发光材料、QLED器件及制作方法、显示装置与流程

技术特征：
1.一种发光材料，其特征在于，包括：纳米棒和交联配体，所述交联配体结构式为r1‑
r2‑
r3，所述纳米棒与所述交联配体的r1基团通过配位键相连，其中，r1包括羧基、多羧基、氨基、多氨基、羟基、多羟基、巯基、多巯基、硫醚、多硫醚、膦和氧膦中的至少之一；r2包括乙基、正丁基、叔丁基、正辛基、叔丁基苯基、正癸基、甲氧基和正丁氧基中的至少之一；r3包括双键、三键、环氧基和氨基、羟基、巯基和酯基中的至少之一。2.根据权利要求1所述的发光材料，其特征在于，r3包括烯烃基、炔烃基、醛基、羰基、叠氮基、氰基、环氧乙基、环氧丁基和环氧丙基中的至少之一。3.根据权利要求1所述的发光材料，其特征在于，所述纳米棒包括cds、cdse、cdte、znse、inp、pbs、cuins2、zno、cspbcl3、cspbbr3、csphi3、cds、zns、cdse、zns、znse、inp、zns、pbs、zns、inas、ingaas、ingan、gank、znte、si、ge和c中的至少之一。4.一种qled器件，其特征在于，包括：基板，阳极，所述阳极位于所述基板的一侧；空穴注入层，所述空穴注入层位于在所述阳极远离所述基板的一侧；空穴传输层，所述空穴传输层位于所述空穴注入层远离所述阳极的一侧；发光层，所述发光层位于所述空穴传输层远离所述空穴注入层的一侧，所述发光层包括权利要求1
‑
3中任一项所述的发光材料，所述发光材料的交联配体通过r3基团与所述空穴传输层交联；电子传输层，所述电子传输层位于所述发光层远离所述空穴传输层的一侧；阴极，所述阴极位于所述电子传输层远离所述发光层的一侧。5.根据权利要求4所述的qled器件，其特征在于，所述空穴传输层的材料包括有机物，所述有机物具有双键、三键、环氧基和氨基、羟基、巯基和酯基中的至少之一。6.根据权利要求5所述的qled器件，其特征在于，所述有机物包括咔唑、咔唑衍生物和三苯胺衍生物中的至少之一。7.根据权利要求4所述的qled器件，其特征在于，所述电子传输层的材料包括氧化锌、二氧化钛和金属掺杂氧化锌中的至少之一，所述空穴注入层的材料包括聚3，4
‑
乙烯二氧噻吩和聚苯乙烯磺酸盐中的至少之一。8.一种制备权利要求4
‑
7任一项所述的qled器件的方法，其特征在于，包括：提供基板；在所述基板的一侧形成阳极；在所述阳极远离所述基板的一侧形成空穴注入层；在所述空穴注入层远离所述阳极的一侧形成空穴传输层；在所述空穴传输层远离所述空穴注入层的一侧形成发光层，形成所述发光层的材料为权利要求1
‑
3中任一项所述的发光材料，使所述发光材料的交联配体中的r3基团与所述空穴传输层交联；在所述发光层远离所述空穴传输层的一侧形成电子传输层；在所述电子传输层远离所述发光层的一侧形成阴极。9.根据权利要求8所述的方法，其特征在于，使所述发光材料的交联配体中的r3基团与
所述空穴传输层交联具体包括：退火处理或光照处理。10.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述退火处理的温度为150
‑
200℃，所述退火处理的时间为10
‑
30min。11.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述光照处理的波长为200
‑
440nm，所述光照处理的时间为1～60s。12.根据权利要求9所述的方法，其特征在于，所述光照处理的波长为365nm或436nm。13.一种显示装置，其特征在于，包括权利要求4
‑
7任一项所述的qled器件。

技术总结
本发明提出了发光材料、QLED器件及制作方法、显示装置，发光材料包括：纳米棒和交联配体，交联配体结构式为R1‑


技术研发人员：王好伟
受保护的技术使用者：京东方科技集团股份有限公司
技术研发日：2021.09.23
技术公布日：2021/12/2