阵列基板及显示面板的制作方法

1.本技术涉及液晶显示技术领域，特别涉及一种阵列基板及显示面板。


背景技术：

2.在传统的液晶显示器(lcd)中，在大视角下会发生严重的色偏现象。该色偏现象在垂直配向(vertical alignment，va)型的液晶显示器中更为明显。现有技术已经通过采用多畴(multi domain)显示的阵列基板设计来改善液晶显示器在大视角下的色偏问题。一般地，将阵列基板中的像素电极设置为主像素电极和次像素电极。通过不同的薄膜晶体管(thin film transistor，tft)分别控制主像素电极和次像素电极，以分别给主区像素电极和次区像素电极提供不同的驱动电压，从而使主区像素电极和次区像素电极的液晶产生不同的转动行为，从而对大视角下的伽马(gamma)特性进行混合补偿，来达到改善色偏的目的。然而，在多畴显示的阵列基板中，其公共电极通常会占用开口区的面积，从而降低阵列基板中的像素结构的开口率。


技术实现要素：

3.本技术的主要目的是提供一种阵列基板，旨在解决现有技术中多畴显示的阵列基板中的像素结构的开口率较低的问题。
4.为实现上述目的，本技术实施例提供了一种阵列基板，包括衬底基板以及设置在所述衬底基板上的扫描线、数据线、以及多个像素单元，每一个像素单元包括主像素区和次像素区；每一行像素单元对应设置一条扫描线，该扫描线介于该主像素区和次像素区之间，对应每一列像素单元分别设置一条数据线；
5.所述主像素区包括第一主干，以将主像素区分为多个显示畴区，所述主像素区的公共电极设置在所述第一主干上；
6.和/或，所述次像素区包括第二主干，以将次像素区分为多个显示畴区，所述次像素区的公共电极设置在所述第二主干上。
7.在一实施例中，所述第一主干包括交叉设置的第一部分和第二部分，以将所述主像素区分为四个显示畴区，所述主像素区中四个显示畴区中的液晶分子的取向不同；所述第二主干包括交叉设置的第三部分和第四部分，以将所述次像素区分为四个显示畴区，所述次像素区中四个显示畴区中的液晶分子的取向不同。
8.在一实施例中，所述主像素区包括第一薄膜晶体管、主像素电极和公共电极，所述第一薄膜晶体管与所述主像素电极连接，用于为所述主像素电极提供数据驱动信号；所述次像素区包括第二薄膜晶体管、次像素电极和公共电极，所述第二薄膜晶体管与所述次像素电极连接，用于为所述次像素电极提供数据驱动信号。
9.在一实施例中，所述阵列基板还包括黑色矩阵区域；
10.在所述像素单元的厚度方向上，所述扫描线和所述黑色矩阵区域分设于所述像素单元的上下两侧，所述主像素电极和所述次像素电极在厚度方向上设置在所述扫描线和所
述黑色矩阵之间；
11.在所述像素单元的长度方向上，所述主像素电极和所述次像素电极之间还设置有第一公共电极线和第二公共电极线，所述第一公共电极线靠近所述主像素电极设置，所述第二公共电极线靠近所述次像素电极设置。
12.在一实施例中，所述阵列基板还包括第三薄膜晶体管和共享放电电极，所述第三薄膜晶体管的源极与所述第二薄膜晶体管的源极连接，所述第三薄膜晶体管的漏极与所述共享放电电极连接，用于调整所述次像素电极上的数据驱动信号。
13.在一实施例中，所述共享放电电极包括第一部分、第二部分和第三部分；所述第一主干的第一部分为第一竖直主干，所述第一主干的第二部分为第一水平主干；所述第二主干的第三部分为第二竖直主干，所述第二主干的第四部分为第二水平主干；
14.所述共享放电电极的第一部分设置在所述主像素区的第一竖直主干上；
15.所述共享放电电极的第二部分设置在所述次像素区的第二竖直主干上；
16.所述共享放电电极的第三部分连接在所述共享放电电极的第一部分和所述共享放电电极的第二部分之间，所述共享放电电极的第三部分包括第一水平段、第二水平段和连接在所述第一水平段与所述第二水平段之间的第一竖直段，所述第一水平段与所述共享放电电极的第一部分连接，所述第二水平段与所述共享放电电极的第二部分连接，所述第一竖直段临近所述数据线设置。
17.在一实施例中，所述黑色矩阵区域覆盖所述第一薄膜晶体管、所述第二薄膜晶体管以及所述第三部分的第一竖直段，所述第三部分的第一水平段和第二水平段位于所述黑色矩阵区域的覆盖区域之外。
18.在一实施例中，在所述主像素区中，所述公共电极包括第二竖直段、第三竖直段、第四竖直段、第三水平段和第四水平段，所述第二竖直段靠近其中一根数据线设置，所述第三竖直段靠近另外一根数据线设置，所述第四竖直段设置在所述第二竖直段和所述第三竖直段之间，所述第三水平段将所述第二至第四竖直段的远离所述扫描线的一端连接在一起，所述第四水平段设置在所述主像素区的多个显示畴区的间隔位置；
19.在一实施例中，在所述次像素区中，所述公共电极包括第五竖直段、第六竖直段、第七竖直段和第五水平段，所述第五竖直段靠近其中一根数据线设置，所述第六竖直段靠近另外一根数据线设置，所述第七竖直段设置在所述第五竖直段和所述第六竖直段之间，所述第五水平段设置在所述次像素区的多个显示畴区的间隔位置。
20.本技术另一实施例还提供了一种显示面板。所述显示面板包括：
21.上述的阵列基板；
22.和阵列基板对盒设置的彩膜基板；
23.阵列基板和彩膜基板之间填充有液晶，阵列基板和彩膜基板通过封框胶粘合。
24.在本技术实施例所提供的阵列基板和显示面板中，通过在所述主像素区中设置第一主干，所述主像素区可以分为多个显示畴区。由于多个显示畴区的液晶分子的旋转方向都不一样，所述阵列基板的设置方式可以降低使用者从某个角度上看到色偏严重的情况。此外，因为所述公共电极设置在主像素区的所述第一主干上，所述公共电极可以利用主像素区的多个显示畴区之间的黑色矩阵区域进行布线设置，不占用额外的开口面积。所以，在所述阵列基板中，所述公共电极设置在所述第一主干上的方式可以提高像素单元的开口
率。同样地，通过在所述次像素区中设置第二主干，以将次像素区分为多个显示畴区。由于多个显示畴区的液晶分子的旋转方向都不一样，所述阵列基板的设置方式从而可以降低使用者从某个角度上看到色偏严重的情况。此外，因为所述公共电极设置在次像素区的所述第二主干上，所述公共电极可以利用次像素区的多个显示畴区之间的黑色矩阵区域进行布线设置，不占用额外的开口面积。所以，在所述阵列基板中，所述公共电极设置在所述第二主干上的方式也可以提高像素单元的开口率。
附图说明
25.为了更清楚地说明本技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图示出的结构获得其他的附图。
26.图1为本技术第一实施例提供的阵列基板的结构示意图；
27.图2为图1中的阵列基板的沿厚度方向的部分截面示意图；
28.图3为图1中的阵列基板的像素结构在显示畴区a、b、c、d的液晶分子配向示意图；
29.图4为本技术提供的显示面板的开口率增加比例与尺寸之间的变化关系示意图；
30.图5为本技术第二实施例提供的阵列基板中的主像素电极的结构示意图；
31.图6为本技术第二实施例提供的阵列基板中的次像素电极的结构示意图；
32.图7为本技术第三实施例提供的阵列基板中的主像素电极的结构示意图；
33.图8为本技术第三实施例提供的阵列基板中的次像素电极的结构示意图；
34.图9为本技术第四实施例提供的阵列基板中的主像素电极的结构示意图；
35.图10为本技术第四实施例提供的阵列基板中的次像素电极的结构示意图。
具体实施方式
36.下面将结合本技术实施例中的附图，对本技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本技术的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
37.需要说明，若本技术实施例中有涉及方向性指示(诸如上、下、左、右、前、后
……
)，则该方向性指示仅用于解释在某一特定姿态下各部件之间的相对位置关系、运动情况等，如果该特定姿态发生改变时，则该方向性指示也相应地随之改变。
38.另外，若本技术实施例中有涉及“第一”、“第二”等的描述，则该“第一”、“第二”等的描述仅用于描述目的，而不能理解为指示或暗示其相对重要性或者隐含指明所指示的技术特征的数量。由此，限定有“第一”、“第二”的特征可以明示或者隐含地包括至少一个该特征。另外，若全文中出现的“和/或”或者“及/或”，其含义包括三个并列的方案，以“a和/或b”为例，包括a方案、或b方案、或a和b同时满足的方案。另外，各个实施例之间的技术方案可以相互结合，但是必须是以本领域普通技术人员能够实现为基础，当技术方案的结合出现相互矛盾或无法实现时应当认为这种技术方案的结合不存在，也不在本技术要求的保护范围之内。
39.第一实施例：
40.请参见图1，本技术第一实施例提供了一种阵列基板100。所述阵列基板100包括衬底基板110以及设置在所述衬底基板110上的扫描线120、数据线130以及多个像素单元200。每一个像素单元200包括主像素区300和次像素区400。每一行像素单元200对应设置一条扫描线120。该扫描线120介于该主像素区300和次像素区400之间，对应每一列像素单元200分别设置一条数据线130。所述数据线130和所述扫描线120共同定义出所述主像素区300和所述次像素区400。在本实施例中，所述主像素区230包括第一薄膜晶体管210、主像素电极230和公共电极140。所述第一薄膜晶体管210与所述主像素电极230连接，用于为所述主像素电极230提供数据驱动信号。所述次像素区400包括第二薄膜晶体管220、次像素电极240和公共电极140。所述第二薄膜晶体管220与所述次像素电极240连接，用于为所述次像素电极240提供数据驱动信号。
41.在本实施例中，所述主像素区300包括第一主干，以将所述主像素区300分为多个显示畴区。所述主像素区的公共电极140设置在所述第一主干上。具体地，所述第一主干包括交叉设置的第一部分和第二部分，以将所述主像素区300分为四个显示畴区。所述主像素区300中四个显示畴区中的液晶分子的取向不同。所述第一主干的第一部分为第一水平主干231；所述第一主干的第二部分为第一竖直主干232。所述第一水平主干231和所述第一竖直主干232用于将主像素区300分为多个显示畴区。在本实施例中，所述第一水平主干231和所述第一竖直主干232交叉设置而形成十字形状。所述主像素区300的多个显示畴区为四个，以a、b、c、d分别标识。显示畴区a设置在第一水平主干231和第一竖直主干232所形成的十字形状的左上角区域；显示畴区b设置在第一水平主干231和第一竖直主干232所形成的十字形状的右上角区域；显示畴区c设置在第一水平主干231和第一竖直主干232所形成的十字形状的左下角区域；显示畴区d设置在第一水平主干231和第一竖直主干232所形成的十字形状的右下角区域。所述公共电极140设置在所述第一水平主干231和所述第一竖直主干232上。
42.根据需要，所述次像素区400包括第二主干，以将所述次像素区400分为多个显示畴区。所述次像素区400的公共电极140设置在所述第二主干上。具体地，所述第二主干包括交叉设置的第三部分和第四部分，以将所述次像素区400分为四个显示畴区。所述次像素区400中四个显示畴区中的液晶分子的取向不同。所述第二主干的第三部分为第二水平主干241；所述第二主干的第四部分为第二竖直主干242。所述第二水平主干241和所述第二竖直主干242交叉设置而形成十字形状。所述次像素区400的多个显示畴区为四个，以e、f、g、h分别标识。显示畴区e设置在第二水平主干241和第二竖直主干242所形成的十字形状的左上角区域；显示畴区f设置在第二水平主干241和第二竖直主干242所形成的十字形状的右上角区域；显示畴区g设置在第二水平主干241和第二竖直主干242所形成的十字形状的左下角区域；显示畴区h设置在第二水平主干241和第二竖直主干242所形成的十字形状的右下角区域。所述公共电极140设置在所述第二水平主干241和所述第二竖直主干242上。
43.在本技术实施例所提供的阵列基板100中，通过在所述主像素区300中设置第一水平主干231和第一竖直主干232，所述主像素区300可以分为多个显示畴区a、b、c、d。由于该多个显示畴区a、b、c、d的液晶分子的旋转方向都不一样，所述阵列基板100的设置方式可以降低使用者从某个角度上看到的色偏严重的情况。此外，所述公共电极140设置在所述主像
素区300的第一水平主干231和第一竖直主干232上。由于第一水平主干231和第一竖直主干232的区域通常设置有黑色矩阵区域以分隔该多个显示畴区a、b、c、d，所述公共电极140可以利用主像素区300的多个显示畴区a、b、c、d之间的黑色矩阵区域进行布线设置，不占用额外的开口面积。所以，所述公共电极140设置在第一水平主干231和第一竖直主干232的方式可以有效地提高像素单元200的开口率。
44.同样地，通过在所述次像素区400中设置第二水平主干241和第二竖直主干242，所述次像素区400可以分为多个显示畴区e、f、g、h。由于该多个显示畴区e、f、g、h的液晶分子的旋转方向都不一样，所述阵列基板100可以降低使用者从某个角度上看到色偏严重的情况。此外，所述公共电极140设置在所述次像素电极240的第二水平主干241和第二竖直主干242上。由于第二水平主干241和第二竖直主干242的区域通常设置有黑色矩阵区域以分隔该多个显示畴区e、f、g、h，所述公共电极140可以利用次像素区400的多个显示畴区e、f、g、h之间的黑色矩阵区域进行布线设置，不占用额外的开口面积。所以，所述公共电极140设置在第二水平主干241和第二竖直主干242上的方式也可以有效地提高像素单元200的开口率。
45.可以理解地，在所述阵列基板100的工作过程中，通过给像素单元200中的主像素区300和次像素区400的液晶分子施加不同的电压，可以使同一像素单元200中的主像素区300的多个显示畴区a、b、c、d和次像素区400的多个显示畴区e、f、g、h的液晶分子的转动角度不一样，从而改善由所述阵列基板100所组成的显示面板的色偏问题。根据需要，所述主像素区300或者所述次像素区400中的显示畴区的数量也不限定为4个，其也可以为2个、6个或者8个等，其具体数量可以根据实际需要设置。此时，所述主像素区300的第一主干和所述次像素区400的第二主干的形状和设置位置可以根据实际需要确定。
46.在其中一实施例中，所述数据线130设置在所述主像素区300和所述次像素区400的外侧。所述数据线130和所述扫描线120共同定义出所述主像素区300和所述次像素区400所在区域。具体地，所述数据线130竖直设置，且设置在所述主像素区300和所述次像素区400的左侧。所述主像素区300和所述次像素区400的右侧设置有另一阵列基板100的数据线130。所述数据线130被所述扫描线120分为上下两个部分。相邻两根数据线130的上半部分与所述扫描线120共同定义出所述主像素区300。相邻两根数据线130的下半部分和所述扫描线120共同定义出所述次像素区400。所述数据线130用于为所述主像素电极230和所述次像素电极240提供数据驱动信号。
47.在其中一实施例中，所述第一薄膜晶体管210的源极与所述数据线130连接。所述第一薄膜晶体管210的漏极与所述主像素电极230连接，用于为所述主像素电极230提供数据驱动信号。具体地，在所述第一薄膜晶体管210的栅极施加控制电压时，所述第一薄膜晶体管210的源极和漏极导通，从而使所述数据线130向所述主像素电极230充入数据驱动信号。
48.所述第二薄膜晶体管220的源极与所述数据线130连接。所述第二薄膜晶体管220的漏极与所述次像素电极240连接，用于为所述次像素电极240提供数据驱动信号。具体地，在所述第二薄膜晶体管220的栅极施加控制电压时，所述第二薄膜晶体管220的源极和漏极导通，从而使所述数据线130向所述次像素电极240充入数据驱动信号。
49.在其中一实施例中，所述阵列基板100还包括第三薄膜晶体管250。所述第三薄膜
晶体管250的源极与所述第二薄膜晶体管220的源极连接。所述第三薄膜晶体管250的漏极与共享放电电极260(share bar)连接，用于调整所述次像素电极240上的数据驱动信号。在具体工作过程中，可以通过所述共享放电电极260上的电压来调控所述主像素区300和所述次像素区400的显示亮度的差异，以增强显示面板的对比度。
50.在其中一实施例中，所述第一薄膜晶体管210的源极和漏极之间形成的第一导电沟道为u型。所述第二薄膜晶体管220的源极和漏极之间形成的第二导电沟道为u型。所述第三薄膜晶体管250的源极和漏极之间形成的第三导电沟道为一字型。在具体设计过程中，可以将所述第一薄膜晶体管210和所述第二薄膜晶体管220的源极设计为u型，从而减少第一薄膜晶体管210和第二薄膜晶体管220的源极和漏极在沿扫描线120方向上的长度，从而减小布线所需的空间。
51.在其中一实施例中，所述第一薄膜晶体管210的栅极、所述第二薄膜晶体管220的栅极和所述第三薄膜晶体管250的栅极连接到同一条扫描线120。所述第一薄膜晶体管210的漏极和所述第二薄膜晶体管220的漏极连接到同一条数据线130。
52.根据需要，在本实施例中，所述第一薄膜晶体管210、所述第二薄膜晶体管220和所述第三薄膜晶体管250的栅极、所述扫描线120和所述公共电极140由第一金属制成。所述第一薄膜晶体管210、所述第二薄膜晶体管220和所述第三薄膜晶体管250的源漏极、所述数据线130、所述共享放电电极260由第二金属制成。具体地，所述第一金属的制作材料包括ti、mo、ta以及nb中的其中一种或者多种。所述第二金属的制作材料包括cu、al以及ag中的其中一种或者多种。所述主像素电极230和所述次像素电极240可以由氧化铟锡(ito)材料制成。
53.在其中一实施例中，所述共享放电电极260包括第一部分261、第二部分262和第三部分263。
54.所述共享放电电极260的第一部分261设置在所述主像素区300的第一竖直主干231上；
55.所述共享放电电极260的第二部分262设置在所述次像素区400的第二竖直主干241上；
56.所述共享放电电极260的第三部分263连接在所述共享放电电极260的第一部分261和所述共享放电电极260的第二部分262之间。所述共享放电电极260的第三部分263包括第一水平段2631、第二水平段2632和连接在所述第一水平段2631与所述第二水平段2632之间的第一竖直段2633。所述第一水平段2631与所述共享放电电极260的第一部分261连接。所述第二水平段2632与所述共享放电电极260的第二部分262连接。所述第一竖直段2633临近所述数据线130设置。
57.请一并参见图2，在其中一实施例中，所述阵列基板100还包括黑色矩阵区域270。在所述像素单元的厚度方向上，所述扫描线120和所述黑色矩阵区域270分设于所述像素单元的上下两侧。所述主像素电极230和所述次像素电极240在厚度方向上设置在所述扫描线120和所述黑色矩阵区域270之间。并且，在所述像素单元的长度方向上，所述主像素电极230和所述次像素电极240之间还设置有第一公共电极线271和第二公共电极线272。所述第一公共电极线271靠近所述主像素电极230设置。所述第二公共电极线272靠近所述次像素电极240设置。通过在所述主像素电极230和所述次像素电极240之间设置有第一公共电极线271和第二公共电极线272，所述第一公共电极线271和所述第二公共电极线272的走线可
以起到对所述扫描线120的信号的屏蔽作用，从而避免所述扫描线120与所述主像素电极230，或者所述扫描线120与所述次像素电极240之间形成电场，从而造成液晶面板显示异常而造成漏光。因为，所述主像素电极230、所述次像素电极240、所述第一公共电极线271或者所述第二公共电极线272在液晶面板的暗态下是同一电位，由于所述第一公共电极线271或者所述第二公共电极线272的屏蔽作用，所述主像素电极230和所述次像素电极240不会受到所述扫描线120的电压影响，而导致出现漏光的现象。
58.在其中一个实施例中，所述黑色矩阵区域270覆盖所述第一薄膜晶体管210、所述第二薄膜晶体管220以及所述第三部分263的第一竖直段2633，所述第三部分263的第一水平段2631和第二水平段2632位于所述黑色矩阵区域270的覆盖区域之外。由于所述黑色矩阵区域270未覆盖所述第三部分263的第一水平段2631和第二水平段2632，所述阵列基板100中的像素结构的开口率将明显增加。
59.在其中一实施例中，在所述主像素区300中，所述公共电极140包括第二竖直段141、第三竖直段142、第四竖直段143、第三水平段144和第四水平段145。所述第二竖直段141靠近其中一根数据线130设置。所述第三竖直段142靠近另外一根数据线130设置。所述第四竖直段143设置在所述第二竖直段141和所述第三竖直段142之间。所述第三水平段144将所述第二至第四竖直段141
‑
143的远离所述扫描线120的一端连接在一起。所述第四水平段145设置在所述主像素区300的显示畴区a、b与显示畴区c、d的间隔位置。
60.根据需要，在所述次像素区400中，所述公共电极140还包括第五竖直段146、第六竖直段147、第七竖直段148和第五水平段149。所述第五竖直段146靠近其中一根数据线130设置。所述第六竖直段147靠近另外一根数据线130设置。所述第七竖直段148设置在所述第五竖直段146和所述第六竖直段147之间。所述第五水平段149设置在所述次像素区的显示畴区e、f和显示畴区g、h的间隔位置。
61.请一并参见图3，由于所述第四水平段145设置在所述主像素区300的显示畴区a、b与显示畴区c、d的间隔位置，或者所述第五水平段149设置在所述次像素区400的显示畴区e、f和显示畴区g、h的间隔位置，在液晶显示面板的工作过程中，液晶分子在所述公共电极140的第四水平段145或者第五水平段149的配向会更好。即，通过在此区域设置所述公共电极140，显示畴区a、b与显示畴区c、d的交接处的液晶分子的旋转处理的更好，显示畴区e、f和显示畴区g、h的交接处的液晶分子的旋转处理也更好。因此，所述第四水平段145和所述第五水平段149的设置可以有效地提高所述阵列基板100中像素结构的视角范围。
62.请参见图4，在采用本技术所提供的阵列基板100的情况下，各个尺寸的液晶显示面板的开口率都有所增加。在图4中，横坐标指的是液晶显示面板的尺寸；纵坐标指的是不同尺寸的液晶显示面板在采用本技术所提供的阵列基板100后，其开口率增加的比例。例如，32寸液晶显示面板的开口率增加到了110.8％。随着液晶显示面板的尺寸的增加，开口率增加的比例会下降。例如，100寸液晶显示面板的开口率会提升至102.6％。这是因为，随着液晶显示面板的尺寸增加，像素单元的大小增加，从而使到本技术所提供的阵列基板100所能增加的开口率的比例减小。具体地，以上开口率的测试结果是在4k分辨率下所得到的测试结果。
63.第二实施例：
64.请参见图5及图6，为本技术第二实施例所提供的所述主像素区300的第一主干和
所述次像素区400的第二主干。在本实施例中，所述主像素区300的第一主干仅包括第一水平主干231，用于将所述主像素区300分为上下两个显示畴区a’、b’。所述第二主干也仅包括第二水平主干241，用于将所述次像素区400分为上下两个显示畴区e’、f’。在本实施例中，所述公共电极140可以设置在第一水平主干231和第二水平主干241所在区域。
65.同样地，在本实施例中，所述公共电极140可以利用主像素区300或者次像素区400的多个显示畴区之间的黑色矩阵区域进行布线设置，不占用额外的开口面积。所以，在本实施所提供的阵列基板中，公共电极140的设置方式也可以提高像素单元的开口率。
66.第三实施例：
67.请参见图7及图8，为本技术再一实施例所提供的所述主像素区300的第一主干和所述次像素区400的第二主干。在本实施例中，所述主像素区300的第一主干仅包括第一竖直主干232，用于将所述主像素区300分为左右两个显示畴区c’、d’。所述第二主干也仅包括第二竖直主干242，用于将所述次像素区400分为左右两个显示畴区g’、h’。在本实施例中，所述公共电极140可以设置在第一竖直主干232和第二竖直主干242所在区域。
68.同样地，在本实施例中，所述公共电极140可以利用主像素区300或者次像素区400的多个显示畴区之间的黑色矩阵区域进行布线设置，不占用额外的开口面积。所以，在本实施所提供的阵列基板中，公共电极140的设置方式也可以提高像素单元的开口率。
69.第四实施例：
70.请参见图9及图10，为本技术又一实施例所提供的所述主像素区300的第一主干和所述次像素区400的第二主干。在本实施例中，所述主像素区300的第一主干包括第一倾斜主干233和第二倾斜主干234。所述第一倾斜主干233和所述第二倾斜主干234交叉设置，以将所述主像素区300分为多个显示畴区a”、b”、c”、d”。此时，所述公共电极140可以设置在所述第一倾斜主干233和所述第二倾斜主干234所在区域。可以理解地，在本实施例中，也可以仅设置所述第一倾斜主干233或者仅设置所述第二倾斜主干234。当仅设置有所述第一倾斜主干233时，所述主像素区300可以分为左下和右上两个显示畴区。当仅设置有所述第二倾斜主干234时，所述主像素区300可以分为左上和右下两个显示畴区。
71.相应地，在本实施例中，所述次像素区400的第二主干包括第三倾斜主干243和第四倾斜主干244。所述第三倾斜主干243和所述第四倾斜主干244交叉设置，以将所述次像素区400可以分为多个显示畴区e”、f”、g”、h”。此时，所述公共电极140可以设置在所述第三倾斜主干243和所述第四倾斜主干244所在区域。可以理解地，在本实施例中，也可以仅设置所述第三倾斜主干243或者仅设置所述第四倾斜主干244。当仅设置有所述第三倾斜主干243时，所述次像素区400可以分为左下和右上两个显示畴区。当仅设置有所述第四倾斜主干244时，所述次像素区400可以分为左上和右下两个显示畴区。
72.同样地，在本实施例中，所述公共电极140可以利用主像素区300或者次像素区400的多个显示畴区之间的黑色矩阵区域进行布线设置，不占用额外的开口面积。所以，在本实施所提供的阵列基板中，公共电极140的设置方式也可以提高像素单元的开口率。
73.第五实施例：
74.本技术第五实施例还提供了一种显示面板。显示面板包括如上述的阵列基板；和阵列基板对盒设置的彩膜基板；阵列基板和彩膜基板之间填充有液晶，阵列基板和彩膜基板通过封框胶粘合。
75.由于所述显示面板包括以上任意一实施例的阵列基板100，因此，本技术实施例提供的显示面板与以上任意一实施例提供的阵列基板100所达能到的技术效果也完全相同，在此不再赘述。
76.以上所述仅为本技术的优选实施例，并非因此限制本技术的专利范围，凡是在本技术的发明构思下，利用本技术说明书及附图内容所作的等效结构变换，或直接/间接运用在其他相关的技术领域均包括在本技术的专利保护范围内。