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一种大规模集成光子器件阵列控制电路的制作方法

2021-10-09 12:29:00 来源:中国专利 TAG:光子 阵列 集成电路 器件 控制电路

技术特征:
1.一种大规模集成光子器件阵列控制电路,其特征在于,由多个行、多个列相互连接构成可控光子器件的阵列式控制电路,各行、列的一端均设有作为阵列电路控制输入端的控制线,每根控制线连接一个独立的控制单元,所述控制单元为数模转换器dac;所述大规模集成光子器件阵列控制电路包括脉冲阵列产生电路与节点驱动电路,每个行与每个列的交点构成了脉冲阵列产生电路的脉冲输出节点,每个脉冲输出节点上对应连接一个节点驱动电路。2.根据权利要求1所述的大规模集成光子器件阵列控制电路,其特征在于,所述脉冲阵列产生电路的每一列控制线通过限流电阻与所有行控制线分别相连,所述脉冲输出节点设置在行列的限流电阻之间,并对应连接到节点驱动电路。3.根据权利要求1所述的大规模集成光子器件阵列控制电路,其特征在于,所述节点驱动电路包括二极管d1、d2,场效应管q1、q2、q3,光子器件r1,电阻r2、r3,电容c1,所述二极管d1的负极分别连接二极管d2的负极、脉冲输出节点,所述二极管d1的正极分别连接场效应管q1的栅极、场效应管q2的栅极、电阻r3,所述二极管d2的正极分别连接电阻r2、场效应管q3的栅极、电容c1,所述场效应管q1的漏极连接电阻r2的另一端,所述场效应管q1的源极连接场效应管q2 的源极,所述场效应管q2的漏极分别连接电阻r3的另一端、电容c1的另一端、接地,所述场效应管q3的漏极连接光子器件r1,所述场效应管q3的源极接地,所述光子器件r1的另一端连接vee端。4.根据权利要求1所述的大规模集成光子器件阵列控制电路,其特征在于,阵列式控制电路控制光子器件时,所述脉冲产生阵列产生的宽度脉冲对节点驱动电路的输出独立配置。5.根据权利要求1所述的大规模集成光子器件阵列控制电路,其特征在于,所述阵列式控制电路为拓展式阵列电路,通过增加或减少阵列式控制电路的行列以及节点驱动电路个数拓展可控光子器件数目。

技术总结
本实用新型涉及光子集成电路,特别涉及一种大规模集成光子器件阵列控制电路。其中阵列控制电路由多个行、多个列相互连接构成可控光子器件的阵列式控制电路,各行、列的一端均设有作为阵列电路控制输入端的控制线,每根控制线连接一个独立的控制单元,控制单元为数模转换器DAC;大规模集成光子器件阵列控制电路包括脉冲阵列产生电路与节点驱动电路,每个行与每个列的交点构成了脉冲阵列产生电路的脉冲输出节点,每个脉冲输出节点上对应连接一个节点驱动电路。本电路可以实现对大规模集成光子器件阵列的同时控制,并且具有高度的可拓展性,可以显著降低控制电路的成本;并且通过整列扫描和选取合适的RC常数提升扫描速度。列扫描和选取合适的RC常数提升扫描速度。列扫描和选取合适的RC常数提升扫描速度。


技术研发人员:徐小川 黄正权 陈佳欣 姚勇
受保护的技术使用者:哈尔滨工业大学(深圳)
技术研发日:2021.02.22
技术公布日:2021/10/8
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