1μm厚度的吸光度”与“厚度”的乘积为0.1db以上来定义第二光学特性。[0049]予以注意，也称为光密度的“吸光度”是光谱学中的无量纲量，其表示当光穿过指定对象时光的强度降低了多少。在光谱化学中，将波长λ处的吸光度aλ定义为aλ＝‑log10(i/io)。作为一个实例，由‑(log10(i/io))/t给出厚度为t(单位：μm)的物质的“每1μm厚度的吸光度”。换句话说，由入射光强度io与透射光强度i之比(透射率)的常用对数给出这些等式，并且两个等式都使用负号，这是因为当光被吸收时的值应当为正数。透射率相对于光路长度呈指数衰减，而吸光度以对数表示并且与光路长度成正比。例如，在透射率为0.1(吸光度为1)的物体的厚度为三倍的情况下，透射率为0.13＝0.001，而吸光度则简单地为三倍。[0050](第二实施方案)[0051]图2为示出了根据本公开的第二实施方案的多芯光纤(mcf)的第一截面结构和第二截面结构的图。[0052]根据第二实施方案的mcf20a和20b的被覆结构不同于图1的上部所示的根据第一实施方案的mcf10。另一方面，根据第二实施方案的mcf20a和20b这两者都包括这样的裸光纤(石英系光纤)，该裸光纤的截面结构与根据第一实施方案的mcf10所包括的裸光纤100的截面结构相同。[0053]在图2的上部所示的根据第二实施方案的mcf20a中，被覆包括设置在共用包层104的外周面上的漏光传播非抑制被覆层120和设置在漏光传播非抑制被覆层120的外周面上的由树脂构成的漏光传播抑制被覆层110a。漏光传播非抑制被覆层120具有第三光学特性，即，相对于波长在850nm至1700nm或1260nm至1625nm的波长范围内的光，“每1μm厚度的吸光度”为0.005db以下。另一方面，与第一实施方案相同，漏光传播抑制被覆层110a具有上述第一光学特性或第二光学特性。该构造使得即使当以波导模式在各芯部101中传播的光的电场的一部分穿透漏光传播非抑制被覆层120时，也能够抑制以波导模式在各芯部101中传播的光的传输损耗的劣化。此外，为了获得抑制由于对mcf20a的侧压而由共用包层104向mcf20a的内部施加的微弯的效果，漏光传播非抑制被覆层120的杨氏模量优选为2mpa以下，并且更优选为1mpa以下。另一方面，漏光传播抑制被覆层110a的杨氏模量优选为0.8gpa以上、更优选为1gpa以上、并且还更优选为2gpa以上。[0054]在图2的下部所示的根据第二实施方案的mcf20b中，被覆包括设置在共用包层104的外周面上的第一漏光传播非抑制被覆层120a和设置在第一漏光传播非抑制被覆层120a的外周面上的第二漏光传播非抑制被覆层120b。漏光传播抑制被覆层110b设置在第二漏光传播非抑制被覆层120b的外周面上。该构造也使得即使当以波导模式在各芯部101中传播的光的电场的一部分穿透漏光传播非抑制被覆层120a和120b时，也能够抑制以波导模式在各芯部101中传播的光的传输损耗的劣化。此外，为了获得抑制由于对mcf20b的侧压而由共用包层104向mcf20b的内部施加的微弯的效果，第一漏光传播非抑制被覆层120a的杨氏模量优选为2mpa以下，并且更优选为1mpa以下。另一方面，第二漏光传播非抑制被覆层120b的杨氏模量优选为0.8gpa以上，更优选为1gpa以上，并且还优选为2gpa以上。在此，漏光传播抑制被覆层110b的厚度优选为1μm以上10μm以下，并且更优选为1μm以上5μm以下。[0055]在根据第二实施方案的mcf20a和20b这两者中，设置在共用包层104的外周面上的全部被覆由树脂构成。[0056]在根据第二实施方案的mcf20a和20b中，被覆优选由紫外线固化性树脂构成。在光纤的纺丝中，用紫外线照射涂布在共用包层104的外周面上的树脂溶液，以有利于制造具有良好制造性的被覆光纤(mcf20a和20b)。[0057]此外，如根据第二实施方案的mcf20a和20b那样，在漏光传播抑制被覆层110a设置在漏光传播非抑制被覆层120的外侧的构造中，或者在漏光传播抑制被覆层110b设置在第一漏光传播非抑制被覆层120a和第二漏光传播非抑制被覆层120b的外侧的构造中，漏光传播抑制被覆层110a和漏光传播抑制被覆层110b这两者均优选通过响应于可见光区域中的白光的照射而引起预定的光谱的反射或散射，从而呈现预定颜色。具体而言，漏光传播抑制被覆层110a和漏光传播抑制被覆层110b优选呈现预定颜色，例如红色、蓝色、黄色、绿色、黑色、白色、灰色、橙色及桃红色。因此，操作者可以识别漏光传播抑制被覆层110a和110b，这使得更易于处理mcf20a和20b。[0058](第三实施方案)[0059]图3为示出了根据本公开的第三实施方案的多芯光纤(mcf)的第一截面结构和第二截面结构的图。[0060]根据第三实施方案的mcf30a和30b的被覆结构不同于图1的上部所示的根据第一实施方案的mcf10以及根据第二实施方案的mcf20a和20b。另一方面，根据第三实施方案的mcf30a和30b这两者均包括这样的裸光纤(石英系光纤)，该裸光纤的截面结构与根据第一实施方案的mcf10中所包括的裸光纤100的截面结构相同。[0061]在根据第三实施方案的mcf30a和30b这两者中，在裸光纤100的外周面(共用包层104的外周面)上设置有由碳(非金属)或金属构成的漏光传播抑制被覆层110c。特别地，在图3的上部所示的根据第三实施方案的mcf30a中，在裸光纤100的外周面上设置有作为漏光传播抑制被覆层110c的碳被覆。如mcf30a中那样，当采用由碳(非金属)构成的漏光传播抑制被覆层110c时，该漏光传播抑制被覆层110c的厚度优选为10nm以上1μm以下。另一方面，在图3的下部所示的mcf30b中，在裸光纤100的外周面上设置有作为漏光传播抑制被覆层110c的金属被覆。如mcf30b中那样，当采用由金属构成的漏光传播抑制被覆层110c时，该漏光传播抑制被覆层110c的厚度优选为1μm以上30μm以下。在mcf30b中，在漏光传播抑制被覆层110c的外周面上设置有用于保护漏光传播抑制被覆层110c的漏光传播非抑制被覆层(由树脂构成的被覆层)120。可以将漏光传播非抑制被覆层设置在碳被覆上。[0062]以这种方式，在漏光传播抑制被覆层110c由碳或金属构成的情况下，能够在上述厚度范围内防止泄漏光的传播，并实现光纤的挠性。[0063](第四实施方案)[0064]图4为示出了根据本公开的第四实施方案的多芯光纤(mcf)的截面结构的图。[0065]根据第四实施方案的mcf40的被覆结构不同于图1的上部所示的根据第一实施方案的mcf10以及根据第二实施方案的mcf20a和20b、以及根据第三实施方案的mcf30a和30b。另一方面，根据第四实施方案的mcf40包括这样的裸光纤(石英系光纤)，该裸光纤的截面结构与根据第一实施方案的mcf10中所包括的裸光纤100的截面结构相同。[0066]在裸光纤100的外周面(在共用包层104的外周面)上，根据第四实施方案的mcf40具有这样的被覆结构，该被覆结构中结合了第二和第三实施方案中的结构。换句话说，根据第四实施方案的mcf40的被覆包括位于共用包层104的外周面上的漏光传播抑制被覆层110c(第三实施方案)、位于漏光传播抑制被覆层110c的外周面上的漏光传播非抑制被覆层120、以及位于漏光传播非抑制被覆层120的外周面上的漏光传播抑制被覆层110a(第二实施方案)。[0067]图4所示的漏光传播抑制被覆层110c由碳或金属构成。当由碳构成的漏光传播抑制被覆层110c设置在共用包层104的外周面上时，漏光传播抑制被覆层110c的厚度优选为10nm以上1μm以下。另一方面，当由金属构成的漏光传播抑制被覆层110c设置在共用包层104的外周面上时，漏光传播抑制被覆层110c的厚度优选为1μm以上30μm以下。此外，图4所示的漏光传播抑制被覆层110a设置在漏光传播非抑制被覆层120(设置在漏光传播抑制被覆层110c的外周面上的树脂层)的外周面上，并由树脂构成。[0068]在图4所示的根据第四实施方案的mcf40中，设置在裸光纤100的外周面上的被覆包括彼此不同的漏光传播抑制被覆层110a和漏光传播抑制被覆层110c，并且漏光传播抑制被覆层110a和漏光传播抑制被覆层110c之间夹有漏光传播非抑制被覆层120。因此，能够更可靠地抑制漏光的传播，并确保光纤的挠性。[0069]予以注意，对于第一至第四实施方案中采用的由树脂构成的漏光传播抑制被覆层110a、由树脂构成的漏光传播抑制被覆层110b、以及由碳或金属构成的漏光传播抑制被覆层110c，其相对于波长在850nm至1700nm或1260nm至1625nm的波长范围内的光均具有第一光学特性或第二光学特性。由“每1μm厚度的吸光度”或相对于上述波长范围内的光的衰减指数为0.1db以上来定义第一光学特性。由“每1μm厚度的吸光度”与“厚度”的乘积为0.1db以上来定义第二光学特性。[0070](测定结果)[0071]图5为示出了所准备的作为测定试样的根据比较例的mcf500的截面结构和根据第二实施方案的mcf20b的第二截面结构的图。[0072]图6为示出了根据比较例的mcf500中的各芯部101(芯部1至芯部8)的损耗光谱和根据第二实施方案的mcf20b中的各芯部101(芯部1至芯部8)的损耗光谱的图。作为漏光传播抑制被覆层的技术效果，本发明人进行了实验并确认了抑制“在芯部传播的光”和“由芯部向被覆泄露的光分量中的再耦合至芯部的光分量”之间的干涉的效果。[0073]根据比较例准备的mcf500(图5的上部)和根据第二实施方案的mcf20b(图5的下部)各自包括具有相同的截面结构的裸光纤。换句话说，mcf500和mcf20b这两者都是通过相同光纤母材进行拉丝而获得的，并且区别仅在于被覆结构不同。[0074]在裸光纤100中，使用共用包层104的折射率作为基准(例如，纯二氧化硅水平)，各芯部101的相对折射率差为0.35±0.05％(0.30％以上0.40％以下)，各内包层102的相对折射率差为0.05±0.05％(0％以上0.1％以下)，并且各沟槽103的相对折射率差为‑0.70±0.05％(‑0.75％以上‑0.65％以下)。各芯部101的外径(直径)2a为6.4±0.5μm(5.9μm以上6.9μm以下)。各芯部101的外径2a与各内包层102的外径(各沟槽的内径)2b的比率a/b为0.4±0.05(0.35以上0.45以下)。各内包层102的外径2b与各沟槽103的外径2c的比率b/c为0.6±0.1(0.5以上0.7以下)。[0075]共用包层104的外径cd为125±15μm(110μm以上140μm以下)。从共用包层104的中心(与中心轴ax相交的截面的中心)到各芯部101的中心的长度rc为40.5±1.5μm(39.0μm以上42μm以下)。从各芯部101的中心(截面的中心)到共用包层104和被覆之间的界面的最短长度oct为22±2μm(20μm以上24μm以下)。[0076]根据比较例的mcf500的被覆(图5的上部)包括设置在共用包层104的外周面上的第一漏光传播非抑制被覆层120a和设置在第一漏光传播非抑制被覆层120a的外周面上的第二漏光传播非抑制被覆层120b。根据比较例的该mcf500不包括漏光传播抑制被覆层。包括第一漏光传播非抑制被覆层120a和第二漏光传播非抑制被覆层120b的被覆的外径为250±15μm(235μm以上265μm以下)。第一漏光传播非抑制被覆层120a和第二漏光传播非抑制被覆层120b在850nm至1700nm的波长范围内的“每1μm厚度的吸光度”为0.003db/μm以下，并且在850nm至1600nm的波长范围内的“每1μm厚度的吸光度”为0.0015db/μm以下。[0077]另一方面，根据第二实施方案的mcf20b的被覆(图5的下部)包括位于共用包层104的外周面上的第一漏光传播非抑制被覆层120a、位于第一漏光传播非抑制被覆层120a的外周面上的第二漏光传播非抑制被覆层120b、以及位于第二漏光传播非抑制被覆层120b的外周面上的漏光传播抑制被覆层110b。在根据第二实施方案的mcf20b中，第一漏光传播非抑制被覆层120a和第二漏光传播非抑制被覆层120b具有与根据比较例的mcf500相同的结构。[0078]此外，在根据第二实施方案的mcf20b(图5的下部)中，漏光传播抑制被覆层110b的厚度为3±2μm(1μm以上5μm以下)。漏光传播抑制被覆层110b在850nm至1700nm的整个波长范围内的“每1μm厚度的吸光度”为0.1db/μm以上。“每1μm厚度的吸光度”与“厚度”的乘积为0.3±0.2db以上(0.1db以上或0.5db以上)。[0079]比较图6的上部(根据比较例的mcf500)所示的各芯部101(芯部1至芯部8)的损耗光谱和图6的下部(根据第二实施方案的mcf20b)所示的各芯部101(芯部1至芯部8)的损耗光谱，两种mcf的共同点在于，在1300nm至1400nm的波长范围内，由于向被覆的泄漏，传输损耗趋于随着波长的增加而升高。然而，在1300nm至1400nm的波长范围的长波长区域中，根据比较例的mcf500的传输损耗光谱示出了显著的干涉图案(振幅)。换句话说，在根据比较例的mcf500中，在1300至1400nm的波长范围的长波长区域，在“在芯部传播的光”和“由芯部向被覆泄露的光分量中的再耦合至芯部的光分量”之间存在强烈的干涉。[0080]另一方面，可以看出，即使在1300nm至1400nm的波长范围的长波长区域中，根据第二实施方案的mcf20b也能够抑制“在芯部传播的光”和“由芯部向被覆泄露的光分量中的再耦合至芯部的光分量”之间的干涉。因此，当传输线采用抑制了“在芯部传播的光”和“由芯部向被覆泄露的光分量中的再耦合至芯部的光分量”之间的干涉的根据实施方案的mcf(mcf10、mcf20a、mcf20b、mcf30a、mcf30b和mcf40)中的任一mcf时，即使在被覆泄漏损失显著增加的波段(在图6所示的实例中，为1400nm至1600nm的波长范围)中，虽然传输损耗增加，但是也能够传输光信号而不会由于干涉导致信号品质劣化。当前第1页12当前第1页12
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