半导体游离研磨装置和半导体研磨方法与流程

技术特征：
1.一种半导体游离研磨装置，其特征在于，包括：研磨盘(10)，其上端面设有多个直径不同的环状凹槽(11)，每个所述环状凹槽(11)均对应连接有至少一条排液通道(12)，所述排液通道(12)的一端与所述环状凹槽(11)连通，另一端从所述研磨盘(10)内延伸至所述研磨盘(10)的侧壁并与外界连通；所述环状凹槽(11)远离所述研磨盘(10)中心的一侧设有斜面(13)；流量控制结构，用于打开和关闭所述排液通道(12)。2.根据权利要求1所述的半导体游离研磨装置，其特征在于，所述排液通道(12)包括进液端和出液端；所述进液端与所述环状凹槽(11)连通，所述出液端与外界连通，所述进液端的高度高于所述出液端的高度。3.据权利要求1所述的半导体游离研磨装置，其特征在于，所述流量控制结构包括封闭环(20)，所述封闭环(20)套设在所述研磨盘(10)的周向外壁上，其能够沿着所述研磨盘(10)的轴线方向移动，以打开和关闭所述排液通道(12)。4.根据权利要求3所述的半导体游离研磨装置，其特征在于，所述封闭环(20)的内环面上设置有外螺纹，所述研磨盘(10)的周向侧壁上设置有与所述外螺纹适配的内螺纹；所述封闭环(20)与所述研磨盘(10)螺纹连接。5.根据权利要求3所述的半导体游离研磨装置，其特征在于，所述封闭环(20)的内环面设置有滑块，所述研磨盘(10)的周向侧壁上设置有与所述滑块对应且适配的滑槽，所述封闭环(20)与所述研磨盘(10)滑动连接。6.根据权利要求5所述半导体游离研磨装置，其特征在于，所述半导体游离研磨装置还包括驱动机构，所述驱动机构包括液压缸，所述液压缸包括活塞杆和缸体，所述活塞杆的一端设置在所述缸体内，另一端与所述封闭环(20)连接，用以驱动所述封闭环(20)沿所述研磨盘(10)的轴线方向运动。7.根据权利要求1
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6中任意一项所述的半导体游离研磨装置，其特征在于，所述流量控制结构包括：凹槽(41)，设置在所述排液通道(12)的侧壁上，其开口背向所述研磨盘(10)的中心并朝向所述排液通道(12)并与所述排液通道(12)之间形成一定的夹角；截流块(42)，在所述研磨盘(10)处于禁止状态时，所述截流块(42)位于所述凹槽(41)内，在所述截流块(42)离开所述凹槽(41)并进入所述排液通道(12)时，其能够限制所述排液通道(12)的流量；弹簧(43)，其一端与所述凹槽(41)的底部固定连接，另一端与所述截流块(42)固定连接，所述弹簧(43)具有将所述截流块(42)拉回到所述凹槽(41)内的趋势。8.根据权利要求1所述的半导体游离研磨装置，其特征在于，所述半导体游离研磨装置还包括设置在所述研磨盘(10)上方的加液管，所述加液管用于为所述研磨盘(10)提供研磨液；在所述加液管的长度方向上间隔设置有多个供液孔，每个所述环状凹槽(11)至少对应一个所述供液孔。9.一种半导体研磨方法，其特征在于，包括权利要求1
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8中任意一项所述的半导体游离研磨装置；所述半导体研磨方法包括以下步骤：s1，关闭所述排液通道(12)；s2，向所述环状凹槽(11)内添加研磨液；
s3，驱动所述研磨盘(10)旋转并持续向所述环状凹槽(11)内添加研磨液；基于所述研磨盘(10)产生的离心力，通过所述斜面(13)引导所述环状凹槽(11)内的研磨液逐渐流向所述研磨盘(10)的上表面。10.根据权利要求1所述的半导体研磨方法，其特征在于，在步骤s2中，在研磨盘(10)的转速达到设定阀值时，向所述环状凹槽(11)内添加研磨液。

技术总结
本发明涉及半导体研磨技术领域，公开了一种半导体游离研磨装置和半导体研磨方法。其中，所述半导体游离研磨装置包括：研磨盘，其上端面设有多个直径不同的环状凹槽，每个环状凹槽均对应连接有至少一条排液通道；环状凹槽远离研磨盘中心的一侧设有斜面；流量控制结构，用于打开和关闭排液通道。通过上述技术方案，通过在研磨盘的上表面设置环状凹槽，利用环状凹槽储存研磨液，减少研磨液的损失。在环状凹槽远离研磨盘中心的一侧设置了斜面。基于所述斜面的设置，在研磨盘旋转时，基于离心力的作用，其能够引导研磨液流向研磨盘的表面，进一步地提高研磨盘与半导体之间的研磨压力，提高研磨效率和产品质量。研磨效率和产品质量。研磨效率和产品质量。


技术研发人员：尹永仁 赵盼盼 尹涛
受保护的技术使用者：嘉兴星微纳米科技有限公司
技术研发日：2021.05.14
技术公布日：2021/10/18