显示装置的制作方法

1.本公开涉及一种显示装置，并且更具体地，涉及一种其中电场形成在被布置在驱动晶体管的漏电极与栅电极之间的双晶体管的浮置源/漏节点处的显示装置。


背景技术：

2.自从信息时代开始，对于用于显示图像的显示装置的需求已经以各种形式稳定地增长。显示装置被整合到诸如智能电话、数字相机、笔记本计算机、导航仪和智能电视的各种电子设备中。显示装置可以是诸如液晶显示装置、场发射显示装置或发光显示装置的平板显示装置。因为在平板显示装置之中的发光显示装置包括显示面板中的像素中的每一个通过其自发光的发光元件，所以它可以在没有将光提供到显示面板的背光单元的情况下而显示图像。
3.显示面板中的像素中的每一个可以包括多个薄膜晶体管。多个薄膜晶体管中的每一个可以基于被施加到栅电极的信号而被导通。然而，当薄膜晶体管从导通状态切换到关断状态时，泄漏电流可能通过薄膜晶体管的沟道区与源极区/漏极区之间的电场而流动，并且泄漏电流可能使像素的亮度退化。因而，需要一种用于减小流过薄膜晶体管的泄漏电流的新颖显示装置以防止像素的亮度的退化。


技术实现要素：

4.本公开的方面提供了一种其中电场形成在被布置在驱动晶体管的漏电极与栅电极之间的双晶体管的浮置源/漏节点处的显示装置，从而减小流过双晶体管的泄漏电流并且防止子像素的亮度的下降。
5.然而，本公开的方面不限于本文所阐述的方面。本公开的以上和其他方面将通过参照以下给出的本公开的详细描述而对于本公开所属技术领域的普通技术人员变得更明显。
6.根据本公开的实施例，一种显示装置包括：基板；以及多个子像素，多个子像素被布置在基板上并且包括发光元件和驱动发光元件的子像素电路。子像素电路包括：驱动晶体管，该驱动晶体管控制流过发光元件的驱动电流；第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管和第二晶体管串联连接并且被布置在作为驱动晶体管的漏电极的第一节点与作为驱动晶体管的栅电极的第二节点之间，以从同一扫描线接收同一扫描信号；以及栅辅助电极，该栅辅助电极被布置在第一晶体管的栅电极上或第二晶体管的栅电极上。栅辅助电极连接到第一晶体管的栅电极或第二晶体管的栅电极。
7.栅辅助电极可以在厚度方向上与被布置在第一晶体管的有源区域与第二晶体管的有源区域之间的第一晶体管的漏电极或第二晶体管的源电极重叠。
8.显示装置可以进一步包括：被布置在基板上的有源层；以及被布置在有源层上的第一栅层。驱动晶体管、第一晶体管和第二晶体管中的每一个的有源区域可以被布置在有源层中。驱动晶体管、第一晶体管和第二晶体管中的每一个的栅电极可以被布置在第一栅
层中。
9.显示装置可以进一步包括：被布置在第一栅层上的第二栅层。栅辅助电极可以被布置在第二栅层中。
10.显示装置可以进一步包括：栅绝缘膜，该栅绝缘膜将第一晶体管和第二晶体管中的每一个的栅电极与第一晶体管和第二晶体管中的每一个的有源区域绝缘，以及层间绝缘膜，该层间绝缘膜被布置在第一栅层与第二栅层之间并且包括至少一个接触孔。栅辅助电极可以通过层间绝缘膜的至少一个接触孔连接到第一晶体管的栅电极或第二晶体管的栅电极。
11.第一晶体管可以包括连接到第一节点的源电极和连接到第二晶体管的漏电极。第二晶体管可以包括连接到第一晶体管的漏电极的源电极和连接到第二节点的漏电极。
12.栅辅助电极可以在厚度方向上与第一晶体管的漏电极或第二晶体管的源电极重叠。
13.第一晶体管可以进一步包括：被布置在第一晶体管的有源区域与第一晶体管的源电极之间的第一掺杂区域，以及被布置在第一晶体管的有源区域与第一晶体管的漏电极之间的第二掺杂区域。第二晶体管可以进一步包括：被布置在第二晶体管的有源区域与第二晶体管的源电极之间的第三掺杂区域，以及被布置在第二晶体管的有源区域与第二晶体管的漏电极之间的第四掺杂区域。
14.第一掺杂区域、第二掺杂区域、第三掺杂区域和第四掺杂区域中的每一个的掺杂浓度可以高于第一晶体管的有源区域或第二晶体管的有源区域的掺杂浓度。
15.第一掺杂区域、第二掺杂区域、第三掺杂区域和第四掺杂区域中的每一个的掺杂浓度可以低于第一晶体管的源电极和漏电极以及第二晶体管的源电极和漏电极中的每一个的掺杂浓度。
16.栅辅助电极可以在厚度方向上与第一晶体管的第二掺杂区域或第二晶体管的第三掺杂区域重叠。
17.栅辅助电极可以在厚度方向上与第一晶体管的第二掺杂区域和漏电极以及第二晶体管的第三掺杂区域和源电极中的至少一个重叠。
18.子像素电路可以进一步包括第三晶体管，该第三晶体管将数据电压选择性地供应到作为驱动晶体管的源电极的第三节点。第一晶体管、第二晶体管和第三晶体管可以接收同一扫描信号。
19.根据本公开的实施例，一种显示装置包括：基板；以及多个子像素，多个子像素被布置在基板上并且包括发光元件和驱动发光元件的子像素电路。子像素电路包括：驱动晶体管，该驱动晶体管控制流过发光元件的驱动电流；第一晶体管，该第一晶体管包括连接到作为驱动晶体管的漏电极的第一节点的第一电极和选择性地连接到作为驱动晶体管的栅电极的第二节点的第二电极；第二晶体管，该第二晶体管包括连接到第一晶体管的第二电极的第一电极和连接到第二节点的第二电极；以及栅辅助电极，该栅辅助电极被布置在第一晶体管的栅电极上或第二晶体管的栅电极上，并且在厚度方向上与第一晶体管的第二电极或第二晶体管的第一电极重叠。栅辅助电极连接到第一晶体管的栅电极或第二晶体管的栅电极。
20.显示装置可以进一步包括：被布置在基板上的有源层；以及被布置在有源层上的
第一栅层。驱动晶体管、第一晶体管和第二晶体管中的每一个的有源区域可以被布置在有源层中。驱动晶体管、第一晶体管和第二晶体管中的每一个的栅电极可以被布置在第一栅层中。
21.显示装置可以进一步包括：被布置在第一栅层上的第二栅层。栅辅助电极可以被布置在第二栅层中。
22.显示装置可以进一步包括：栅绝缘膜，该栅绝缘膜将第一晶体管和第二晶体管中的每一个的栅电极与第一晶体管和第二晶体管中的每一个的有源区域绝缘，以及层间绝缘膜，该层间绝缘膜被布置在第一栅层与第二栅层之间并且包括至少一个接触孔。栅辅助电极可以通过层间绝缘膜的至少一个接触孔连接到第一晶体管的栅电极或第二晶体管的栅电极。
23.第一晶体管可以进一步包括：被布置在第一晶体管的有源区域与第一晶体管的第一电极之间的第一掺杂区域，以及被布置在第一晶体管的有源区域与第一晶体管的第二电极之间的第二掺杂区域。第二晶体管可以进一步包括：被布置在第二晶体管的有源区域与第二晶体管的第一电极之间的第三掺杂区域，以及被布置在第二晶体管的有源区域与第二晶体管的第二电极之间的第四掺杂区域。
24.栅辅助电极可以在厚度方向上与第一晶体管的第二掺杂区域或第二晶体管的第三掺杂区域重叠。
25.栅辅助电极可以在厚度方向上与第一晶体管的第二掺杂区域和第二电极以及第二晶体管的第三掺杂区域和第一电极中的至少一个重叠。
附图说明
26.本公开的以上和其他方面和特征将通过参照附图详细描述其示例实施例而变得更明显，其中：
27.图1是根据实施例的显示装置的透视图；
28.图2是根据实施例的显示装置的分解透视图；
29.图3是根据实施例的显示面板的平面图；
30.图4是图示根据实施例的显示面板和显示驱动器的框图；
31.图5描绘根据实施例的子像素的子像素电路；
32.图6是传输到图5中所图示的子像素的信号的波形图；
33.图7是图示图5中所图示的子像素的示例的平面图；
34.图8是沿着图7中的线i
‑
i’截取的截面图；
35.图9是图7中的区域a1的放大图；
36.图10是沿着图9中的线ii
‑
ii’截取的截面图；
37.图11是图示图5中所图示的子像素的另一示例的平面图；
38.图12是图11中的区域a2的放大图；
39.图13是沿着图12中的线iii
‑
iii’截取的截面图；
40.图14是图示图5中所图示的子像素的另一示例的平面图；
41.图15是图14中的区域a3的放大图；并且
42.图16是沿着图15中的线iv
‑
iv’截取的截面图。
具体实施方式
43.在以下描述中，为了解释的目的，阐述了数个特定细节以便于提供对本公开的各种示例实施例或实施方式的透彻理解。如本文所使用的，“实施例”和“实施方式”是采用本文所公开的本发明构思中的一个或多个的装置或方法的非限制性示例的可互换词语。然而，明显的是，可以在没有这些特定细节或者具有一个或多个等价设置的情况下而实践各种示例实施例。在其他情况下，以框图形式示出了众所周知的结构和装置以便于避免不必要地模糊各个示例实施例。进一步，各个示例实施例可以不同，但是不必是排他性的。例如，可以在另一示例实施例中使用或实施示例实施例的特定形状、配置和特性而不脱离本发明构思。
44.除非另外规定，否则所图示的示例实施例要理解为提供了本发明构思可以实际实施的一些方式的变化细节的示例特征。因此，除非另外规定，否则可以另外组合、分离、互换和/或重排各个实施例的特征、部件、模块、层、膜、面板、区域和/或方面等(下文中，被单独地或共同地称为“元件”)。
45.通常提供附图中交叉影线和/或阴影的使用，以澄清邻近元件之间的边界。因此，交叉影线或阴影的存在或缺失不传递或不指示对于具体材料、材料属性、尺寸、比例、所图示元件之间的共同性和/或元件的任何其他特性、性质、属性等的任何偏好或需求，除非如此规定。进一步，在附图中，为了清楚和/或描述性的目的，可以夸大元件的大小和相对大小。当示例实施例可以不同地实施时，可以不同于所述顺序而执行特定工艺顺序。例如，两个连续描述的工艺可以基本上同时执行或以与所述顺序相反的顺序执行。另外，相同的附图标记表示相同的元件。
46.当诸如层的元件被称为在另一元件或层“上”、“连接”或“耦接”到另一元件或层时，它可以直接在该另一元件或层上或者直接连接或直接耦接到该另一元件或层，或者可以存在中间元件或层。然而，当元件或层被称为“直接”在另一元件或层“上”、“直接连接到”或“直接耦接到”另一元件或层时，不存在中间元件或层。为此，术语“连接”可以指具有或不具有中间元件的物理连接、电气连接和/或流体连接。进一步，x轴、y轴和z轴不限于直角坐标系的三个轴(诸如x轴、y轴和z轴)，并且可以以更广泛的含义解释。例如，x轴、y轴和z轴可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直的不同方向。为了本公开的目的，“x、y和z中的至少一个”和“选自由x、y和z构成的群组中的至少一个”可以被解释为仅x、仅y、仅z，或者x、y和z中的两个或更多个的任何组合，诸如，例如xyz、xyy、yz和zz。如本文所使用的，术语“和/或”包括关联的所列项中的一个或多个的任何和所有组合。
47.尽管术语“第一”、“第二”等可以在本文用于描述各种类型的元件，但是这些元件不应受这些术语限制。这些术语用于区分一个元件与另一元件。因此，以下讨论的第一元件可以被称作第二元件而不脱离本公开的教导。
48.诸如“下面”、“下方”、“之下”、“下”、“上方”、“上”、“之上”、“较高”、“侧面”(例如，在“侧壁”中)等的空间相对术语可以在本文用于描述性的目的，并且从而，以描述如附图中所图示一个元件与另一元件的关系。除了附图中所描绘的定向之外，空间相对术语意在包括装置在使用、操作和/或制造中的不同定向。例如，如果附图中的设备被翻转，则被描述为在其他元件或特征“下方”或“下面”的元件将随后被定向为在其他元件或特征“上方”。因此，示例术语“下方”可以包括上方和下方的定向两者。此外，设备可以另外被定向(例如，旋
转90度或按照其他定向)，并且因此，相应地解释本文所使用的空间相对描述符。
49.本文所使用的术语是为了描述具体实施例的目的并且不意在限制。如本文所使用的，单数形式“一个”和“该”意在也包括复数形式，除非上下文另外明确指示。而且，当在说明书中使用时，术语“包括”和/或“包含”规定了所述特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其群组的存在，但是不排除一个或多个其他特征、整数、步骤、操作、元件、部件和/或其群组的存在或添加。还要注意，如本文所使用的，术语“基本上”、“大约”和其他类似术语被用作近似的术语而不被用作程度的术语，并且因此，被利用以考虑将由本领域普通技术人员认识到的在测量、计算和/或提供的值中的固有偏差。
50.本文参照作为理想化示例实施例和/或中间结构的示意性图示的截面和/或分解图示描述了各个示例实施例。因此，预期了作为例如制造技术和/或公差的结果的来自所图示的形状的变化。因此，本文所公开的示例实施例不必被解释为限于区域的特定图示形状，而是要包括例如由制造导致的形状偏差。以该方式，附图中图示的区域可以本质上是示意性的，并且这些区域的形状可以不反映装置的区域的真实形状，并且因此不必意在限制。
51.按照本领域的惯例，根据功能框、单元和/或模块在附图中描述并且图示一些示例实施例。本领域技术人员将知晓，这些框、单元和/或模块由电子(或光学)电路物理地实施，电子(或光学)电路诸如可以使用基于半导体的制造技术或其他制造技术形成的逻辑电路、分立部件、微处理器、硬接线的电路、存储器元件、布线连接等。在框、单元和/或模块由微处理器或其他类似硬件实施的情况下，可以使用软件(例如，微代码)编程并且控制它们以执行本文讨论的各种功能，并且它们可以可选地由固件和/或软件驱动。还考虑到，每个框、单元和/或模块可以由专用硬件实施，或者作为执行一些功能的专用硬件和执行其他功能的处理器(例如，一个或多个编程的微处理器和关联的电路)的组合。另外，一些示例实施例的每个框、单元和/或模块可以被物理地分隔为两个或更多个相互作用并且离散的框、单元和/或模块而不脱离本发明构思的范围。进一步，一些示例实施例的框、单元和/或模块可以被物理地组合为更复杂的框、单元和/或模块而不脱离本发明构思的范围。
52.除非另外限定，否则本文所使用的所有术语(包括技术术语和科学术语)具有与本公开作为其一部分的领域的普通技术人员通常所理解的含义相同的含义。诸如那些在常用词典中定义的术语应该被解释为具有与相关领域上下文中它们的含义一致的含义，并且不应以理想化或过度正式的意义解释，除非本文明确地如此限定。
53.图1是根据实施例的显示装置的透视图，并且图2是根据实施例的显示装置的分解透视图。
54.参照图1和图2，根据实施例的显示装置10包括覆盖窗100、显示面板300、支架600、主电路板700和下盖900。
55.在本说明书中，“上”、“之上”、“顶部”、“上侧”或“上表面”指相对于显示装置10的向上方向，也就是说，z轴方向，并且“下面”、“之下”、“底部”、“下侧”或“下表面”指相对于显示装置10的向下方向，也就是说，与z轴相反的方向。进一步，“左”、“右”、“上”和“下”指当从平面观看显示装置10时的方向。例如，“左”指与x轴方向相反的方向，“右”指x轴方向，“上”指z轴方向，并且“下”指与z轴方向相反的方向。
56.作为用于显示运动图像或静止图像的装置的显示装置10可以被用作诸如电视机、笔记本电脑、监视器、广告牌、物联网(iot)以及便携式电子设备(诸如，移动电话、智能电
话、平板个人计算机(平板pc)、智能手表、手表电话、移动通信终端、电子笔记本、电子书、便携式多媒体播放器(pmp)、导航仪和超移动pc(umpc))的各种产品的显示屏。
57.显示装置10可以以在平面图中观看的矩形形状形成。例如，如图1和图2中所示，显示装置10可以具有矩形平面形状，矩形平面形状具有在第一方向(x轴方向)上的短边和在第二方向(y轴方向)上的长边。在第一方向(x轴方向)上的短边与在第二方向(y轴方向)上的长边相交的位置的拐角可以形成为具有直角形状或者是具有预定曲率的圆形形状。显示装置10的平面形状不限于矩形形状，并且可以以另一多边形形状、圆形形状或椭圆形形状形成。
58.覆盖窗100可以被布置在显示面板300上以覆盖显示面板300的上表面。覆盖窗100可以保护显示面板300的上表面。
59.覆盖窗100可以包括与显示面板300相对应的第一透光部分da1和第二透光部分da2以及与除了显示面板300之外的区域相对应的遮光区域lba。第二透光部分da2可以被布置在第一透光部分da1的一侧(例如，如图1和图2中所示，第一透光部分da1的上侧)处。遮光区域lba可以形成为不透明的。可替代地，遮光区域lba可以形成为具有当不显示图像时对于用户可见的图案的装饰层。
60.显示面板300可以被布置在覆盖窗100之下。因此，显示面板300的图像可以通过覆盖窗100从显示装置10的上表面看到。
61.显示面板300可以是包括发光元件的发光显示面板。显示面板300的示例可以包括使用包括有机发光层的有机发光二极管的有机发光显示面板、使用超微发光二极管(超微led)的超微发光二极管显示面板、使用包括量子点发光层的量子点发光二极管的量子点发光二极管显示面板以及使用包括无机半导体的无机发光二极管的无机发光显示面板。下文中，假设显示面板300是有机发光显示面板。
62.显示面板300可以包括主区域ma以及从主区域ma的一侧突出的第二非显示区域pa。
63.主区域ma可以包括第一显示区域mda、第二显示区域sda和第一非显示区域nda。
64.第一显示区域mda可以被布置为与覆盖窗100的第一透光部分da1重叠。第二显示区域sda可以被布置为与覆盖窗100的第二透光部分da2重叠。第二显示区域sda可以被布置在第一显示区域mda的一侧(例如，如图2中所示，第一显示区域mda的上侧)处，但是本公开不受限制。作为另一示例，第二显示区域sda可以被布置为被第一显示区域mda围绕，并且可以被布置为与显示面板300的拐角邻近。尽管图2中示出显示面板300包括一个第二显示区域sda，但是本公开不受限制。例如，显示面板300可以包括多个第二显示区域sda。
65.第一显示区域mda和第二显示区域sda中的每一个可以包括多个像素、扫描线、数据线和电源线。多个像素中的每一个包括多个子像素。多个子像素连接到扫描线、数据线和电源线。
66.第一非显示区域nda可以被定义为显示面板300的边缘区域。第一非显示区域nda可以包括用于将扫描信号施加到扫描线的扫描驱动器以及将数据线连接到显示驱动器310的链接线。
67.第二非显示区域pa可以从主区域ma的一侧突出。如图2中所示，第二非显示区域pa可以从第一显示区域mda的下侧突出。例如，第二非显示区域pa在第一方向(x轴方向)上的
长度可以小于主区域ma在第一方向(x轴方向)上的长度。
68.第二非显示区域pa可以包括弯折区域和焊盘区域。在该情况下，焊盘区域可以被布置在弯折区域的一侧处，并且主区域ma可以被布置在弯折区域的另一侧处。例如，焊盘区域可以被布置在弯折区域的下侧处，并且主区域ma可以被布置在弯折区域的上侧处。
69.显示面板300可以柔性地形成以弯曲、翘曲、弯折、折叠或卷曲。因而，显示面板300可以在弯折区域中在厚度方向(z轴方向)上被弯折。
70.显示面板300可以包括显示驱动器310、电路板320、电源单元330和触摸驱动器340。
71.显示驱动器310可以输出用于驱动显示面板300的信号和电压。例如，显示驱动器310可以将数据电压供应到数据线。此外，显示驱动器310可以将电源电压供应到电源线，并且可以将扫描控制信号供应到扫描驱动器。
72.电路板320可以使用各向异性导电膜(acf)附接到焊盘上。电路板320的引线可以电连接到显示面板300的焊盘。例如，电路板320可以是柔性印刷电路板(fpcb)、印刷电路板(pcb)或诸如膜上芯片(cof)的柔性膜。
73.电源单元330可以被布置在电路板320上以将驱动电压供应到显示驱动器310和显示面板300。具体地，电源单元330可以产生第一驱动电压且将第一驱动电压供应到第一驱动电压线，并且可以产生第二驱动电压且将第二驱动电压供应到第二驱动电压线。进一步，电源单元330可以产生第三驱动电压并且将第三驱动电压供应到第一子像素和第二子像素中的每一个的有机发光二极管的阴电极。例如，第一驱动电压和第二驱动电压可以是用于驱动发光元件(例如，有机发光二极管)的高电势电压，并且第二驱动电压可以是大于第一驱动电压的高电势电压。第三驱动电压可以是用于驱动有机发光二极管的低电势电压。
74.触摸驱动器340可以被布置在电路板320上以测量触摸电极的电容。例如，触摸驱动器340可以基于触摸电极电容的变化而确定用户的触摸和用户的触摸位置。这里，用户的触摸意味着诸如用户的手指或笔的物体直接接触显示装置10的被布置在触摸感测层上的一个表面。触摸驱动器340可以通过在多个触摸电极之中区分发生用户触摸的部分与不发生用户触摸的部分而确定用户的触摸位置。
75.支架600可以布置在显示面板300之下。在支架600中限定第一相机传感器720插入其中的第一相机孔cmh1。还在支架600中限定电池被布置在其中的电池孔bh、与显示驱动器310或电路板320连接的线缆穿过其中的线缆孔cah、以及传感器装置740、750、760和770被布置在其中的传感器孔sh。作为另一示例，替代于包括传感器孔sh，可以形成支架600以便不与显示面板300的第二显示区域sda重叠。
76.主电路板700和电池790可以布置在支架600之下。主电路板700可以是印刷电路板或柔性印刷电路板。
77.主电路板700可以包括主处理器710、第一相机传感器720、主连接器730、以及多个传感器装置740、750、760和770。第一相机传感器720可以被布置在主电路板700的上表面和下表面两者上，主处理器710可以被布置在主电路板700的上表面上，并且主连接器730可以被布置在主电路板700的下表面上。多个传感器装置740、750、760和770可以被布置在主电路板700的上表面上。
78.主处理器710可以控制显示装置10的所有功能。例如，主处理器710可以将数字视
频数据输出到显示驱动器310使得显示面板300显示图像。进一步，主处理器710可以从触摸驱动器340接收触摸数据，确定用户的触摸坐标，并且随后执行由在用户的触摸坐标处显示的图标指示的应用。
79.主处理器710可以根据从多个传感器装置740、750、760和770输入的传感器信号而控制显示装置10。例如，主处理器710可以根据从接近度传感器740输入的接近度传感器信号而确定物体是否被定位为靠近显示装置10的上表面。当在呼叫模式下物体被定位为靠近显示装置10的上表面时，即使由用户执行触摸，主处理器710也可以不执行由触摸坐标处显示的图标指示的应用。
80.主处理器710可以根据从照度传感器750输入的照度传感器信号而确定显示装置10的上表面的亮度。主处理器710可以根据显示装置10的上表面的亮度而调节由显示面板300显示的图像的亮度。
81.主处理器710可以根据从虹膜传感器760输入的虹膜传感器信号而确定用户的虹膜图像与之前存储在存储器中的虹膜图像是否相同。当用户的虹膜图像与之前存储在存储器中的虹膜图像相同时，主处理器710可以解锁显示装置10并且在显示面板300上显示主屏幕。
82.第一相机传感器720可以处理由图像传感器获得的诸如静止图像或运动图像的图像帧，并且将处理后的图像帧输出到主处理器710。例如，第一相机传感器720可以是cmos图像传感器或ccd传感器，但是不必受限制。第一相机传感器720可以被第二相机孔cmh2暴露于下盖900的下表面，并且可以对被布置在显示装置10之下的物体或背景照相。
83.已经穿过支架600的线缆孔cah的线缆可以连接到主连接器730。因此，主电路板700可以电连接到显示驱动器310或电路板320。
84.多个传感器装置可以包括接近度传感器740、照度传感器750、虹膜传感器760和第二相机传感器770。
85.接近度传感器740可以检测物体是否被定位为靠近显示装置10的上表面。例如，接近度传感器740可以包括输出光的光源和接收由物体反射的光的光接收器。接近度传感器740可以根据由物体反射的光的量而确定被定位为靠近显示装置10的上表面的物体是否存在。因为接近度传感器740被布置为在显示面板300的厚度方向(z轴方向)上与传感器孔sh、显示面板300的第二显示区域sda以及覆盖窗100的第二透光部分da2重叠，所以接近度传感器740可以取决于被定位为靠近显示装置10的上表面的物体是否存在而产生接近度传感器信号，并且可以将接近度信号输出到主处理器710。
86.照度传感器750可以检测显示装置的上表面的亮度。照度传感器750可以包括其电阻值取决于入射光的亮度而改变的电阻器。照度传感器750可以取决于电阻器的电阻值而确定显示装置的上表面的亮度。因为照度传感器750被布置为在显示面板300的厚度方向(z轴方向)上与传感器孔sh、显示面板300的第二显示区域sda以及覆盖窗100的第二透光部分da2重叠，所以照度传感器750可以取决于显示装置的上表面的亮度而产生照度传感器信号，并且可以将照度传感器信号输出到主处理器710。
87.虹膜传感器760可以检测用户的虹膜的图像与之前存储在存储器中的虹膜图像是否相同。虹膜传感器760可以取决于用户的虹膜的图像与之前存储在存储器中的虹膜图像是否相同而产生虹膜传感器信号，并且可以将虹膜传感器信号输出到主处理器710。
88.第二相机传感器770可以处理由图像传感器获得的诸如静止图像或运动图像的图像帧，并且将处理后的图像帧输出到主处理器710。例如，第二相机传感器770可以是cmos图像传感器或ccd传感器，但是不必受限制。第二相机传感器770中的像素的数量可以小于第一相机传感器720中的像素的数量，并且第二相机传感器770的大小可以小于第一相机传感器720的大小。因为第二相机传感器770被布置为在显示面板300的厚度方向(z轴方向)上与传感器孔sh、显示面板300的第二显示区域sda以及覆盖窗100的第二透光部分da2重叠，所以第二相机传感器770可以对被布置在显示装置10上的物体或背景照相。
89.电池790可以被布置为在第三方向(z轴方向)上不与主电路板700重叠。也就是说，电池790与支架600的电池孔bh对准，以便电池790可以与支架600的电池孔bh重叠。
90.主电路板700可以包括能够将无线电信号传输到基站、外部终端和服务器中的至少一个并且从基站、外部终端和服务器中的至少一个接收无线电信号的移动通信模块。无线电信号可以取决于语音信号、语音呼叫信号或文本/多媒体消息传输/接收而包括各种类型的数据。
91.下盖900可以被布置在主电路板700和电池790之下。下盖900可以固定地接合到支架600。下盖900可以形成显示装置10的下表面外观。下盖900可以由塑料、金属或者塑料和金属的组合制成。
92.通过其第一相机传感器720的下表面被暴露的第二相机孔cmh2被限定在下盖900中。第一相机传感器720的位置以及与第一相机传感器720相对应的第一相机孔cmh1和第二相机孔cmh2的位置不限于图2中所示的实施例。
93.图3是根据实施例的显示面板的平面图，并且图4是图示根据实施例的显示面板和显示驱动器的框图。
94.参照图3和图4，显示面板300可以包括第一显示区域mda、第二显示区域sda和第一非显示区域nda。
95.第一显示区域mda包括多个第一子像素sp1、连接到多个第一子像素sp1的驱动电压线vddl、扫描线sl、发射控制线eml以及数据线dl。
96.多个第一子像素sp1中的每一个可以连接到至少一条扫描线sl、至少一条数据线dl、至少一条发射控制线eml以及至少一条驱动电压线vddl。尽管图3和图4中示出多个第一子像素sp1中的每一个可以连接到两条扫描线sl、一条数据线dl、一条发射控制线eml以及一条驱动电压线vddl，但是本公开不受限制。例如，多个第一子像素sp1中的每一个可以连接到三条或更多条扫描线sl。
97.多个第一子像素sp1中的每一个可以包括驱动晶体管、至少一个开关晶体管、发光元件和电容器。
98.第一子像素sp1可以通过驱动电压线vddl接收驱动电压。这里，驱动电压可以是用于驱动多个第一子像素sp1的发光元件的高电势电压。
99.扫描线sl和发射控制线eml可以在第一方向(x轴方向)上延伸，并且可以在与第一方向(x轴方向)交叉的第二方向(y轴方向)上彼此间隔开。
100.数据线dl和驱动电压线vddl可以在第二方向(y轴方向)上延伸，并且可以在第一方向(x轴方向)上彼此间隔开。
101.第二显示区域sda可以包括第二子像素sp2、连接到多个第二子像素sp2的驱动电
压线vddl、扫描线sl、发射控制线eml以及数据线dl。
102.多个第二子像素sp2中的每一个可以连接到至少一条扫描线sl、至少一条数据线dl、至少一条发射控制线eml以及至少一条驱动电压线vddl。尽管图3和图4中示出多个第二子像素sp2中的每一个可以连接到两条扫描线sl、一条数据线dl、一条发射控制线eml以及一条驱动电压线vddl，但是本公开不受限制。例如，第二子像素sp2中的每一个可以连接到三条或更多条扫描线sl。
103.第二子像素sp2中的每一个可以包括驱动晶体管、至少一个开关晶体管、发光元件和电容器。
104.第二子像素sp2可以通过驱动电压线vddl接收驱动电压。这里，驱动电压可以是用于驱动第二子像素sp2的发光元件的高电势电压。
105.例如，第一显示区域mda的每单位面积的第一子像素sp1的数量可以大于第二显示区域sda的每单位面积的第二子像素sp2的数量。第一显示区域mda是作为显示装置10的主要功能的、用于显示图像的区域，并且第一子像素sp1可以在第一显示区域mda中被密集地设置。第二显示区域sda可以包括第二子像素sp2被设置在其中的像素区域以及透射光的透射区域。因此，当第二显示区域sda的透射区域的面积增大时，每单位面积的第二子像素sp2的数量可以小于每单位面积的第一子像素sp1的数量。
106.第一非显示区域nda可以被定义为显示面板300的不是第一显示区域mda或第二显示区域sda的部分的剩余区域。第一非显示区域nda可以包括用于将扫描信号施加到扫描线sl的扫描驱动器410、用于将发射信号施加到发射控制线eml的发射控制驱动器420、用于连接数据线dl和显示驱动器310的扇出线fl以及连接到电路板320的焊盘dp。显示驱动器310和焊盘dp可以被布置在显示面板300的焊盘区域中。焊盘dp可以被布置为比显示驱动器310更靠近焊盘区域的一个边缘。
107.如图4中所示，显示驱动器310可以包括时序控制器311和数据驱动器312。
108.时序控制器311可以从电路板320接收数字视频数据data和时序信号。时序控制器311可以基于时序信号而产生扫描控制信号scs以控制扫描驱动器410的操作时序，可以基于时序信号而产生发射控制信号ecs以控制发射控制驱动器420的操作时序，并且可以基于时序信号而产生数据控制信号dcs以控制数据驱动器312的操作时序。时序控制器311可以通过第一扫描控制线scl1将扫描控制信号scs输出到扫描驱动器410。时序控制器311可以通过第二扫描控制线scl2将发射控制信号ecs输出到发射控制驱动器420。时序控制器311可以将数字视频数据data和数据控制信号dcs供应到数据驱动器312。
109.数据驱动器312可以将数字视频数据data转换为模拟数据电压并且通过扇出线fl将模拟数据电压输出到数据线dl。扫描驱动器410的扫描信号可以选择数据电压要供应的像素sp，并且数据驱动器312可以将数据电压供应到所选择的像素sp。如本文所使用的，“像素sp”意在意味着第一子像素sp1或第二子像素sp2。
110.如图3中所示，扫描驱动器410可以被布置在第一显示区域mda的一侧和第二显示区域sda的一侧之外，或者在第一非显示区域nda的一侧处。发射控制驱动器420可以被布置在第一显示区域mda的另一侧和第二显示区域sda的另一侧之外，或者在第一非显示区域nda的另一侧处。作为另一示例，扫描驱动器410和发射控制驱动器420两者可以被布置在第一显示区域mda的一侧和第二显示区域sda的一侧之外。
111.扫描驱动器410可以包括用于基于扫描控制信号scs而产生扫描信号的多个薄膜晶体管，并且发射控制驱动器420可以包括用于基于发射控制信号ecs而产生发射信号的多个薄膜晶体管。例如，扫描驱动器410的薄膜晶体管和发射控制驱动器420的薄膜晶体管可以分别与第一子像素sp1的薄膜晶体管和第二子像素sp2的薄膜晶体管形成在同一层上。
112.图5描绘根据实施例的子像素的子像素电路，并且图6是传输到图5中所图示的子像素的信号的波形图。这里，图5中所图示的子像素sp可以与图3和图4中所图示的第一子像素sp1或第二子像素sp2相对应。
113.参照图5和图6，显示面板300可以包括沿着第k行(k是自然数)和第j列(j是自然数)设置的多个子像素sp。例如，显示面板300的第一显示区域mda可以包括第一子像素sp1，并且显示面板300的第二显示区域sda可以包括第二子像素sp2。设置在第k行中的第一子像素sp1或第二子像素sp2可以连接到第k扫描线slk、第k
‑
1扫描线slk
‑
1、发射控制线eml、数据线dl、驱动电压线vddl和初始化电压线vil。
114.第一子像素sp1中的每一个和第二子像素sp2中的每一个可以包括驱动晶体管dt、发光元件el、多个开关元件和第一电容器c1。开关元件可以包括第一晶体管至第六晶体管st1、st2、st3、st4、st5和st6。
115.驱动晶体管dt可以包括栅电极、源电极和漏电极。驱动晶体管dt的漏电极可以连接到第一节点n1，驱动晶体管dt的栅电极可以连接到第二节点n2，并且驱动晶体管dt的源电极可以连接到第三节点n3。驱动晶体管dt基于被施加到栅电极的数据电压(下文中，被表示为“vdata”)而控制源
‑
漏电流isd(下文中，被称为“驱动电流”)。流过驱动晶体管dt的沟道的驱动电流isd与第一晶体管t1的栅
‑
源电压vsg和阈值电压vth之间的差的平方成正比(isd＝k'
×
(vsg
–
vth)2)。这里，k'指由驱动晶体管dt的结构和物理特性确定的比例系数，vsg指驱动晶体管dt的源
‑
栅电压，并且vth指驱动晶体管dt的阈值电压。
116.发光元件el可以接收驱动电流isd以发光。发光元件el的发射量或亮度可以与驱动电流isd的强度成正比。
117.发光元件el可以是包括阳电极、阴电极以及被布置在阳电极和阴电极之间的有机发光层的有机发光二极管。可替代地，发光元件el可以是包括阳电极、阴电极以及被布置在阳电极和阴电极之间的无机半导体层的无机发光元件。可替代地，发光元件el可以是包括阳电极、阴电极以及被布置在阳电极和阴电极之间的量子点发光层的量子点发光元件。可替代地，发光元件el可以是微发光二极管。
118.发光元件el的阳电极可以连接到第四节点n4。发光元件el的阳电极可以通过第四节点n4连接到第五晶体管st5的漏电极和第六晶体管st6的漏电极。发光元件el的阴电极可以连接到低电势线vssl。寄生电容可以形成在发光元件el的阳电极和阴电极之间。
119.第一晶体管st1可以被对应级的扫描线slk的扫描信号sck导通以将作为驱动晶体管dt的漏电极的第一节点n1连接到作为驱动晶体管dt的栅电极的第二节点n2。例如，第一晶体管st1可以是包括第1
‑
1晶体管st1
‑
1和第1
‑
2晶体管st1
‑
2的双晶体管。第1
‑
1晶体管st1
‑
1的栅电极可以连接到对应级的扫描线slk，第1
‑
1晶体管st1
‑
1的源电极可以连接到第一节点n1，并且第1
‑
1晶体管st1
‑
1的漏电极可以连接到第1
‑
2晶体管st1
‑
2的源电极。第1
‑
2晶体管st1
‑
2的栅电极可以连接到对应级的扫描线slk，第1
‑
2晶体管st1
‑
2的源电极可以连接到第1
‑
1晶体管st1
‑
1的漏电极，并且第1
‑
2晶体管st1
‑
2的漏电极可以连接到第二节点
n2。
120.第二晶体管st2可以被前一级的扫描线slk
‑
1的扫描信号sck
‑
1导通以将初始化电压线vil连接到作为驱动晶体管dt的栅电极的第二节点n2。例如，第二晶体管st2可以是包括第2
‑
1晶体管st2
‑
1和第2
‑
2晶体管st2
‑
2的双晶体管。第2
‑
1晶体管st2
‑
1和第2
‑
2晶体管st2
‑
2可以基于前一级的扫描信号sck
‑
1而被导通，以采用初始化电压vi对驱动晶体管dt的栅电极放电。第2
‑
1晶体管st2
‑
1的栅电极可以连接到前一级的扫描线slk
‑
1，第2
‑
1晶体管st2
‑
1的源电极可以连接到初始化电压线vil，并且第2
‑
1晶体管st2
‑
1的漏电极可以连接到第2
‑
2晶体管st2
‑
2的源电极。第2
‑
2晶体管st2
‑
2的栅电极可以连接到前一级的扫描线slk
‑
1，第2
‑
2晶体管st2
‑
2的源电极可以连接到第2
‑
1晶体管st2
‑
1的漏电极，并且第2
‑
2晶体管st2
‑
2的漏电极可以连接到第二节点n2。
121.第三晶体管st3可以被对应级的扫描线slk的扫描信号sck导通以将数据线dl连接到作为驱动晶体管dt的源电极的第三节点n3。第三晶体管st3可以基于扫描信号sck而被导通，以将数据电压vdata供应到第三节点n3。第三晶体管st3的栅电极可以连接到对应级的扫描线slk，第三晶体管st3的源电极可以连接到数据线dl，并且第三晶体管st3的漏电极可以连接到第三节点n3。第三晶体管st3的漏电极可以通过第三节点n3连接到驱动晶体管dt的源电极和第四晶体管st4的漏电极。
122.第四晶体管st4可以被发射控制线eml的发射信号em导通以将驱动电压线vddl连接到作为驱动晶体管dt的源电极的第三节点n3。第四晶体管st4的栅电极可以连接到发射控制线eml，第四晶体管st4的源电极可以连接到驱动电压线vddl，并且第四晶体管st4的漏电极可以连接到第三节点n3。第四晶体管st4的漏电极可以通过第三节点n3连接到驱动晶体管dt的源电极和第三晶体管st3的漏电极。
123.第五晶体管st5可以被发射控制线eml的发射信号em导通以将作为驱动晶体管dt的漏电极的第一节点n1连接到作为发光元件el的阳电极的第四节点n4。第五晶体管st5的栅电极可以连接到发射控制线eml，第五晶体管st5的源电极可以连接到第一节点n1，并且第五晶体管st5的漏电极可以连接到第四节点n4。第五晶体管st5的源电极可以通过第一节点n1连接到驱动晶体管dt的漏电极以及第1
‑
1晶体管st1
‑
1的源电极。第五晶体管st5的漏电极可以通过第四节点n4连接到发光元件el的阳电极以及第六晶体管st6的漏电极。
124.当第四晶体管st4、驱动晶体管dt和第五晶体管st5中的全部都被导通时，驱动电流可以被供应到发光元件el。
125.第六晶体管st6可以被对应级的扫描线slk的扫描信号sck导通以将初始化电压线vil连接到作为发光元件el的阳电极的第四节点n4。第六晶体管st6可以基于扫描信号sck而被导通，以采用初始化电压vi对发光元件el的阳电极放电。第六晶体管st6的栅电极可以连接到对应级的扫描线slk，第六晶体管st6的源电极可以连接到初始化电压线vil，并且第六晶体管st6的漏电极可以连接到第四节点n4。第六晶体管st6的漏电极可以通过第四节点n4连接到发光元件el的阳电极和第五晶体管st5的漏电极。
126.驱动晶体管dt以及第一晶体管至第六晶体管st1、st2、st3、st4、st5和st6中的每一个可以包括硅基有源层。例如，驱动晶体管dt以及第一晶体管至第六晶体管st1、st2、st3、st4、st5和st6中的每一个可以包括由低温多晶硅(ltps)制成的有源层。由低温多晶硅制成的有源层可以具有高电子迁移率和优良的导通特性。因而，显示装置10可以通过包括
具有优良导通特性的驱动晶体管dt以及第一晶体管至第六晶体管st1、st2、st3、st4、st5和st6而稳定地且高效地驱动多个子像素sp。
127.驱动晶体管dt以及第一晶体管至第六晶体管st1、st2、st3、st4、st5和st6中的每一个可以与p型晶体管相对应。例如，驱动晶体管dt以及第一晶体管至第六晶体管st1、st2、st3、st4、st5和st6中的每一个可以基于被施加到栅电极的栅低电压而将流入源电极的电流输出到漏电极。
128.第一电容器c1可以被连接地布置在作为驱动晶体管dt的栅电极的第二节点n2与驱动电压线vddl之间。例如，第一电容器c1的第一电极可以连接到第二节点n2，并且第一电容器c1的第二电极可以连接到驱动电压线vddl，从而维持驱动电压线vddl与驱动晶体管dt的栅电极之间的电势差。
129.参照图6连同图5，显示装置10可以通过一个帧的第一时段至第三时段t1、t2和t3而被驱动。第二晶体管st2可以在第n帧(n是2或更大的自然数)的第一时段t1期间接收前一级的低电平的扫描信号sck
‑
1。第二晶体管st2可以基于低电平的扫描信号sck
‑
1而被导通，并且可以将初始化电压vi供应到作为驱动晶体管dt的栅电极的第二节点n2。因而，第二晶体管st2可以在第一时段t1期间初始化驱动晶体管dt的栅电极。
130.第一晶体管st1可以在第二时段t2期间接收对应级的低电平的扫描信号sck。第一晶体管st1可以基于低电平的扫描信号sck而被导通，并且可以连接第一节点n1和第二节点n2。
131.第三晶体管st3可以在第二时段t2期间接收对应级的低电平的扫描信号sck。第三晶体管st3可以基于低电平的扫描信号sck而被导通，并且可以将数据电压vdata供应到作为驱动晶体管dt的源电极的第三节点n3。
132.当驱动晶体管dt的源电极接收到数据电压vdata时，驱动晶体管dt的源
‑
栅电压vsg可以与数据电压vdata和初始化电压vi之间的电压差vdata
‑
vi相对应，并且源
‑
栅电压vsg可以变得大于阈值电压(下文中，被称为“vth”)(vdata
‑
vi>vth)，以允许驱动晶体管dt被导通。因而，在第二时段t2期间驱动晶体管dt被导通的时刻，驱动晶体管dt的源
‑
漏电流isd可以基于数据电压vdata、初始化电压vi以及驱动晶体管dt的阈值电压vth而确定(isd＝k'*(vdata
‑
vi
‑
vth)2)。驱动晶体管dt可以将源
‑
漏电流isd供应到第一节点n1直至源
‑
栅电压vsg达到驱动晶体管dt的阈值电压vth。进一步，第一晶体管st1可以在第二时段t2期间被导通以将第一节点n1的电压供应到第二节点n2。以该方式，在驱动晶体管dt被导通时，可以改变第二节点n2的电压以及驱动晶体管dt的源
‑
漏电流isd，并且第二节点n2的电压可以收敛至数据电压vdata与驱动晶体管dt的阈值电压vth之间的电压差vdata
‑
vth。
133.第六晶体管st6可以在第二时段t2期间接收对应级的低电平的扫描信号sck。第六晶体管st6可以基于低电平的扫描信号sck而被导通，而且可以将初始化电压vi供应到作为发光元件el的阳电极的第四节点n4。因此，第六晶体管st6可以在第二时段t2期间初始化发光元件el的阳电极。
134.发射信号em可以在第三周期t3期间具有栅低电压。当发射信号em具有低电平时，第四晶体管st4和第五晶体管st5被导通以将驱动电流供应到发光元件el。
135.图7是图示图5中所图示的子像素的示例的平面图，并且图8是沿着图7中的线i
‑
i’截取的截面图。
的有源区域act1
‑
2之间的源电极或漏电极重叠。例如，当第1
‑
1晶体管st1
‑
1的漏电极d1
‑
1与第1
‑
2晶体管st1
‑
2的源电极s1
‑
2直接接触时，栅辅助电极gae可以在厚度方向(z轴方向)上与第1
‑
1晶体管st1
‑
1的漏电极d1
‑
1和第1
‑
2晶体管st1
‑
2的源电极s1
‑
2中的至少一个重叠。因而，可以在栅辅助电极gae与第1
‑
1晶体管st1
‑
1的漏电极d1
‑
1之间或者在栅辅助电极gae与第1
‑
2晶体管st1
‑
2的源电极s1
‑
2之间形成电场。
150.例如，栅辅助电极gae可以通过第五接触孔cnt5连接到第1
‑
1晶体管st1
‑
1的栅电极g1
‑
1，并且可以在厚度方向(z轴方向)上与第1
‑
1晶体管st1
‑
1的漏电极d1
‑
1和第1
‑
2晶体管st1
‑
2的源电极s1
‑
2重叠。形成在第1
‑
1晶体管st1
‑
1与第1
‑
2晶体管st1
‑
2之间的节点处的电场可以被第1
‑
1晶体管st1
‑
1的栅电极g1
‑
1与第1
‑
1晶体管st1
‑
1的漏电极d1
‑
1之间的电场、第1
‑
2晶体管st1
‑
2的栅电极g1
‑
2与第1
‑
2晶体管st1
‑
2的源电极s1
‑
2之间的电场以及栅辅助电极gae与第1
‑
1晶体管st1
‑
1的漏电极d1
‑
1之间的电场影响。这里，当第1
‑
1晶体管st1
‑
1和第1
‑
2晶体管st1
‑
2被关断时，第1
‑
1晶体管st1
‑
1与第1
‑
2晶体管st1
‑
2之间的节点可以与浮置源/漏节点相对应。
151.第二晶体管st2可以是包括第2
‑
1晶体管st2
‑
1和第2
‑
2晶体管st2
‑
2的双晶体管。
152.第2
‑
1晶体管st2
‑
1可以包括有源区域act2
‑
1、栅电极g2
‑
1、源电极s2
‑
1和漏电极d2
‑
1。第2
‑
1晶体管st2
‑
1的有源区域act2
‑
1可以与第2
‑
1晶体管st2
‑
1的栅电极g2
‑
1重叠。第2
‑
1晶体管st2
‑
1的作为前一级的扫描线slk
‑
1的一部分的栅电极g2
‑
1可以与前一级的扫描线slk
‑
1的与有源区域act2
‑
1重叠的区域相对应。
153.第2
‑
1晶体管st2
‑
1的源电极s2
‑
1可以通过第八接触孔cnt8连接到第二连接电极be2，并且第二连接电极be2可以通过第七接触孔cnt7连接到初始化电压线vil。第2
‑
1晶体管st2
‑
1的源电极s2
‑
1可以连接到初始化电压线vil以接收初始化电压vi。
154.第2
‑
1晶体管st2
‑
1的漏电极d2
‑
1可以连接到第2
‑
2晶体管st2
‑
2的源电极s2
‑
2。
155.第2
‑
2晶体管st2
‑
2可以包括有源区域act2
‑
2、栅电极g2
‑
2、源电极s2
‑
2和漏电极d2
‑
2。
156.第2
‑
2晶体管st2
‑
2的有源区域act2
‑
2可以与第2
‑
2晶体管st2
‑
2的栅电极g2
‑
2重叠。第2
‑
2晶体管st2
‑
2的作为前一级的扫描线slk
‑
1的一部分的栅电极g2
‑
2可以与前一级的扫描线slk
‑
1的与有源区域act2
‑
2重叠的区域相对应。
157.第2
‑
2晶体管st2
‑
2的源电极s2
‑
2可以连接到第2
‑
1晶体管st2
‑
1的漏电极d2
‑
1。
158.第2
‑
2晶体管st2
‑
2的漏电极d2
‑
2可以通过第六接触孔cnt6连接到第一连接电极be1，并且第一连接电极be1可以通过第一接触孔cnt1连接到驱动晶体管dt的栅电极dt
‑
g。进一步，第2
‑
2晶体管st2
‑
2的漏电极d2
‑
2可以连接到第1
‑
2晶体管st1
‑
2的漏电极d1
‑
2。
159.第三晶体管st3可以包括有源区域act3、栅电极g3、源电极s3和漏电极d3。第三晶体管st3的有源区域act3可以与第三晶体管st3的栅电极g3重叠。第三晶体管st3的作为对应级的扫描线slk的一部分的栅电极g3可以与对应级的扫描线slk的与有源区域act3重叠的区域相对应。
160.第三晶体管st3的源电极s3可以通过第二接触孔cnt2连接到数据线dl。因此，第三晶体管st3的源电极s3可以从数据线dl接收数据电压vdata。
161.第三晶体管st3的漏电极d3可以连接到驱动晶体管dt的源电极dt
‑
s和第四晶体管st4的漏电极d4。
162.第四晶体管st4可以包括有源区域act4、栅电极g4、源电极s4和漏电极d4。第四晶体管st4的有源区域act4可以与第四晶体管st4的栅电极g4重叠。第四晶体管st4的作为发射控制线eml的一部分的栅电极g4可以与发射控制线eml的与有源区域act4重叠的区域相对应。
163.第四晶体管st4的源电极s4可以通过第九接触孔cnt9连接到第二驱动电压线vddl2。因而，第四晶体管st4的源电极s4可以从第二驱动电压线vddl2接收驱动电压。
164.第四晶体管st4的漏电极d4可以连接到驱动晶体管dt的源电极dt
‑
s和第三晶体管st3的漏电极d3。
165.第五晶体管st5可以包括有源区域act5、栅电极g5、源电极s5和漏电极d5。第五晶体管st5的有源区域act5可以与第五晶体管st5的栅电极g5重叠。第五晶体管st5的作为发射控制线eml的一部分的栅电极g5可以与发射控制线eml的与有源区域act5重叠的区域相对应。
166.第五晶体管st5的源电极s5可以连接到驱动晶体管dt的漏电极dt
‑
d和第2
‑
1晶体管st2
‑
1的源电极s2
‑
1。
167.第五晶体管st5的漏电极d5可以通过第四接触孔cnt4连接到第四连接电极be4，并且第四连接电极be4可以通过第十二接触孔cnt12连接到阳极连接电极ande。阳极连接电极ande可以连接到发光元件el的阳电极。
168.第六晶体管st6可以包括有源区域act6、栅电极g6、漏电极d6和源电极s6。第六晶体管st6的有源区域act6可以与第六晶体管st6的栅电极g6重叠。第六晶体管st6的作为对应级的扫描线slk的一部分的栅电极g6可以与对应级的扫描线slk的与有源区域act6重叠的区域相对应。
169.第六晶体管st6的源电极s6可以通过第十一接触孔cnt11连接到第三连接电极be3，并且第三连接电极be3可以通过第十接触孔cnt10连接到初始化电压线vil。第六晶体管st6的源电极s6连接到初始化电压线vil以接收初始化电压vi。
170.第六晶体管st6的漏电极d6可以通过第四接触孔cnt4连接到第四连接电极be4，并且第四连接电极be4可以通过第十二接触孔cnt12连接到阳极连接电极ande。阳极连接电极ande可以连接到发光元件el的阳电极。
171.第一电容器c1可以包括第一电极ce11和第二电极ce12。第一电容器c1的作为驱动晶体管dt的栅电极dt
‑
g的一部分的第一电极ce11可以与驱动晶体管dt的栅电极dt
‑
g的与第二栅层gtl2重叠的区域相对应。第一电容器c1的第一电极ce11可以通过第一接触孔cnt1连接到第一连接电极be1，并且第一连接电极be1可以通过第六接触孔cnt6连接到第1
‑
2晶体管st1
‑
2的漏电极d1
‑
2和第2
‑
2晶体管st2
‑
2的漏电极d2
‑
2。
172.驱动电压线vddl可以包括第一驱动电压线vddl1和第二驱动电压线vddl2。例如，第一驱动电压线vddl1可以被布置在第二栅层gtl2中，并且第二驱动电压线vddl2可以被布置在源
‑
漏层sdl上。第一驱动电压线vddl1可以通过第三接触孔cnt3连接到第二驱动电压线vddl2。
173.第一电容器c1的作为第一驱动电压线vddl1的一部分的第二电极ce12可以与第一驱动电压线的与驱动晶体管dt的栅电极dt
‑
g重叠的区域相对应。
174.参照图7连同图8，显示面板300包括基板sub、缓冲层bf、有源层actl、栅绝缘膜gi、
第一栅层gtl1、第一层间绝缘膜ild1、第二栅层gtl2、第二层间绝缘膜ild2、源
‑
漏层sdl和钝化层pas。
175.基板sub可以是基底基板，并且可以由诸如聚合物树脂的绝缘材料制成。例如，基板sub可以是能够弯折、折叠、卷曲等的柔性基板。
176.缓冲层bf可以被布置在基板sub上。例如，缓冲层bf可以包括多个无机膜，并且缓冲层bf可以形成在基板sub的整个上表面上以阻挡湿气通过基板sub渗入发光元件el。
177.有源层actl可以被布置在缓冲层bf上。有源层actl可以由硅基材料制成。例如，有源层actl可以由低温多晶硅(ltps)制成。驱动晶体管dt以及第一晶体管至第六晶体管st1、st2、st3、st4、st5和st6的有源区域dt
‑
act以及act1、act2、act3、act4、act5和act6、源电极dt
‑
s以及s1、s2、s3、s4、s5和s6以及漏电极dt
‑
d以及d1、d2、d3、d4、d5和d6可以被布置在有源层actl中。
178.栅绝缘膜gi可以覆盖缓冲层bf和有源层actl，并且可以将有源层actl与第一栅层gtl1绝缘。
179.第一栅层gtl1可以被布置在栅绝缘膜gi上。驱动晶体管dt的栅电极dt
‑
g、前一级的扫描线slk
‑
1、对应级的扫描线slk以及发射控制线eml可以被布置在第一栅层gtl1中。
180.驱动晶体管dt的栅电极dt
‑
g的一部分可以形成第一电容器c1的与布置在第二栅层gtl2中的第一电容器c1的第二电极ce12重叠的第一电极ce11。
181.对应级的扫描线slk的一部分可以与第1
‑
1晶体管st1
‑
1的有源区域act1
‑
1和第1
‑
2晶体管st1
‑
2的有源区域act1
‑
2重叠以分别形成第1
‑
1晶体管st1
‑
1的栅电极g1
‑
1和第1
‑
2晶体管st1
‑
2的栅电极g1
‑
2。对应级的扫描线slk的另一部分可以与第三晶体管st3的有源区域act3重叠以形成第三晶体管st3的栅电极g3。对应级的扫描线slk的另一部分可以与第六晶体管的有源区域act6重叠以形成第六晶体管st6的栅电极g6。
182.前一级的扫描线slk
‑
1的一部分可以与第2
‑
1晶体管st2
‑
1的有源区域act2
‑
1和第2
‑
2晶体管st2
‑
2的有源区域act2
‑
2重叠以分别形成第2
‑
1晶体管st2
‑
1的栅电极g2
‑
1和第2
‑
2晶体管st2
‑
2的栅电极g2
‑
2。
183.发射控制线eml的一部分可以与第四晶体管st4的有源区域act4重叠以形成第四晶体管st4的栅电极g4。发射控制线eml的另一部分可以与第五晶体管st5的有源区域act5重叠以形成第五晶体管st5的栅电极g5。
184.第一层间绝缘膜ild1可以覆盖第一栅层gtl1和栅绝缘膜gi。第一层间绝缘膜ild1可以将第一栅层gtl1与第二栅层gtl2绝缘。
185.第二栅层gtl2可以被布置在第一层间绝缘膜ild1上。第二栅层gtl2的一部分可以与被布置在第一栅层gtl1中的第一电极ce11重叠以形成第一电容器c1的第二电极ce12。第二栅层gtl2的另一部分可以形成第一驱动电压线vddl1。第二栅层gtl2的另一部分可以形成栅辅助电极gae。初始化电压线vil可以被布置在第二栅层gtl2中。
186.第二层间绝缘膜ild2可以覆盖第二栅层gtl2和第一层间绝缘膜ild1。第二层间绝缘膜ild2可以将第二栅层gtl2与源
‑
漏层sdl绝缘。
187.源
‑
漏层sdl可以被布置在第二层间绝缘膜ild2上。第一连接电极至第四连接电极be1、be2、be3和be4、数据线dl以及第二驱动电压线vddl2可以被布置在源
‑
漏层sdl上。
188.钝化层pas可以覆盖源
‑
漏层sdl和第二层间绝缘膜ild2。钝化层pas可以将阳极连
接电极ande与源
‑
漏层sdl绝缘。
189.图9是图7中的区域a1的放大图，并且图10是沿着图9中的线ii
‑
ii’截取的截面图。
190.参照图9和图10，第一晶体管st1可以是包括第1
‑
1晶体管st1
‑
1和第1
‑
2晶体管st1
‑
2的双晶体管。
191.栅辅助电极gae可以被布置在第二栅层gtl2中。例如，第1
‑
1晶体管st1
‑
1的栅电极g1
‑
1和第1
‑
2晶体管st1
‑
2的栅电极g1
‑
2可以被布置在第一栅层gtl1中，并且第二栅层gtl2可以被布置在第一栅层gtl1上。栅辅助电极gae可以连接到第1
‑
1晶体管st1
‑
1的栅电极g1
‑
1或者第1
‑
2晶体管st1
‑
2的栅电极g1
‑
2。例如，栅辅助电极gae可以通过第五接触孔cnt5连接到第1
‑
1晶体管st1
‑
1的栅电极g1
‑
1。因而，当第1
‑
1晶体管st1
‑
1的栅电极g1
‑
1接收到对应级的扫描信号sck时，扫描信号sck可以被供应到栅辅助电极gae。
192.栅辅助电极gae的至少一部分可以在第二栅层gtl2中被布置在第1
‑
1晶体管st1
‑
1的有源区域act1
‑
1与第1
‑
2晶体管st1
‑
2的有源区域act1
‑
2之间。栅辅助电极gae可以在厚度方向(z轴方向)上与被布置在第1
‑
1晶体管st1
‑
1的有源区域act1
‑
1与第1
‑
2晶体管st1
‑
2的有源区域act1
‑
2之间的源电极或漏电极重叠。例如，当第1
‑
1晶体管st1
‑
1的漏电极d1
‑
1与第1
‑
2晶体管st1
‑
2的源电极s1
‑
2直接接触时，栅辅助电极gae可以在厚度方向(z轴方向)上与第1
‑
1晶体管st1
‑
1的漏电极d1
‑
1和第1
‑
2晶体管st1
‑
2的源电极s1
‑
2中的至少一个重叠。因而，可以在栅辅助电极gae与第1
‑
1晶体管st1
‑
1的漏电极d1
‑
1之间或者在栅辅助电极gae与第1
‑
2晶体管st1
‑
2的源电极s1
‑
2之间形成电场。
193.例如，栅辅助电极gae可以通过第五接触孔cnt5连接到第1
‑
1晶体管st1
‑
1的栅电极g1
‑
1，并且可以在厚度方向(z轴方向)上与第1
‑
1晶体管st1
‑
1的漏电极d1
‑
1和第1
‑
2晶体管st1
‑
2的源电极s1
‑
2重叠。形成在第1
‑
1晶体管st1
‑
1与第1
‑
2晶体管st1
‑
2之间的节点处的电场可以被第1
‑
1晶体管st1
‑
1的栅电极g1
‑
1与第1
‑
1晶体管st1
‑
1的漏电极d1
‑
1之间的电场、第1
‑
2晶体管st1
‑
2的栅电极g1
‑
2与第1
‑
2晶体管st1
‑
2的源电极s1
‑
2之间的电场以及栅辅助电极gae与第1
‑
1晶体管st1
‑
1的漏电极d1
‑
1之间的电场影响。
194.电场的强度可以与电极之间的电势差成正比，并且可以与电极之间的距离成反比。例如，栅辅助电极gae与第1
‑
1晶体管st1
‑
1的漏电极d1
‑
1之间的距离tgi2可以比第1
‑
1晶体管st1
‑
1的栅电极g1
‑
1与漏电极d1
‑
1之间的距离tgi1长。栅辅助电极gae与第1
‑
1晶体管st1
‑
1的漏电极d1
‑
1之间的电场的强度可以低于第1
‑
1晶体管st1
‑
1的栅电极g1
‑
1与漏电极d1
‑
1之间的电场的强度。因而，当栅辅助电极gae连接到第1
‑
1晶体管st1
‑
1的栅电极g1
‑
1时，可以减小栅辅助电极gae与第1
‑
1晶体管st1
‑
1的漏电极d1
‑
1之间的电场，并且可以减小形成在第1
‑
1晶体管st1
‑
1与第1
‑
2晶体管st1
‑
2之间的节点处的电场。当形成在第1
‑
1晶体管st1
‑
1与第1
‑
2晶体管st1
‑
2之间的节点处的电场减小时，可以减小流过第1
‑
1晶体管st1
‑
1和第1
‑
2晶体管st1
‑
2的泄漏电流，并且可以防止子像素sp的亮度的下降。
195.图11是图示图5中所图示的子像素的另一示例的平面图，图12是图11中的区域a2的放大图，并且图13是沿着图12中的线iii
‑
iii’截取的截面图。图11、图12和图13的子像素与图7、图8、图9和图10的子像素的不同之处在于，它进一步包括第一掺杂区域、第二掺杂区域、第三掺杂区域和第四掺杂区域。因此，将简要描述或省略与前述部件相同的部件。
196.参照图11、图12和图13，第一晶体管st1可以被对应级的扫描线slk的扫描信号sck导通以将作为驱动晶体管dt的漏电极的第一节点n1连接到作为驱动晶体管dt的栅电极的
第二节点n2。第一晶体管st1可以是包括第1
‑
1晶体管st1
‑
1和第1
‑
2晶体管st1
‑
2的双晶体管。
197.第1
‑
1晶体管st1
‑
1可以包括有源区域act1
‑
1、栅电极g1
‑
1、源电极s1
‑
1、漏电极d1
‑
1、第一掺杂区域ldd1和第二掺杂区域ldd2。第1
‑
1晶体管st1
‑
1的有源区域act1
‑
1可以与第1
‑
1晶体管st1
‑
1的栅电极g1
‑
1重叠。第1
‑
1晶体管st1
‑
1的作为对应级的扫描线slk的一部分的栅电极g1
‑
1可以与对应级的扫描线slk的与有源区域act1
‑
1重叠的区域相对应。
198.第1
‑
1晶体管st1
‑
1的源电极s1
‑
1可以连接到驱动晶体管dt的漏电极dt
‑
d和第五晶体管st5的源电极s5。
199.第1
‑
1晶体管st1
‑
1的漏电极d1
‑
1可以连接到第1
‑
2晶体管st1
‑
2的源电极s1
‑
2。
200.第1
‑
1晶体管st1
‑
1的第一掺杂区域ldd1可以被布置在第1
‑
1晶体管st1
‑
1的有源区域act1
‑
1与源电极s1
‑
1之间。例如，第一掺杂区域ldd1的掺杂浓度可以高于第1
‑
1晶体管st1
‑
1的有源区域act1
‑
1和第1
‑
2晶体管st1
‑
2的有源区域act1
‑
2中的每一个的掺杂浓度。第一掺杂区域ldd1的掺杂浓度可以低于第1
‑
1晶体管st1
‑
1的源电极s1
‑
1和漏电极d1
‑
1中的每一个的掺杂浓度。第一掺杂区域ldd1的掺杂浓度可以低于第1
‑
2晶体管st1
‑
2的源电极s1
‑
2和漏电极d1
‑
2中的每一个的掺杂浓度。
201.第1
‑
1晶体管st1
‑
1的第二掺杂区域ldd2可以被布置在第1
‑
1晶体管st1
‑
1的有源区域act1
‑
1和漏电极d1
‑
1之间。例如，第二掺杂区域ldd2的掺杂浓度可以高于第1
‑
1晶体管st1
‑
1的有源区域act1
‑
1和第1
‑
2晶体管st1
‑
2的有源区域act1
‑
2中的每一个的掺杂浓度。第二掺杂区域ldd2的掺杂浓度可以低于第1
‑
1晶体管st1
‑
1的源电极s1
‑
1和漏电极d1
‑
1中的每一个的掺杂浓度。第二掺杂区域ldd2的掺杂浓度可以低于第1
‑
2晶体管st1
‑
2的源电极s1
‑
2和漏电极d1
‑
2中的每一个的掺杂浓度。
202.第1
‑
2晶体管st1
‑
2可以包括有源区域act1
‑
2、栅电极g1
‑
2、源电极s1
‑
2、漏电极d1
‑
2、第三掺杂区域ldd3以及第四掺杂区域ldd4。第1
‑
2晶体管st1
‑
2的有源区域act1
‑
2可以与第1
‑
2晶体管st1
‑
2的栅电极g1
‑
2重叠。第1
‑
2晶体管st1
‑
2的作为对应级的扫描线slk的一部分的栅电极g1
‑
2可以与对应级的扫描线slk的与有源区域act1
‑
2重叠的区域相对应。
203.第1
‑
2晶体管st1
‑
2的源电极s1
‑
2可以连接到第1
‑
1晶体管st1
‑
1的漏电极d1
‑
1。
204.第1
‑
2晶体管st1
‑
2的漏电极d1
‑
2可以通过第六接触孔cnt6连接到第一连接电极be1，并且第一连接电极be1可以通过第一接触孔cnt1连接到驱动晶体管dt的栅电极dt
‑
g。进一步，第1
‑
2晶体管st1
‑
2的漏电极d1
‑
2可以连接到第2
‑
2晶体管st2
‑
2的漏电极d2
‑
2。
205.第1
‑
2晶体管st1
‑
2的第三掺杂区域ldd3可以被布置在第1
‑
2晶体管st1
‑
2的有源区域act1
‑
2与源电极s1
‑
2之间。例如，第三掺杂区域ldd3的掺杂浓度可以高于第1
‑
1晶体管st1
‑
1的有源区域act1
‑
1和第1
‑
2晶体管st1
‑
2的有源区域act1
‑
2中的每一个的掺杂浓度。第三掺杂区域ldd3的掺杂浓度可以低于第1
‑
1晶体管st1
‑
1的源电极s1
‑
1和漏电极d1
‑
1中的每一个的掺杂浓度。第三掺杂区域ldd3的掺杂浓度可以低于第1
‑
2晶体管st1
‑
2的源电极s1
‑
2和漏电极d1
‑
2中的每一个的掺杂浓度。
206.第1
‑
2晶体管st1
‑
2的第四掺杂区域ldd4可以被布置在第1
‑
2晶体管st1
‑
2的有源区域act1
‑
2与漏电极d1
‑
2之间。例如，第四掺杂区域ldd4的掺杂浓度可以高于第1
‑
1晶体管st1
‑
1的有源区域act1
‑
1和第1
‑
2晶体管st1
‑
2的有源区域act1
‑
2中的每一个的掺杂浓度。
第四掺杂区域ldd4的掺杂浓度可以低于第1
‑
1晶体管st1
‑
1的源电极s1
‑
1和漏电极d1
‑
1中的每一个的掺杂浓度。第四掺杂区域ldd4的掺杂浓度可以低于第1
‑
2晶体管st1
‑
2的源电极s1
‑
2和漏电极d1
‑
2中的每一个的掺杂浓度。
207.栅辅助电极gae可以被布置在第二栅层gtl2中。例如，第1
‑
1晶体管st1
‑
1的栅电极g1
‑
1和第1
‑
2晶体管st1
‑
2的栅电极g1
‑
2可以被布置在第一栅层gtl1中，并且第二栅层gtl2可以被布置在第一栅层gtl1上。栅辅助电极gae可以连接到第1
‑
1晶体管st1
‑
1的栅电极g1
‑
1或者第1
‑
2晶体管st1
‑
2的栅电极g1
‑
2。例如，栅辅助电极gae可以通过第五接触孔cnt5连接到第1
‑
1晶体管st1
‑
1的栅电极g1
‑
1。因而，当第1
‑
1晶体管st1
‑
1的栅电极g1
‑
1接收到对应级的扫描信号sck时，扫描信号sck可以被供应到栅辅助电极gae。
208.栅辅助电极gae的至少一部分可以在第二栅层gtl2中被布置在第1
‑
1晶体管st1
‑
1的有源区域act1
‑
1与第1
‑
2晶体管st1
‑
2的有源区域act1
‑
2之间。栅辅助电极gae可以在厚度方向(z轴方向)上与被布置在第1
‑
1晶体管st1
‑
1的有源区域act1
‑
1与第1
‑
2晶体管st1
‑
2的有源区域act1
‑
2之间的源电极或漏电极重叠。例如，当第1
‑
1晶体管st1
‑
1的漏电极d1
‑
1与第1
‑
2晶体管st1
‑
2的源电极s1
‑
2直接接触时，栅辅助电极gae可以在厚度方向(z轴方向)上与第1
‑
1晶体管st1
‑
1的漏电极d1
‑
1和第1
‑
2晶体管st1
‑
2的源电极s1
‑
2中的至少一个重叠。因而，可以在栅辅助电极gae与第1
‑
1晶体管st1
‑
1的漏电极d1
‑
1之间或者在栅辅助电极gae与第1
‑
2晶体管st1
‑
2的源电极s1
‑
2之间形成电场。
209.栅辅助电极gae可以在厚度方向(z轴方向)上与第1
‑
1晶体管st1
‑
1的第二掺杂区域ldd2或者第1
‑
2晶体管st1
‑
2的第三掺杂区域ldd3重叠。例如，栅辅助电极gae可以通过第五接触孔cnt5连接到第1
‑
1晶体管st1
‑
1的栅电极g1
‑
1，并且可以在厚度方向(z轴方向)上与第1
‑
1晶体管st1
‑
1的漏电极d1
‑
1、第1
‑
2晶体管st1
‑
2的源电极s1
‑
2以及第二掺杂区域ldd2重叠。形成在第1
‑
1晶体管st1
‑
1与第1
‑
2晶体管st1
‑
2之间的节点处的电场可以被第1
‑
1晶体管st1
‑
1的栅电极g1
‑
1与第1
‑
1晶体管st1
‑
1的漏电极d1
‑
1之间的电场、第1
‑
2晶体管st1
‑
2的栅电极g1
‑
2与第1
‑
2晶体管st1
‑
2的源电极s1
‑
2之间的电场以及栅辅助电极gae与第1
‑
2晶体管st1
‑
2的源电极s1
‑
2之间的电场影响。对于另一示例，栅辅助电极gae的设置不限于图11、图12和图13中所图示，并且栅辅助电极gae也可以与第三掺杂区域ldd3重叠。
210.电场的强度可以与电极之间的电势差成正比，并且可以与电极之间的距离成反比。例如，栅辅助电极gae与第1
‑
1晶体管st1
‑
1的漏电极d1
‑
1之间的距离tgi2可以比第1
‑
1晶体管st1
‑
1的栅电极g1
‑
1与漏电极d1
‑
1之间的距离tgi1长。在该情况下，因为栅电极g1
‑
1由于被布置在有源区域act1
‑
1与漏电极d1
‑
1之间的第二掺杂区域ldd2而不与第1
‑
1晶体管st1
‑
1的漏电极d1
‑
1重叠，所以距离tgi1倾斜。栅辅助电极gae与第1
‑
1晶体管st1
‑
1的漏电极d1
‑
1之间的电场的强度可以低于第1
‑
1晶体管st1
‑
1的栅电极g1
‑
1与漏电极d1
‑
1之间的电场的强度。因而，当栅辅助电极gae连接到第1
‑
1晶体管st1
‑
1的栅电极g1
‑
1时，可以减小栅辅助电极gae与第1
‑
1晶体管st1
‑
1的漏电极d1
‑
1之间的电场，并且可以减小形成在第1
‑
1晶体管st1
‑
1与第1
‑
2晶体管st1
‑
2之间的节点处的电场。当形成在第1
‑
1晶体管st1
‑
1与第1
‑
2晶体管st1
‑
2之间的节点处的电场减小时，可以减小流过第1
‑
1晶体管st1
‑
1和第1
‑
2晶体管st1
‑
2的泄漏电流，并且可以防止子像素sp的亮度的下降。
211.因为图11、图12和图13的第1
‑
1晶体管st1
‑
1进一步包括第二掺杂区域ldd2，所以图11、图12和图13的第1
‑
1晶体管st1
‑
1的栅电极g1
‑
1与漏电极d1
‑
1之间的距离tgi1可以比
图7、图8、图9和图10的第1
‑
1晶体管st1
‑
1的栅电极g1
‑
1与漏电极d1
‑
1之间的距离tgi1长。在图11、图12和图13的第1
‑
1晶体管st1
‑
1的栅电极g1
‑
1与漏电极d1
‑
1之间的电场的强度可以比图7、图8、图9和图10的第1
‑
1晶体管st1
‑
1的栅电极g1
‑
1与漏电极d1
‑
1之间的电场的强度低。因此，与形成在图7、图8、图9和图10中的第1
‑
1晶体管st1
‑
1与第1
‑
2晶体管st1
‑
2之间的节点处的电场相比，可以进一步减小形成在图11、图12和图13中的第1
‑
1晶体管st1
‑
1与第1
‑
2晶体管st1
‑
2之间的节点处的电场。当形成在第1
‑
1晶体管st1
‑
1与第1
‑
2晶体管st1
‑
2之间的节点处的电场减小时，可以减小流过第1
‑
1晶体管st1
‑
1和第1
‑
2晶体管st1
‑
2的泄漏电流，并且可以防止子像素sp的亮度的下降。
212.图14是图示图5中所图示的子像素的另一示例的平面图，图15是图14中的区域a3的放大图，并且图16是沿着图15中的线iv
‑
iv’截取的截面图。图14、图15和图16的子像素在栅辅助电极gae的配置方面与图7、图8、图9和图10的子像素不同。因此，将简要描述或省略与前述部件相同的部件。
213.参照图14、图15和图16，第一晶体管st1可以被对应级的扫描线slk的扫描信号sck导通以将作为驱动晶体管dt的漏电极的第一节点n1连接到作为驱动晶体管dt的栅电极的第二节点n2。第一晶体管st1可以是包括第1
‑
1晶体管st1
‑
1和第1
‑
2晶体管st1
‑
2的双晶体管。
214.栅辅助电极gae可以被布置在第二栅层gtl2中。例如，第1
‑
1晶体管st1
‑
1的栅电极g1
‑
1和第1
‑
2晶体管st1
‑
2的栅电极g1
‑
2可以被布置在第一栅层gtl1中，并且第二栅层gtl2可以被布置在第一栅层gtl1上。栅辅助电极gae可以连接到对应级的扫描线slk。栅辅助电极gae可以通过第五接触孔cnt5连接到对应级的扫描线slk。第五接触孔cnt5可以不与第1
‑
1晶体管st1
‑
1的有源区域act1
‑
1重叠，但是本公开不受限制。例如，栅辅助电极gae可以在与扫描线slk的延伸方向垂直的方向上从第五接触孔cnt5延伸，并且可以朝向第1
‑
1晶体管st1
‑
1的漏电极d1
‑
1或第1
‑
2晶体管st1
‑
2的源电极s1
‑
2弯折。栅辅助电极gae可以具有“l”形状，但是其形状不受限制。
215.栅辅助电极gae的至少一部分可以在第二栅层gtl2中被布置在第1
‑
1晶体管st1
‑
1的有源区域act1
‑
1与第1
‑
2晶体管st1
‑
2的有源区域act1
‑
2之间。栅辅助电极gae可以在厚度方向(z轴方向)上与被布置在第1
‑
1晶体管st1
‑
1的有源区域act1
‑
1与第1
‑
2晶体管st1
‑
2的有源区域act1
‑
2之间的源电极或漏电极重叠。例如，当第1
‑
1晶体管st1
‑
1的漏电极d1
‑
1与第1
‑
2晶体管st1
‑
2的源电极s1
‑
2直接接触时，栅辅助电极gae可以在厚度方向(z轴方向)上与第1
‑
1晶体管st1
‑
1的漏电极d1
‑
1和第1
‑
2晶体管st1
‑
2的源电极s1
‑
2中的至少一个重叠。因而，可以在栅辅助电极gae与第1
‑
1晶体管st1
‑
1的漏电极d1
‑
1之间或者在栅辅助电极gae与第1
‑
2晶体管st1
‑
2的源电极s1
‑
2之间形成电场。
216.电场的强度可以与电极之间的电势差成正比，并且可以与电极之间的距离成反比。例如，栅辅助电极gae与第1
‑
1晶体管st1
‑
1的漏电极d1
‑
1之间的距离tgi2可以比第1
‑
1晶体管st1
‑
1的栅电极g1
‑
1与漏电极d1
‑
1之间的距离tgi1长。栅辅助电极gae与第1
‑
1晶体管st1
‑
1的漏电极d1
‑
1之间的电场的强度可以低于第1
‑
1晶体管st1
‑
1的栅电极g1
‑
1与漏电极d1
‑
1之间的电场的强度。因而，当栅辅助电极gae连接到对应级的扫描线slk时，可以减小栅辅助电极gae与第1
‑
1晶体管st1
‑
1的漏电极d1
‑
1之间的电场，并且可以减小形成在第1
‑
1晶体管st1
‑
1与第1
‑
2晶体管st1
‑
2之间的节点处的电场。当形成在第1
‑
1晶体管st1
‑
1与第
1
‑
2晶体管st1
‑
2之间的节点处的电场减小时，可以减小流过第1
‑
1晶体管st1
‑
1和第1
‑
2晶体管st1
‑
2的泄漏电流，并且可以防止子像素sp的亮度的下降。
217.根据实施例的显示装置，显示装置可以包括栅辅助电极，栅辅助电极与被布置在驱动晶体管的漏电极与栅电极之间的双晶体管的浮置源/漏节点重叠并且连接到双晶体管中的至少一个晶体管的栅电极。因而，显示装置可以减小形成在浮置源/漏节点处的电场，并且可以减小流过双晶体管的泄漏电流，从而防止子像素的亮度的下降。
218.根据实施例的显示装置，双晶体管中的至少一个晶体管可以进一步包括被布置在有源区域与源/漏电极之间的掺杂区域。掺杂区域的掺杂浓度可以高于有源区域的掺杂浓度，并且可以低于源/漏电极的掺杂浓度。因而，显示装置可以减小形成在浮置源/漏节点处的电场，并且可以减小流过双晶体管的泄漏电流，从而防止子像素的亮度的下降。
219.本公开的效果不受前述内容限制，并且在本文预期了其他各种效果。
220.尽管为了说明性的目的已经公开了本公开的优选实施例，但是本领域技术人员将知晓，在不脱离如所附权利要求中公开的本公开的范围和精神的情况下，各种修改、添加和替换是可能的。