一种CVD石墨烯的转移方法

技术特征：
1.一种cvd石墨烯的转移方法，其特征在于，转移方法包括以下步骤：(1)以cvd生长得到的铜基石墨烯为主体，利用过硫酸铵溶液腐蚀铜箔以去除铜基石墨烯背面的石墨烯；(2)再对腐蚀后的铜基石墨烯进行电化学腐蚀，除去铜基底后得到剥离的石墨烯。2.根据权利要求1所述的一种cvd石墨烯的转移方法，其特征在于，步骤(1)中所用的过硫酸铵溶液浓度为1-1.1mol/l。3.根据权利要求1所述的一种cvd石墨烯的转移方法，其特征在于，通过cvd将石墨烯沉积到铜箔的表面得到铜基石墨烯，铜基石墨烯背面为低质量石墨烯。4.根据权利要求1所述的一种cvd石墨烯的转移方法，其特征在于，步骤(1)的具体操作如下：裁剪cvd生长出的铜基石墨烯至所需尺寸后进行平整，将平整后的铜基石墨烯置于过硫酸铵溶液表面，保持铜基石墨烯中的铜箔背面接触溶液，静置5-10min，之后从过硫酸铵溶液取出背面被腐蚀的铜基石墨烯，并用去离子水冲洗铜基石墨烯，除去铜箔背面的石墨烯和过硫酸铵溶液，以及铜基石墨烯正面附着的过硫酸铵溶液。5.根据权利要求1所述的一种cvd石墨烯的转移方法，其特征在于，步骤(2)的具体操作如下：在容器中添加cuso4溶液、纯水和过硫酸铵溶液混合均匀得到电解溶液，之后在电解溶液中将步骤(1)中腐蚀过的铜基石墨烯作为阳极，铜丝作为阴极，外加1-1.7v电压电解铜箔。6.根据权利要求4所述的一种cvd石墨烯的转移方法，其特征在于，所述硫酸铜浓度在0.1-0.3mol/l，所述过硫酸铵浓度在0.1-0.2mol/l。7.根据权利要求4所述的一种cvd石墨烯的转移方法，其特征在于，电解时将背面腐蚀过的铜基石墨烯正面朝上置于电解溶液中，将一段铜导线缓慢移至与铜片上表面接触，并连接至可调电压电源的正极，在溶液中插入另一段铜导线，并连接至电源负极；电解1.5-2h，在铜片腐蚀完成后停止电解，并静置1-1.5h后得到剥离的石墨烯。8.根据权利要求4所述的一种cvd石墨烯的转移方法，其特征在于，电解溶液中放置有塑料垫圈用于减弱溶液对流从而约束石墨烯。9.根据权利要求1所述的一种cvd石墨烯的转移方法，其特征在于，步骤(2)后获得剥离的石墨烯，通过加水稀释的方式降低承载石墨烯溶液的离子浓度。

技术总结
本发明涉及二维材料制备领域，具体涉及一种CVD石墨烯的转移方法。本发明以CVD生长得到的铜基石墨烯为主体，利用过硫酸铵腐蚀铜箔以去除铜基石墨烯背面的石墨烯；再对腐蚀后的铜基石墨烯进行电化学腐蚀，除去铜基底后得到剥离的石墨烯；使用了氧化剂(NH4)2S2O8对背面的石墨烯进行化学腐蚀去除，氧化后的铜离子可以形成络合物，进而加速石墨烯的脱离；采用电化学腐蚀，反应速率可以用电压精确调控，同时减少过硫酸铵用量，降低气泡产生速率，避免对石墨烯的损伤。在电解过程中加入过硫酸铵是为了去除未能被电解去除的铜颗粒。去除未能被电解去除的铜颗粒。去除未能被电解去除的铜颗粒。


技术研发人员：田传山 徐影 谷峰
受保护的技术使用者：复旦大学
技术研发日：2022.10.08
技术公布日：2023/1/31