基片处理装置、基片处理方法和存储介质与流程

技术特征：
1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：成膜处理部，其进行基片的表面的覆膜的形成和所述覆膜的至少一部分的除去；表面检查部，其取得表示所述基片的表面的状态的表面信息；和控制所述成膜处理部和所述表面检查部的控制部，所述控制部实施以下处理：调节处理，其包括：利用所述成膜处理部在所述基片的表面形成所述覆膜的工序；利用所述成膜处理部使所述覆膜的周边部分除去的工序；使所述表面检查部取得所述表面信息，该表面信息表示包含所述周边部分已被除去了的所述覆膜的所述基片的表面的状态，并基于该表面信息调节所述周边部分的除去宽度的工序；和利用所述成膜处理部使所述周边部分已被除去了的所述覆膜剥离的工序；和工艺处理，其包括：利用所述成膜处理部在所述基片的表面形成所述覆膜的工序；和利用所述成膜处理部按照在所述调节处理中所调节的所述除去宽度来除去所述周边部分的工序。2.如权利要求1所述的基片处理装置，其特征在于：所述控制部反复实施所述调节处理直至所述除去宽度与目标值的偏差达到规定水平为止。3.如权利要求2所述的基片处理装置，其特征在于：所述控制部使用相同的所述基片反复实施所述调节处理。4.如权利要求1～3中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：进一步包括搬送所述基片的搬送部，所述控制部在所述调节处理中进一步实施：利用所述搬送部从收容所述覆膜形成前的所述基片的收容部搬出所述调节处理用的所述基片的工序；和利用所述搬送部将所述覆膜剥离后的所述基片搬入所述收容部的工序。5.如权利要求1～4中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：进一步包括保持所述基片并使其旋转的旋转保持部，所述成膜处理部具有向通过所述旋转保持部进行旋转的所述基片喷出用于除去所述周边部分的药液的喷嘴，所述控制部在所述调节处理中，通过调节在所述旋转保持部中的所述基片的保持位置和喷出所述药液时的所述喷嘴的位置的至少一者，来调节所述除去宽度。6.如权利要求1～5中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：所述控制部进一步实施使所述表面检查部取得表示所述覆膜形成前的所述基片的表面的状态的所述表面信息，并基于该表面信息判断该基片是否能够利用于所述除去宽度的调节的工序。7.如权利要求1～6中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：所述成膜处理部具有进行所述覆膜的形成和所述覆膜的至少一部分的除去的多个处理单元，所述控制部在使所述多个处理单元之中的任一处理单元实施所述工艺处理的期间中，使所述多个处理单元之中的另外的处理单元实施所述调节处理的至少一部分。
8.如权利要求1～6中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：所述成膜处理部具有进行所述覆膜的形成和所述覆膜的至少一部分的除去的多个处理单元，所述控制部在使所述多个处理单元之中的任一处理单元实施所述调节处理的期间中，使所述多个处理单元之中的另外的处理单元实施所述调节处理。9.如权利要求1～6中任一项所述的基片处理装置，其特征在于：所述成膜处理部具有进行所述覆膜的形成和所述周边部分的除去的第一处理单元以及进行所述覆膜的剥离的第二处理单元，所述控制部在所述第一处理单元中的调节所述除去宽度的所述调节处理中，利用所述第二处理单元实施使所述周边部分已被除去了的所述覆膜剥离的工序。10.一种基片处理方法，其特征在于：实施调节处理和工艺处理，其中，所述调节处理包括：利用进行在基片的表面的覆膜的形成和所述覆膜的至少一部分的除去的成膜处理部，在所述基片的表面形成所述覆膜的工序；利用所述成膜处理部使所述覆膜的周边部分除去的工序；基于表面信息调节所述周边部分的除去宽度的工序，所述表面信息表示包含所述周边部分已被除去了的所述覆膜的所述基片的表面的状态；和利用所述成膜处理部使所述周边部分已被除去了的所述覆膜剥离的工序，所述工艺处理包括：利用所述成膜处理部在所述基片的表面形成所述覆膜的工序；和利用所述成膜处理部按照在所述调节处理中所调节的所述除去宽度除去所述周边部分的工序。11.一种计算机可读取的存储介质，其特征在于：存储有用于使权利要求10记载的基片处理方法在装置中实施的程序。

技术总结
本发明基片处理装置，包括：成膜处理部，进行基片的表面的覆膜的形成和覆膜的至少一部分的除去；表面检查部，取得表示基片的表面的状态的表面信息；和控制成膜处理部与表面检查部的控制部。控制部实施：调节处理，包括：利用成膜处理部在基片的表面形成覆膜的工序；利用成膜处理部使覆膜的周边部分除去的工序；使表面检查部取得表面信息，该表面信息表示包含周边部分已被除去了的覆膜的基片的表面的状态并基于该表面信息调节周边部分的除去宽度的工序；和利用成膜处理部使周边部分已被除去了的覆膜剥离的工序，和工艺处理，包括：利用成膜处理部在基片表面形成覆膜的工序；利用成膜处理部按照在调节处理中所调节的除去宽度除去周边部分的工序。周边部分的工序。周边部分的工序。


技术研发人员：白坂哲郎 中村直人
受保护的技术使用者：东京毅力科创株式会社
技术研发日：2020.02.14
技术公布日：2021/9/24