一种在TFT基板上确定光照区域的方法及装置与流程

技术特征：
1.一种在tft基板上确定光照区域的方法，其特征在于，所述tft基板上阵列状排布若干像素单元，每个像素单元内设有像素电极以及与所述像素电极连接的薄膜场效应晶体管tft；每一行像素单元对应的tft至少由一根第一导线连接并供给控制电压；每一列像素单元对应的tft至少由一根第二导线连接并供给输入电压；控制tft处于临界状态，通过检测tft电流或电压是否发生变化，确定tft是否受到设定强度范围的光照照射，从而确定光照射的区域；所述的行和列可互换。2.如权利要求1所述的一种在tft基板上确定光照区域的方法，其特征在于，在确定光照所在列的位置时，控制所有tft同时处于临界状态。3.如权利要求1所述的一种在tft基板上确定光照区域的方法，其特征在于，在确定光照所在列的位置时，逐列控制tft处于临界状态。4.如权利要求1所述的一种在tft基板上确定光照区域的方法，其特征在于，在确定光照所在列的位置时，选定列控制tft处于临界状态。5.如权利要求1所述的一种在tft基板上确定光照区域的方法，其特征在于，在确定光照所在行的位置时，逐行控制tft处于临界状态。6.如权利要求1所述的一种在tft基板上确定光照区域的方法，其特征在于，在确定光照所在行的位置时，选定行控制tft处于临界状态。7.如权利要求1所述的一种在tft基板上确定光照区域的方法，其特征在于，在确定光照所在行的位置时，将整个区域按行分成两部分，分别控制每一部分处于临界状态，对检测到有tft电流或电压发生变化的部分，再次按行分成两部分；重复前述过程，直至能够确定光照所在行的位置。8.如权利要求7所述的一种在tft基板上确定光照区域的方法，其特征在于，所述两部分平均分配，或者，所述两部分按照任意设定的比例分配。9.如权利要求1所述的一种在tft基板上确定光照区域的方法，其特征在于，逐个控制tft处于临界状态，通过检测tft电流或电压是否发生变化，确定光照所在列的位置和所在行的位置。10.如权利要求1所述的一种在tft基板上确定光照区域的方法，其特征在于，首先控制所有tft同时处于临界状态，通过检测tft电流或电压是否发生变化，确定有无光照射；如果有，确定光照射所在列的位置；然后将整个区域按行分成两部分，分别控制每一部分处于临界状态，对检测到有tft电流或电压发生变化的部分，再次分成两部分；重复前述过程，直至能够确定光照所在行的位置；如没有，检测结束。11.如权利要求1所述的一种在tft基板上确定光照区域的方法，其特征在于，首先控制所有tft同时处于临界状态，通过检测tft电流或电压是否发生变化，确定有无光照射；如果有，确定光照所在列的位置；然后逐行控制tft处于临界状态，通过检测tft电流或电压是否发生变化，确定光照所在行的位置；如没有，检测结束。12.如权利要求1所述的一种在tft基板上确定光照区域的方法，其特征在于，首先控制
所有tft同时处于临界状态，通过检测tft电流或电压是否发生变化，确定有无光照射；如果有，确定光照所在列的位置；然后按照选定行控制tft处于临界状态，检测tft电流或电压是否发生变化；对于检测到有tft电流或电压发生变化的选定行，逐行控制tft处于临界状态，直至确定光照所在行的位置；如没有，检测结束。13.如权利要求1所述的一种在tft基板上确定光照区域的方法，其特征在于，逐列控制tft处于临界状态，通过检测tft电流或电压是否发生变化，确定光照所在列的位置；将整个区域按行分成两部分，分别控制每一部分处于临界状态，对检测到有tft电流或电压发生变化的部分，再次分成两部分；重复前述过程，直至能够确定光照所在行的位置。14.如权利要求1所述的一种在tft基板上确定光照区域的方法，其特征在于，逐列控制tft处于临界状态，通过检测tft电流或电压是否发生变化，确定光照所在列的位置；逐行控制tft处于临界状态，通过检测tft电流或电压是否发生变化，确定光照所在行的位置。15.如权利要求1所述的一种在tft基板上确定光照区域的方法，其特征在于，逐列控制tft处于临界状态，通过检测tft电流或电压是否发生变化，确定光照所在列的位置；按照选定行控制tft处于临界状态，检测tft电流或电压是否发生变化；对于检测到有tft电流或电压发生变化的选定行，逐行控制tft处于临界状态，直至确定光照所在行的位置。16.如权利要求1所述的一种在tft基板上确定光照区域的方法，其特征在于，每次按照选定列控制tft处于临界状态，检测每一列tft电流或电压是否发生变化；遍历所有的列，直至确定光照所在列的位置；将整个区域按行分成两部分，分别控制每一部分处于临界状态，对检测到有tft电流或电压发生变化的部分，再次分成两部分；重复前述过程，直至能够确定光照所在行的位置。17.如权利要求1所述的一种在tft基板上确定光照区域的方法，其特征在于，每次按照选定列控制tft处于临界状态，检测每一列tft电流或电压是否发生变化；遍历所有的列，直至确定光照所在列的位置；逐行控制tft处于临界状态，通过检测tft电流或电压是否发生变化，确定光照所在行的位置。18.如权利要求1所述的一种在tft基板上确定光照区域的方法，其特征在于，每次按照选定列控制tft处于临界状态，检测每一列tft电流或电压是否发生变化；遍历所有的列，直至确定光照所在列的位置；按照选定行控制tft处于临界状态，检测tft电流或电压是否发生变化；对于检测到有tft电流或电压发生变化的选定行，逐行控制tft处于临界状态，直至确定光照所在行的位置。19.如权利要求1
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18任一项所述的一种在tft基板上确定光照区域的方法，其特征在于，进行下一时刻光照区域检测时，在上一时刻检出的光照区域周围设定区域范围内进行检测。20.如权利要求1
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18任一项所述的一种在tft基板上确定光照区域的方法，其特征在于，本次检测完成后，对tft基板上所有像素单元对应的存储电容进行放电。
21.一种在tft基板上确定光照区域的装置，其特征在于，所述tft基板上阵列状排布若干像素单元，每个像素单元内设有像素电极以及与所述像素电极连接的薄膜场效应晶体管tft；每一行像素单元对应的tft至少由一根第一导线连接并供给控制电压；每一列像素单元对应的tft至少由一根第二导线连接并供给输入电压；所述第二导线与第一电源之间串联连接电阻，电阻与第二导线连接的一端接入比较器或运算放大器的第一输入端，所述比较器或运算放大器的第二输入端输入设定的电压阈值，所述比较器或运算放大器的输出用于检测tft电流或电压是否发生变化。22.一种在tft基板上确定光照区域的装置，其特征在于，所述tft基板上阵列状排布若干像素单元，每个像素单元内设有像素电极以及与所述像素电极连接的薄膜场效应晶体管tft；每一行像素单元对应的tft至少由一根第一导线连接并供给控制电压；每一列像素单元对应的tft至少由一根第二导线连接并供给输入电压；所述第二导线与第一电源之间串联连接电阻，电阻与第二导线连接的一端均接入模拟开关，所述模拟开关接入比较器或运算放大器的第一输入端，所述比较器或运算放大器的第二输入端输入设定的电压阈值，所述比较器或运算放大器的输出用于检测tft电流或电压是否发生变化。23.如权利要求21或者22所述的一种在tft基板上确定光照区域的装置，其特征在于，所述第二导线通过开关电路连接至第二电源或地。24.如权利要求21或者22所述的一种在tft基板上确定光照区域的装置，其特征在于，所述设定的电压阈值通过分压电路产生，或者通过d/a转换产生，或者通过电压调整电路产生。25.如权利要求21或者22所述的一种在tft基板上确定光照区域的装置，其特征在于，还包括：控制单元；所述控制单元与比较器或运算放大器的输出端连接，或者所述控制单元通过编码器或者移位寄存器与比较器或运算放大器的输出端连接。26.一种液晶书写装置，其特征在于，包括：依次设置的导电层,双稳态液晶层和基底层；所述基底层上集成有权利要求21或22任一项所述的在tft基板上确定光照区域的装置。27.如权利要求26所述一种液晶书写装置，其特征在于，通过所述在tft基板上确定光照区域的装置进行光照区域的定位，进而根据定位位置进行书写笔迹的记录或者擦除。28.如权利要求26所述一种液晶书写装置，其特征在于，通过所述在tft基板上确定光照区域的装置进行光照区域的定位，进而根据定位位置控制液晶书写装置进行显示。29.一种电子纸，其特征在于，包括：依次设置的导电层, 极性液晶材料层和基底层；所述基底层上集成有权利要求21或22任一项所述的在tft基板上确定光照区域的装置。30.如权利要求29所述一种电子纸，其特征在于，通过所述在tft基板上确定光照区域的装置进行光照区域的定位，进而根据定位位置进行书写笔迹的记录或者擦除。31.如权利要求29所述一种电子纸，其特征在于，通过所述在tft基板上确定光照区域的装置进行光照区域的定位，进而根据定位位置控制电子纸进行显示。

技术总结
本发明公开了一种在TFT基板上确定光照区域的方法及装置，所述TFT基板上阵列状排布若干像素单元，每个像素单元内设有像素电极以及与所述像素电极连接的薄膜场效应晶体管TFT；每一行像素单元对应的TFT至少由一根第一导线连接并供给控制电压；每一列像素单元对应的TFT至少由一根第二导线连接并供给输入电压；控制TFT处于临界状态，通过检测TFT电流或电压是否发生变化，确定TFT是否受到设定强度范围的光照照射，从而确定光照射的区域；所述的行和列可互换。本发明通过让TFT处于临界状态，利用设定光照强度的光照射时，能够实现TFT导通，进而确定导通TFT的行位置和列位置，实现利用光照进行定位。光照进行定位。光照进行定位。


技术研发人员：李清波 杨猛训 李泉堂 宫向东
受保护的技术使用者：山东蓝贝思特教装集团股份有限公司
技术研发日：2021.08.23
技术公布日：2021/9/21