技术特征:
1.一种补偿关键尺寸的方法,其特征在于,所述方法包括:对衬底进行光刻;测量所述预定光阻结构的关键尺寸,所述关键尺寸包括侧壁的关键尺寸和主体部分的关键尺寸;根据所述预定光阻结构的关键尺寸的测量值、侧壁的关键尺寸与焦距偏移量的映射关系、主体部分的关键尺寸和能量补偿值的映射关系,确定出焦距偏移量和能量补偿值;根据所述焦距偏移量调节光刻机台的焦距;根据所述能量补偿值调节所述光刻机台的能量。2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述预定光阻结构的关键尺寸的测量值、侧壁的关键尺寸与焦距偏移量的映射关系、主体部分的关键尺寸和能量补偿值的映射关系,确定出焦距偏移量和能量补偿值,包括:根据测量得到的所述侧壁的关键尺寸、侧壁的关键尺寸与焦距偏移量的映射关系,确定出所述焦距偏移量;根据测量得到的主体部分的关键尺寸、主体部分的关键尺寸和能量补偿值的映射关系,确定出能量补偿值。3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述测量所述预定光阻结构的关键尺寸,包括:通过关键尺寸在线站点测量所述预定光阻结构对应的侧壁的关键尺寸;通过所述关键尺寸在线站点测量所述预定光阻结构对应的主体部分的关键尺寸。4.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述测量所述预定光阻结构的关键尺寸,包括:通过关键尺寸在线站点同时测量所述预定光阻结构对应的侧壁的关键尺寸、主体部分的关键尺寸。5.根据权利要求1至4任一所述的方法,其特征在于,所述方法还包括:获取所述预定光阻结构对应的侧壁的关键尺寸与焦距偏移值的映射关系;获取所述预定光阻结构对应的主体部分的关键尺寸和能量补偿量的映射关系。6.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述获取所述预定光阻结构对应的侧壁的关键尺寸与焦距偏移值的映射关系,包括:通过曝光能量矩阵获取所述预定光阻结构对应的侧壁的关键尺寸与焦距偏移值的映射关系。7.根据权利要求5所述的方法,其特征在于,所述获取所述预定光阻结构对应的主体部分的关键尺寸和能量补偿量的映射关系,包括:通过曝光能量矩阵获取所述预定光阻结构对应的主体部分的关键尺寸和能量补偿量的映射关系。
技术总结
本申请公开了一种补偿关键尺寸的方法,涉及半导体制造领域。该方法包括对衬底进行光刻;测量预定光阻结构的关键尺寸,关键尺寸包括侧壁的关键尺寸和主体部分的关键尺寸;根据预定光阻结构的关键尺寸的测量值、侧壁的关键尺寸与焦距偏移量的映射关系、主体部分的关键尺寸和能量补偿值的映射关系,确定出焦距偏移量和能量补偿值;根据焦距偏移量调节光刻机台的焦距;根据能量补偿值调节光刻机台的能量;解决了目前同型号产品的关键尺寸存在批间差异的问题;达到了提升关键尺寸的稳定性的效果。果。果。
技术研发人员:张其学 陈浩 栾会倩
受保护的技术使用者:华虹半导体(无锡)有限公司
技术研发日:2021.06.09
技术公布日:2021/10/8
再多了解一些
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