用于电光集成磷化铟基相位调制器的改进构建块的制作方法

技术特征：
1.一种光子集成电路pic(60)，其包括衬底(68)上的多个半导体层(62，63，64，65，66，67)，所述多个半导体层(62，63，64，65，66，67)形成pin或pn掺杂结构，所述pic(60)包括：
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波导(74)，其被布置用于传导光波，所述波导包括波导层(65)，所述波导层是所述多个半导体层(62，63，64，65，66，67)中的一层；
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光学元件(10，20，30)，其包括波导层(65)，所述波导层是所述多个半导体层(62，63，64，65，66，67)中的一层，所述波导(74)和所述光学元件(10，20，30)的波导层(65)彼此连接，其中所述光学元件(10，20，30)在操作中被配置处于反向偏置模式，并且其中所述光学元件(10，20，30)包括被布置用于连接到电压源的接触层(61)；其中所述波导(74)包括靠近所述光学元件(10，20，30)的至少一个导电触点(69)，并且其中所述pic(60)还包括：
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至少一个隔离部分(72)，其布置在所述接触层(61)和所述至少一个导电触点(69)之间。2.根据权利要求1所述的光子集成电路，其中所述至少一个隔离部分布置在所述光学元件和所述导电触点之间。3.根据前述权利要求中任一项所述的光子集成电路，其中相对于所述光波在所述波导中的方向，所述至少一个导电触点被配置在所述光学元件的两侧。4.根据前述权利要求中任一项所述的光子集成电路，其中所述至少一个导电触点基本上在整个波导上延伸。5.根据前述权利要求中任一项所述的光子集成电路，其中所述至少一个导电触点连接到电接地。6.根据权利要求5所述的光子集成电路，其中所述pic还包括接地孔，所述接地孔被布置用于允许导电触点和n型掺杂层之间的接触，其中所述接地孔的边缘和所述波导之间的距离至少为10μm，所述距离是在垂直于光在所述波导层中的传播的方向的方向上测量的。7.根据权利要求6所述的光子集成电路，其中所述接地孔在与光在所述波导层中的传播的方向平行的平面中的横截面的至少一个尺寸为至少20μm。8.根据前述权利要求中任一项所述的光子集成电路，其中在光在所述波导层中的传播的方向上测量的所述导电触点的长度为至少20μm。9.根据前述权利要求中任一项所述的光子集成电路，其中所述至少一个导电触点包括钛和/或金和/或铂中的任一种。10.根据前述权利要求中任一项所述的光子集成电路，其中所述光学元件是以下中的任一种：
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电折射调制器erm，和
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光电探测器。11.根据前述权利要求中任一项所述的光子集成电路，其包括多个导电触点，其中所述多个导电触点通过金属导电层相互连接。12.一种操作前述权利要求中任一项所述的光子集成电路的方法，其中将反向偏置电压施加到所述至少一个导电触点。13.一种操作权利要求1至11中任一项所述的光子集成电路的方法，其中所述至少一个导电触点连接到电接地。

技术总结
一种光子集成电路PIC，其包括衬底上的多个半导体层，所述多个半导体层形成PIN或PN掺杂结构，所述PIC包括：波导，其被布置用于传导光波；光学元件，其连接到波导，其中所述光学元件在操作中处于反向偏置模式，并且其中光学元件包括被布置用于连接到电压源的接触层；其中波导包括靠近光学元件的导电触点，并且其中PIC还包括布置在光学元件和导电触点之间的至少一个隔离部分。本文还提出了此类PIC的对应操作方法。操作方法。操作方法。


技术研发人员：拉斯特科
受保护的技术使用者：思敏光子控股有限责任公司
技术研发日：2020.02.07
技术公布日：2021/9/28