一种γ的制作方法

技术特征：
1.一种γ
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fe4n磁性多孔膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1，将硅基片表面进行清洗，干燥，得到预处理后的硅基片；步骤2，将所述预处理后的硅基片进行磁控溅射镀膜，所述磁控溅射镀膜工艺为：所述磁控溅射镀膜采用fe靶材，磁控溅射镀膜开始时真空室基础压强小于等于1
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pa，以氮气作为工作气体，溅射温度为常温；得到非磁性高氮相氮化铁薄膜，所述非磁性高氮相氮化铁薄膜中高氮相氮化铁为fe
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n，其中0.9≤x≤1.8；步骤3，将所述非磁性高氮相氮化铁薄膜材料进行磁性退火处理，所述磁性退火处理工艺为：所述磁性退火处理为真空磁性退火，本底真空小于等于1
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pa，外加磁感应强度(0～0.4)t且不为零，在预定退火温度下保温预定时间，以释放所述高氮相氮化铁中多余的氮并形成孔，冷却后，得到γ
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fe4n磁性多孔膜；所述氮气纯度在99.99％以上，所述fe靶材纯度为99.9wt％以上。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤2，将所述与处理后的硅基片进行磁控溅射镀膜，所述磁控溅射镀膜工艺参数为：所述磁控溅射镀膜采用fe靶材，磁控溅射镀膜开始时真空室基础压强低于1
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pa，以氮气作为工作气体，所述工作气体流量为10～20sccm，溅射压强为0.08～0.5pa，溅射功率为(15～45)w，溅射温度为常温，溅射时间为600～1800s；得到非磁性高氮相氮化铁薄膜材料。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤3，将所述非磁性高氮相氮化铁薄膜材料进行磁性退火处理，所述磁性退火处理工艺参数为：所述磁性退火处理为真空磁性退火，本底真空1
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pa，外加磁感应强度(0～0.4)t，程序升温至退火温度330～480℃，升温速率为(4～10)℃/min，保温(0.5～24)h，冷却，得到γ
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fe4n磁性多孔膜。4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述步骤1，将硅基片表面依次采用丙酮、乙醇、去离子水进行超声清洗。5.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述硅基片为n型硅基片。6.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述氮气纯度为99.999％以上，所述fe靶材纯度为99.95wt％以上。7.根据权利要求2所述的制备方法，其特征在于，所述步骤2，溅射功率为45w。8.一种如权利要求1～7之一所述制备方法制备的γ
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fe4n磁性多孔膜。9.一种如权利要求8所述的γ
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fe4n磁性多孔膜在制备自旋晶体管当中的应用或在制备合成氨工艺催化剂中当中的应用。10.一种如权利要求9所述的应用，其特征在于，所述γ
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fe4n磁性多孔膜孔隙率为1～10％，厚度为60～180nm，饱和磁化强度900～1100emu/cc。

技术总结
本发明公开了一种γ


技术研发人员：卢启海 韩根亮 宋玉哲 王向谦 谢明玲
受保护的技术使用者：甘肃省科学院传感技术研究所
技术研发日：2020.03.19
技术公布日：2021/10/11