一种制备半导体用超高纯氯化氢气体的装置的制作方法

技术特征：
1.一种制备半导体用超高纯氯化氢气体的装置，其特征在于，包括依次连通的第一纯化器（2）、第一精馏塔（4）、第一冷凝器（5）、第一气液分离器（6）、第二纯化器（7）、第三纯化器（11）及第四纯化器（12）；第一纯化器（2）、第二纯化器（7）分别用于除去氯化氢气体中的水，第三纯化器（11）用于除去co2，第四纯化器（12）用于除去重金属；第一精馏塔（4）用于除去重组分，第一气液分离器（6）用于除去气相组分。2.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一气液分离器（6）底部设有第一回流管（61），并与第一精馏塔（4）塔顶连通。3.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，还包括用于除去轻组分的第二精馏塔（8），及第二冷凝器（9）、第二气液分离器（10）；所述第二纯化器（7）的输出端连通第二精馏塔（8）的进料口，第二精馏塔（8）的塔顶连通第二冷凝器（9），第二冷凝器（9）连通第二气液分离器（10），第二气液分离器（10）的上部设有第二粗品采出管（101），下部设有第二回流管（102）并连通至第二精馏塔（8）的塔顶。4.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一气液分离器（6）底部还设有第一粗品采出管（64）；所述第三纯化器（11）设有第三粗品采出管（111）。5.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第一纯化器（2）填料为酸性分子筛。6.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第二纯化器（7）填料为硅铝-硅钇酸盐。7.根据权利要求1或4所述的装置，其特征在于，所述第三纯化器（11）内设高分子渗透膜，氯化氢气体沿底部进料经膜分离co2后沿顶部出料，co2沿中部排出。8.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述第四纯化器（12）内填充有金属阳离子交换树脂。9.根据权利要求1所述的装置，其特征在于，所述装置还包括合成炉（1），合成炉（1）的上部连通所述第一纯化器（2）的气体入口；氯气和氢气经合成炉（1）合成后经所述第一纯化器（2）脱水。

技术总结
本实用新型公开了一种制备半导体用超高纯氯化氢气体的装置，以工业产品气体为原料，采用多种纯化装置、气液分离装置与高压精馏装置的结合，可实现高效脱水、去除CO2及金属离子；所述制备工艺摆脱了现有技术对原料的依赖，在生产超高纯氯化氢气体的同时产生多种品质的氯化氢气体，尾气减少的同时易于处理，适用于工业化推广。用于工业化推广。用于工业化推广。


技术研发人员：杜大艳 曹小林 吴祥虎
受保护的技术使用者：湖北和远气体股份有限公司
技术研发日：2021.11.09
技术公布日：2022/5/17