发光材料、QLED器件及制作方法、显示装置与流程

发光材料、qled器件及制作方法、显示装置
技术领域
1.本发明涉及显示领域，具体地，涉及发光材料、qled器件及制作方法、显示装置。


背景技术：

2.相关技术中的qled器件中的发光层中易出现载流子的不平衡，从而导致发光层发光效率的降低和发光效果的变差。而自从制备纳米棒的方法逐渐成熟以来，纳米棒的偏振发射特性一直是实验和理论关注的主题。纳米棒的电子传输特性、化学特性、光学性质受其长度和材料称性影响。纳米棒所呈现出的独特的光学性质，包括低激光阈值、线性偏振吸收和发射等，可应用于偏振领域中，作为明亮且稳定的偏振光源，也可作为生物荧光成像材料、量子限制理论研究的材料和激子精细结构研究中的模型材料。
3.因此，目前的发光材料、qled器件及制作方法、显示装置仍有待改进。


技术实现要素：

4.本技术是基于发明人对以下问题的发现而做出的：
5.在qled器件中，当在给某一颜色的子像素单元施加开启电压时，电子从阴极注入电子注入层，空穴从阳极流入空穴注入层，电子和空穴分别通过电子传输层和空穴传输层流向对应颜色的有机发光层，并在发光层耦合形成激子，激子辐射跃迁，发出光子，释放能量。发明人发现，相关技术中qled器件中的发光二极管中的电子传输层的形成材料通常为无机半导体材料，无机半导体材料的载流子迁移率较高，而空穴传输层通常采用有机材料，有机材料的载流子迁移率较低，使得电子为多子，而空穴是少子，最终就造成器件中载流子的不平衡。本技术通过采用表面修饰的纳米棒作为发光层的形成材料，通过发光层与空穴传输层的交联形成有序排列的纳米棒，在利用纳米棒的有序排列发射偏振光，提高发光层的发光效果的同时，还显著改善了qled器件中载流子不平衡的现象，提高了发光效率。
6.本技术旨在一定程度上解决相关技术中的技术问题之一。
7.在本技术的一个方面，本发明提出了一种发光材料，包括：纳米棒和交联配体，所述交联配体结构式为r1‑
r2‑
r3，所述纳米棒与所述交联配体的r1基团通过配位键相连，其中，r1包括羧基、多羧基、氨基、多氨基、羟基、多羟基、巯基、多巯基、硫醚、多硫醚、膦和氧膦中的至少之一；r2包括乙基、正丁基、叔丁基、正辛基、叔丁基苯基、正癸基、甲氧基和正丁氧基中的至少之一；r3包括双键、三键、环氧基和氨基、羟基、巯基和酯基中的至少之一。由此，利用上述纳米棒形成的qled器件的发光层，可通过纳米棒上的r3配体与形成空穴传输层的材料发生交联，从而提高器件中的空穴的传输速度，提高器件发光性能。
8.根据本发明的实施例，r3包括烯烃基、炔烃基、醛基、羰基、叠氮基、氰基、环氧乙基、环氧丁基和环氧丙基中的至少之一。由此，可通过r3基团与形成空穴传输层的材料发生交联反应，实现纳米棒的定向排列。
9.根据本发明的实施例，所述纳米棒包括cds、cdse、cdte、znse、inp、pbs、cuins2、zno、cspbcl3、cspbbr3、csphi3、cds、zns、cdse、zns、znse、inp、zns、pbs、zns、inas、ingaas、
ingan、gank、znte、si、ge和c中的至少之一。由此，可通过多种不同的纳米棒材料形成发光层。
10.在本技术的又一个方面，本发明提出了一种qled器件，包括：基板，阳极，所述阳极位于所述基板的一侧；空穴注入层，所述空穴注入层位于在所述阳极远离所述基板的一侧；空穴传输层，所述空穴传输层位于所述空穴注入层远离所述阳极的一侧；发光层，所述发光层位于所述空穴传输层远离所述空穴注入层的一侧，形成所述发光层包括前面所述的发光材料，所述发光材料的交联配体通过r3基团与所述空穴传输层交联；电子传输层，所述电子传输层位于所述发光层远离所述空穴传输层的一侧；阴极，所述阴极位于所述电子传输层远离所述发光层的一侧。由此，通过发光材料的交联配体通过r3基团与空穴传输层交联，提高qled器件的发光效率和发光效果。
11.根据本发明的实施例，所述空穴传输层的材料包括有机物，所述有机物具有双键、三键、环氧基和氨基、羟基、巯基和酯基中的至少之一。由此，可使得形成空穴传输层的材料与发光材料的交联配体发生交联，提高qled器件的发光性能。
12.根据本发明的实施例，所述有机物包括咔唑、咔唑衍生物和三苯胺衍生物中的至少之一。由此，可进一步提高纳米棒的有序排列程度。
13.根据本发明的实施例，所述电子传输层的材料包括氧化锌、二氧化钛和金属掺杂氧化锌中的至少之一，所述空穴注入层的材料包括聚3，4
‑
乙烯二氧噻吩和聚苯乙烯磺酸盐中的至少之一。由此，可形成具有较高的电子迁移速率的电子传输层和较好的空穴注入效果的空穴注入层。
14.在本技术的又一个方面，本发明提出了一种制备前面所述的qled器件的方法，包括：提供基板；在所述基板的一侧形成阳极；在所述阳极远离所述基板的一侧形成空穴注入层；在所述空穴注入层远离所述阳极的一侧形成空穴传输层；在所述空穴传输层远离所述空穴注入层的一侧形成发光层，形成所述发光层的材料为前面所述的发光材料，使所述发光材料的交联配体中的r3基团与所述空穴传输层交联；在所述发光层远离所述空穴传输层的一侧形成电子传输层，在所述电子传输层远离所述发光层的一侧形成阴极以获得所述qled器件。由此，可通过较为简便的方法获得前所的qled器件，该方法具有前面所述的qled器件所具有的全部特征及优点，在此不再赘述。
15.根据本发明的实施例，使所述发光材料的交联配体中的r3基团与所述空穴传输层交联具体包括：退火处理或光照处理。由此，可通过较为简便的方法使得发光材料的交联配体通过r3基团与形成空穴传输层的材料发生交联反应。
16.根据本发明的实施例，所述退火处理的温度为150
‑
200℃，所述退火处理的时间为10
‑
30min。由此，可进一步提高发光材料与空穴传输层的交联效果。
17.根据本发明的实施例，所述光照处理的波长为200
‑
440nm，所述光照处理的时间为1～60s。由此，可进一步提高发光材料与空穴传输层的交联效果。
18.根据本发明的实施例，所述光照处理的波长为365nm或436nm。由此，可进一步提高发光材料与空穴传输层的交联效果。
19.在本技术的又一个方面，本发明提出了一种显示装置，包括前面所述的qled器件。由此，该显示装置具有前面所述的qled器件所具有的全部特征及优点，在此不再赘述。
附图说明
20.本发明的上述和/或附加的方面和优点从结合下面附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中：
21.图1显示了根据本发明一个实施例的发光材料的结构示意图；
22.图2显示了根据本发明一个实施例的qled器件的结构示意图；
23.图3显示了根据本发明又一个实施例的qled器件的结构示意图；
24.图4显示了根据本发明一个实施例的制备qled器件的方法的流程示意图；
25.图5显示了根据本发明一个实施例的制备qled器件的方法的部分结构示意图。
26.附图标记说明：
27.10：纳米棒；20：交联配体；100：基板；200：阳极；300：空穴注入层，400：空穴传输层；500：发光层；600：电子传输层；700：阴极；800：封装层。
具体实施方式
28.下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能理解为对本发明的限制。
29.在本技术的一个方面，参考图1，本发明提出了一种发光材料，包括：纳米棒10和交联配体20，交联配体20的结构式为r1‑
r2‑
r3，其中，10纳米棒与交联配体20的r1基团通过配位键相连，其中，r1包括羧基、多羧基、氨基、多氨基、羟基、多羟基、巯基、多巯基、硫醚、多硫醚、膦和氧膦中的至少之一；r2包括乙基、正丁基、叔丁基、正辛基、叔丁基苯基、正癸基、甲氧基和正丁氧基中的至少之一；r3包括双键、三键、环氧基和氨基、羟基、巯基和酯基中的至少之一。交联配体的中r1基团与纳米棒通过配位键相连，例如，当纳米棒为cdse纳米棒时，cdse纳米棒表面的cd
2
会和羧基产生cd
‑
ooh的键，从使得交联配体与纳米棒相连；交联配体中r2基团为增溶基团，可有效提高纳米棒的溶解性，若交配配体中没有r2基团，配体链变短，纳米棒容易发生聚集沉降；r3基团可与形成空穴传输层的有机材料上的特定基团发生交联反应，从而利用利用纳米棒的有序排列发射偏振光、提高器件中载流子的平衡，且由于纳米棒结构垂直于其他功能层，该结构也有利于提高出光。
30.为了方便理解，下面对发光材料可以实现上述有益效果的原理进行简单说明：
31.纳米棒的有序排列发射偏振光是纳米棒的固有性质，有序排列的纳米棒在其轴向方向发射光很强且有偏振特性。在本技术中，采用纳米棒作为形成发光层的材料时，通过令纳米棒表面的交联配体与空穴传输层发生交联反应，从而控制纳米棒的取向，使其垂直于电子和空穴传输层，进而可以提高发光层的出光，并且，由于纳米棒垂于空穴传输层，即也垂直于电子传输层定向排列，其还可以调节载流子的平衡，提高器件效率。并且，当形成空穴传输层的材料具有ππ堆积键，即具有分子取向时，由于纳米棒与形成空穴传输层的材料发生了交联反应，则空穴传输层材料的分子取向会进一步提高纳米棒的有序排列程度，进一步提高发光层的偏振光发射和出光。
32.根据本发明的一些实施例，交联配体的r3基团的基团种类不受特别限制，只要其能与空穴传输层材料发生交联即可，例如，交联配体上与空穴传输层相连的r3基团可以包括烯烃基、炔烃基、醛基、羰基、叠氮基、氰基、环氧乙基、环氧丁基和环氧丙基中的至少之
一。通过r3基团与形成空穴传输层的材料发生交联反应，实现纳米棒的定向排列。
33.根据本发明的一些实施例，纳米棒的种类不受特别限制，只要其具有发光效应即可，例如，纳米棒可以包括cds、cdse、cdte、znse、inp、pbs、cuins2、zno、cspbcl3、cspbbr3、csphi3、cds、zns、cdse、zns、znse、inp、zns、pbs、zns、inas、ingaas、ingan、gank、znte、si、ge和c中的至少之一。当纳米棒为上述范围内的纳米棒时，交联配体的修饰难度较低，通过多种不同的纳米棒材料形成发光层，极大地提高了发光材料的适用范围。
34.根据本技术的一个实施例，当纳米棒为cdse纳米棒时，制备cdse纳米棒可以包括以下步骤：具体地：步骤(1)前驱液的合成：将2.8mmol硒粉与5.4mmol的磷酸三辛酯溶液混合，在氮气保护下室温搅拌5min，使硒粉完全溶于磷酸三辛酯中得澄清溶液。在氮气的保护下，将1.6mmol氧化镉、3.1mmol正三辛基氧膦与9.8mmol的十四烷基磷酸放入50ml的三颈烧瓶中加热至300℃，此时溶液颜色由棕色变为无色(微微表现一点黄色)，继续加热3分钟以至充分反应。获得的无色液体即为前驱液。步骤(2)纳米棒的合成：将溶有硒粉的磷酸三辛酯溶液快速的注入到三口烧瓶中与前驱液反应，随着溶液的注入，溶液由无色变为橙黄色，此时立即将溶液冷却至260℃，加热3分钟后，停止加热即可获得cdse纳米棒。
35.在本技术的又一个方面，本发明提出了一种qled器件，参考图2，包括：基板100，阳极200，阳极200位于基板100的一侧；空穴注入层300，空穴注入层300位于在阳极200远离基板100的一侧；空穴传输层400，空穴传输层400位于空穴注入层300远离阳极200的一侧；发光层500，发光层500位于空穴传输层400远离空穴注入层300的一侧，发光层500包括前述的发光材料，发光材料的交联配体通过r3基团与空穴传输层400交联；电子传输层600，电子传输层600位于发光层500远离空穴传输层400的一侧；阴极700，阴极700位于电子传输层600远离发光层的一侧。由于发光材料的交联配体通过r3基团与空穴传输层交联，纳米棒沿垂直于空穴传输层的方向有序、定向排列，从而在提高发光层的出光的同时，还可以调节载流子的平衡，提高器件效率。
36.根据本发明的一些实施例，形成空穴传输层的材料可以包括有机物，具体地，形成空穴传输层的材料应具有可以与纳米棒表面交联配体的r3基团相交联的官能团，例如，有机物可以具有双键、三键、环氧基和氨基、羟基、巯基和酯基中的至少之一。具体地，当纳米棒表面交联配体的r3基团为双键时，可以与具有双键的形成空穴传输层的材料相交联；当纳米棒表面交联配体的r3基团为环氧基时，可以与具有氨基的形成空穴传输层的材料相交联。进一步地，在365nm(i线)或436nm(g线)的照射下，纳米棒配体分子的碳碳双键与形成空穴传输层材料的碳碳双键在g线或者i线的照射下断裂，随后产生交联，交联后纳米棒和空穴传输层以化学键的方式链接，该链接结构会大大提升空穴在空穴传输层与纳米棒之间传输效率，进而提高qled器件的载流子平衡。
37.根据本发明的一些实施例，形成空穴传输层的材料种类不受特别限制，例如，形成空穴传输层的有机物可以包括咔唑、咔唑衍生物和三苯胺衍生物中的至少之一。当上述的有机物具有前述的双键、三键、环氧基和氨基、羟基、巯基和酯基中的至少之一时，即可以与形成发光层的发光材料发生交联。
38.根据本发明的一些实施例，形成电子传输层和空穴注入层的材料不受特别限制，例如，形成电子传输层的材料可以包括氧化锌、二氧化钛和金属掺杂氧化锌中的至少之一，形成空穴注入层的材料可以包括聚3，4
‑
乙烯二氧噻吩和聚苯乙烯磺酸盐中的至少之一。
39.根据本发明的一些实施例，qled器件的结构不受特别限制，例如，参考图3，在阴极700远离电子传输层600的一侧，还可以具有封装层800，通过封装层的设置可以有效阻隔外界水氧对于qled器件内部结构的侵蚀，提高qled的结构稳定性和耐用性。
40.在本技术的又一个方面，本发明提出了一种制备前述的qled器件的方法，该方法通过令形成发光层的发光材料与空穴传输层发生交联，进一步提高了qled器件的发光效果。
41.需要说明的是，在本技术中，令形成发光层的发光材料与空穴传输层发生交联的工艺包括退火处理或光照处理，其中光照处理可以在形成发光层之后直接进行，退火处理可以在形成发光层之后直接进行，也可以在完成后续的部分或全部制备工艺后进行，如可以在形成电子传输层之后，或是形成阴极之后再进行退火处理，本领域技术人员可根据实际情况进行选择，下述以在形成发光层之后令形成发光层的发光材料与空穴传输层发生交联进行描述。
42.具体地，参考图4，该qled器件的制备方法包括以下步骤：
43.s100：提供基板
44.根据本发明的一些实施例，在该步骤提供基板，基板的种类不受特别限制，例如，基板可采用导电玻璃，具体地，导电玻璃在使用前可经过预处理，预处理包括：依次采用异丙醇、水、丙酮对导电玻璃进行超声清洗，再对其采用紫外uv处理，处理时间可以为5
‑
10min，由此可有效去除导电玻璃表面残存的油溶性或水溶性杂质。
45.s200：在基板的一侧形成阳极
46.根据本发明的一些实施例，在该步骤在基板的一侧表面形成阳极，形成阳极的材料不受特别限制，例如，形成阳极的材料可以为ito。
47.s300：在阳极远离基板的一侧形成空穴注入层
48.根据本发明的一些实施例，在该步骤中在阳极远离基板的一侧形成空穴注入层。由此，在外加电场的作用下，空穴可以从阳极注入空穴注入层。
49.根据本发明的一些实施例，形成空穴注入层的方法不受特别限制，例如，可通过旋涂、蒸镀，或喷墨打印等方式制备空穴注入层。
50.根据本发明的一些实施例，形成空穴注入层的材料不受特别限制，例如，形成空穴注入层的材料可以为pedot:pss 4083(聚3，4
‑
乙烯二氧噻吩/聚苯乙烯磺酸盐)或者其它商业化适用于空穴注入层的化合物。
51.s400：在空穴注入层远离阳极的一侧形成空穴传输层
52.根据本发明的一些实施例，在该步骤中在空穴注入层远离阳极的一侧形成空穴传输层。由此，以便空穴注入层的空穴经空穴传输层向有机发光层迁移。
53.根据本发明的一些实施例，形成空穴传输层的材料可以为前面所述的材料，只要其能与发光材料的交联配体发生交联反应即可，在此不再赘述。
54.根据本发明的一些实施例，形成空穴传输层的方法不受特别限制，例如，形成空穴传输层的方法可以为旋涂、蒸镀，喷墨打印中的至少之一。具体地，采用旋涂工艺制备空穴传输层时，匀胶机的转速可以为1000rpm～4000rpm，旋涂液的浓度为5mg/ml～30mg/ml。
55.s500：在空穴传输层远离空穴注入层的一侧形成发光层
56.根据本发明的一些实施例，因为电子和空穴需要在发光层中耦合形成激子，激子
辐射跃迁，发出光子，释放能量。而电子的传输速率又高于空穴的传输速率，使得发光层中载流子数量不平衡，出现电子为多子、空穴为少子的不平衡现象。在本技术中，在该步骤中在空穴传输层远离空穴注入层的一侧形成发光层，其中，形成发光层的材料为前述的发光材料，由于前述的形成发光层的纳米棒材料有序排列，且与空穴传输层发生交联，从而既可以发射偏振光，又可以提高qled器件中的载流子平衡。
57.s600：使发光材料的交联配体中的r3基团与空穴传输层交联
58.根据本发明的一些实施例，在该步骤使形成发光层的发光材料中的交联配体中的r3基团与形成空穴传输层的材料发生交联反应，使得形成发光层的发光材料的交联配体中的r3基团与形成空穴传输层的材料发生交联反应的工艺不受特别限制，例如，使发光材料的交联配体中的r3基团与空穴传输层交联具体包括：退火处理或光照处理中的至少一种。由此，可通过较为简便的方法使得发光材料的交联配体通过r3基团与形成空穴传输层的材料发生交联反应。
59.根据本发明的一些实施例，可以通过退火处理使得发光材料的交联配体通过r3基团与空穴传输层交联，退火处理的温度和时间均不受特别限制，例如，退火处理的温度可以为150
‑
200℃，退火处理的时间可以为10
‑
30min。当退火处理的温度大于200℃，或时间大于20min时，退火处理会对其它膜层产生不良影响，如发生膜层裂纹、高温挥发等，不利于qled器件的使用稳定性；当退火处理的温度小于150℃，或时间少于10min时，纳米棒的交联配体与形成空穴传输层的材料之间的交联反应不完全，不利于纳米棒的有序排列和空穴迁移速率的提高。
60.根据本发明的一些实施例，也可以通过光照处理使得发光材料的交联配体通过r3基团与空穴传输层交联，具体地，参考图5，可以在形成发光层之后，自发光层500远离基板100的一侧，对发光层500进行光照处理(hv)，使得发光层500中纳米棒表面的交联配体与形成空穴传输层400的材料发生交联反应。光照处理的波长和时间不受特别限制，例如，光照处理的波长可以为200
‑
440nm，具体地，光照处理的波长可以为365nm(i线)或436nm(g线)。光照处理的时间可以为1～60s。当光照处理的波长不位于上述范围内时，无法令纳米棒的交联配体与形成空穴传输层的材料发生交联反应。当光照处理的时间小于1s时，交联反应发生的不完全；当光照处理的时间大于60s时，交联反应已反应完全，会造成能耗的浪费和工艺流程的时间延长。
61.s700：在发光层远离空穴传输层的一侧形成电子传输层
62.根据本发明的一些实施例，在该步骤中在发光层远离空穴传输层的一侧形成电子传输层。由此，以便阴极的电子经电子传输层向有机发光层迁移。
63.根据本发明的一些实施例，电子传输层的种类不受特别限制，例如，电子传输层可以为氧化锌纳米粒子薄膜或氧化锌溶胶凝胶薄膜。
64.根据本发明的一些实施例，当电子传输层为氧化锌纳米粒子薄膜时，制备方法如下：将90
‑
120μl的10
‑
30mg/ml的氧化锌纳米粒子滴加至发光层上，设置匀胶机转速为500
‑
2500rpm并旋涂成膜，并室温或加热成膜(25
‑
120℃)，以形成氧化锌纳米粒子薄膜。
65.根据本发明的一些实施例，当电子传输层为氧化锌溶胶凝胶薄膜时，制备方法如下：将2g醋酸锌加入至含有10ml乙醇胺和正丁醇组成溶剂中，旋涂成膜，转速1000
‑
4000rpm，并于180
‑
250℃热台加热成膜，以形成氧化锌溶胶凝胶薄膜。
66.需要特别说明的时，形成电子传输层的材料可以为纯氧化锌颗粒，也可以为离子掺杂型的氧化锌纳米粒子，例如，可以是mg，in，al，ga掺杂的氧化锌纳米粒子。当形成电子传输层的材料为离子掺杂型的氧化锌纳米粒子时，制备电子传输层的方法与前述的形成子传输层的材料为氧化锌纳米粒子时一致，在此不再赘述。
67.s800：在电子传输层远离发光层的一侧形成阴极
68.根据本发明的一些实施例，在该步骤中在电子传输层远离发光层的一侧形成阴极，形成阴极的材料不受特别限制，例如，形成阴极的材料可以为al膜或izo膜。具体地，可通过真空蒸镀工艺形成al膜，或通过磁控溅射工艺形成izo膜。
69.在本技术的又一个方面，本发明提出了一种显示装置，该显示装置包括前面所述的qled器件。由此，该显示装置具有前面所述的qled器件所具有的全部特征及优点，在此不再赘述。
70.下面通过具体的实施例对本技术的方案进行说明，需要说明的是，下面的实施例仅用于说明本技术，而不应视为限定本技术的范围。实施例中未注明具体技术或条件的，按照本领域内的文献所描述的技术或条件或者按照产品说明书进行。所用试剂或仪器未注明生产厂商者，均为可以通过市购获得的常规产品。
71.实验例1：
72.1、提供基板，基板采用导电玻璃，导电玻璃使用之前分别采用异丙醇，水，丙酮超声清洗，并进行紫外uv处理10min。
73.2、在基板的一侧通过真空蒸镀形成阳极，形成阳极的材料为ito。
74.3、在阳极远离基板的一侧形成空穴注入层，形成空穴注入层的材料为pedot:pss4083，通过旋涂工艺制备空穴注入层，匀胶机转速设置为1500 rpm，其中，pedot的成膜温度为140℃。
75.4、在空穴注入层远离阳极的一侧形成空穴传输层，形成空穴传输层的材料为苯乙烯，浓度为15mg/ml，通过旋涂工艺制备空穴传输层，匀胶机的转速可以为2000rpm。
76.5、在空穴传输层远离空穴注入层的一侧形成发光层，形成发光层的发光材料的纳米棒为cds，交联配体的结构式如式(1)，
[0077][0078]
其中r1基团为羧基，r2基团为正癸基，r3基团为双键。
[0079]
6、令发光材料的交联配体通过r3基团与空穴传输层交联，通过光照处理使发光层和空穴传输层发生交联，光照处理采用i线，光照时间为30s。
[0080]
7、在发光层远离空穴传输层的一侧形成电子传输层，在上述旋涂有发光层的导电玻璃上，引入电子传输层，引入电子传输层。在上述旋涂有发光层的导电玻璃上，引入电子传输层，电子传输层为氧化锌溶胶凝胶薄膜，具体工艺如下：将2g醋酸锌加入至含有10ml乙醇胺和正丁醇组成溶剂中，旋涂成膜，转速1000
‑
4000rpm，并于180
‑
250℃热台加热成膜。
[0081]
8、在电子传输层远离发光层的一侧形成阴极，阴极为真空蒸镀形成的al膜。
[0082]
9、在阴极远离电子传输层的一侧设置封装层，在紫外激发下，加盖封装盖板，引入紫外固化胶对器件进行封装。
[0083]
结果表明，在i线照射下，纳米棒配体分子的碳碳双键与苯乙烯分子的碳碳双键i线的照射下断裂，随后产生交联，反应方程式如式(2)，
[0084][0085]
交联后纳米棒和空穴传输层是以化学键的方式链接，大大提升了空穴在空穴传输层与纳米棒之间传输效率，并且由于形成空穴传输层的苯乙烯具有ππ堆积键，空穴传输层材料的分子取向会进一步提高纳米棒的有序排列程度，进一步提高了发光层的偏振光发射和出光。
[0086]
实验例2：
[0087]
实验例2与实验例1大体一致，不同点在于，
[0088]
形成空穴传输层的材料结构式如式(3)
[0089][0090]
形成发光层的发光材料的纳米棒为cdse，交联配体的结构式如式(4)，
[0091][0092]
式(4)，其中r1基团为羧基，r2基团为十一烷基，r3基团为环氧基。
[0093]
光照处理采用g线。
[0094]
结果表明，在g线照射下，纳米棒配体分子的环氧基与氨基在g线的照射下断裂，随后产生交联，反应方程式如式(5)，
[0095]
[0096]
交联后纳米棒和空穴传输层是以化学键的方式链接，大大提升了空穴在空穴传输层与纳米棒之间传输效率。
[0097]
在本发明的描述中，术语“上”、“下”等指示的方位或位置关系为基于附图所示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明而不是要求本发明必须以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。
[0098]
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施例”、“另一个实施例”等的描述意指结合该实施例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不必须针对的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。此外，在不相互矛盾的情况下，本领域的技术人员可以将本说明书中描述的不同实施例或示例以及不同实施例或示例的特征进行结合和组合。另外，需要说明的是，本说明书中，术语“第一”、“第二”仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。
[0099]
尽管上面已经示出和描述了本发明的实施例，可以理解的是，上述实施例是示例性的，不能理解为对本发明的限制，本领域的普通技术人员在本发明的范围内可以对上述实施例进行变化、修改、替换和变型。