一种平面波导型光放大器芯片的制作方法

技术特征：
1.一种平面波导型光放大器芯片，其特征在于，芯片截面从上至下由上包层(1)、上多模平板波导层(2)、上胶层(3)、单模掩埋光波导芯层(4)、下包层(5)、下胶层(6)、下多模平板波导层(7)和衬底(8)构成；所述单模掩埋光波导芯层(4)嵌设在下包层(5)内部，所述下包层(5)上下表面分别通过上胶层(3)和下胶层(6)依次与上多模平板波导层(2)和下多模平板波导层(7)连接，所述下多模平板波导层(7)底部设有衬底(8)，所述上多模平板波导层(2)顶面设有上包层(1)；所述单模掩埋光波导芯层(4)材质为光放大材料，传输信号光，所述上多模平板波导层(2)和下多模平板波导层(7)为泵浦光传输层，传输泵浦光，泵浦光通过上多模平板波导层(2)和下多模平板波导层(7)耦合至单模掩埋光波导芯层(4)，对信号光进行泵浦放大。2.根据权利要求1所述的一种平面波导型光放大器芯片，其特征在于，所述单模掩埋光波导芯层(4)和下包层(5)材质为具有放大特性的玻璃材料，为掺铒玻璃或掺镱玻璃或镱铒共掺玻璃。3.根据权利要求1所述的一种平面波导型光放大器芯片，其特征在于，所述单模掩埋光波导芯层(4)与下包层(5)的折射率差为0.005～0.020。4.根据权利要求1所述的一种平面波导型光放大器芯片，其特征在于，所述上多模平板波导层(2)和下多模平板波导层(7)与单模掩埋光波导芯层(4)的折射率差均为
‑
0.010～
‑
0.003，与下包层(5)的折射率差均为0.002～0.010。5.根据权利要求1所述的一种平面波导型光放大器芯片，其特征在于，所述上多模平板波导层(2)和下多模平板波导层(7)的高度均为20～400μm，宽度均为20～2000μm。6.根据权利要求1所述的一种平面波导型光放大器芯片，其特征在于，所述单模掩埋光波导芯层(4)由数量大于等于1的直波导的阵列构成。7.根据权利要求6所述的一种平面波导型光放大器芯片，其特征在于，所述单模掩埋光波导芯层(4)的直波导的高度为5～9μm，宽度为5～9μm。8.根据权利要求1所述的一种平面波导型光放大器芯片，其特征在于，所述下包层(5)的厚度为10～20μm。

技术总结
本实用新型涉及一种平面波导型光放大器芯片，属于集成光学技术领域。芯片截面从上至下由上包层、上多模平板波导层、上胶层、单模掩埋光波导芯层、下包层、下胶层、下多模平板波导层和衬底构成；所述单模掩埋光波导芯层嵌设在下包层内部，所述下包层上下表面分别通过上胶层和下胶层依次与上多模平板波导层和下多模平板波导层连接，所述下多模平板波导层底部设有衬底，所述上多模平板波导层顶面设有上包层；所述单模掩埋光波导芯层材质为光放大材料，传输信号光，所述上多模平板波导层和下多模平板波导层为泵浦光传输层，传输泵浦光，泵浦光通过上多模平板波导层和下多模平板波导层耦合至单模掩埋光波导芯层，对信号光进行泵浦放大。浦放大。浦放大。


技术研发人员：郑伟伟 程鹏 赵懋 林志明 王辉
受保护的技术使用者：常州光芯集成光学有限公司
技术研发日：2020.11.25
技术公布日：2021/10/8