一种半导体结构的制备方法、半导体生长设备与流程

技术特征：
1.一种半导体生长设备，其特征在于，包括：反应室；生长主管道，所述生长主管道的一端与所述反应室连接；放空主管道；第一混合主管道至第m混合主管道，m为大于或等于1的整数；第一反应气源组至第n反应气源组，n为大于或等于2的整数；第一切换阀组至第n切换阀组，第k切换阀组适于控制第k反应气源组中的气体向第j混合主管道传输；k为大于等于1且小于等于n的整数；j为大于等于1且小于等于m的整数；第一生长放空切换阀至第m生长放空切换阀，第j生长放空切换阀适于切换第j混合主管道中的气体向生长主管道或向放空主管道传输。2.根据权利要求1所述的半导体生长设备，其特征在于，m等于1；第k切换阀组适于切换第k反应气源组中的气体向第一混合主管道或向放空主管道传输。3.根据权利要求2所述的半导体生长设备，其特征在于，还包括：第一混合支路管组至第n混合支路管组，第一混合支路管组至第n混合支路管组均与第一混合主管道连接；第一气源连接管组至第n气源连接管组，第k气源连接管组与第k反应气源组连接；第一放空支路管组至第n放空支路管组，第k切换阀组适于切换第k气源连接管组中的气体向第k混合支路管组或向第k放空支路管组传输。4.根据权利要求3所述的半导体生长设备，其特征在于，第k混合支路管组包括第一个第k子混合支路管至第q
k
个第k子混合支路管；第k放空支路管组包括第一个第k子放空支路管至第q
k
个第k子放空支路管；第k气源连接管组包括第一个第k子气源连接管至第q
k
个第k子气源连接管；第k切换阀组包括第一个第k子切换阀至第q
k
个第k子切换阀；第q
k
个第k子切换阀适于切换第q
k
个第k子气源连接管中的气体向第q
k
个第k子混合支路管或向第q
k
个第k子放空支路管传输；q
k
为大于等于1且小于等于q
k
的整数。5.根据权利要求1所述的半导体生长设备，其特征在于，m大于等于2，且m小于或等于n；第k切换阀组适于切换第k反应气源组中的气体向第j混合主管道传输或向放空主管道传输。6.根据权利要求5所述的半导体生长设备，其特征在于，还包括：第一混合支路管组至第n混合支路管组，第k混合支路管组包括q
k
*m个第k子混合支路管，第m*（q
k
‑
1） 1个第k子混合支路管至第m*q
k
个第k子混合支路管分别与第一混合主管道至第m混合主管道对应连接，q
k
为大于等于1且小于等于q
k
的整数；第k放空支路管组包括第一个第k子放空支路管至第q
k
个第k子放空支路管；第k切换阀组包括第一个第k子切换阀至第q
k
个第k子切换阀；第q
k
个第k子切换阀适于切换第q
k
个第k子反应气源中的气体向第m*（q
k
‑
1） 1个第k子混合支路管至第m*q
k
个第k子混合支路管中任意一个第k子混合支路管或向第q
k
个第k子放空支路管传输。7.根据权利要求6所述的半导体生长设备，其特征在于，第一气源连接管组至第n气源连接管组，第k气源连接管组包括第一个第k子气源连接管至第q
k
个第k子气源连接管，第q
k
个第k子气源连接管与第q
k
个第k子反应气源连接；第q
k
个第k子切换阀适于切换第q
k
个第k子气源连接管中的气体向第m*（q
k
‑
1） 1个第k子混合支路管至第m*q
k
个第k子混合支路管中任意一个第k子混合支路管或向第q
k
个第k子
放空支路管传输。8.根据权利要求1至7任意一项所述的半导体生长设备，其特征在于，还包括：第一生长连接管至第m生长连接管，第一生长连接管至第m生长连接管均与所述生长主管道连接；第一放空连接管至第m放空连接管，第一放空连接管至第m放空连接管均与所述放空主管道连接；第j生长放空切换阀适于切换第j混合主管道中的气体向第j生长连接管或向第j放空连接管传输。9.根据权利要求1所述的半导体生长设备，其特征在于，所述半导体生长设备包括金属有机物化学气相沉积设备。10.一种半导体结构的制备方法，采用权利要求1至9任意一项所述的半导体生长设备，其特征在于，包括：第k1切换阀组控制第k1反应气源组中的气体向第j1混合主管道传输，第j1混合主管中具有第k1反应混合气体；k1为大于等于1且小于等于n的整数；第j1生长放空切换阀切换第j1混合主管道中的第k1反应混合气体向生长主管道传输；第j1生长放空切换阀切换第j1混合主管道中的第k1反应混合气体向生长主管道传输之后，第一生长放空切换阀至第m生长放空切换阀均切换至与放空主管道连通使得反应室内进行中断生长处理；第k2切换阀组控制第k2反应气源组中的气体向第j2混合主管道传输，第j2混合主管中具有第k2反应混合气体；k2为大于等于1且小于等于n的整数,且k2不等于k1；j2等于或者不等于j1；进行中断生长处理之后，第j2生长放空切换阀切换第j2混合主管道中的第k2反应混合气体向生长主管道传输。11.根据权利要求10所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，m等于1；第k1切换阀组控制第k1反应气源组中的气体向第j1混合主管道传输的步骤为：第k1切换阀组控制第k1反应气源组中的气体向第一混合主管道传输；第j1生长放空切换阀切换第j1混合主管道中的第k1反应混合气体向生长主管道传输的步骤为：第一生长放空切换阀切换第一混合主管道中的第k1反应混合气体向生长主管道传输；进行中断生长处理的过程中或进行中断生长处理之后，第k2切换阀组控制第k2反应气源组中的气体向第j2混合主管道传输；第k2切换阀组控制第k2反应气源组中的气体向第j2混合主管道传输的步骤为：第k2切换阀组控制第k2反应气源组中的气体向第一混合主管道传输；第j2生长放空切换阀切换第j2混合主管道中的第k2反应混合气体向生长主管道传输的步骤为：第一生长放空切换阀切换第一混合主管道中的第k2反应混合气体向生长主管道传输。12.根据权利要求10所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，m大于等于2，且m等于n；j2不等于j1，k1等于j1，k2等于j2。13.根据权利要求10所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，m大于等于2，且m小于n；
还包括：在第k1切换阀组控制第k1反应气源组中的气体向第j1混合主管道传输之前或者之后，第k3切换阀组控制第k3反应气源组中的气体向第j3混合主管道传输，第j3混合主管中具有第k3反应混合气体；第j3生长放空切换阀切换第j3混合主管道中的第k3反应混合气体向生长主管道传输；j3与j1相等；或者，在第k2切换阀组控制第k2反应气源组中的气体向第j2混合主管道传输之前或者之后，第k3切换阀组控制第k3反应气源组中的气体向第j3混合主管道传输，第j3混合主管中具有第k3反应混合气体；第j3生长放空切换阀切换第j3混合主管道中的第k3反应混合气体向生长主管道传输；j3与j2相等；k3为大于等于1且小于等于n的整数，k3不等于k1且不等于k2。14.根据权利要求10所述的半导体结构的制备方法，其特征在于，所述中断生长处理持续的时间为1秒
‑
10秒。

技术总结
本发明提供一种半导体结构的制备方法、半导体生长设备，半导体生长设备包括：反应室；生长主管道，所述生长主管道的一端与所述反应室连接；放空主管道；第一混合主管道至第M混合主管道，M为大于或等于1的整数；第一反应气源组至第N反应气源组，N为大于或等于2的整数;第一切换阀组至第N切换阀组，第k切换阀组适于控制第k反应气源组中的气体向第j混合主管道的传输；k为大于等于1且小于等于N的整数；j为大于等于1且小于等于M的整数；第一生长放空切换阀至第M生长放空切换阀，第j生长放空切换阀适于将第j混合主管道中的气体向生长主管道或放空主管道切换。采用该半导体生长设备有利于提高半导体结构生长过程中界面的陡峭性。半导体结构生长过程中界面的陡峭性。半导体结构生长过程中界面的陡峭性。


技术研发人员：程洋 王俊 肖啸 万中军 郭银涛 庞磊
受保护的技术使用者：苏州长光华芯半导体激光创新研究院有限公司
技术研发日：2021.09.09
技术公布日：2021/10/15