一种显示面板曝光灯箱的制作方法

1.本发明涉及显示面板制备技术领域，具体涉及一种显示面板曝光灯箱。


背景技术：

2.显示面板制备过程包括多次曝光制程，而目前使用的曝光灯多为高压汞灯，其发出光的波长受到汞金属的特性影响，只能产生部分固定的频率段的光；无法控制各波段光的强弱，对曝光机的解析度，光阻的感光性，光阻材料的开发都存在诸多限制。
3.同时，高压汞灯使用寿命短，通常在1000～2000小时，废弃的灯处理困难，汞对环境的污染大。


技术实现要素：

4.本发明实施例提供一种显示面板曝光灯箱，以解决现有技术中的曝光灯箱污染严重，且无法满足不同曝光环境的光线要求的问题。
5.本技术提供一种显示面板曝光灯箱，所述显示面板曝光灯箱包括：
6.箱体，所述箱体包括一开口，所述开口内部形成容纳空间；
7.多个集成基板，所述多个集成基板设置在所述容纳空间内部，所述多个集成基板上设置有发出不同波长光线的多个发光器件。
8.进一步地，所述箱体上设置有多个卡槽，所述多个集成基板通过所述多个卡槽固定在所述箱体上。
9.进一步地，一个卡槽对应一个集成基板，所述多个卡槽中每个卡槽内部均设备有电源接口，所述电源接口用于给与所述卡槽对应的集成基板供电，以分开控制所述多个集成基板的功率。
10.进一步地，所述多个集成基板为透明基板。
11.进一步地，所述多个集成基板在所述容纳空间内部错位分布。
12.进一步地，所述多个集成基板中每个集成基板上均设置有多个发光器件，同一个集成基板上的所述多个发光器件错位分布。
13.进一步地，所述箱体内部与所述开口对应的一侧设置反光镜组。
14.进一步地，所述多个发光器件中的至少一个发光器件的功率系数大于等于0.9。
15.进一步地，所述多个集成基板中的至少一个集成基板的功率调节范围为1
‑
30千瓦。
16.进一步地，所述多个集成基板为三个集成基板，所述三个集成基板中每一个集成基板上均设置有多个发光器件；所述三个集成基板上的所述多个发光器件发出不同波长的光线；且同一个集成基板上的多个发光器件发出相同波长的光线。
17.本发明实施例提供的显示面板曝光灯箱，通过将现有的高压汞灯替换为发光器件，利用发光器件进行曝光，避免了高压汞灯的使用，减少环境污染。且由于发光器件可以发出不同波长的光线，可以更好的满足不同曝光环境的需要，制备简单。
附图说明
18.为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
19.图1为本技术实施例提供的曝光灯箱一实施例结构剖面图；
20.图2为本技术实施例提供的曝光灯箱另一实施例结构剖面图；
21.图3为本技术实施例提供的显示面板曝光灯箱另一实施例结构示意图。
具体实施方式
22.下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
23.在本发明的描述中，需要理解的是，术语“中心”、“纵向”、“横向”、“长度”、“宽度”、“厚度”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底”、“内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。此外，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括一个或者更多个所述特征。在本发明的描述中，“多个”的含义是两个或两个以上，除非另有明确具体的限定。
24.在本技术中，“示例性”一词用来表示“用作例子、例证或说明”。本技术中被描述为“示例性”的任何实施例不一定被解释为比其它实施例更优选或更具优势。为了使本领域任何技术人员能够实现和使用本发明，给出了以下描述。在以下描述中，为了解释的目的而列出了细节。应当明白的是，本领域普通技术人员可以认识到，在不使用这些特定细节的情况下也可以实现本发明。在其它实例中，不会对公知的结构和过程进行详细阐述，以避免不必要的细节使本发明的描述变得晦涩。因此，本发明并非旨在限于所示的实施例，而是与符合本技术所公开的原理和特征的最广范围相一致。本发明实施例提供一种显示面板曝光灯箱，以下进行详细说明。
25.在本技术的实施例中，发光器件具体可以为发光二极管(light emitting diode，led)。而随着近些年led的发展，目前led灯可以通过加入aln(氮化铝)/ingan(氮化铟镓)/gan(氮化镓)等材料制备得到波段波长小于210纳米(nm)的紫外线。且目前led在制备过程中混入铝(al)/镓(ga)/铟(in)/氮(n)等材料制备得到的led可以涵盖所有可见光及部分紫外光谱；通过加入不同的材料，以及控制材料比例和制备工艺可以得到发出不同波长光线的led灯。
26.本技术实施例将提供一种显示面板曝光灯箱，将现有技术中的曝光灯箱中的高压汞灯替换为led灯，使得灯箱可以发出不同波长的光线。
27.具体的，本技术实施例提供的显示面板曝光灯箱，可以包括：
28.箱体，箱体包括一开口，开口内部形成容纳空间；
29.多个集成基板，多个集成基板设置在容纳空间内部，多个集成基板上设置有发出不同波长光线的发光器件。
30.本技术实施例提供的显示面板曝光灯箱，通过将现有的高压汞灯替换为发光器件，利用发光器件进行曝光，避免了高压汞灯的使用，减少环境污染。且由于发光器件可以发出不同波长的光线，可以更好的满足不同曝光环境的需要，制备简单。
31.如图1所示，为本技术实施例提供的显示面板曝光灯箱一实施例结构示意图。在图1中，箱体10包括一开口，开口内部形成容纳空间；而多个集成基板20设置在容纳空间内部。
32.且多个集成基板20中每个集成基板20上均设置有发光器件，不同集成基板20上设置的发光器件30发出不同波长的光线。在本技术的实施例中，同一个集成基板20上通常也设置有多个发光器件，而位于同一个集成基板20上的多个发光器件30发出相同波长的光线；即位于同一个集成基板20上的是同一种发光器件30。
33.在本技术的另一些实施例中，也可以在同一个集成基板20上设置不同的发光器件，以使得同一个集成基板可以发出不同波长的光线。
34.在本技术的实施例中，箱体10上还可以设置有多个卡槽(图中未示出)，集成基板20的两端插入卡槽内部，以将集成基板通过卡槽固定在箱体10上。
35.需要说明的是，在本技术的实施例中，通常一个卡槽对应一个集成基板20，集成基板20通过卡槽固定在箱体10上。这样可以将多个集成基板20插入不同的卡槽中，以将多个集成基板20分格插入容纳空间内部，且可以根据实际的生产需要随时更换不同的集成基板20。
36.在本技术的实施例中，多个集成基板20在容纳空间内部错位分布，以避免集成基板20发出的光线被其他集成基板20遮挡。具体的，可以通过改变卡槽在箱体上的位置，以实现多个集成基板20错位分布。
37.以光线射出的方向为基准，多个集成基板20错位分布，且多个集成基板与开口的垂直距离可以相同，也可以不同。
38.请参考图1，在图1所示的实施例中，多个集成基板20与开口的垂直距离不同，因此在图1左侧的结构图中可以同时显示多个集成基板20。
39.如图2所示，为本技术实施例提供的显示面板曝光灯箱另一实施例结构示意图。在图2中，多个集成基板20也是错位分布，但多个集成基板20与开口之间的距离相同，因此在图1左侧的结构图中，仅显示一个集成基板20；且集成基板20上会显示所有的发光器件。
40.在上述实施例中，每个集成基板20上还可以包括多个发光器件30，且多个发光器件30在多个集成基板20上也是错位分布，以使得光线不会被其他集成基板20遮挡。其中，多个发光器件30错位分布可以为：同一个集成基板20上的任意两个发光器件30之间的距离不同，以使得发光器件30不会被其他集成基板20遮挡。此时多个集成基板20与开口之间的垂直距离可以相同，也可以不同。
41.在本技术的另一些实施例中，多个发光器件30错位分布也可以为：同一个集成基板20上任意两个发光器件30之间的距离相同，但不同集成基板20上的任意两个发光器件30之间的距离不同。
42.在本技术的一些实施例中，多个卡槽中每个卡槽内部均设置有给集成基板20供电
的电源接口，以通过电源接口给与卡槽对应的集成基板20供电，以分开控制多个集成基板的功率。具体的，一个集成基板20对应一个卡槽，而卡槽内部设置有电源接口，通过卡槽内部的电源接口可以单独给与卡槽连接的集成基板20供电，以分别控制每个集成基板20；进一步通过分开控制每个集成基板20的电源，以分别控制每个集成基板20的功率。
43.其中，控制集成基板20的功率，即为控制集成基板20上设置的发光器件的功率，是满足不同显示面板制程时的曝光环境需要。其中曝光环境包括但不限于：低解析度曝光、特定波段曝光、高解析度曝光、低照度/高照度曝光等不同的曝光环境。
44.在上述实施例中，可以通过控制集成基板20两侧的电压大小来控制集成基板20的功率外，还可以通过控制集成基板20上发光器件30的数量来控制集成基板20的功率大小。具体的，当增加发光器件30的数量时，同一个集成基板20上的多个发光器件30并联，每一个发光器件30都可以正常工作。此时集成基板20的功率是该集成基板20上所有的发光器件30的功率之和，随着发光器件30的数量的增加，集成基板20的功率也会对应增加。
45.其中，在本技术的实施例中，多个集成基板20中至少一个集成基板20的功率调节范围为1
‑
30千瓦(kw)，且多个发光器件中至少一个发光器件30的功率系数大于等于0.9。其中，功率系数即为功率因数，是有功功率和视在功率的比值。而有功电流与线路电压的乘积称为有功功率，无功电流与线路电压的乘积称为无功功率。本技术实施例提供的显示面板曝光灯箱选取功率系数大于等于0.9的发光器件。
46.在本技术的实施例中，多个集成基板20为透明基板，以使得光线可以尽可能的穿过透明基板，提高光线的出光率。且箱体10内部与开口对应的一侧还可以设置反光镜组40，通过反光镜组40的反射作用进一步提高光线的出光率。
47.在上述实施例中，在箱体侧面也可以设置反光镜组40，以反射发光器件30发出的光线，进一步提高光线的出光率。
48.在图1图2所示的显示面板曝光灯箱中，曝光灯箱的剖面图为长方形结构。如图3所示，为本技术实施例提供的显示面板曝光灯箱另一实施例结构示意图；在图3所示的显示面板曝光灯箱中，曝光灯箱的剖面图可以为梯形结构，且开口位于梯形的长边一侧；而反光镜组40设置在梯形结构的短边一侧。
49.在本技术的一个具体实施例中，多个集成基板20可以为三个，三个集成基板20分别通过卡槽与箱体10连接，且三个集成基板中每一个集成基板上均可以设置多个发光器件30。
50.在上述实施例中，三个集成基板20上的多个发光器件发出不同波长的光线，且同一个集成基板20上的多个发光器件发出相同波长的光线。即位于同一个集成基板20上的为同一种发光器件，可以发出相同波长的光线。
51.在本技术的另一些实施例中，也可以在三个集成基板中任意集成基板上设置多个发出不同波长光线的发光器件；此时集成基板20上多个发光二极管发出的光线的波长不同。
52.在本技术的实施例中，箱体上还可以设置多个卡槽，三个集成基板20中每一个集成基板20均对应一个卡槽，而集成基板20插入卡槽内，以固定在箱体10上。这样可以将三个集成基板20分格插入容纳空间内部，且可以根据实际的生产需要随时更换不同的集成基板20。
53.在本技术的实施例中，三个集成基板20在容纳空间内部错位分布，以避免某个集成基板20发出的光线被其他集成基板20遮挡。
54.请参考图1，在图1所示的实施例中，三个集成基板20与开口的垂直距离不同，因此在图1左侧的结构图中可以同时显示三个集成基板20。
55.如图2所示，为本技术实施例提供的显示面板曝光灯箱另一实施例结构示意图。在图2中，三个集成基板20也是错位分布，但多个集成基板20与开口之间的距离相同，因此在图1左侧的结构图中，仅显示一个集成基板20；且集成基板20上会显示所有的发光器件。
56.在上述实施例中，三个集成基板中的每个集成基板20上还可以包括多个发光器件30，且多个发光器件30在集成基板20上也是错位分布，以使得光线不会被其他集成基板20遮挡。其中，多个发光器件30错位分布可以为：同一个集成基板20上的任意两个发光器件30之间的距离不同，以使得发光器件30不会被其他集成基板20遮挡。此时多个集成基板20与开口之间的垂直距离可以相同，也可以不同。
57.在本技术的另一些实施例中，多个发光器件30错位分布也可以为：同一个集成基板20上任意两个发光器件30之间的距离相同，但不同集成基板20上的任意两个发光器件30之间的距离不同。
58.在本技术的一些实施例中，多个卡槽中的每个卡槽内部均设置有给集成基板20供电的电源接口，以通过电源接口给与卡槽对应的集成基板20供电，进一步分开控制三个集成基板的功率。具体的，一个集成基板20对应一个卡槽，而卡槽内部设置有电源接口，通过卡槽内部的电源接口可以单独给与卡槽连接的集成基板20供电，以分别控制每个集成基板20；进一步通过分开控制每个集成基板20的电源，以分别控制每个集成基板20的功率。
59.其中，控制集成基板20的功率，实际上是控制集成基板20上设置的发光器件30的功率，是满足不同显示面板制程时的曝光环境需要。其中曝光环境包括但不限于：低解析度曝光、特定波段曝光、高解析度曝光、低照度/高照度曝光等不同的曝光环境。
60.在上述实施例中，除了通过控制集成基板20两侧的电压大小来控制集成基板的20的功率外，还可以通过控制集成基板20上发光器件30的数量来控制集成基板20的功率大小。具体的，当增加发光器件30的数量时，同一个集成基板20上的多个发光器件30并联，每一个发光器件30都可以正常工作。此时集成基板20的功率是该集成基板20上所有的发光器件30的功率之和，随着发光器件30的数量的增加，集成基板20的功率也会对应增加。
61.其中，在本技术的实施例中，三个集成基板20的功率范围为1
‑
30千瓦(kw)，具体的，可以分别为5kw、10kw、20kw。三个集成基板的功率大小可以根据实际生产需要进行调整。
62.同时，三个集成基板上的多个发光器件中至少一个发光器件的功率系数大于等于0.9。其中，功率系数即为功率因数，是有功功率和视在功率的比值。而有功电流与线路电压的乘积称为有功功率，无功电流与线路电压的乘积称为无功功率。本技术实施例提供的显示面板曝光灯箱选取功率系数大于等于0.9的发光器件。
63.在本技术的实施例中，三个集成基板20均为透明基板，以使得光线可以尽可能的穿过透明基板，提高光线的出光率。且箱体10内部与开口对应的一侧还可以设置反光镜组40，通过反光镜组40的反射作用进一步提高光线的出光率。
64.在上述实施例中，在箱体侧面也可以设置反光镜组40，以反射发光器件30发出的
光线，进一步提高光线的出光率。
65.在图1所示的显示面板曝光灯箱中，曝光灯箱的剖面图为长方形结构。如图2所示，为本技术实施例提供的显示面板曝光灯箱另一实施例结构剖面图；在图2所示的显示面板曝光灯箱中，曝光灯箱的剖面图可以为梯形结构，且开口位于梯形的长边一侧；而反光镜组40设置在梯形结构的短边一侧。
66.在本技术的其他实施例中，集成基板20的数量可以根据实际生产场景更改，且集成基板20上的发光器件的类型也可以根据实际的曝光环境需求进行更改，此处不再赘述。
67.具体实施时，以上各个单元或结构可以作为独立的实体来实现，也可以进行任意组合，作为同一或若干个实体来实现，以上各个单元或结构的具体实施可参见前面的方法实施例，在此不再赘述。以上各个操作的具体实施可参见前面的实施例，在此不再赘述。
68.以上对本发明实施例所提供的一种显示面板曝光灯箱进行了详细介绍，本文中应用了具体个例对本发明的原理及实施方式进行了阐述，以上实施例的说明只是用于帮助理解本发明的方法及其核心思想；同时，对于本领域的技术人员，依据本发明的思想，在具体实施方式及应用范围上均会有改变之处，综上所述，本说明书内容不应理解为对本发明的限制。