显示装置、显示模块以及电子设备的制作方法

显示装置、显示模块以及电子设备
本技术是发明名称为“显示装置、显示模块以及电子设备”、申请日为2017年3月29日、申请号为201710195990.2的发明申请的分案申请。
技术领域
1.本发明的一个方式涉及一种显示装置、显示模块及电子设备。
2.注意，本发明的一个方式不局限于上述技术领域。本说明书等所公开的发明的一个方式的技术领域涉及一种物体、方法或制造方法。此外，本发明涉及一种工序(process)、机器(machine)、产品(manufacture)或组合物(composition of matter)。本发明的一个方式尤其涉及一种半导体装置、显示装置、发光装置、蓄电装置、存储装置、其驱动方法或其制造方法。


背景技术：

3.如智能手机和平板电脑等移动设备普及。移动设备被要求进行适合于如室外或室内等使用环境的照度的显示。
4.已公开了在有自然光或室内照明光等充分明亮的光的环境下进行利用反射光的显示而在不能获得充分的照度的环境下进行利用发光元件的显示的显示装置。
5.例如，专利文献1至3公开了在一个像素中设置有控制液晶元件的像素电路及控制发光元件的像素电路的混合型显示装置。
6.[专利文献1]美国专利申请公开第2003/0107688号说明书[专利文献2]国际专利申请公开第2007/041150号公报[专利文献3]日本专利申请公开第2008
‑
225381号公报


技术实现要素：

[0007]
作为利用外光进行显示的方法，有反射型液晶显示装置。反射型液晶显示装置不需要背光可以实现低功耗，但是在不能获得明亮的外光的环境下不能进行良好的显示。el(electroluminescence)元件是自发光元件，由此发光显示装置能够在昏暗的环境下进行良好的显示，但是在明亮的环境下其可见度下降。专利文献1至3所公开的混合型显示装置具有反射型液晶显示装置及发光显示装置的优点，不管使用环境照度如何都能够使用。
[0008]
液晶元件和发光元件的光学响应速度彼此不同。因此，难以获得对应于显示内容的所希望的显示品质。此外，由于依次对灰度信号进行改写，所以难以实现功耗的降低。
[0009]
鉴于上述问题，本发明的一个方式的目的之一是提供一种使用新颖的驱动显示装置的电路使选择对应于显示内容的像素电路的方法最优化的新颖的显示装置等。此外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种根据显示内容刷新显示元件的灰度信号来提高显示品质的显示装置等。此外，本发明的一个方式的目的之一是提供一种根据显示内容刷新显示元件的灰度信号来降低功耗的具有新颖结构的显示装置等。
[0010]
注意，本发明的一个方式的目的不局限于上述目的。上述目的并不妨碍其他目的
的存在。其他目的是上面没有提到而将在下面的记载中进行说明的目的。所属技术领域的普通技术人员可以从说明书或附图等的记载中导出并适当抽出该上面没有提到的目的。另外，本发明的一个方式实现上述目的和/或其他目的中的至少一个目的。
[0011]
本发明的一个方式是一种显示装置，该显示装置包括栅极驱动器、显示部及选择信号输出电路，其中，显示部包括第一区域及第二区域，第一区域和第二区域都包括像素电路及扫描线，像素电路包括显示元件，栅极驱动器与扫描线电连接，扫描线与像素电路电连接，扫描线具有被供应第一扫描信号的功能，选择信号输出电路具有输出用来选择被供应第一扫描信号的扫描线的第一选择信号的功能，第一选择信号所选择的扫描线被供应第一扫描信号，显示元件具有根据第一扫描信号刷新显示的功能，包括在第一区域中的显示元件的显示的刷新频率与包括在第二区域中的显示元件的显示的刷新频率不同。
[0012]
在本发明的一个方式的显示装置中，优选作为显示元件包括液晶元件。
[0013]
在本发明的一个方式的显示装置中，优选作为显示元件包括自发光元件。
[0014]
本发明的一个方式是一种显示装置，该显示装置包括栅极驱动器、显示部及选择信号输出电路，其中，显示部包括像素电路、第一扫描线及第二扫描线，像素电路包括第一显示元件及第二显示元件，第一扫描线具有被供应第一扫描信号的功能，第二扫描线具有被供应第二扫描信号的功能，栅极驱动器包括移位寄存器电路及选择电路，移位寄存器电路具有输出输出信号的功能，选择信号输出电路具有输出第一选择信号及第二选择信号的功能，选择电路具有根据输出信号、第一选择信号及第二选择信号生成第一扫描信号及第二扫描信号的功能。
[0015]
在本发明的一个方式的显示装置中，优选的是，显示部包括第一信号线及第二信号线，第一信号线具有被供应第一灰度信号的功能，第二信号线具有被供应第二灰度信号的功能，第一扫描信号的电压振幅大于第一灰度信号的电压振幅，选择电路根据输出信号及第二选择信号生成第二扫描信号，第二扫描信号的电压振幅大于第二灰度信号的电压振幅，第一扫描信号具有与第二扫描信号不同的电压振幅。
[0016]
在本发明的一个方式的显示装置中，选择信号输出电路优选具有将第一选择信号和第二选择信号切换并输出的功能。
[0017]
本发明的一个方式是一种显示装置，该显示装置包括信号线、第一扫描线、第二扫描线及像素电路，其中，像素电路包括第一电路及第二电路，第一电路包括第一显示元件，第二电路包括第二显示元件，信号线具有对第一电路供应第一灰度信号的功能，信号线具有对第二电路供应第二灰度信号的功能，第一显示元件具有显示第一灰度的功能，第二显示元件具有显示第二灰度的功能，第一扫描线具有输出第一电压及比第一电压小的第二电压的功能，第二扫描线具有输出第三电压及比第三电压小的第四电压的功能，根据第一灰度信号生成的最大电压小于第一电压，根据第一灰度信号生成的最小电压大于第二电压，根据第二灰度信号生成的最大电压小于第三电压，根据第二灰度信号生成的最小电压大于第四电压，根据第一灰度信号生成的最大电压大于根据第二灰度信号生成的最大电压，根据第一灰度信号生成的最小电压小于根据第二灰度信号生成的最小电压。
[0018]
在本发明的一个方式的显示装置中，优选的是，该显示装置包括信号线、第一电源线及像素电路，其中，第一电路包括第一显示元件、第一晶体管及第一电容元件，第二电路包括第二显示元件、第二晶体管、第三晶体管及第四晶体管，第一显示元件包括第一像素电
极及第一对置电极，第二显示元件包括第二像素电极及第二对置电极，信号线与第一晶体管的源极和漏极中的一个电连接，第一晶体管的源极和漏极中的另一个与第一像素电极电连接，第一晶体管的源极和漏极中的另一个与第一电容元件的一个电极电连接，第一电容元件的另一个电极与第一电源线电连接，第一扫描线与第一晶体管的栅极电连接，信号线与第二晶体管的源极和漏极中的一个电连接，第二晶体管的源极和漏极中的另一个与第三晶体管的栅极电连接，第三晶体管的源极和漏极中的一个与第二像素电极电连接，第三晶体管的源极和漏极中的一个与第四晶体管的源极和漏极中的一个电连接，第二扫描线与第二晶体管的栅极电连接，第一电源线与第四晶体管的源极和漏极中的另一个电连接，在将第一灰度信号通过第一晶体管供应给第一电容元件的一个电极的期间将被供应给第一电源线的电压通过第四晶体管供应给第二像素电极。
[0019]
在上述结构中，优选的是，作为第一显示元件包括液晶元件，作为第二显示元件包括自发光元件。
[0020]
在本发明的一个方式的显示装置中，优选的是，像素电路包括晶体管，该晶体管在沟道形成区域中包含氧化物半导体。
[0021]
本发明的一个方式可以提供一种使用新颖的驱动显示装置的电路使选择对应于显示内容的像素电路的方法最优化的新颖的显示装置等。此外，本发明的一个方式可以提供一种根据显示内容刷新显示元件的灰度信号来提高显示品质的显示装置等。此外，本发明的一个方式可以提供一种根据显示内容刷新显示元件的灰度信号来降低功耗的具有新颖结构的显示装置等。
[0022]
注意，本发明的一个方式的效果不局限于上述效果。上述效果并不妨碍其他效果的存在。其他效果是上面没有提到而将在下面的记载中进行说明的效果。所属技术领域的普通技术人员可以从说明书或附图等的记载中导出并适当抽出该上面没有提到的效果。另外，本发明的一个方式实现上述效果和/或其他效果中的至少一个效果。因此，本发明的一个方式有时根据情况而不具有上述效果。
附图说明
[0023]
图1是说明显示装置的结构的图；图2是说明像素结构的图；图3a至图3c是说明像素结构的图；图4a是选择电路的方框图，图4b是图4a的选择电路的时序图；图5a是图1的显示装置的时序图，图5b是说明工作的图；图6a是图1的显示装置的时序图，图6b是说明工作的图；图7是说明显示装置的结构的图；图8a是图7的显示装置的时序图，图8b是说明工作的图；图9a是图7的显示装置的时序图，图9b是说明工作的图；图10是说明显示装置的结构的图；图11a是图10的显示装置的时序图，图11b是说明工作的图；图12a是图10的显示装置的时序图，图12b是说明工作的图；图13a是图10的显示装置的时序图，图13b是说明工作的图；
图14a至图14d是说明显示例的图；图15是说明像素结构的图；图16是说明显示装置的结构的图；图17a是图16的显示装置的时序图，图17b是说明工作的图；图18a是说明像素结构的图，图18b是图18a的像素的时序图，图18c是说明信号的电压关系的图；图19是说明像素结构的图；图20是说明显示装置的结构的图；图21a是图20的显示装置的时序图，图21b是说明工作的图；图22是说明显示装置的结构的图；图23a是图22的显示装置的时序图，图23b是说明工作的图；图24a是图22的显示装置的时序图，图24b是说明工作的图；图25a是图22的显示装置的时序图，图25b是说明工作的图；图26a是图22的显示装置的时序图，图26b是说明工作的图；图27a、图27b1和图27b2是说明根据实施方式的显示面板的结构的图；图28a1和28a2以及图28b1和28b2是说明根据实施方式的像素的结构的图；图29a、图29b和图29c是说明根据实施方式的显示面板的结构的图；图30a1和30a2以及图30b1至30b3是说明根据实施方式的像素电路的开口的图；图31a和图31b是说明根据实施方式的显示面板的结构的图；图32a是示出电子构件的制造方法例子的流程图，图32b是半导体晶片的俯视图，图32c是图32b的部分放大图，图32d是示出芯片的结构例子的示意图，图32e是示出电子构件的结构例子的立体示意图；图33a至图33c是示出os晶体管的结构例子的俯视图及截面图；图34a至图34c是示出os晶体管的结构例子的俯视图及截面图；图35是能带结构的示意图；图36是示出显示模块的例子的图；图37a和图37b是示出触摸面板的结构例子的示意图；图38a至图38h是示出电子设备及照明装置的例子的图；图39a1、图39a2、图39b至图39i是示出电子设备的例子的图；图40a至图40e是示出电子设备的例子的图。
具体实施方式
[0024]
下面，参照附图对实施方式进行说明。但是，所属技术领域的普通技术人员可以很容易地理解一个事实，就是实施方式可以以多个不同形式来实施，其方式和详细内容可以在不脱离本发明的宗旨及其范围的条件下被变换为各种各样的形式。因此，本发明不应该被解释为仅限定在下面的实施方式所记载的内容中。
[0025]
在附图中，为便于清楚地说明，有时夸大表示大小、层的厚度或区域。因此，本发明并不一定限定于上述尺寸。此外，在附图中，示意性地示出理想的例子，因此本发明不局限于附图所示的形状或数值等。
[0026]
本说明书所使用的“第一”、“第二”、“第三”等序数词是为了避免构成要素的混淆而附加的，而不是为了在数目方面上进行限定的。
[0027]
在本说明书中，为方便起见，使用了“上”、“下”等表示配置的词句，以参照附图说明构成要素的位置关系。另外，构成要素的位置关系根据描述各构成要素的方向适当地改变。因此，不局限于本说明书中所说明的词句，可以根据情况适当地更换。
[0028]
在本说明书等中，晶体管是指至少包括栅极、漏极以及源极这三个端子的元件。晶体管在漏极(漏极端子、漏区域或漏电极)与源极(源极端子、源区域或源电极)之间具有沟道区域，并且电流能够通过沟道区域流过源极与漏极之间。注意，在本说明书等中，沟道区域是指电流主要流过的区域。
[0029]
另外，在使用极性不同的晶体管的情况或电路工作中的电流方向变化的情况等下，源极及漏极的功能有时相互调换。因此，在本说明书等中，源极和漏极可以相互调换。
[0030]
在本说明书等中，“电连接”包括通过“具有某种电作用的元件”连接的情况。在此，“具有某种电作用的元件”只要可以进行连接对象间的电信号的授收，就对其没有特别的限制。例如，“具有某种电作用的元件”不仅包括电极和布线，而且还包括晶体管等的开关元件、电阻元件、电感器、电容器、其他具有各种功能的元件等。
[0031]
在本说明书等中，“平行”是指两条直线形成的角度为
‑
10
°
以上且10
°
以下的状态。因此，也包括该角度为
‑5°
以上且5
°
以下的状态。另外，“垂直”是指两条直线形成的角度为80
°
以上且100
°
以下的状态。因此也包括85
°
以上且95
°
以下的角度的状态。
[0032]
另外，在本说明书等中，可以将“膜”和“层”相互调换。例如，有时可以将“导电层”变换为“导电膜”。此外，例如，有时可以将“绝缘膜”变换为“绝缘层”。
[0033]
在本说明书等中，在没有特别的说明的情况下，关态电流(off
‑
state current)是指晶体管处于关闭状态(也称为非导通状态、遮断状态)的漏极电流。在没有特别的说明的情况下，在n沟道晶体管中，关闭状态是指栅极与源极间的电压vgs低于阈值电压vth的状态，在p沟道晶体管中，关闭状态是指栅极与源极间的电压vgs高于阈值电压vth的状态。例如，n沟道晶体管的关态电流有时是指栅极与源极间的电压vgs低于阈值电压vth时的漏极电流。
[0034]
晶体管的关态电流有时取决于vgs。因此，“晶体管的关态电流为i以下”有时是指存在使晶体管的关态电流成为i以下的vgs的值。晶体管的关态电流有时是指预定的vgs中的关闭状态、预定的范围内的vgs中的关闭状态或能够获得充分被降低的关态电流的vgs中的关闭状态等时的关态电流。
[0035]
作为一个例子，设想一种n沟道晶体管，该n沟道晶体管的阈值电压vth为0.5v，vgs为0.5v时的漏极电流为1
×
10
‑9a，vgs为0.1v时的漏极电流为1
×
10
‑
13
a，vgs为
‑
0.5v时的漏极电流为1
×
10
‑
19
a，vgs为
‑
0.8v时的漏极电流为1
×
10
‑
22
a。在vgs为
‑
0.5v时或在vgs为
‑
0.5v至
‑
0.8v的范围内，该晶体管的漏极电流为1
×
10
‑
19
a以下，所以有时称该晶体管的关态电流为1
×
10
‑
19
a以下。由于存在使该晶体管的漏极电流成为1
×
10
‑
22
a以下的vgs，因此有时称该晶体管的关态电流为1
×
10
‑
22
a以下。
[0036]
在本说明书等中，有时以每沟道宽度w的电流值表示具有沟道宽度w的晶体管的关态电流。另外，有时以每预定的沟道宽度(例如1μm)的电流值表示具有沟道宽度w的晶体管的关态电流。在为后者时，关态电流的单位有时以具有电流/长度的次元的单位(例如，a/μ
m)表示。
[0037]
晶体管的关态电流有时取决于温度。在本说明书中，在没有特别的说明的情况下，关态电流有时表示在室温、60℃、85℃、95℃或125℃下的关态电流。或者，有时表示在保证包括该晶体管的半导体装置等的可靠性的温度下或者在包括该晶体管的半导体装置等被使用的温度(例如，5℃至35℃中的任一温度)下的关态电流。“晶体管的关态电流为i以下”有时是指在室温、60℃、85℃、95℃、125℃、保证包括该晶体管的半导体装置等的可靠性的温度下或者在包括该晶体管的半导体装置等被使用的温度(例如，5℃至35℃中的任一温度)下存在使晶体管的关态电流成为i以下的vgs的值。
[0038]
晶体管的关态电流有时取决于漏极与源极间的电压vds。在本说明书中，在没有特别的说明的情况下，关态电流有时表示vds为0.1v、0.8v、1v、1.2v、1.8v、2.5v、3v、3.3v、10v、12v、16v或20v时的关态电流。或者，有时表示保证包括该晶体管的半导体装置等的可靠性的vds时或者包括该晶体管的半导体装置等所使用的vds时的关态电流。“晶体管的关态电流为i以下”有时是指：在vds为0.1v、0.8v、1v、1.2v、1.8v、2.5v、3v、3.3v、10v、12v、16v、20v、保证包括该晶体管的半导体装置的可靠性的vds或包括该晶体管的半导体装置等被使用的vds下存在使晶体管的关态电流成为i以下的vgs的值。
[0039]
在上述关态电流的说明中，可以将漏极换称为源极。也就是说，关态电流有时指晶体管处于关闭状态时流过源极的电流。
[0040]
在本说明书等中，有时将关态电流记作泄漏电流。在本说明书等中，关态电流例如有时指在晶体管处于关闭状态时流在源极与漏极间的电流。
[0041]
实施方式1在本实施方式中，参照图1至图6b说明其栅极驱动器所包括的选择电路具有生成扫描信号的功能的显示装置，该扫描信号选择包括第一显示元件的像素电路或包括第二显示元件的像素电路。
[0042]
图1是示出显示装置700的结构的方框图。显示装置700包括栅极驱动器110、选择信号输出电路30及显示部120。栅极驱动器110包括移位寄存器电路111及选择电路20。选择电路20包括判定电路21及22。显示部120包括像素电路710c(1,1)至像素电路710c(m,n)。像素电路710c(m,n)包括具有第一显示元件的像素电路750c(m,n)及具有第二显示元件的像素电路650c(m,n)。m及n为1以上的整数。
[0043]
本实施方式中说明的显示部120包括像素电路710c(1,1)至像素电路710c(m,n)、第一线扫描线g1、第二线扫描线g2、第一信号线s1及第二信号线s2。
[0044]
图2示出像素电路710c的结构。以图1的显示装置700的显示部120的像素中的一个为像素电路710c(i,j)进行说明。i是1以上且m以下的整数，j是1以上且n以下的整数。
[0045]
像素电路710c(i,j)包括像素电路750c(i,j)，像素电路750c(i,j)包括第一显示元件750(i,j)。第一显示元件750(i,j)例如为了防止烙印现象优选为进行交流驱动的液晶元件。
[0046]
像素电路710c(i,j)包括像素电路650c(i,j)，像素电路650c(i,j)包括第二显示元件650(i,j)。第二显示元件650(i,j)例如优选为进行直流驱动的发光元件。
[0047]
像素电路750c(i,j)及像素电路650c(i,j)是能够显示灰度的最小单位，该灰度由电压或电流的灰度信号控制。
[0048]
像素电路750c(i,j)包括晶体管sw1、电容元件c1及第一显示元件750(i,j)。
[0049]
像素电路750c(i,j)的晶体管sw1的栅极与第一扫描线g1(j)电连接。晶体管sw1的源极和漏极中的一个与第一信号线s1(i)电连接。
[0050]
晶体管sw1的源极和漏极中的另一个与电容元件c1的一个电极及第一显示元件750(i,j)的一个电极电连接。电容元件c1的另一个电极通过cscom端子被供应电容元件c1的标准电压。第一显示元件750(i,j)的另一个电极通过vcom端子被供应公共电压。
[0051]
像素电路650c(i,j)包括晶体管sw2、晶体管m、电容元件c2及第二显示元件650(i,j)。
[0052]
像素电路650c(i,j)的晶体管sw2的栅极与第二扫描线g2(j)电连接。晶体管sw2的源极和漏极中的一个与第二信号线s2(i)电连接。
[0053]
晶体管sw2的源极和漏极中的另一个与电容元件c2的一个电极及晶体管m的栅极电连接。晶体管m的漏极通过ano端子被供应阳极电压。晶体管m的漏极与电容元件c2的另一个电极连接。晶体管m的源极与第二显示元件650(i,j)的一个电极连接。第二显示元件650(i,j)的另一个电极通过vcath端子被供应阴极电压。虽然示出电容元件c2的另一个电极与晶体管m的漏极电连接的例子，但是电容元件c2的另一个电极既可以与晶体管m的源极电连接，又可以与被供应其他电压的端子电连接。
[0054]
注意，本发明的一个方式不局限于图2的像素电路710c(i,j)的电路结构。图3a至图3c示出与图2不同的像素电路710c(i,j)的电路结构的一个例子。
[0055]
图3a至图3c示出其晶体管包括背栅极的像素。除了晶体管以外的结构与图2所示的电路相同。
[0056]
图3a与图2的不同之处如下。在图3a中，作为像素电路710c(i,j)所包括的晶体管示出包括背栅极的晶体管。晶体管sw1_1的栅极与晶体管sw1_1的背栅极连接。同样地，在晶体管sw2_1及晶体管m_1中栅极与背栅极电连接。与晶体管sw1_1的栅极电压相同的电压被供应给晶体管sw1_1的背栅极。晶体管sw2_1及晶体管m_1也是同样的。
[0057]
图3b与图3a的不同之处如下。在图3b中，晶体管m_2的背栅极与晶体管m_2的源极连接。与晶体管m_2的源极电压相同的电压被供应给晶体管m_2的背栅极。
[0058]
图3c与图3a的不同之处如下。在图3c中，晶体管m_3的背栅极与bgl端子连接。可以从bgl端子对背栅极供应电压。
[0059]
注意，本发明的一个方式不局限于图3a至图3c的像素电路710c(i,j)的电路结构。既可以将其它端子与背栅极电连接，又可以组合上述连接方法。
[0060]
作为晶体管的结构，可以采用利用栅电极(第一栅电极)及背栅电极(第二栅电极)的电场电围绕形成沟道区域的氧化物半导体膜的晶体管的装置结构。将该装置结构称为surrounded channel(s
‑
channel：围绕沟道)结构。
[0061]
图4a示出选择电路20的结构。选择电路20包括判定电路21及判定电路22。判定电路21及判定电路22包括判定输入信号的条件的电路25以及缓冲器电路26。
[0062]
电路25的一个输入端子被输入移位寄存器电路111的输出信号sr，该信号sr被用来选择选择电路20。判定电路21的电路25的另一个输入端子被输入选择信号输出电路30的选择信号md_l。判定电路22的电路25的另一个输入端子被输入选择信号输出电路30的选择信号md_e。
[0063]
在图4b中，以时序图f21表示选择电路20所包括的判定电路21的工作。在移位寄存器电路111的输出信号sr及选择信号md_l为high时，对第一扫描线g1输出high信号。在其它输入条件的情况下，对第一扫描线g1输出low信号。
[0064]
在图4b中，以时序图f22表示选择电路20所包括的判定电路22的工作。在移位寄存器电路111的输出信号sr及选择信号md_e为high时，对第二扫描线g2输出high信号。在其它输入条件的情况下，对第二扫描线g2输出low信号。
[0065]
判定电路21的缓冲器电路26将其电压振幅比第一显示元件750的灰度信号大的信号输出到第一扫描线g1。
[0066]
判定电路22的缓冲器电路26将其电压振幅比第二显示元件650的灰度信号大的信号输出到第二扫描线g2。
[0067]
由于第一显示元件750的灰度信号的电压振幅与第二显示元件650不同，所以第一扫描线g1的输出电压的振幅与第二扫描线g2不同
[0068]
注意，本发明的一个方式只要满足图4b的工作条件即可，不局限于图4a的选择电路20的电路结构。
[0069]
图5a是示出图1的显示装置700的工作的时序图。在图1的栅极驱动器110中，从移位寄存器电路111依次输出输出信号sr(1)至sr(n)。
[0070]
通过使用移位寄存器电路111的输出信号sr(j)及选择信号输出电路30的选择信号md_l，使选择电路20的判定电路21生成向第一扫描线g1(j)输出的扫描信号。
[0071]
通过使用移位寄存器电路111的输出信号sr(j)及选择信号输出电路30的选择信号md_e，使选择电路20的判定电路22生成向第二扫描线g2(j)输出的扫描信号。
[0072]
参照图5a所示的时序图说明输出信号sr(1)为high的期间的移位寄存器电路111的工作。
[0073]
在输出信号sr(1)为high且选择信号md_l为high的期间，第一扫描线g1(1)的扫描信号为high，由此可以通过与像素电路750c(i,1)电连接的第一信号线s1(1)至s1(m)对像素电路750c(i,1)写入灰度信号。
[0074]
在输出信号sr(1)为high且选择信号md_e为high的期间，第二扫描线g2(1)的扫描信号为high，由此可以通过与像素电路650c(i,1)电连接的第二信号线s2(1)至s2(m)对像素电路650c(i,1)写入灰度信号。
[0075]
图5b示意性地示出显示部120的驱动状态。将用像素电路750c(i,j)进行显示的区域记为液晶显示区域121，将用像素电路650c(i,j)进行显示的区域记为发光显示区域122。
[0076]
在图5b中，借助于输出信号sr(j)、选择信号md_l、选择信号md_e及选择电路20，扫描信号输出到第一扫描线g1(j)，由此液晶显示区域121的显示内容被刷新。再者，扫描信号输出到第二扫描线g2(j)，由此发光显示区域122的显示内容被刷新。因此，显示的刷新顺序对应于图5a的时序图。
[0077]
作为一个例子，说明图1的移位寄存器电路111的输出信号sr(1)为high的期间。在选择信号md_l为high时，通过选择电路20供应给第一扫描线g1(1)的扫描信号为high。其显示内容根据供应给像素电路750c(1,1)至像素电路750c(m,1)的灰度信号而被刷新。
[0078]
当输出信号sr(1)为high时，选择信号md_e为high。在选择信号md_e为high时，通过选择电路20供应给第二扫描线g2(1)的扫描信号为high。其显示内容根据供应给像素电
路650c(1,1)至像素电路650c(m,1)的灰度信号而被刷新。
[0079]
在图5a中，在输出信号sr(1)为high的期间，选择信号md_l先为high，接着，选择信号md_e为high。在图5b中，在选择信号md_l为high的期间，液晶显示区域121的显示先被刷新。接着，在选择信号md_e为high的期间，发光显示区域122的显示被刷新。
[0080]
关于第一扫描线g1(1)及第二扫描线g2(1)，可以使用包括移位寄存器电路111及选择电路20的栅极驱动器控制扫描线的选择。
[0081]
在图1的例子中，由于使用选择信号md_l及选择信号md_e的信号，所以判定电路21及判定电路22包括n沟道型晶体管。判定电路21及判定电路22也可以由互补型mos开关(cmos开关、模拟开关)构成。通过由互补型mos开关构成判定电路，可以以正逻辑及负逻辑判定选择条件，从而可以减少选择信号的数量。
[0082]
使用图6a所示的时序图，以与图5a不同的时序使图1的显示装置700工作。对输出信号sr(1)为high期间的移位寄存器电路111的工作进行说明。
[0083]
在输出信号sr(1)为high且选择信号md_l为high的期间，第一扫描线g1(1)的扫描信号为high，由此可以通过第一信号线s1(1)至s1(m)对像素电路750c(i,1)写入灰度信号。
[0084]
在输出信号sr(1)为high且选择信号md_e为high的期间，第二扫描线g2(1)的扫描信号为high，由此可以通过第二信号线s2(1)至s2(m)对像素电路650c(i,1)写入灰度信号。
[0085]
图6b示意性地示出显示部120的驱动状态。借助于输出信号sr(j)、选择信号md_l及选择信号md_e，第一扫描线g1(j)的扫描信号为high，由此液晶显示区域121的显示内容被刷新。再者，第二扫描线g2(j)的扫描信号为high，由此发光显示区域122的显示内容被刷新。因此，显示的刷新顺序对应于图6a的时序图。
[0086]
作为一个例子，说明图1的移位寄存器电路111的输出信号sr(1)为high的期间。在选择信号md_l为high时，通过选择电路20供应给第一扫描线g1(1)的扫描信号为high。其显示内容根据供应给像素电路750c(1,1)至像素电路750c(m,1)的灰度信号而被刷新。
[0087]
当输出信号sr(1)为high时，选择信号md_e为high。在选择信号md_e为high时，通过选择电路20供应给第二扫描线g2(1)的扫描信号为high。其显示内容根据供应给像素电路650c(1,1)至像素电路650c(m,1)的灰度信号而被刷新。
[0088]
在图6a中，与图5a不同地在输出信号sr(1)为high的期间，选择信号md_l及选择信号md_e同时为high。在图6b中，由于选择信号md_l和选择信号md_e同时为high，所以液晶显示区域121的显示和发光显示区域122的显示同时被刷新。
[0089]
在图5a中，像素电路710c(i,j)的像素电路750c(i,j)和像素电路650c(i,j)的灰度信号以不同的时序被刷新。另一方面，在图6a中，在与移位寄存器电路111的输出信号sr(j)相同的期间，第一扫描线g1(j)的扫描信号及第二扫描线g2(j)的扫描信号一直为high，由此像素电路750c(i,j)及像素电路650c(i,j)的灰度信号被刷新。图6a的结构可以确保比图5a长的写入期间。
[0090]
关于与像素电路750c(i,j)的晶体管sw1的栅极电连接的第一扫描线g1(j)及与像素电路650c(i,j)的晶体管sw2的栅极电连接的第二扫描线g2(j)，可以使用包括移位寄存器电路111及选择电路20的栅极驱动器控制扫描线的选择。
[0091]
本实施方式所示的结构、方法及驱动时序可以与其他实施方式所示的结构、方法及驱动时序适当地组合而使用。
[0092]
实施方式2在本实施方式中，参照图7至图9b说明在包括像素电路710c的进行高清晰显示的显示装置中利用不同的栅极驱动器分别控制奇数行和偶数行的方法。
[0093]
图7是示出显示装置701的结构的方框图。图7的与图1不同之处在于：栅极驱动器110被分成控制奇数行的扫描线的栅极驱动器110a和控制偶数行的扫描线的栅极驱动器110b。
[0094]
图7的显示装置701中的栅极驱动器110a及栅极驱动器110b所包括的移位寄存器电路111a及移位寄存器电路111b生成输出信号sr
odd
及sr
even
，这些输出信号的时序与图1的栅极驱动器110所包括的移位寄存器电路111的输出信号sr不同。
[0095]
在图7的显示装置701中，通过将栅极驱动器分成奇数行控制用及偶数行控制用，可以将栅极驱动器的级数减少到原来的一半，由此可以使电路面积为原来的一半。可以扩大驱动第一扫描线g1的扫描信号及第二扫描线g2的扫描信号的选择电路20的缓冲器电路26，从而可以提高电流供应能力。
[0096]
图8a是示出图7的显示装置701的工作的时序图。在图8a所示的时序图中，与图5a所示的时序图同样地输入选择信号md_l及选择信号md_e。由此，以与图5a所示的时序图相同的时序对第一扫描线g1(1)至g1(n)以及第二扫描线g2(1)至g2(n)供应电压。
[0097]
图8b示意性地示出显示部120的驱动状态。与图5b不同地，借助于图7中的移位寄存器电路111a的输出信号sr
odd
(1)至sr
odd
(n/2)、移位寄存器电路111b的输出信号sr
even
(1)至sr
even
(n/2)、选择信号md_l及选择信号md_e，第一扫描线g1(1)至g1(n)的扫描信号为high，由此液晶显示区域121的显示内容被刷新。再者，第二扫描线g2(1)至g2(n)的扫描信号为high，由此发光显示区域122的显示内容被刷新。因此，其显示的刷新顺序对应于图8a的时序图。
[0098]
作为一个例子，说明图7的移位寄存器电路111a的输出信号sr
odd
(1)为high的期间。在选择信号md_l为high时，通过选择电路20，第一扫描线g1(1)的扫描信号为high。其显示内容根据供应给像素电路750c(1,1)至像素电路750c(m,1)的灰度信号而被刷新。
[0099]
在移位寄存器电路111a的输出信号sr
odd
(1)为high且选择信号md_e为high时，通过选择电路20，第二扫描线g2(1)的扫描信号为high。其显示内容根据供应给像素电路650c(1,1)至像素电路650c(m,1)的灰度信号而被刷新。
[0100]
在图8a中，在移位寄存器电路111a的输出信号sr
odd
(1)为high的期间，选择信号md_l先为high，接着，选择信号md_e为high。在图8b中，在选择信号md_l为high的期间，液晶显示区域121的显示先被刷新。接着，在选择信号md_e为high的期间，发光显示区域122的显示被刷新。
[0101]
图9a是示出图7的显示装置701的工作的时序图。在图9a所示的时序图中，与图6a所示的时序图同样地输入选择信号md_l及选择信号md_e。由此，以与图6a所示的时序图相同的时序对第一扫描线g1(1)至g1(n)以及第二扫描线g2(1)至g2(n)供应电压。
[0102]
图9b示意性地示出显示部120的驱动状态。借助于图7中的移位寄存器电路111a的输出信号sr
odd
(1)至sr
odd
(n/2)、移位寄存器电路111b的输出信号sr
even
(1)至sr
even
(n/2)、选择信号md_l及选择信号md_e，第一扫描线g1(1)至g1(n)的扫描信号为high，由此液晶显示区域121的显示内容被刷新。再者，第二扫描线g2(1)至g2(n)的扫描信号为high，由此发光
显示区域122的显示内容被刷新。因此，其显示的刷新顺序对应于图9a的时序图。
[0103]
作为一个例子，说明图7的栅极驱动器110a所包括的移位寄存器电路111a的输出信号sr
odd
(1)为high的期间。在选择信号md_l为high时，通过选择电路20供应给第一扫描线g1(1)的扫描信号为high。其显示内容根据供应给像素电路750c(1,1)至像素电路750c(m,1)的灰度信号而被刷新。
[0104]
当移位寄存器电路111a的输出信号sr
odd
(1)为high时，选择信号md_e为high。在选择信号md_e为high时，通过选择电路20供应给第二扫描线g2(1)的扫描信号为high。其显示内容根据供应给像素电路650c(1,1)至像素电路650c(m,1)的灰度信号而被刷新。
[0105]
在图9a中，与图8a不同地在移位寄存器电路111a的输出信号sr
odd
(1)为high的期间，选择信号md_l及选择信号md_e同时为high。在图9b中，由于选择信号md_l和选择信号md_e同时为high，所以液晶显示区域121的显示和发光显示区域122的显示同时被刷新。
[0106]
关于与像素电路750c(i,j)的晶体管sw1的栅极电连接的第一扫描线g1(j)或与像素电路650c(i,j)的晶体管sw2的栅极电连接的第二扫描线g2(j)，可以使用包括移位寄存器电路111a或移位寄存器电路111b以及选择电路20的栅极驱动器控制扫描线的选择。
[0107]
图7的显示装置701具有其栅极驱动器被分成控制奇数行的栅极驱动器110a及控制偶数行的栅极驱动器110b的结构，而通过控制选择信号md_l及选择信号md_e，可以以与图1的显示装置700相同的时序进行工作。由于能够提高电流供应能力，所以可以驱动包括像素电路710c的进行高清晰显示的显示装置。
[0108]
本实施方式所示的结构、方法及驱动时序可以与其他实施方式所示的结构、方法及驱动时序适当地组合而使用。
[0109]
实施方式3在本实施方式中，参照图10至图14d说明在进行高清晰显示的显示装置中以不同的刷新频率控制液晶显示区域121及发光显示区域122的栅极驱动器的驱动方法。
[0110]
图10是示出显示装置702的结构的方框图。图10的与图1不同之处在于：栅极驱动器110被分成控制液晶显示区域121的扫描线的栅极驱动器110c和控制发光显示区域122的扫描线的栅极驱动器110d。此外，选择电路20的输出信号输出到奇数行的扫描线及偶数行的扫描线。
[0111]
图10中的显示装置702的栅极驱动器110c及栅极驱动器110d可以分别独立地选择控制液晶显示区域121的扫描线及发光显示区域122的扫描线。
[0112]
图11a是示出图10的显示装置702的工作的时序图。作为一个例子，对栅极驱动器110c所包括的移位寄存器电路111c的输出信号srl(1)及栅极驱动器110d所包括的移位寄存器电路111d的输出信号sre(1)为high期间的时序图的工作进行说明。
[0113]
在移位寄存器电路111c的输出信号srl(1)为high且选择信号md_l
odd
为high的期间，第一扫描线g1(1)的扫描信号为high，由此可以通过第一信号线s1(1)至s1(m)对像素电路750c(i,1)写入灰度信号。
[0114]
在移位寄存器电路111c的输出信号srl(1)为high且选择信号md_l
even
为high的期间，第一扫描线g1(2)的扫描信号为high，由此可以通过第一信号线s1(1)至s1(m)对像素电路750c(i,2)写入灰度信号。
[0115]
在移位寄存器电路111d的输出信号sre(1)为high且选择信号md_e
odd
为high的期
间，第二扫描线g2(1)的扫描信号为high，由此可以通过第二信号线s2(1)至s2(m)对像素电路650c(i,1)写入灰度信号。
[0116]
在移位寄存器电路111d的输出信号sre(1)为high且选择信号md_e
even
为high的期间，第二扫描线g2(2)的扫描信号为high，由此可以通过第二信号线s2(1)至s2(m)对像素电路650c(i,2)写入灰度信号。
[0117]
图11b示意性地示出液晶显示区域121及发光显示区域122的驱动状态。在此示出：根据移位寄存器电路111c的输出信号srl(1)至srl(n/2)、选择信号md_l
odd
和md_l
even
、移位寄存器电路111d的输出信号sre(1)至sre(n/2)以及选择信号md_e
odd
和md_e
even
刷新液晶显示区域121及发光显示区域122的显示内容的顺序。
[0118]
图11b示意性地示出显示部120的驱动状态。借助于移位寄存器电路111c的输出信号srl(1)至srl(n/2)、选择信号md_l
odd
及选择信号md_l
even
，第一扫描线g1(1)至g1(n)的扫描信号为high，由此液晶显示区域121的显示内容被刷新。借助于移位寄存器电路111d的输出信号sre(1)至sre(n/2)、选择信号md_e
odd
及选择信号md_e
even
，第二扫描线g2(1)至g2(n)的扫描信号为high，由此发光显示区域122的显示内容被刷新。因此，其显示的刷新顺序对应于图11a的时序图。
[0119]
作为一个例子，说明图10的移位寄存器电路111c的输出信号srl(1)为high的期间。在选择信号md_l
odd
为high时，通过选择电路20，第一扫描线g1(1)的扫描信号为high。这意味着，像素电路750c(1,1)至像素电路750c(m,1)的显示内容根据灰度信号被刷新。在选择信号md_l
even
为high时，通过选择电路20，第一扫描线g1(2)的扫描信号为high。这意味着，像素电路750c(1,2)至像素电路750c(m,2)的显示内容根据灰度信号被刷新。
[0120]
同样地，对移位寄存器电路111d的输出信号sre(1)为high的期间进行说明。在选择信号md_e
odd
为high时，通过选择电路20，第二扫描线g2(1)的扫描信号为high。这意味着，像素电路650c(1,1)至像素电路650c(m,1)的显示内容根据灰度信号被刷新。在选择信号md_e
even
为high时，通过选择电路20，第二扫描线g2(2)的扫描信号为high。这意味着，像素电路650c(1,2)至像素电路650c(m,2)的显示内容根据灰度信号被刷新。
[0121]
在图11a中，在图10的移位寄存器电路111c的输出信号srl(1)及移位寄存器电路111d的输出信号sre(1)为high的期间，选择信号md_l
odd
及md_e
odd
同时为high。在图11b中，由于选择信号md_l
odd
和md_e
odd
同时为high，所以液晶显示区域121的显示和发光显示区域122的显示同时被刷新。
[0122]
为了独立地控制液晶显示区域121或发光显示区域122,分离地设置显示装置702的栅极驱动器。并且，使用选择电路20控制奇数行和偶数行。通过使用选择信号md_l
odd
、md_l
even
、选择信号md_e
odd
及md_e
even
的驱动时序，可以选择性地控制与像素电路750c(i,j)及像素电路650c(i,j)连接的扫描线。
[0123]
图12a是示出图10的显示装置702的工作的时序图，该时序图与图11a不同。在此示出以不同的时序进行液晶显示区域121的显示刷新和发光显示区域122的显示刷新的例子。换言之，在此示出液晶显示区域121的显示和发光显示区域122的显示的刷新频率彼此不同的例子。使用第一帧f1和第二帧f2进行说明。对移位寄存器电路111c的输出信号srl(1)及移位寄存器电路111d的输出信号sre(1)为high期间的时序图的工作进行说明。
[0124]
例如，在第一帧f1中，由于栅极驱动器110c和栅极驱动器110d以相同的时序工作，
所以移位寄存器电路111c的输出信号srl(1)和移位寄存器电路111d的输出信号sre(1)以相同的时序被输出。
[0125]
在移位寄存器电路111c的输出信号srl(1)和选择信号md_l
odd
为high的期间，通过判定电路21，第一扫描线g1(1)的扫描信号为high。在第一扫描线g1(1)的扫描信号为high时，包括第一显示元件750(i,1)的像素电路750c(i,1)的灰度信号被刷新。
[0126]
在移位寄存器电路111c的输出信号srl(1)和选择信号md_l
even
为high的期间，通过判定电路22，第一扫描线g1(2)的扫描信号为high。在第一扫描线g1(2)的扫描信号为high时，像素电路750c(i,2)的灰度信号被刷新。
[0127]
在选择信号md_e
odd
为low的期间，通过判定电路21，不管输出信号sre(1)的状态如何，第二扫描线g2(1)的扫描信号为low。在选择信号md_e
even
为low的期间，通过判定电路21，不管输出信号sre(1)的状态如何，第二扫描线g2(1)的扫描信号为low。
[0128]
例如，在第二帧f2中，由于栅极驱动器110c和栅极驱动器110d以相同的时序工作，所以移位寄存器电路111c的输出信号srl(1)和移位寄存器电路111d的输出信号sre(1)以相同的时序被输出。
[0129]
在移位寄存器电路111d的输出信号sre(1)和选择信号md_e
odd
为high的期间，通过判定电路21，第二扫描线g2(1)的扫描信号为high。在第二扫描线g2(1)的扫描信号为high时，像素电路650c(i,1)的灰度信号被刷新。
[0130]
在移位寄存器电路111d的输出信号sre(1)和选择信号md_e
even
为high的期间，通过判定电路22，第二扫描线g2(2)的扫描信号为high。在第二扫描线g2(2)的扫描信号为high时，只有包括第二显示元件650(i,2)的像素电路650c(i,2)的灰度信号被刷新。
[0131]
在选择信号md_l
odd
为low的期间，通过判定电路21，不管输出信号srl(1)的状态如何，第一扫描线g1(1)的扫描信号为low。在选择信号md_l
even
为low的期间，通过判定电路21，不管输出信号srl(1)的状态如何，第一扫描线g1(1)的扫描信号为low。
[0132]
图12b示意性地示出以第一帧f1和第二帧f2的时序进行驱动时的液晶显示区域121及发光显示区域122的驱动状态。
[0133]
在第一帧f1中，液晶显示区域121的显示内容被刷新，而发光显示区域122的显示内容不被刷新。在第二帧f2中，液晶显示区域121的显示内容不被刷新，而发光显示区域122的显示内容被刷新。
[0134]
图12b示意性地示出显示部120的驱动状态。借助于移位寄存器电路111c的输出信号srl(1)至srl(n/2)、选择信号md_l
odd
及md_l
even
，第一扫描线g1(1)至g1(n)的扫描信号为high，由此液晶显示区域121的显示内容被刷新。再者，借助于移位寄存器电路111d的输出信号sre(1)至sre(n/2)、选择信号md_e
odd
及md_e
even
，第二扫描线g2(1)至g2(n)的扫描信号为high，由此发光显示区域122的显示内容被刷新。因此，其显示的刷新顺序对应于图12a的时序图。
[0135]
在第一帧f1中，液晶显示区域121的显示内容被刷新，而发光显示区域122的显示内容不被刷新。
[0136]
作为一个例子，说明移位寄存器电路111c的输出信号srl(1)为high的期间。在选择信号md_l
odd
为high时，通过选择电路20，第一扫描线g1(1)的扫描信号为high。这意味着，像素电路750c(1,1)至像素电路750c(m,1)的显示内容根据灰度信号被刷新。在选择信号
md_l
even
为high时，通过选择电路20，第一扫描线g1(2)的扫描信号为high。这意味着，像素电路750c(1,2)至像素电路750c(m,2)的显示内容根据灰度信号被刷新。
[0137]
同样地，对移位寄存器电路111d的输出信号sre(1)为high的期间进行说明。在选择信号md_e
odd
为low时，通过选择电路20，第二扫描线g2(1)的扫描信号为low。这意味着，像素电路650c(1,1)至像素电路650c(m,1)的显示内容不被刷新。在选择信号md_e
even
为low时，通过选择电路20，第二扫描线g2(2)的扫描信号为low。这意味着，像素电路650c(1,2)至像素电路650c(m,2)的显示内容不被刷新。
[0138]
在第二帧f2中，液晶显示区域121的显示内容不被刷新，而发光显示区域122的显示内容被刷新。
[0139]
作为一个例子，说明移位寄存器电路111c的输出信号srl(1)为high的期间。在选择信号md_l
odd
为low时，通过选择电路20，第一扫描线g1(1)的扫描信号为low。这意味着，像素电路750c(1,1)至像素电路750c(m,1)的显示内容不被刷新。在选择信号md_l
even
为low时，通过选择电路20，第一扫描线g1(2)的扫描信号为low。这意味着，像素电路750c(1,2)至像素电路750c(m,2)的显示内容不被刷新。
[0140]
同样地，对图10的移位寄存器电路111d的输出信号sre(1)为high的期间进行说明。在选择信号md_e
odd
为high时，通过选择电路20，第二扫描线g2(1)的扫描信号为high。这意味着，像素电路650c(1,1)至像素电路650c(m,1)的显示内容根据灰度信号被刷新。在选择信号md_e
even
为high时，通过选择电路20，第二扫描线g2(2)的扫描信号为high。这意味着，像素电路650c(1,2)至像素电路650c(m,2)的显示内容根据灰度信号被刷新。
[0141]
在图12a的第一帧f1中，在移位寄存器电路111c的输出信号srl(1)或srl(2)为high的期间，当选择信号md_l
odd
或md_l
even
为high时，液晶显示区域121的显示被刷新。在第二帧f2中，在移位寄存器电路111d的输出信号sre(1)或sre(2)为high的期间，当选择信号md_e
odd
或md_e
even
为high时，发光显示区域122的显示被刷新。
[0142]
虽然图12a示出使用选择信号选择性地控制扫描线来以帧单位使液晶显示区域121或发光显示区域122停止的例子，但是同样地通过以帧单位使移位寄存器电路停止也可以获得相同的效果。
[0143]
另外，当像素电路750c(i,j)显示静态图像并且像素电路650c(i,j)显示动态图像时，可以根据显示内容选择最适合的驱动，例如，以使静态图像的显示内容的刷新频率比动态图像低的方式进行驱动。
[0144]
另外，通过在包括像素电路750c(i,j)及像素电路650c(i,j)的高清晰的显示部120中进行最适合的驱动，可以降低其功耗。
[0145]
注意，在本发明的一个方式中通过选择电路20选择性地控制偶数行和奇数行，但是通过选择电路20可选择的行数也可以为2以上的整数。
[0146]
图13a是示出图10的显示装置702的工作的时序图，该时序图与图12a不同。在此示出的例子是一种显示装置，该显示装置包括第一显示区域及第二显示区域，并且，第一显示区域所包括的显示元件的显示的刷新频率与第二显示区域所包括的显示元件不同。具体而言，液晶显示区域121和发光显示区域122中的一个在其全面依次刷新显示，另一个只在其一部分刷新显示。作为一个例子，使用第三帧f3进行说明。以时序图示出移位寄存器电路111c及移位寄存器电路111d的第j行及其前后1行的工作。
[0147]
作为一个例子，对移位寄存器电路111c的输出信号srl(j
‑
1)、srl(j)和srl(j 1)以及移位寄存器电路111d的输出信号sre(j
‑
1)、sre(j)和sre(j 1)为high的期间的时序图的工作进行说明。
[0148]
在第三帧f3中，栅极驱动器110c和栅极驱动器110d以相同的时序工作。移位寄存器电路111c的输出信号srl(j)和移位寄存器电路111d的输出信号sre(j)以相同的时序被输出。
[0149]
对图10的移位寄存器电路111c将输出信号srl(j
‑
1)供应给选择电路20时的工作进行说明。在选择信号md_l
odd
为high时，通过选择电路20，第一扫描线g1(k
‑
2)的扫描信号为high。这意味着，像素电路750c(1,k
‑
2)至像素电路750c(m,k
‑
2)的显示内容根据灰度信号被刷新。在选择信号md_l
even
为high时，通过选择电路20，第一扫描线g1(k
‑
1)的扫描信号为high。这意味着，像素电路750c(1,k
‑
1)至像素电路750c(m,k
‑
1)的显示内容根据灰度信号被刷新。
[0150]
对图10的移位寄存器电路111d将输出信号sre(j
‑
1)供应给选择电路20时的工作进行说明。在选择信号md_e
odd
为low时，通过选择电路20，第二扫描线g2(k
‑
2)及g2(k
‑
1)的扫描信号为low。这意味着，像素电路650c(1,k
‑
2)至像素电路650c(m,k
‑
2)的显示内容不被刷新，并且，像素电路650c(1,k
‑
1)至像素电路650c(m,k
‑
1)的显示内容不被刷新。
[0151]
对图10的移位寄存器电路111c将输出信号srl(j)供应给选择电路20时的工作进行说明。在选择信号md_l
odd
为high时，通过选择电路20，第一扫描线g1(k)的扫描信号为high。这意味着，像素电路750c(1,k)至像素电路750c(m,k)的显示内容根据灰度信号被刷新。在选择信号md_l
even
为high时，通过选择电路20，第一扫描线g1(k 1)的扫描信号为high。这意味着，像素电路750c(1,k 1)至像素电路750c(m,k 1)的显示内容根据灰度信号被刷新。
[0152]
对图10的移位寄存器电路111d将输出信号sre(j)供应给选择电路20时的工作进行说明。在选择信号md_e
odd
为high时，通过选择电路20，第二扫描线g2(k)的扫描信号为high。这意味着，像素电路650c(1,k)至像素电路650c(m,k)的显示内容根据灰度信号被刷新。在选择信号md_e
odd
为high时，通过选择电路20，第二扫描线g2(k 1)的扫描信号为high。这意味着，像素电路650c(1,k 1)至像素电路650c(m,k 1)的显示内容根据灰度信号被刷新。
[0153]
对图10的移位寄存器电路111c将输出信号srl(j 1)供应给选择电路20时的工作进行说明。在选择信号md_l
odd
为high时，通过选择电路20，第一扫描线g1(k 2)的扫描信号为high。这意味着，像素电路750c(1,k 2)至像素电路750c(m,k 2)的显示内容根据灰度信号被刷新。在选择信号md_l
even
为high时，通过选择电路20，第一扫描线g1(k 3)的扫描信号为high。这意味着，像素电路750c(1,k 3)至像素电路750c(m,k 3)的显示内容根据灰度信号被刷新。
[0154]
对图10的移位寄存器电路111d将输出信号sre(j 1)供应给选择电路20时的工作进行说明。在选择信号md_e
odd
为low时，通过选择电路20，第二扫描线g2(k 2)和g2(k 1)的扫描信号为low。这意味着，像素电路650c(1,k 2)至像素电路650c(m,k 2)的显示内容不被刷新，并且，像素电路650c(1,k 3)至像素电路650c(m,k 3)的显示内容不被刷新。
[0155]
在第三帧f3中，液晶显示区域121的显示内容依次被刷新，而在发光显示区域122
中只有输出信号sre(j)的显示内容被刷新。
[0156]
图13b示意性地示出显示部120的驱动状态。借助于移位寄存器电路111c的输出信号srl(1)至srl(n/2)、选择信号md_l
odd
及md_l
even
，第一扫描线g1(1)至g1(n)的扫描信号为high，由此液晶显示区域121的显示内容被刷新。再者，借助于移位寄存器电路111d的输出信号sre(1)至sre(n/2)、选择信号md_e
odd
及md_e
even
，第二扫描线g2(1)至g2(n)的扫描信号为high，由此发光显示区域122的显示内容被刷新。因此，其显示的刷新顺序对应于图13a的时序图。
[0157]
在图13b中，通过使用选择信号可以刷新特定显示区域的显示内容。
[0158]
例如，可以在像素电路750c(i,j)中整个液晶显示区域121显示静态图像，并且在像素电路650c(i,j)中只有特定的发光显示区域122a显示动态图像。可以根据显示内容选择最适合的驱动，例如，当显示静态图像时以显示内容的刷新频率比动态图像低的方式进行驱动。
[0159]
通过在包括像素电路750c(i,j)及像素电路650c(i,j)的高清晰的显示部120中进行最适合的驱动，使显示内容的刷新频率最优化，由此可以降低其功耗。
[0160]
注意，在本发明的一个方式中通过选择电路20选择性地控制偶数行和奇数行，但是通过选择电路20可选择的行数也可以为2以上的整数。
[0161]
图14a至图14d示出图1、图7及图10所示的电路中可以执行的工作模式的一个例子。
[0162]
在图14b中，可以每隔一行交替刷新液晶显示区域121和发光显示区域122的显示。也可以仅对液晶显示区域121和发光显示区域122中的任一个进行显示刷新。在灰度级高且像素尺寸的分辨率高的显示装置中，通过确保更长的写入时间可以提高其显示品质。
[0163]
在图14c中，可以每四帧一次刷新液晶显示区域121和发光显示区域122的显示内容。通过降低显示内容的刷新频率，可以减小功耗。
[0164]
在图14d中，可以对图14c的工作进一步组合发光显示区域122的特定区域的显示内容的刷新工作。在显示静态图像的液晶显示区域121中可以降低显示内容的刷新频率，并且，在特定区域中可以进行适合于动态显示的显示内容的刷新。在进行动态显示的特定区域中，通过组合图14b的驱动模式，可以进一步降低功耗。
[0165]
在包括像素电路750c(i,j)及像素电路650c(i,j)的高清晰的显示部中，通过使用选择信号md_l
odd
、选择信号md_l
even
、选择信号md_e
odd
及选择信号md_e
even
及选择电路20，可以控制扫描线的驱动时序。此外，可以根据显示内容控制最适合的刷新频率。此外，如图14a至图14d所示，可以通过选择性地控制扫描线自由地控制液晶显示区域121以及发光显示区域122的特定区域的显示内容的刷新。
[0166]
本实施方式所示的结构、方法及驱动时序可以与其他实施方式所示的结构、方法及驱动时序适当地组合而使用。
[0167]
实施方式4在本实施方式中，参照图15至图19说明具有从信号线将灰度信号供应给像素电路的功能的显示装置，该信号线与包括第一显示元件的像素电路及包括第二显示元件的像素电路电连接。
[0168]
图15示出像素电路720c的结构例子。以图16的显示装置700的显示部120的像素中
的一个为像素电路720c(i,j)进行说明。在显示部120中，在列方向上n个(n为1以上的整数)在行方向上m个(m为1以上的整数)总计为m
×
n个像素被配置为矩阵状。i是1以上且m以下的整数，j是1以上且n以下的整数。
[0169]
像素电路720c(i,j)包括像素电路750c(i,j)，像素电路750c(i,j)包括第一显示元件750(i,j)。第一显示元件750(i,j)例如为了防止烙印现象优选为进行交流驱动的液晶元件。
[0170]
像素电路720c(i,j)包括像素电路650c(i,j)，像素电路650c(i,j)包括第二显示元件650(i,j)。第二显示元件650(i,j)例如优选为进行直流驱动的发光元件。
[0171]
像素电路750c(i,j)的晶体管sw1的栅极与第一扫描线g1(j)电连接。晶体管sw1的源极和漏极中的一个与信号线s1(i)电连接。
[0172]
根据信号线s1(i)所供应的第一灰度信号，由第一像素电极与第一对置电极之间生成的电压控制第一显示元件750(i,j)的灰度。
[0173]
像素电路650c(i,j)的晶体管sw2的栅极与第二扫描线g2(j)电连接。晶体管sw2的源极和漏极中的一个与信号线s1(i)电连接。
[0174]
通过使用被信号线s1(i)所供应的第二灰度信号控制的晶体管m控制驱动电流。由流过第二显示元件650(i,j)中的驱动电流控制第二显示元件650(i,j)的灰度。
[0175]
图16是示出显示装置700的结构的方框图。显示装置700包括栅极驱动器110、选择信号输出电路30及显示部120。栅极驱动器110包括移位寄存器电路111及选择电路20。选择电路20包括判定电路21及22。显示部120包括像素电路720c(1,1)至像素电路720c(m,n)。像素电路720c(m,n)包括像素电路750c(m,n)及像素电路650c(m,n)。
[0176]
本实施方式中说明的显示部120包括像素电路720c(1,1)至像素电路720c(m,n)、第一线扫描线g1(1)至g1(n)、第二线扫描线g2(1)至g2(n)以及信号线s1(1)至s1(m)。
[0177]
选择电路20的结构与图4a和图4b相同，由此省略说明。
[0178]
图17a是示出图16的显示装置700的工作的时序图。在图16的栅极驱动器110中，从移位寄存器电路111依次输出输出信号sr(1)至sr(n)。
[0179]
通过使用移位寄存器电路111的输出信号sr(j)及选择信号输出电路30的选择信号md_l，使选择电路20的判定电路21生成向与像素电路750c(i,j)电连接的第一扫描线g1(j)输出的扫描信号。
[0180]
通过使用移位寄存器电路111的输出信号sr(j)及选择信号输出电路30的选择信号md_e，使选择电路20的判定电路22生成向与像素电路650c(i,j)电连接的第二扫描线g2(j)输出的扫描信号。
[0181]
作为一个例子，参照图17a所示的时序图说明输出信号sr(1)为high期间的栅极驱动器110的工作。
[0182]
在移位寄存器电路111的输出信号sr(1)为high且选择信号md_l为high的期间，第一扫描线g1(1)的扫描信号为high，由此可以通过与像素电路750c(i,1)电连接的信号线s1(1)至s1(m)对像素电路750c(i,1)写入灰度信号。
[0183]
在移位寄存器电路111的输出信号sr(1)为high且选择信号md_e为high的期间，第二扫描线g2(1)的扫描信号为high，由此可以通过与像素电路650c(i,1)电连接的信号线s1(1)至s1(m)对像素电路650c(i,1)写入灰度信号。
[0184]
图17b示意性地示出显示部120的驱动状态。将用像素电路750c(i,j)进行显示的区域记为液晶显示区域121，将用像素电路650c(i,j)进行显示的区域记为发光显示区域122。
[0185]
根据图16的移位寄存器电路111的输出信号sr(j)、选择信号md_l、选择信号md_e及选择电路20，对第一扫描线g1(j)输出扫描信号，由此液晶显示区域121的显示内容被刷新。再者，对第二扫描线g2(j)输出扫描信号，由此发光显示区域122的显示内容被刷新。因此，其显示内容的刷新顺序对应于图17a的时序图。
[0186]
图17b示出输出信号sr(1)为high的期间。在选择信号md_l为high的期间，通过选择电路20，第一扫描线g1(1)的扫描信号为high。因此，像素电路750c(1,1)至像素电路750c(m,1)的显示内容根据灰度信号被刷新。
[0187]
在输出信号sr(1)为high且选择信号md_e为high的期间，通过选择电路20，第二扫描线g2(1)的扫描信号为high。因此，像素电路650c(1,1)至像素电路650c(m,1)的显示内容根据灰度信号被刷新。
[0188]
在图17a中，在输出信号sr(1)为high的期间，选择信号md_l先为high，接着，选择信号md_e为high。在图17b中，在选择信号md_l为high的期间，液晶显示区域121的显示先被刷新。接着，在选择信号md_e为high的期间，发光显示区域122的显示被刷新。
[0189]
在图16所示的电路中，第一扫描线g1和第二扫描线g2的扫描信号以不同的时序为high，因此，供应给信号线的第一灰度信号及第二灰度信号相互不受影响。
[0190]
关于与像素电路750c(i,1)的晶体管sw1的栅极电连接的第一扫描线g1(1)及与像素电路650c(i,1)的晶体管sw2的栅极电连接的第二扫描线g2(1)，可以使用包括移位寄存器电路111及选择电路20的栅极驱动器110控制扫描线的选择。
[0191]
可以对信号线s1(i)供应像素电路750c(i,1)的灰度信号及像素电路650c(i,1)的灰度信号。
[0192]
在图15所示的像素电路720c(i,j)中，当像素电路650c(i,j)所包括的第二显示元件650(i,j)的电阻成分产生偏差时，晶体管m的漏极与源极间的电压也会产生偏差。由于晶体管m的漏极被固定为阳极电压，第二显示元件650(i,j)的对置电极被固定为阴极电压，所以晶体管m的源极电压会产生偏差。当晶体管m的源极电压产生偏差时，施加到晶体管m的源极与栅极间的电压会产生偏差，因此其驱动电流产生偏差，而不能正确地控制灰度。
[0193]
为了以正确的灰度控制显示元件650(i,j)，需要在以晶体管m的源极电压为基准的情况下将根据第二灰度信号生成的电压供应给晶体管m的栅极。
[0194]
参照图18a至图18c说明控制驱动电流而不受到像素电路650c(i,j)所包括的第二显示元件650(i,j)的电阻成分不均匀的影响的工作。图18a与图15的不同之处在于：在图18a中，像素电路650c(i,j)包括晶体管sw3。
[0195]
晶体管sw3的源极和漏极中的一个与晶体管m的源极电连接。晶体管sw3的源极和漏极中的另一个与cscom端子电连接。晶体管sw3的栅极与第三扫描线g3(j)电连接。
[0196]
第三扫描线被供应移位寄存器电路111的输出信号sr作为第三扫描信号。
[0197]
参照图18b的时序图说明控制驱动电流而不受到像素电路650c(i,j)所包括的第二显示元件650(i,j)的电阻成分不均匀的影响的工作。在第一扫描信号为high的期间，第三扫描线g3被供应移位寄存器电路111的输出信号sr(j)作为第三扫描信号。晶体管sw3的
栅极为high，由此晶体管m的源极通过cscom端子被供应公共电压。
[0198]
由于晶体管m的源极与第二像素电极电连接，所以电流通过第二显示元件650(i,j)流过第二像素电极与第二对置电极之间。优选以该电流不助于使第二显示元件650(i,j)发光的方式根据第二显示元件650(i,j)的电特性设定公共电压。
[0199]
在输出信号sr(j)为high的期间，晶体管m的源极被供应公共电压。在像素电路750c(i,j)所包括的第一显示元件750(i,j)的灰度根据第一灰度信号变化的期间，像素电路650c(i,j)的第二显示元件650(i,j)不被供应发光所需要的电流，因此不发光。
[0200]
还在第二扫描信号为high，像素电路650c(i,j)被写入灰度信号的期间，晶体管m的源极被固定为公共电压。因此，可以正确地对像素电路650c(i,j)供应以公共电压为基准的灰度信号。
[0201]
图18c示出图18a的信号的电压关系。首先，对扫描信号进行说明。将在第一扫描信号为high的期间被供应的高电压记为g1_h，将在第一扫描信号为low的期间被供应的低电压记为g1_l。将在第二扫描信号为high的期间被供应的高电压记为g2_h，将在第二扫描信号为low的期间被供应的低电压记为g2_l。虽然在此示出g1_h和g2_h以及g1_l和g2_l彼此不同的例子，但是当它们为相同的电压时可以减少电源数量，从而能够减小电路规模。
[0202]
对灰度信号进行说明。作为一个例子示出第一显示元件750(i,j)为进行反转驱动的液晶元件的情况。在当第一像素电极和第一对置电极都为公共电压时显示黑灰度的情况下，将从第一灰度信号生成的最大电压记为750_h1，将从反转驱动时的第一灰度信号生成的最小电压记为750_h2。750_l为公共电压。将从第二灰度信号生成的最大电压记为650_h，将从第二灰度信号生成的最小电压记为650_l。
[0203]
在图18c中，作为650_l供应与750_l相同的公共电压，但是作为650_l优选供应如下电压，该电压不使流过阴极端子的电流助于使第二显示元件650(i,j)发光。优选根据第二显示元件650(i,j)的电特性设定作为650_l供应的公共电压。
[0204]
对图18c未示出的信号的电压进行说明。作为供应给ano端子的阳极电压比650_h大，作为供应给vcath端子的阴极电压比650_l小。
[0205]
在图18a所示的电路中，即使没有为了避免受到像素电路650c(i,j)所包括的第二显示元件650(i,j)的电阻成分不均匀的影响而设置的控制驱动电流的电路，通过利用像素电路750c(i,j)所包括的电容元件c1的基准电压的公共电压，也可以改善显示品质而不需要设置新的布线。
[0206]
在图18a所示的电路中，即使没有为了避免受到像素电路650c(i,j)所包括的第二显示元件650(i,j)的电阻成分不均匀的影响而设置的控制驱动电流的电路，通过使第一扫描线g1和第二扫描线g2的扫描信号以不同的时序为high，供应给信号线的第一灰度信号和第二灰度信号相互不受影响。
[0207]
注意，本发明的一个方式不局限于图15的像素电路720c(i,j)的电路结构。图19示出与图15不同的像素电路720c(i,j)所包括的像素电路750c(i,j)及像素电路650c(i,j)的电路结构的一个例子。
[0208]
图19与图3c所包括的像素电路750c(i,j)及像素电路650c(i,j)的不同之处如下。图19的晶体管sw1_2的背栅极及晶体管sw2_2的背栅极与bgl1端子连接。可以从bgl1端子供应背栅极的电压。供应给bgl1端子的电压可以与供应给bgl端子的电压相同或不同。
[0209]
注意，本发明的一个方式不局限于图19的像素电路720c(i,j)的电路结构。既可以将其它端子与背栅极电连接，又可以组合上述连接方法。
[0210]
本实施方式所示的结构、方法及驱动时序可以与其他实施方式所示的结构、方法及驱动时序适当地组合而使用。
[0211]
实施方式5在本实施方式中，参照图20至图21b说明在包括像素电路720c的进行高清晰显示的显示装置中利用不同的栅极驱动器分别控制奇数行和偶数行的方法。
[0212]
图20是示出显示装置701的结构的方框图。图20的与图16不同之处在于：栅极驱动器110被分成控制奇数行的扫描线的栅极驱动器110a和控制偶数行的扫描线的栅极驱动器110b。
[0213]
图20的显示装置701所包括的移位寄存器电路111a及移位寄存器电路111b生成输出信号sr
odd
及sr
even
，这些输出信号的时序与图16的移位寄存器电路111的输出信号sr不同。
[0214]
在图20的显示装置701中，通过将栅极驱动器分成奇数行控制用结构及偶数行控制用结构，可以将栅极驱动器的级数减少到原来的一半，由此可以使电路面积为原来的一半。可以扩大驱动第一扫描线g1的扫描信号及第二扫描线g2的扫描信号的选择电路20的缓冲器电路26，从而可以提高电流供应能力。图20所示的n为整数且为2以上的偶数。
[0215]
图21a是示出图20的显示装置701的工作的时序图。在图21a所示的时序图中，与图17a所示的时序图同样地输入选择信号md_l及选择信号md_e。由此，以与图17a所示的时序图相同的时序对第一扫描线g1(1)至g1(n)以及第二扫描线g2(1)至g2(n)供应电压。
[0216]
图21b示意性地示出显示部120的驱动状态。与图17b不同地，根据图20中的栅极驱动器110a所包括的移位寄存器电路111a的输出信号sr
odd
(1)至sr
odd
(n/2)、栅极驱动器110b所包括的移位寄存器电路111b的输出信号sr
even
(1)至sr
even
(n/2)、选择信号md_l及选择信号md_e，第一扫描线g1(1)至g1(n)的扫描信号为high，由此液晶显示区域121的显示内容被刷新。再者，第二扫描线g2(1)至g2(n)的扫描信号为high，由此发光显示区域122的显示内容被刷新。因此，其显示的刷新顺序对应于图21a的时序图。
[0217]
作为一个例子，说明图7的移位寄存器电路111a的输出信号sr
odd
(1)为high的期间。在选择信号md_l为high的期间，通过选择电路20，第一扫描线g1(1)的扫描信号为high。这意味着，像素电路750c(1,1)至像素电路750c(m,1)的显示内容根据灰度信号被刷新。
[0218]
在图20的移位寄存器电路111a的输出信号sr
odd
(1)为high且选择信号md_e为high的期间，通过选择电路20，第二扫描线g2(1)的扫描信号为high。这意味着，像素电路650c(1,1)至像素电路650c(m,1)的显示内容根据灰度信号被刷新。
[0219]
在图21a中，在栅极驱动器110a所包括的移位寄存器电路111a的输出信号sr
odd
(1)为high的期间，选择信号md_l先为high，接着，选择信号md_e为high。在图21b中，在选择信号md_l为high的期间，液晶显示区域121的显示先被刷新。接着，在选择信号md_e为high的期间，发光显示区域122的显示被刷新。
[0220]
关于第一扫描线g1(j)或第二扫描线g2(j)，可以使用包括移位寄存器电路111a及选择电路20的栅极驱动器110a控制扫描线的选择。
[0221]
图20的显示装置701具有其栅极驱动器被分成控制奇数行的栅极驱动器110a及控
制偶数行的栅极驱动器110b的结构，而通过控制选择信号输出电路30的选择信号md_l及选择信号md_e，可以以与图16的显示装置700相同的时序进行工作。
[0222]
在像素电路720c中像素电路750c(i,j)和像素电路650c(i,j)共同使用信号线s1(j)，由此可以驱动进行更高清晰显示的显示装置。此外，通过增大缓冲器电路，电流供应能力得到提高，由此可以驱动具有4k或8k等高分辨率和大显示区域的显示装置。
[0223]
在图20所示的电路中，第一扫描线g1和第二扫描线g2的扫描信号以不同的时序为high，因此，供应给信号线的第一灰度信号及第二灰度信号相互不受影响。
[0224]
本实施方式所示的结构、方法及驱动时序可以与其他实施方式所示的结构、方法及驱动时序适当地组合而使用。
[0225]
实施方式6在本实施方式中，参照图22至图26b说明在包括像素电路720c的进行高清晰显示的显示装置中以不同的刷新频率控制液晶显示区域121及发光显示区域122的栅极驱动器的驱动方法。
[0226]
图22是示出显示装置702的结构的方框图。图22的与图16不同之处在于：栅极驱动器110被分成控制液晶显示区域121的扫描线的栅极驱动器110c和控制发光显示区域122的扫描线的栅极驱动器110d。此外，选择电路20的输出信号输出到奇数行的扫描线及偶数行的扫描线。
[0227]
图22中的显示装置702的栅极驱动器110c及栅极驱动器110d可以分别独立地选择控制液晶显示区域121的扫描线及发光显示区域122的扫描线。图22所示的n为整数且为2以上的偶数。
[0228]
图23a是示出图22的显示装置702的工作的时序图。作为一个例子，对移位寄存器电路111c的输出信号srl(1)及移位寄存器电路111d的输出信号sre(1)为high期间的时序图的工作进行说明。
[0229]
在图22的移位寄存器电路111c的输出信号srl(1)为high且选择信号md_l
odd
为high的期间，第一扫描线g1(1)的扫描信号为high，由此可以通过信号线s1(1)至s1(m)对像素电路750c(i,1)写入灰度信号。
[0230]
在图22的移位寄存器电路111c的输出信号srl(1)为high且选择信号md_l
even
为high的期间，第一扫描线g1(2)的扫描信号为high，由此可以通过信号线s1(1)至s1(m)对像素电路750c(i,2)写入灰度信号。
[0231]
在图22的移位寄存器电路111d的输出信号sre(1)为high且选择信号md_e
odd
为high的期间，第二扫描线g2(1)的扫描信号为high，由此可以通过信号线s1(1)至s1(m)对像素电路650c(i,1)写入灰度信号。
[0232]
在图22的移位寄存器电路111d的输出信号sre(1)为high且选择信号md_e
even
为high的期间，第二扫描线g2(2)的扫描信号为high，由此可以通过信号线s1(1)至s1(m)对像素电路650c(i,2)写入灰度信号。
[0233]
图23b示意性地示出液晶显示区域121及发光显示区域122的驱动状态。在此示出：根据移位寄存器电路111c的输出信号srl(1)至srl(n/2)、选择信号md_l
odd
和md_l
even
、栅极驱动器110d所包括的移位寄存器电路111d的输出信号sre(1)至sre(n/2)以及选择信号md_e
odd
和md_e
even
刷新液晶显示区域121及发光显示区域122的显示内容的顺序。
[0234]
图23b示意性地示出显示部120的显示内容的刷新状态。根据移位寄存器电路111c的输出信号srl(1)至srl(n/2)、选择信号md_l
odd
及选择信号md_l
even
，第一扫描线g1(1)至g1(n)的扫描信号为high，由此液晶显示区域121的显示内容被刷新。再者，根据移位寄存器电路111d的输出信号sre(1)至sre(n/2)、选择信号md_e
odd
及选择信号md_e
even
，第二扫描线g2(1)至g2(n)的扫描信号为high，由此发光显示区域122的显示内容被刷新。因此，其显示内容的刷新状态对应于图23a的时序图。
[0235]
作为一个例子，说明图22的移位寄存器电路111c的输出信号srl(1)为high的期间。在选择信号md_l
odd
为high时，通过选择电路20，第一扫描线g1(1)的扫描信号为high。这意味着，像素电路750c(1,1)至像素电路750c(m,1)的显示内容根据灰度信号被刷新。在选择信号md_l
even
为high时，通过选择电路20，第一扫描线g1(2)的扫描信号为high。这意味着，像素电路750c(1,2)至像素电路750c(m,2)的显示内容根据灰度信号被刷新。
[0236]
同样地，对图22的移位寄存器电路111d的输出信号sre(1)为high的期间进行说明。在选择信号md_e
odd
为high时，通过选择电路20，第二扫描线g2(1)的扫描信号为high。这意味着，像素电路650c(1,1)至像素电路650c(m,1)的显示内容根据灰度信号被刷新。在选择信号md_e
even
为high时，通过选择电路20，第二扫描线g2(2)的扫描信号为high。这意味着，像素电路650c(1,2)至像素电路650c(m,2)的显示内容根据灰度信号被刷新。
[0237]
在图22所示的电路中，第一扫描线g1和第二扫描线g2的扫描信号以不同的时序为high，因此，供应给信号线s1的第一灰度信号及第二灰度信号相互不受影响。
[0238]
为了独立地控制液晶显示区域121或发光显示区域122,分离地设置显示装置702的栅极驱动器。并且，使用选择电路20控制奇数行和偶数行。通过使用选择信号md_l
odd
、md_l
even
、选择信号md_e
odd
及md_e
even
的驱动时序，可以选择性地控制与像素电路750c(i,j)及像素电路650c(i,j)连接的扫描线。
[0239]
图24a及图25a是示出图22的显示装置702的工作的时序图，该时序图与图23a不同。在此示出以不同的时序进行液晶显示区域121的显示刷新和发光显示区域122的显示刷新的例子。换言之，在此示出液晶显示区域121的显示和发光显示区域122的显示的刷新频率彼此不同的例子。在图24a中，对移位寄存器电路111c的输出信号srl(1)及栅极驱动器110d所包括的移位寄存器电路111d的输出信号sre(1)为high期间的时序图的工作进行说明。
[0240]
在移位寄存器电路111c的输出信号srl(1)和选择信号md_l
odd
为high的期间，通过判定电路21，第一扫描线g1(1)的扫描信号为high。在第一扫描线g1(1)的扫描信号为high的期间，像素电路750c(i,1)的灰度信号被刷新。
[0241]
在移位寄存器电路111c的输出信号srl(1)和选择信号md_l
even
为high的期间，通过判定电路22，第一扫描线g1(2)的扫描信号为high。在第一扫描线g1(2)的扫描信号为high时，像素电路750c(i,2)的灰度信号被刷新。
[0242]
在选择信号md_e
odd
为low的期间，通过判定电路21，不管输出信号sre(1)的状态如何，第二扫描线g2(1)的扫描信号为low。在选择信号md_e
even
为low的期间，通过判定电路21，不管输出信号sre(1)的状态如何，第二扫描线g2(1)的扫描信号为low。
[0243]
图24b示意性地示出液晶显示区域121及发光显示区域122的驱动状态。
[0244]
图24b示意性地示出显示部120的驱动状态。借助于移位寄存器电路111c的输出信
号srl(1)至srl(n/2)、选择信号md_l
odd
及md_l
even
，第一扫描线g1(1)至g1(n)的扫描信号为high，由此液晶显示区域121的显示内容被刷新。
[0245]
借助于移位寄存器电路111d的输出信号sre(1)至sre(n/2)、选择信号md_e
odd
及md_e
even
，第二扫描线g2(1)至g2(n)的扫描信号为low，由此发光显示区域122的显示内容不被刷新。
[0246]
在图24b中，液晶显示区域121的显示内容被刷新，而发光显示区域122的显示内容不被刷新，因此，其对应于图24a的时序图。
[0247]
在图25a中，对移位寄存器电路111c的输出信号srl(1)及移位寄存器电路111d的输出信号sre(1)为high期间的时序图的工作进行说明。
[0248]
例如，在移位寄存器电路111d的输出信号sre(1)和选择信号md_e
odd
为high的期间，通过判定电路21，第二扫描线g2(1)的扫描信号为high。在第二扫描线g2(1)的扫描信号为high时，像素电路650c(i,1)的灰度信号被刷新。
[0249]
在移位寄存器电路111d的输出信号sre(1)和选择信号md_e
even
为high的期间，通过判定电路22，第二扫描线g2(2)的扫描信号为high。在第二扫描线g2(2)的扫描信号为high时，只有像素电路650c(i,2)的灰度信号被刷新。
[0250]
在选择信号md_l
odd
为low的期间，通过判定电路21，不管输出信号srl(1)的状态如何，第一扫描线g1(1)的扫描信号为low。在选择信号md_l
even
为low的期间，通过判定电路21，不管输出信号srl(1)的状态如何，第一扫描线g1(1)的扫描信号为low。
[0251]
图25b示意性地示出液晶显示区域121及发光显示区域122的驱动状态。
[0252]
图25b示意性地示出显示部120的驱动状态。借助于移位寄存器电路111c的输出信号srl(1)至srl(n/2)、选择信号md_l
odd
及md_l
even
，第一扫描线g1(1)至g1(n)的扫描信号为low，由此液晶显示区域121的显示内容不被刷新。
[0253]
根据移位寄存器电路111d的输出信号sre(1)至sre(n/2)、选择信号md_e
odd
及md_e
even
，第二扫描线g2(j)的扫描信号为high，由此发光显示区域122的显示内容被刷新。
[0254]
在图25b中，发光显示区域122的显示内容被刷新，而液晶显示区域121的显示内容不被刷新，因此，其对应于图25a的时序图。
[0255]
在图24a中，在移位寄存器电路111c的输出信号srl(1)或srl(2)为high的期间，当选择信号md_l
odd
或md_l
even
为high时，液晶显示区域121的显示被刷新。
[0256]
在图25a中，在移位寄存器电路111d的输出信号sre(1)或sre(2)为high的期间，当选择信号md_e
odd
或md_e
even
为high时，发光显示区域122的显示被刷新。
[0257]
虽然图24a及图25a示出使用选择信号选择性地控制扫描线来以帧单位使液晶显示区域121或发光显示区域122停止的例子，但是同样地通过以帧单位使移位寄存器电路停止也可以获得相同的效果。
[0258]
另外，当像素电路750c(i,j)显示静态图像并且像素电路650c(i,j)显示动态图像时，可以根据显示内容选择最适合的驱动，例如，以使静态图像的显示内容的刷新频率比动态图像低的方式进行驱动。
[0259]
另外，通过在包括像素电路750c(i,j)及像素电路650c(i,j)的高清晰的显示部120中进行最适合的驱动，可以降低其功耗。
[0260]
注意，在本发明的一个方式中通过选择电路20选择性地控制偶数行和奇数行，但
是通过选择电路20可选择的行数也可以为2以上的整数。
[0261]
图26a是示出图22的显示装置702的工作的时序图，该时序图与图24a不同。在此示出的例子是一种显示装置，该显示装置包括第一显示区域及第二显示区域，并且，第一显示区域所包括的显示元件的显示的刷新频率与第二显示区域所包括的显示元件不同。具体而言，液晶显示区域121和发光显示区域122中的一个在其全面依次刷新显示，另一个在其一部分刷新显示。以时序图示出移位寄存器电路111c及移位寄存器电路111d的第10行及其前后行的工作。
[0262]
作为一个例子，在图26a和图26b中说明第一扫描线g1(7)至g1(12)以及第二扫描线g2(7)至g2(12)的工作。
[0263]
对移位寄存器电路111c的输出信号srl(4)、srl(5)和srl(6)以及移位寄存器电路111d的输出信号sre(4)、sre(5)和sre(6)为high的期间的时序图的工作进行说明。
[0264]
对图22的移位寄存器电路111c将输出信号srl(4)供应给选择电路20时的工作进行说明。在选择信号md_l
odd
为high时，通过选择电路20，第一扫描线g1(7)的扫描信号为high。这意味着，像素电路750c(1,7)至像素电路750c(m,7)的显示内容根据灰度信号被刷新。在选择信号md_l
even
为high时，通过选择电路20，第一扫描线g1(8)的扫描信号为high。这意味着，像素电路750c(1,8)至像素电路750c(m,8)的显示内容根据灰度信号被刷新。
[0265]
对图22的移位寄存器电路111d将输出信号sre(4)供应给选择电路20时的工作进行说明。在选择信号md_e
odd
及md_e
even
为low时，通过选择电路20，第二扫描线g2(7)的扫描信号为low。这意味着，像素电路650c(1,7)至像素电路650c(m,7)的显示内容不被刷新。再者，通过选择电路20，第二扫描线g2(8)的扫描信号为low。这意味着，像素电路650c(1,8)至像素电路650c(m,8)的显示内容不被刷新。
[0266]
对图22的移位寄存器电路111c将输出信号srl(5)供应给选择电路20时的工作进行说明。在选择信号md_l
odd
为high时，通过选择电路20，第一扫描线g1(9)的扫描信号为high。这意味着，像素电路750c(1,9)至像素电路750c(m,9)的显示内容根据灰度信号被刷新。在选择信号md_l
even
为high时，通过选择电路20，第一扫描线g1(10)的扫描信号为high。这意味着，像素电路750c(1,10)至像素电路750c(m,10)的显示内容根据灰度信号被刷新。
[0267]
对图22的移位寄存器电路111d将输出信号sre(5)供应给选择电路20时的工作进行说明。在选择信号md_e
odd
为high时，通过选择电路20，第二扫描线g2(9)的扫描信号为high。这意味着，像素电路650c(1,9)至像素电路650c(m,9)的显示内容根据灰度信号被刷新。在选择信号md_e
even
为high时，通过选择电路20，第二扫描线g2(10)的扫描信号为high。这意味着，像素电路650c(1,10)至像素电路650c(m,10)的显示内容根据灰度信号被刷新。
[0268]
对图22的移位寄存器电路111c将输出信号srl(6)供应给选择电路20时的工作进行说明。在选择信号md_l
odd
为high时，通过选择电路20，第一扫描线g1(11)的扫描信号为high。这意味着，像素电路750c(1,11)至像素电路750c(m,11)的显示内容根据灰度信号被刷新。在选择信号md_l
even
为high时，通过选择电路20，第一扫描线g1(12)的扫描信号为high。这意味着，像素电路750c(1,12)至像素电路750c(m,12)的显示内容根据灰度信号被刷新。
[0269]
对图22的移位寄存器电路111d将输出信号sre(6)供应给选择电路20时的工作进行说明。在选择信号md_e
odd
及md_e
even
为low时，通过选择电路20，第二扫描线g2(11)的扫描
信号为low。这意味着，像素电路650c(1,11)至像素电路650c(m,11)的显示内容不被刷新。再者，通过选择电路20，第二扫描线g2(12)的扫描信号为low。这意味着，像素电路650c(1,12)至像素电路650c(m,12)的显示内容不被刷新。
[0270]
在图26b中，液晶显示区域121的显示内容依次被刷新，而在发光显示区域122中只有输出信号sre(5)的显示内容被刷新。
[0271]
图26b示意性地示出显示部120的驱动状态。借助于输出信号srl(1)至srl(n/2)、选择信号md_l
odd
及md_l
even
，第一扫描线g1(1)至g1(n)的扫描信号为high，由此液晶显示区域121的显示内容被刷新。再者，借助于移位寄存器电路111d的输出信号sre(1)至sre(n/2)、选择信号md_e
odd
及md_e
even
，第二扫描线g2(1)至g2(n)的扫描信号为high，由此发光显示区域122的显示内容被刷新。因此，其显示的刷新顺序对应于图26a的时序图。
[0272]
在图26b中，通过使用选择信号可以刷新特定显示区域的显示内容。
[0273]
例如，可以在像素电路750c(i,j)中整个液晶显示区域121显示静态图像，并且在像素电路650c(i,j)中只有特定的发光显示区域122a显示动态图像。可以根据显示内容选择最适合的驱动，例如，当显示静态图像时以显示内容的刷新频率比动态图像低的方式进行驱动。
[0274]
通过在包括像素电路750c(i,j)及像素电路650c(i,j)的高清晰的显示部120中进行最适合的驱动，使显示内容的刷新频率最优化，由此可以降低其功耗。
[0275]
在图22所示的电路中，第一扫描线g1和第二扫描线g2的扫描信号以不同的时序为high，因此，供应给信号线的第一灰度信号及第二灰度信号相互不受影响。
[0276]
注意，在本发明的一个方式中通过选择电路20选择性地控制偶数行和奇数行，但是通过选择电路20可选择的行数也可以为2以上的整数。
[0277]
图14a至图14d示出图16、图20及图22所示的电路中可以执行的显示模式的一个例子。其中，p为1以上的整数。图14a至图14d示出第p 1帧至第p 4帧的显示模式的刷新状态。
[0278]
在包括像素电路750c(i,j)及像素电路650c(i,j)的高清晰的显示部中，通过使用选择信号md_l
odd
、选择信号md_l
even
、选择信号md_e
odd
及选择信号md_e
even
及选择电路20，可以控制扫描线的驱动时序。此外，可以控制根据显示内容最适合的刷新频率。此外，如图14a至图14d所示，可以通过选择性地控制扫描线自由地控制液晶显示区域121以及发光显示区域122的特定区域的显示内容的刷新。
[0279]
本实施方式所示的结构、方法及驱动时序可以与其他实施方式所示的结构、方法及驱动时序适当地组合而使用。
[0280]
实施方式7在本实施方式中，参照图27a至图31b对本发明的一个方式的显示装置700的结构进行说明。
[0281]
图27a、图27b1及图27b2是说明本发明的一个方式的显示装置700的结构的图。图27a是本发明的一个方式的显示装置700的俯视图。图27b1是说明图27a的显示装置700所包括的像素电路710c(i,j)的一部分的仰视图。图27b2是省略在图27b1中图示的一部分结构而说明的仰视图。
[0282]
图28a1是说明图27a的显示装置700所包括的像素电路710c(i,j)的一部分的仰视图。图28a2是省略在图28a1中图示的一部分结构而说明的仰视图。图28b1是示出与图28a1
不同的开口位置的仰视图。图28b2是省略在图28b1中图示的一部分结构而说明的仰视图。
[0283]
图29a至图29c是说明本发明的一个方式的显示装置700的结构的图。图29a是沿着图27a的截断线x1
‑
x2、x3
‑
x4、x5
‑
x6、x7
‑
x8、x9
‑
x10、x11
‑
x12的截面图。图29b是说明显示装置700的一部分的结构的截面图。图29c是说明显示装置700的其他一部分的结构的截面图。
[0284]
图30a1及图30a2是说明可以用于本发明的一个方式的显示装置700的开口751h的配置的示意图。
[0285]
<显示装置的结构实例1>本实施方式所说明的显示装置700包括信号线s1(i)以及像素电路710c(i,j)(参照图28a1及图28a2)。
[0286]
像素电路710c(i,j)与信号线s1(i)电连接。
[0287]
像素电路710c(i,j)包括像素电路750c(i,j)、像素电路650c(i,j)、像素电路750c(i,j)所包括的显示元件750(i,j)、第一导电膜、第二导电膜、第二绝缘膜601c、像素电路650c(i,j)所包括的显示元件650(i,j)(参照图29a)。
[0288]
第一导电膜与显示元件750(i,j)电连接(参照图29a)。例如，可以将第一导电膜用于显示元件750(i,j)的第一电极751(i,j)。
[0289]
第二导电膜包括与第一导电膜重叠的区域。例如，可以将第二导电膜用于导电膜612b，该导电膜612b具有可用于晶体管sw1的晶体管的源极或漏极的功能。
[0290]
第二绝缘膜601c包括被夹在第二导电膜和第一导电膜之间的区域。
[0291]
像素电路710c(i,j)与第二导电膜电连接。例如，像素电路710c(i,j)的晶体管sw1可以使用将第二导电膜用于用作源极或漏极的导电膜612b的晶体管(参照图29a及图2)。
[0292]
第二绝缘膜601c包括开口691a(参照图29a)。
[0293]
第二导电膜通过开口691a与第一导电膜电连接。例如，导电膜612b与第一电极751(i,j)电连接。
[0294]
像素电路710c(i,j)与信号线s1(i)电连接(参照图2)。导电膜612a与信号线s1(i)电连接(参照图29a及图2)。
[0295]
第一电极751(i，j)包括埋入于第二绝缘膜601c的侧端部。
[0296]
本实施方式所说明的显示装置700的像素电路710c(i,j)包括晶体管sw1。晶体管sw1包括氧化物半导体。
[0297]
本实施方式所说明的显示装置700的显示元件650(i,j)具有在与显示元件750(i,j)进行显示的方向相同的方向上进行显示的功能。例如，在附图中以虚线的箭头表示显示元件750(i,j)通过控制反射外光的强度进行显示的方向。此外，在附图中以实线的箭头表示显示元件650(i,j)进行显示的方向(参照图29a)。
[0298]
此外，本实施方式所说明的显示装置700的显示元件650(i,j)具有在由显示元件750(i,j)进行显示的区域围绕的区域中进行显示的功能(参照图30a1或图30a2)。另外，显示元件750(i,j)在与第一电极751(i,j)重叠的区域中进行显示，而显示元件650(i,j)在与开口751h重叠的区域中进行显示。
[0299]
本实施方式所说明的显示装置700的显示元件750(i,j)包括具有反射入射光的功能的反射膜，且具有控制反射光的强度的功能。而且，反射膜包括开口751h。例如，可以将第一导电膜或第一电极751(i,j)等用于显示元件750(i,j)的反射膜。
[0300]
显示元件650(i,j)具有向开口751h发射光的功能。
[0301]
本实施方式所说明的显示装置700包括像素电路710c(i,j)、一组像素电路710c(i,1)至像素电路710c(i,n)、另一组像素电路710c(1,j)至像素电路710c(m,j)以及第一扫描线g1(j)(参照图1)。另外，i是1以上且m以下的整数，j是1以上且n以下的整数，并且m及n是1以上的整数。
[0302]
本实施方式所说明的显示装置700包括第二扫描线g2(j)、布线cscom以及布线ano。
[0303]
一群像素电路710c(i,1)至像素电路710c(i,n)包括像素电路710c(i,j)，并设置在与行方向交叉的列方向(附图中的以箭头c表示的方向)上。
[0304]
此外，另一群像素电路710c(1,j)至像素电路710c(m,j)包括像素电路710c(i,j)，并设置在行方向(附图中的以箭头r表示的方向)上。
[0305]
第一扫描线g1(j)与设置在行方向上的另一群像素电路710c(1,j)至像素电路710c(m,j)电连接。
[0306]
设置在列方向上的一群像素电路710c(i,1)至像素电路710c(i,n)与信号线s1(i)电连接。
[0307]
例如，如图30a1及图30a2所示，设置在像素内的开口的位置优选在邻接的像素之间彼此不同。“邻接的像素”是指在行方向和列方向中的任一者或两者的方向上邻接的像素。另外，例如可以将第一电极751(i,j)用于反射膜。
[0308]
图30b1至图30b3是示出可以用于本发明的一个方式的显示装置700的开口751h的配置例的示意图。
[0309]
图30b1的仰视图是图28b1。与图28a1相比，图28b1的结构能够减少cscom的布线，从而可以提供对应于高清晰化的显示装置。
[0310]
与图30a1或图30b1所示的配置相比，在图30b2及图30b3中连接三个像素电路所包括的第二显示元件的开口中心而成的线段的长度大，由此即使在如第二显示元件那样的小开口，也通过扩大构成颜色的3个像素的显示面积可以改善颜色的显示品质。
[0311]
上述本发明的一个方式的显示装置700包括：显示元件750；与显示元件750电连接的第一导电膜；包括与第一导电膜重叠的区域的第二导电膜；包括被夹在第二导电膜和第一导电膜之间的区域的绝缘膜；与第二导电膜电连接的像素电路；以及与像素电路电连接的显示元件650，其中第二绝缘膜包括开口，并且第二导电膜通过开口与第一导电膜电连接。
[0312]
由此，例如可以使用能够通过同一工序形成的像素电路驱动显示元件750及以与显示元件750不同的方法进行显示的显示元件650。其结果是，可以提供一种方便性或可靠性优异的新颖的显示装置。
[0313]
此外，本实施方式所说明的显示装置700包括端子619b以及导电膜611b(参照图29a)。
[0314]
第二绝缘膜601c包括被夹在端子619b和导电膜611b之间的区域。此外，第二绝缘膜601c包括开口691b。
[0315]
端子619b通过开口691b与导电膜611b电连接。此外，导电膜611b与像素电路710c(i,j)电连接。例如，当将第一电极751(i,j)或第一导电膜用于反射膜时，与端子619b接触
的面和第一电极751(i,j)的朝向入射到显示元件750(i,j)的光的面朝向相同的方向。
[0316]
由此，可以通过端子将电力或信号供应到像素电路。其结果是，可以提供一种方便性或可靠性优异的新颖的显示装置。
[0317]
本实施方式所说明的显示装置700的显示元件750(i,j)包括包含液晶材料的层753、第一电极751(i,j)以及第二电极752。另外，第二电极752以在与第一电极751(i,j)之间形成控制液晶材料的取向的电场的方式设置。
[0318]
此外，本实施方式所说明的显示装置700包括取向膜af1及取向膜af2。取向膜af2以在与取向膜af1之间夹有包含液晶材料的层753的方式设置。
[0319]
此外，本实施方式所说明的显示装置700的显示元件650(i,j)包括第三电极651(i,j)、第四电极652以及包含发光性有机化合物的层653(i)。
[0320]
第四电极652包括与第三电极651(i,j)重叠的区域。包含发光性有机化合物的层653(i)设置在第三电极651和第四电极652之间。而且，第三电极651(i,j)在连接部622中与晶体管m电连接。
[0321]
本实施方式所说明的显示装置700的像素电路710c(i,j)包括着色膜cf1、遮光膜bm、绝缘膜771以及功能膜770p。
[0322]
着色膜cf1包括与显示元件750(i,j)重叠的区域。遮光膜bm在与显示元件750(i,j)重叠的区域包括开口。
[0323]
绝缘膜771设置在着色膜cf1和包含液晶材料的层753之间或遮光膜bm和包含液晶材料的层753之间。由此，可以使因着色膜cf1的厚度产生的凹凸为平坦。或者，可以抑制从遮光膜bm或着色膜cf1等扩散到包含液晶材料的层753的杂质。
[0324]
功能膜770p包括与显示元件750(i,j)重叠的区域。功能膜770p以在与显示元件750(i,j)之间夹有衬底770的方式设置。
[0325]
本实施方式所说明的显示装置700包括衬底670、衬底770以及功能层620。
[0326]
衬底770包括与衬底670重叠的区域。功能层620设置在衬底670和衬底770之间。
[0327]
功能层620包括像素电路710c(i,j)、显示元件650(i,j)、绝缘膜621以及绝缘膜628。此外，功能层620包括绝缘膜618以及绝缘膜616。
[0328]
绝缘膜621设置在显示元件750(i,j)和显示元件650(i,j)之间。
[0329]
绝缘膜628设置在绝缘膜621和衬底670之间，并在与显示元件650(i,j)重叠的区域包括开口。沿着第三电极651(i,j)的外周形成的绝缘膜628可以防止第三电极651和第四电极之间的短路。
[0330]
绝缘膜618包括设置在绝缘膜621和显示元件750(i,j)之间的区域。绝缘膜616包括设置在绝缘膜618和显示元件750(i,j)之间的区域。
[0331]
此外，本实施方式所说明的显示装置700包括接合层605、密封剂705以及结构体kb1。
[0332]
接合层605设置在功能层620和衬底670之间，并具有贴合功能层620和衬底670的功能。
[0333]
密封剂705设置在功能层620和衬底770之间，并具有贴合功能层620和衬底770的功能。
[0334]
结构体kb1具有在功能层620和衬底770之间提供指定的空隙的功能。
[0335]
本实施方式所说明的显示装置700包括端子619c、导电膜611c以及导电体cp。
[0336]
第二绝缘膜601c包括被夹在端子619c和导电膜611c之间的区域。此外，第二绝缘膜601c还包括开口691c。
[0337]
端子619c通过开口691c与导电膜611c电连接。此外，导电膜611c与像素电路710c(i,j)电连接。
[0338]
导电体cp被夹在端子619c和第二电极752之间，并使端子619c和第二电极752电连接。例如，可以将导电粒子用于导电体cp。
[0339]
此外，本实施方式所说明的显示装置700包括驱动电路gd以及驱动电路sd(参照图27a)。
[0340]
驱动电路gd与第一扫描线g1(j)电连接。驱动电路gd例如包括晶体管md。具体而言，可以将包括能够通过与像素电路710c(i,j)所包括的晶体管相同的工序形成的半导体膜的晶体管用于晶体管md(参照图29a及图29c)。
[0341]
驱动电路sd与信号线s1(i)电连接。例如，驱动电路sd使用导电材料电连接到能够通过与端子619b或端子619c同一工序形成的端子。
[0342]
下面说明显示装置的各构成要素。注意，有时无法明确区分上述构成要素，一个构成要素可能兼作其他构成要素或包含其他构成要素的一部分。
[0343]
例如，可以将第一导电膜用于第一电极751(i,j)。此外，还可以将第一导电膜用于反射膜。
[0344]
可以将第二导电膜用于具有晶体管的源极或漏极的功能的导电膜612b。
[0345]
《结构实例1》本发明的一个方式的显示装置700包括衬底670、衬底770、结构体kb1、密封剂705及接合层605。
[0346]
本发明的一个方式的显示装置700包括功能层620、绝缘膜621以及绝缘膜628。
[0347]
本发明的一个方式的显示装置700包括信号线s1(i)、第一扫描线g1(j)、第二扫描线g2(j)、布线cscom以及布线ano。
[0348]
本发明的一个方式的显示装置700包括第一导电膜或第二导电膜。
[0349]
本发明的一个方式的显示装置700包括端子619b、端子619c、导电膜611b或导电膜611c。
[0350]
本发明的一个方式的显示装置700包括像素电路710c(i,j)或晶体管sw1。
[0351]
本发明的一个方式的显示装置700包括显示元件750(i,j)、第一电极751(i,j)、反射膜、开口751h、包含液晶材料的层753及第二电极752。
[0352]
本发明的一个方式的显示装置700包括取向膜af1、取向膜af2、着色膜cf1、遮光膜bm、绝缘膜771及功能膜770p。
[0353]
在显示装置700中，着色膜cf1也可以设置在绝缘膜621与显示元件750(i,j)之间且与显示元件650(i,j)的光经过的开口751h重叠的位置。
[0354]
本发明的一个方式的显示装置700包括显示元件650(i,j)、第三电极651(i,j)、第四电极652或包含发光性有机化合物的层653(i)。
[0355]
本发明的一个方式的显示装置700包括第二绝缘膜601c。
[0356]
本发明的一个方式的显示装置700包括驱动电路gd或驱动电路sd。
[0357]
《衬底670》可以将具有能够承受制造工序中的热处理的程度的耐热性的材料用于衬底670等。具体而言，可以使用厚度为0.7mm的无碱玻璃。
[0358]
例如，可以将第6代(1500mm
×
1850mm)、第7代(1870mm
×
2200mm)、第8代(2200mm
×
2400mm)、第9代(2400mm
×
2800mm)、第10代(2950mm
×
3400mm)等大面积的玻璃衬底用于衬底670等。由此，可以制造大型显示装置。
[0359]
可以将有机材料、无机材料或混合有机材料和无机材料等的复合材料等用于衬底670等。例如，可以将玻璃、陶瓷、金属等无机材料用于衬底670等。
[0360]
具体而言，可以将无碱玻璃、钠钙玻璃、钾钙玻璃、水晶玻璃、石英或蓝宝石等用于衬底670等。具体而言，可以将无机氧化物膜、无机氮化物膜或无机氧氮化物膜等用于衬底670等。例如，可以将氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化铝膜等用于衬底670等。可以将sus(不锈钢)或铝等用于衬底670等。
[0361]
例如，可以将以硅或碳化硅为材料的单晶半导体衬底或多晶半导体衬底、以硅锗等为材料的化合物半导体衬底、soi衬底等用于衬底670等。由此，可以将半导体元件形成于衬底670等。
[0362]
例如，可以将树脂、树脂薄膜或塑料等有机材料用于衬底670等。具体而言，可以将聚酯、聚烯烃、聚酰胺、聚酰亚胺、聚碳酸酯或丙烯酸树脂等的树脂薄膜或树脂板用于衬底670等。
[0363]
例如，衬底670等可以使用将金属板、薄板状的玻璃板或无机材料等的膜贴合于树脂薄膜等的复合材料。例如，衬底670等可以使用将纤维状或粒子状的金属、玻璃或无机材料等分散到树脂薄膜而得到的复合材料。例如，衬底670等可以使用将纤维状或粒子状的树脂或有机材料等分散到无机材料而得到的复合材料。
[0364]
另外，可以将单层的材料或层叠有多个层的材料用于衬底670等。例如，也可以将层叠有基材与防止包含在基材中的杂质扩散的绝缘膜等的材料用于衬底670等。具体而言，可以将层叠有玻璃与防止包含在玻璃中的杂质扩散的选自氧化硅层、氮化硅层或氧氮化硅层等中的一种或多种的膜的材料用于衬底670等。或者，可以将层叠有树脂与防止穿过树脂的杂质的扩散的氧化硅膜、氮化硅膜或氧氮化硅膜等的材料用于衬底670等。
[0365]
具体地，可以将聚酯、聚烯烃、聚酰胺、聚酰亚胺、聚碳酸酯或丙烯酸树脂等的树脂薄膜、树脂板或叠层体等用于衬底670等。
[0366]
具体而言，可以将包含聚酯、聚烯烃、聚酰胺(尼龙、芳族聚酰胺等)、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚氨酯、丙烯酸树脂、环氧树脂或具有硅氧烷键合的树脂的材料用于衬底670等。
[0367]
具体而言，可以将聚对苯二甲酸乙二醇酯(pet)、聚萘二甲酸乙二醇酯(pen)、聚醚砜(pes)或丙烯酸等用于衬底670等。
[0368]
另外，可以将纸或木材等用于衬底670等。
[0369]
例如，可以将具有柔性的衬底用于衬底670等。
[0370]
此外，可以采用在衬底上直接形成晶体管或电容元件等的方法。另外，可以使用如下方法：例如在对制造工序中的加热具有耐性的工序用衬底上形成晶体管或电容元件等，并将形成的晶体管或电容元件等转置到衬底670等。由此，例如可以在具有柔性的衬底上形成晶体管或电容元件等。
[0371]
《衬底770》例如，可以将具有透光性的材料用于衬底770。具体而言，衬底770可以使用选自可用于衬底670的材料的材料。具体而言，可以使用抛光至大约0.7mm厚或0.1mm厚的无碱玻璃。
[0372]
《结构体kb1》例如，可以将有机材料、无机材料或有机材料和无机材料的复合材料用于结构体kb1等。由此，可以将夹住结构体kb1等的结构之间设定成预定的间隔。
[0373]
具体而言，可以将聚酯、聚烯烃、聚酰胺、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚硅氧烷或丙烯酸树脂等或选自上述树脂中的多种树脂的复合材料等用于结构体kb1等。另外，也可以使用具有感光性的材料。
[0374]
《密封剂705》可以将无机材料、有机材料或无机材料和有机材料的复合材料等用于密封剂705等。
[0375]
例如，可以将热熔性树脂或固化树脂等有机材料用于密封剂705等。
[0376]
例如，可以将反应固化型粘合剂、光固化型粘合剂、热固化型粘合剂和/或厌氧型粘合剂等有机材料用于密封剂705等。
[0377]
具体而言，可以将包含环氧树脂、丙烯酸树脂、硅酮树脂、酚醛树脂、聚酰亚胺树脂、亚胺树脂、pvc(聚氯乙烯)树脂、pvb(聚乙烯醇缩丁醛)树脂、eva(乙烯
‑
醋酸乙烯酯)树脂等的粘合剂用于密封剂705等。
[0378]
《接合层605》例如，可以将能够用于密封剂705的材料用于接合层605。
[0379]
《绝缘膜621》例如，可以将绝缘性无机材料、绝缘性有机材料或包含无机材料和有机材料的绝缘性复合材料用于绝缘膜621等。
[0380]
具体而言，可以将无机氧化物膜、无机氮化物膜、无机氧氮化物膜等或层叠有选自这些材料中的多个材料的叠层材料用于绝缘膜621等。例如，可以将氧化硅膜、氮化硅膜、氧氮化硅膜、氧化铝膜等或包含层叠有选自这些材料中的多个材料的叠层材料的膜用于绝缘膜621等。
[0381]
具体而言，可以将聚酯、聚烯烃、聚酰胺、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚硅氧烷或丙烯酸树脂等或选自上述树脂中的多个树脂的叠层材料或复合材料等用于绝缘膜621等。另外，也可以使用具有感光性的材料。
[0382]
由此，例如可以使起因于与绝缘膜621重叠的各种结构的台阶平坦化。
[0383]
《绝缘膜628》例如，可以将能够用于绝缘膜621的材料用于绝缘膜628等。具体而言，可以将厚度为1μm的包含聚酰亚胺的膜用于绝缘膜628。
[0384]
《第二绝缘膜601c》例如，可以将能够用于绝缘膜621的材料用作第二绝缘膜601c。具体而言，可以将包含硅及氧的材料用于第二绝缘膜601c。由此，可以抑制杂质扩散到像素电路或显示元件等。
[0385]
例如，可以将包含硅、氧及氮的厚度为200nm的膜用作第二绝缘膜601c。
[0386]
此外，第二绝缘膜601c包括开口691a、开口691b及开口691c。
[0387]
《布线、端子、导电膜》可以将具有导电性的材料用于布线等。具体而言，可以将具有导电性的材料用于信号线s1(i)、第一扫描线g1(j)、第二扫描线g2(j)、布线cscom、布线ano、端子619b、端子619c、导电膜611b或导电膜611c等。
[0388]
例如，可以将无机导电性材料、有机导电性材料、金属或导电性陶瓷等用于布线等。
[0389]
具体地，可以将选自铝、金、铂、银、铜、铬、钽、钛、钼、钨、镍、铁、钴、钯或锰的金属元素等用于布线等。或者，可以将含有上述金属元素的合金等用于布线等。尤其是，铜和锰的合金适用于利用湿蚀刻法的微细加工。
[0390]
具体地，布线等可以采用如下结构：在铝膜上层叠有钛膜的双层结构；在氮化钛膜上层叠有钛膜的双层结构；在氮化钛膜上层叠有钨膜的双层结构；在氮化钽膜或氮化钨膜上层叠有钨膜的双层结构；依次层叠有钛膜、铝膜和钛膜的三层结构等。
[0391]
具体地，可以将氧化铟、铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化锌、添加了镓的氧化锌等导电氧化物用于布线等。
[0392]
具体地，可以将含有石墨烯或石墨的膜用于布线等。
[0393]
例如，可以形成含有氧化石墨烯的膜，然后通过使含有氧化石墨烯的膜还原来形成含有石墨烯的膜。作为还原方法，可以举出利用加热的方法以及利用还原剂的方法等。
[0394]
具体地，可以将导电高分子用于布线等。
[0395]
《第一导电膜、第二导电膜》例如，可以将能够用于布线等的材料用于第一导电膜或第二导电膜。
[0396]
此外，可以将第一电极751(i，j)或布线等用于第一导电膜。
[0397]
此外，可以将能够用于晶体管sw1的晶体管的导电膜612b或布线等用于第二导电膜。
[0398]
《晶体管sw1、晶体管sw2、晶体管m》例如，可以将底栅型或顶栅型等晶体管用于晶体管sw1、晶体管sw2、晶体管m等。
[0399]
例如，可以利用将包含第14族元素的半导体用于半导体膜的晶体管。具体而言，可以将包含硅的半导体用于半导体膜。例如，可以使用将单晶硅、多晶硅、微晶硅或非晶硅等用于半导体膜的晶体管。
[0400]
例如，可以利用将氧化物半导体用于半导体膜的晶体管。具体而言，可以将包含铟的氧化物半导体或包含铟、镓及锌的氧化物半导体用于半导体膜。
[0401]
例如，可以将与将非晶硅用于半导体膜的晶体管相比关闭状态下的泄漏电流更小的晶体管用于晶体管sw1、晶体管sw2、晶体管m等。具体而言，可以将对半导体膜608使用氧化物半导体的晶体管用于晶体管sw1、晶体管sw2、晶体管m等。
[0402]
由此，与利用将非晶硅用于半导体膜的晶体管的像素电路相比，可以使像素电路能够保持的图像信号的时间长。具体而言，可以抑制闪烁的发生，并以低于30hz、优选为低于1hz、更优选为低于1次/分的频率供应选择信号。其结果是，可以降低信息处理装置的使用者的眼疲劳。另外，可以降低伴随驱动的功耗。
[0403]
能够用于晶体管sw1的晶体管包括半导体膜608及具有与半导体膜608重叠的区域的导电膜604(参照图29b)。另外，能够用于晶体管sw1的晶体管包括导电膜612a及导电膜612b。
[0404]
导电膜604具有栅极的功能，绝缘膜606具有栅极绝缘膜的功能。导电膜612a具有源极的功能和漏极的功能中的一个，导电膜612b具有源极的功能和漏极的功能中的另一个。
[0405]
此外，可以将包括以在与导电膜604之间夹着半导体膜608的方式设置的导电膜624的晶体管用作晶体管m(参照图29c)。
[0406]
可以将依次层叠有包含钽及氮的厚度为10nm的膜以及包含铜的厚度为300nm的膜的导电膜用作导电膜604。
[0407]
可以将层叠有包含硅及氮的厚度为400nm的膜以及包含硅、氧及氮的厚度为200nm的膜的材料用作绝缘膜606。
[0408]
可以将包含铟、镓及锌的厚度为25nm的膜用作半导体膜608。
[0409]
可以将依次层叠有包含钨的厚度为50nm的膜、包含铝的厚度为400nm的膜、包含钛的厚度为100nm的膜的导电膜用作导电膜612a或导电膜612b。
[0410]
《显示元件750(i，j)》例如，可以将具有控制反射光或透光的功能的显示元件用作显示元件750(i，j)等。例如，可以使用组合有液晶元件与偏振片的结构或快门方式的mems显示元件等。通过使用反射型显示元件，可以抑制显示装置的功耗。具体而言，可以将反射型液晶显示元件用作显示元件750。
[0411]
此外，可以使用可通过ips(in
‑
plane
‑
switching：平面内转换)模式、tn(twisted nematic：扭曲向列)模式、ffs(fringe field switching：边缘电场转换)模式、asm(axially symmetric aligned micro
‑
cell：轴对称排列微单元)模式、ocb(optically compensated birefringence：光学补偿弯曲)模式、flc(ferroelectric liquid crystal：铁电性液晶)模式以及aflc(anti ferroelectric liquid crystal：反铁电性液晶)模式等驱动方法驱动的液晶元件。
[0412]
另外，可以使用可通过例如如下模式驱动的液晶元件：垂直取向(va)模式诸如mva(multi
‑
domain vertical alignment：多象限垂直取向)模式、pva(patterned vertical alignment：垂直取向构型)模式、ecb(electrically controlled birefringence：电控双折射)模式、cpa(continuous pinwheel alignment：连续焰火状排列)模式、asv(advanced super
‑
view：高级超视觉)模式等。
[0413]
例如，可以使用热致液晶、低分子液晶、高分子液晶、高分子分散型液晶、铁电液晶、反铁电液晶等。或者，可以使用呈现胆甾相、近晶相、立方相、手征向列相、各向同性相等的液晶材料。或者，可以使用呈现蓝相的液晶材料。
[0414]
《第一电极751(i,j)》例如，可以将用于布线等的材料用于第一电极751(i,j)。具体而言，可以将反射膜用于第一电极751(i,j)。
[0415]
《反射膜》例如，可以将反射可见光的材料用于反射膜。具体而言，可以将包含银的材料用于
反射膜。例如，可以将包含银及钯等的材料或包含银及铜等的材料用于反射膜。
[0416]
反射膜例如反射透过包含液晶材料的层753的光。由此，可以将显示元件750(i,j)用作反射型液晶元件。另外，例如，可以将其表面不平坦的材料用于反射膜。由此，使入射的光向各种方向反射，而可以进行白色显示。
[0417]
另外，不局限于将第一电极751(i,j)用于反射膜的结构。例如，可以在包含液晶材料的层753与第一电极751(i,j)之间设置反射膜。或者，可以在反射膜与包含液晶材料的层753之间设置具有透光性的第一电极751(i,j)。
[0418]
《开口751h》当对于非开口的总面积的开口751h的总面积的比过大时，使用显示元件750(i,j)的显示变暗。另外，当对于非开口的总面积的开口751h的总面积的比过小时，使用显示元件650(i,j)的显示变暗。
[0419]
另外，当设置在反射膜中的开口751h的面积过小时，从显示元件650所发射的光提取的光的效率降低。
[0420]
可以将多角形、四角形、椭圆形、圆形或十字等形状用作开口751h的形状。另外，可以将细条状、狭缝状、方格状的形状用作开口751h的形状。此外，也可以将开口751h配置在相邻的像素附近。优选的是，以靠近具有显示相同颜色的功能的其他像素的方式配置开口751h。由此，可以抑制显示元件650所发射的光射入到配置在邻接的像素的着色膜中的现象(也称为串扰)。
[0421]
《第二电极752》例如，可以将对可见光具有透光性及导电性的材料用于第二电极752。
[0422]
例如，可以将导电氧化物、薄得可以透光的金属膜或金属纳米线用于第二电极752。
[0423]
具体而言，可以将包含铟的导电氧化物用于第二电极752。或者，可以将厚度为1nm以上且10nm以下的金属薄膜用于第二电极752。或者，可以将包含银的金属纳米线用于第二电极752。
[0424]
具体而言，可以将氧化铟、铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化锌、添加有镓的氧化锌、添加有铝的氧化锌等用于第二电极752。
[0425]
《取向膜af1、取向膜af2》例如，可以将包含聚酰亚胺等的材料用于取向膜af1或取向膜af2。具体而言，可以使用通过摩擦处理或光取向技术在预定的方向上取向而形成的材料。
[0426]
例如，可以将包含可溶性聚酰亚胺的膜用于取向膜af1或取向膜af2。
[0427]
《着色膜cf1》可以将使预定的颜色的光透过的材料用于着色膜cf1。由此，例如可以将着色膜cf1用于滤色片。
[0428]
例如，可以将使蓝色光透过的材料、使绿色光透过的材料、使红色光透过的材料、使黄色光透过的材料或使白色光透过的材料等用于着色膜cf1。
[0429]
《遮光膜bm》可以将防止透光的材料用于遮光膜bm。由此，例如可以将遮光膜bm用于黑矩阵。
[0430]
《绝缘膜771》
例如，可以将聚酰亚胺、环氧树脂、丙烯酸树脂等用于绝缘膜771。
[0431]
《功能膜770p》例如，可以将偏振片、相位差板、扩散薄膜、防反射膜或聚光薄膜等用于功能膜770p。或者，可以将包含二色性色素的偏振片用于功能膜770p。
[0432]
另外，可以将抑制尘埃的附着的抗静电膜、不容易被弄脏的具有拒水性的膜、抑制使用时的损伤的硬涂膜等用于功能膜770p。
[0433]
《显示元件650(i,j)》例如，可以将发光元件用于显示元件650(i,j)。具体而言，可以将有机电致发光元件、无机电致发光元件或发光二极管等用于显示元件650(i,j)。
[0434]
例如，可以将以发射蓝色光的方式形成的叠层体、以发射绿色光的方式形成的叠层体或以发射红色光的方式形成的叠层体等用于包含发光性有机化合物的层653(i)。
[0435]
例如，可以将沿着信号线s1(i)在列方向上较长的带状叠层体用于包含发光性有机化合物的层653(i)。此外，可以将发射与包含发光性有机化合物的层653(i)不同的颜色的光且沿着信号线s1(i 1)在列方向上较长的带状叠层体用于包含发光性有机化合物的层653(i 1)。
[0436]
例如，可以将以发射白色光的方式形成的叠层体用于包含发光性有机化合物的层653(i)及包含发光性有机化合物的层653(i 1)。具体而言，可以将层叠有使用包含发射蓝色光的荧光材料的发光性有机化合物的层及包含发射绿色光及红色光的荧光材料以外的材料的层或包含发射黄色光的荧光材料以外的材料的层的叠层体用于包含发光性有机化合物的层653(i)及包含发光性有机化合物的层653(i 1)。
[0437]
例如，可以将能够用于布线等的材料用于第三电极651(i,j)或第四电极652。
[0438]
例如，可以将选自能够用于布线等的材料的对可见光具有透光性的材料用于第三电极651(i,j)。
[0439]
具体而言，作为第三电极651(i,j)可以使用导电氧化物或包含铟的导电氧化物、氧化铟、铟锡氧化物、铟锌氧化物、氧化锌、添加有镓的氧化锌等。或者，可以将薄得可以透光的金属膜用于第三电极651(i,j)。
[0440]
例如，可以将选自能够用于布线等的材料的对可见光具有反射性的材料用于第四电极652。
[0441]
《驱动电路gd》可以将移位寄存器等各种时序电路等用于驱动电路gd。例如，可以将晶体管md、电容元件等用于驱动电路gd。具体而言，可以使用包括能够与晶体管m在同一工序中形成的半导体膜的晶体管。
[0442]
或者，可以将具有与能够用于晶体管sw1的晶体管不同的结构的晶体管用于晶体管md。具体而言，可以将包括导电膜624的晶体管用于晶体管md(参照图29c)。
[0443]
在与导电膜604之间夹着半导体膜608的方式设置导电膜624，在导电膜624与半导体膜608之间设置绝缘膜616，并在半导体膜608与导电膜604之间设置绝缘膜606。例如，使供应与导电膜604相同电压的布线与导电膜624电连接。
[0444]
可以将与晶体管m相同的结构用于晶体管md。
[0445]
《驱动电路sd》
例如，可以将集成电路用于驱动电路sd。具体而言，可以将形成在硅衬底上的集成电路用于驱动电路sd。
[0446]
例如，可以利用cog(chip on glass：玻璃覆晶封装)法将驱动电路sd安装于与像素电路710c(i，j)电连接的焊盘上。具体而言，可以使用各向异性导电膜将集成电路安装于焊盘上。
[0447]
焊盘可以与端子619b或端子619c在同一工序中形成。
[0448]
<显示装置的结构实例2>图31a及图31b是说明本发明的一个方式的显示装置700b的结构的图。图31a是沿着图27a的切断线x1
‑
x2、x3
‑
x4、x5
‑
x6、x7
‑
x8、x9
‑
x10、x11
‑
x12的截面图。图31b是说明显示装置的一部分的结构的截面图。
[0449]
显示装置700b与参照图29a至图29c说明的显示装置700的不同之处在于包括顶栅型晶体管代替底栅型晶体管。在此，关于能够使用与上述说明相同的结构的部分援用上述说明，对不同的部分进行详细说明。
[0450]
《晶体管sw1b、晶体管mb、晶体管mdb》能够用于晶体管sw1b的晶体管、晶体管mb以及晶体管mdb包括具有与第二绝缘膜601c重叠的区域的导电膜604以及具有设置在第二绝缘膜601c与导电膜604之间的区域的半导体膜608。此外，导电膜604具有栅电极的功能(参照图31b)。
[0451]
半导体膜608具有：不与导电膜604重叠的第一区域608a及第二区域608b；以及第一区域608a与第二区域608b之间的重叠于导电膜604的第三区域608c。
[0452]
晶体管mdb在第三区域608c与导电膜604之间包括绝缘膜606。绝缘膜606具有栅极绝缘膜的功能。
[0453]
第一区域608a及第二区域608b具有比第三区域608c低的电阻率，并具有源区域的功能或漏区域的功能。
[0454]
例如可以利用将在本实施方式的最后详细说明的氧化物半导体的电阻率的控制方法在半导体膜608中形成第一区域608a及第二区域608b。具体而言，可以适用使用包含稀有气体的气体的等离子体处理。
[0455]
例如，可以将导电膜604用作掩模。由此，第三区域608c的一部分的形状可以自对准地与导电膜604的端部的形状一致。
[0456]
晶体管mdb包括与第一区域608a接触的导电膜612a以及与第二区域608b接触的导电膜612b。导电膜612a及导电膜612b具有源极或漏极的功能。
[0457]
可以将能够与晶体管mdb在同一工序中形成的晶体管用于晶体管mb。
[0458]
<氧化物半导体的电阻率的控制方法>对控制氧化物半导体膜的电阻率的方法进行说明。
[0459]
可以将具有预定的电阻率的氧化物半导体膜用于半导体膜608或导电膜624等。
[0460]
例如，可以将控制氧化物半导体膜所包含的氢、水等杂质的浓度和/或膜中的氧缺陷的方法用于控制氧化物半导体的电阻率的方法。
[0461]
具体而言，可以将等离子体处理用于增加或减少氢、水等杂质浓度和/或膜中的氧缺陷的方法。
[0462]
具体而言，可以利用使用包含选自稀有气体(he、ne、ar、kr、xe)、氢、硼、磷及氮中
的一种以上的气体进行的等离子体处理。例如，可以使用ar气氛下的等离子体处理、ar和氢的混合气体气氛下的等离子体处理、氨气氛下的等离子体处理、ar和氨的混合气体气氛下的等离子体处理或氮气氛下的等离子体处理等。由此，氧化物半导体膜可以具有高载流子密度及低电阻率。
[0463]
或者，可以利用离子注入法、离子掺杂法或等离子体浸没离子注入法等，将氢、硼、磷或氮注入到氧化物半导体膜，由此使氧化物半导体膜具有低电阻率。
[0464]
或者，可以以接触氧化物半导体膜的方式形成包含氢的绝缘膜，并且使氢从绝缘膜扩散到氧化物半导体膜。由此，可以提高氧化物半导体膜的载流子密度，并降低电阻率。
[0465]
例如，通过以接触氧化物半导体膜的方式形成膜中的含氢浓度为1
×
10
22
atoms/cm3以上的绝缘膜，可以有效地使氧化物半导体膜含氢。具体而言，可以将氮化硅膜用于以接触氧化物半导体膜的方式形成的绝缘膜。
[0466]
包含在氧化物半导体膜中的氢与键合于金属原子的氧起反应生成水，与此同时在发生氧脱离的晶格(或氧脱离的部分)中形成氧缺陷。当氢进入该氧缺陷时，有时产生作为载流子的电子。另外，有时由于氢的一部分与键合于金属原子的氧键合，产生作为载流子的电子。由此，氧化物半导体膜可以具有高载流子密度及低电阻率。
[0467]
具体而言，可以适当地将通过二次离子质谱分析法(sims：secondary ion mass spectrometry)得到的氢浓度为8
×
10
19
atoms/cm3以上、优选为1
×
10
20
atoms/cm3以上、更优选为5
×
10
20
atoms/cm3以上的氧化物半导体用于导电膜624。
[0468]
另一方面，可以将电阻率高的氧化物半导体用于形成有晶体管的沟道的半导体膜。具体而言，可以将电阻率高的氧化物半导体用于半导体膜608。
[0469]
例如，以接触氧化物半导体的方式形成包含氧的绝缘膜(换言之，能够释放氧的绝缘膜)，将氧从绝缘膜供应到氧化物半导体膜中，而可以填充膜中或界面的氧缺陷。由此，氧化物半导体膜可以具有高电阻率。
[0470]
例如，可以将氧化硅膜或氧氮化硅膜用于能释放氧的绝缘膜。
[0471]
氧缺陷被填补且氢浓度被降低的氧化物半导体膜可以说是高纯度本征或实质上高纯度本征的氧化物半导体膜。在此，“实质上本征”是指氧化物半导体膜的载流子密度低于8
×
10
11
/cm3，优选低于1
×
10
11
/cm3，更优选低于1
×
10
10
/cm3。高纯度本征或实质上高纯度本征的氧化物半导体膜具有较少的载流子发生源，因此可以具有较低的载流子密度。此外，高纯度本征或实质上高纯度本征的氧化物半导体膜的缺陷态密度低，因此可以降低陷阱态密度。
[0472]
包括高纯度本征或实质上高纯度本征的氧化物半导体膜的晶体管的关态电流显著低，即便是沟道宽度为1
×
106μm、沟道长度l为10μm的元件，当源极与漏极间的电压(漏电压)在1v至10v的范围时，关态电流也可以为半导体参数分析仪的测定极限以下，即1
×
10
‑
13
a以下。
[0473]
将上述高纯度本征或实质上高纯度本征的氧化物半导体膜用于沟道区域的晶体管的电特性的变动小且可靠性高。
[0474]
具体而言，可以适当地将通过二次离子质谱分析法(sims：secondary ion mass spectrometry)得到的氢浓度为2
×
10
20
atoms/cm3以下、优选为5
×
10
19
atoms/cm3以下、更优选为1
×
10
19
atoms/cm3以下、更优选为低于5
×
10
18
atoms/cm3、更优选为1
×
10
18
atoms/cm3以
下、更优选为5
×
10
17
atoms/cm3以下、更优选为1
×
10
16
atoms/cm3以下的氧化物半导体用于晶体管的形成沟道的半导体。
[0475]
将氢浓度和/或氧缺陷量比半导体膜608多且电阻率比半导体膜608低的氧化物半导体膜用于导电膜624。
[0476]
另外，可以将包含其浓度为半导体膜608所包含的氢浓度的2倍以上，优选为10倍以上的氢的膜用于导电膜624。
[0477]
另外，可以将其电阻率为半导体膜608的电阻率的1
×
10
‑8倍以上且低于1
×
10
‑1倍的膜用于导电膜624。
[0478]
具体而言，可以将其电阻率为1
×
10
‑3ωcm以上且低于1
×
104ωcm，优选为1
×
10
‑3ωcm以上且低于1
×
10
‑1ωcm的膜用于导电膜624。
[0479]
实施方式8在本实施方式中，作为半导体装置的一个例子，对ic芯片、电子构件及电子设备等进行说明。
[0480]
<电子构件的制造方法实例>图32a是示出电子构件的制造方法实例的流程图。电子构件也被称为半导体封装或ic用封装等。该电子构件根据端子取出方向或端子的形状具有多个不同规格和名称。在本实施方式中，说明其一个例子。
[0481]
通过组装工序(后工序)，在印刷电路板上组合多个能够装卸的构件，可以形成由晶体管构成的半导体装置。后工序可以通过进行图32a所示的各工序完成。具体而言，在由前工序得到的元件衬底完成(步骤st61)之后，对衬底背面进行研磨。通过在此阶段使衬底薄膜化，减少在前工序中产生的衬底的翘曲等，而实现构件的小型化。接着，进行将衬底分成多个芯片的“切割(dicing)工序”(步骤st62)。
[0482]
图32b是进行切割工序之前的半导体晶片6100的俯视图。图32c是图32b的部分放大图。半导体晶片6100设置有多个电路区域6102。电路区域6102设置有本发明的实施方式的半导体装置(例如，存储器、定时器或cpu等)。
[0483]
多个电路区域6102的每一个都被分离区域6104围绕。分离线(也称为“切割线”)6106位于与分离区域6104重叠的位置上。在切割工序(步骤st62)中，通过沿着分离线6106切割半导体晶片6100，从半导体晶片6100切割出包括电路区域6102的芯片6110。图32d示出芯片6110的放大图。
[0484]
另外，也可以在分离区域6104中设置导电层或半导体层。通过在分离区域6104中设置导电层或半导体层，可以缓和可能在切割工序中产生的esd，而防止起因于切割工序的成品率下降。另外，一般来说，为了冷却衬底、去除刨花、防止带电等，一边将溶解有碳酸气体等以降低了其电阻率的纯水供应给切削部一边进行切割工序。通过在分离区域6104中设置导电层或半导体层，可以减少该纯水的使用量。因此，可以降低半导体装置的生产成本。另外，可以提高半导体装置的生产率。
[0485]
在进行步骤st62之后，拾取分离后的芯片并将其安装且接合于引线框架上，即进行芯片接合(die bonding)工序(步骤st63)。芯片接合工序中的芯片与引线框架的接合方法可以根据产品选择合适的方法。例如，可以使用树脂或胶带进行接合。芯片接合工序中的芯片与引线框架的接合可以通过在插入物(interposer)上安装芯片来进行。在引线键合
(wire bonding)工序中，将引线框架的引线与芯片上的电极通过金属细线(wire)电连接(步骤st64)。作为金属细线可以使用银线或金线。引线键合可以使用球键合(ball bonding)或楔键合(wedge bonding)。
[0486]
实施由环氧树脂等密封进行了引线键合的芯片的模塑(molding)工序(步骤st65)。通过进行模塑工序，使电子构件的内部被树脂填充，可以减轻机械外力所导致的对内置的电路部及金属细线的损伤，还可以降低因水分或灰尘所导致的特性劣化。接着，对引线框架的引线进行电镀处理。并且，对引线进行切断及成型加工(步骤st66)。通过该电镀处理可以防止引线生锈，而在之后将引线安装于印刷电路板时，可以更加确实地进行焊接。接着，对封装表面实施印字处理(marking)(步骤st67)。然后，通过检验工序(步骤st68)完成电子构件(步骤st69)。通过组装上述实施方式的半导体装置，可以提供功耗低的小型电子构件。
[0487]
图32e示出完成的电子构件的立体示意图。在图32e中，作为电子构件的一个例子，示出qfp(quad flat package：四侧引脚扁平封装)的立体示意图。如图32e所示，电子构件6000包括引线6001及芯片6110。
[0488]
电子构件6000例如安装于印刷电路板6002。通过组合多个这样的电子构件6000并使其在印刷电路板6002上彼此电连接，可以将电子构件6000安装于电子设备。完成的电路衬底6004设置于电子设备等的内部。通过安装电子构件6000，可以减少电子设备的功耗。或者，容易实现小型电子设备。
[0489]
实施方式9在本实施方式中，说明氧化物半导体晶体管等。
[0490]
《os晶体管的结构例子1》图33a是示出os晶体管的结构例子的俯视图。图33b是图33a的x1
‑
x2线之间的截面图，图33c是图33a的y1
‑
y2线之间的截面图。在此，有时将x1
‑
x2线的方向称为沟道长度方向，将y1
‑
y2线的方向称为沟道宽度方向。图33b是示出os晶体管的沟道长度方向上的截面结构的图，图33c是示出os晶体管的沟道宽度方向上的截面结构的图。为了明确地示出装置结构，在图33a中省略部分构成要素。
[0491]
os晶体管501形成在绝缘表面上。在此，os晶体管501形成在绝缘层521上。os晶体管501被绝缘层528及529覆盖。os晶体管501包括绝缘层522至527、金属氧化物层511至513以及导电层550至553。
[0492]
图中的绝缘层、金属氧化物层、导电体等可以为单层或叠层。在制造这些层时，可以使用溅射法、分子束外延(mbe)法、脉冲激光沉积(pla)法、cvd法、原子层沉积法(ald法)等各种成膜方法。cvd法包括等离子体cvd法、热cvd法、有机金属cvd法等。
[0493]
将金属氧化物层511至513总称为氧化物层510。如图33b和图33c所示，氧化物层510包括依次层叠有金属氧化物511、金属氧化物512及金属氧化物513的部分。在os晶体管501处于开启状态时，沟道主要形成在氧化物层510的金属氧化物层512中。
[0494]
os晶体管501的栅电极由导电层550构成，用作源电极或漏电极的一对电极由导电层551、552构成。背栅电极由导电层553构成。导电层553包括导电层553a、553b。此外，os晶体管501也可以不包括背栅电极。后述的os晶体管502也是同样的。
[0495]
栅极(前栅极)一侧的栅极绝缘层由绝缘层527构成，背栅极一侧的栅极绝缘层由
绝缘层524至526的叠层构成。绝缘层528是层间绝缘层。绝缘层529是阻挡层。
[0496]
金属氧化物层513覆盖包括金属氧化物层511、512以及导电层551、552的叠层体。绝缘层527覆盖金属氧化物层513。导电层551、552分别具有隔着金属氧化物层513及绝缘层527与导电层550重叠的区域。
[0497]
导电层551、552通过利用用来形成金属氧化物层511及金属氧化物层512的叠层的硬掩模而形成。例如，通过下述步骤可以形成金属氧化物层511、512及导电层551、552：形成两层金属氧化物膜；在金属氧化物膜上形成导电膜；对该导电膜进行蚀刻形成硬掩模；使用硬掩模对两层金属氧化物膜进行蚀刻，来形成金属氧化物层511和金属氧化物层512的叠层；接着，对硬掩模进行蚀刻形成导电层551及导电层552。由于经过这些步骤，导电层551、552不包括与金属氧化物层511、512的侧面接触的区域。
[0498]
<导电层>作为用于导电层550至553的导电材料，有如下材料：以掺杂有磷等的杂质元素的多晶硅为代表的半导体；镍硅化物等硅化物；钼、钛、钽、钨、铝、铜、铬、钕、钪等金属或以上述元素为成分的金属氮化物(氮化钽、氮化钛、氮化钼、氮化钨)等。此外，也可以使用铟锡氧化物、包含氧化钨的铟氧化物、包含氧化钨的铟锌氧化物、包含氧化钛的铟氧化物、包含氧化钛的铟锡氧化物、铟锌氧化物、添加有氧化硅的铟锡氧化物等导电材料。
[0499]
通过将功函数高的导电材料用于导电层550，可以增大os晶体管501的vth，并且可以减少截止电流。导电层550可以使用其功函数优选为4.8ev以上，更优选为5.0ev以上，更优选为5.2ev以上，更优选为5.4ev以上，更优选为5.6ev以上的导电材料。作为功函数高的导电材料，例如可以举出钼、氧化钼、pt、pt硅化物、ni硅化物、铟锡氧化物、添加有氮的in
‑
ga
‑
zn氧化物等。
[0500]
截止电流是指栅极
‑
源极之间的电压为0v时的漏极电流。
[0501]
例如，导电层550为氮化钽或钽的单层。或者，在导电层550为两层结构或三层结构时，可以采用如下组合：(铝、钛)；(氮化钛、钛)；(氮化钛、钨)；(氮化钽、钨)；(氮化钨、钨)；(钛、铝、钛)；(氮化钛、铝、钛)；(氮化钛、铝、氮化钛)。其中前者构成绝缘层527一侧的层。
[0502]
导电层551及导电层552具有相同的层结构。例如，在导电层551为单层时，可以使用铝、钛、铬、镍、铜、钇、锆、钼、银、钽或钨等的金属或以这些金属为主要成分的合金。在导电层551为两层结构或三层结构时，可以采用如下组合：(钛、铝)；(钨、铝)；(钨、铜)；(铜
‑
镁
‑
铝合金、铜)；(钛、铜)；(钛或氮化钛、铝或铜、钛或氮化钛)；(钼或氮化钼、铝或铜、钼或氮化钼)。其中前者构成绝缘层527一侧的层。
[0503]
例如，优选的是，导电层553a为对氢具有阻挡性的导电层(例如，氮化钽层)，导电层553b为其导电率比导电层553a高的导电层(例如，钨层)。通过采用该结构，导电层553具有布线的功能以及抑制氢扩散到氧化物层510的功能。
[0504]
<绝缘体>作为用于绝缘层521至529的绝缘材料，有如下材料：氮化铝、氧化铝、氮氧化铝、氧氮化铝、氧化镁、氮化硅、氧化硅、氮氧化硅、氧氮化硅、氧化镓、氧化锗、氧化钇、氧化锆、氧化镧、氧化钕、氧化铪、氧化钽、硅酸铝等。绝缘层521至529由包括这些绝缘材料的单层或叠层构成。构成绝缘层521至529的层可以包含多种绝缘材料。
[0505]
在本说明书等中，氧氮化物是指氧含量大于氮含量的化合物，氮氧化物是指氮含
量大于氧含量的化合物。
[0506]
为了抑制氧化物层510中的氧缺陷增加，绝缘层526至528优选为包含氧的绝缘层。绝缘层526至528中的至少一个优选使用通过加热可释放氧的绝缘膜(以下称为“包含过剩氧的绝缘膜”)形成。通过从包含过剩氧的绝缘膜向氧化物层510供应氧，可以填补氧化物层510中的氧缺陷。由此，可以提高os晶体管501的可靠性及电特性。
[0507]
包含过剩氧的绝缘膜为在利用热脱附谱分析法(tds：thermal desorption spectroscopy)时膜表面温度为100℃以上且700℃以下或100℃以上且500℃以下的范围内的氧分子的释放量为1.0
×
10
18
[分子/cm3]以上的膜。氧分子的释放量优选为3.0
×
10
20
[分子/cm3]以上。
[0508]
包含過剰氧的绝缘膜可以通过进行对绝缘膜添加氧的处理来形成。作为氧的添加处理，可以使用氧气氛下的加热处理、离子注入法、离子掺杂法、等离子体浸没离子注入法或等离子体处理等。作为用来添加氧的气体，可以使用
16
o2或
18
o2等氧气体、一氧化二氮气体或臭氧气体等。
[0509]
为了防止氧化物层510中的氢浓度增加，优选降低绝缘层521至529中的氢浓度。尤其是，优选降低绝缘层523至528中的氢浓度。具体而言，其氢浓度为2
×
10
20
atoms/cm3以下，优选为5
×
10
19
atoms/cm3以下，更优选为1
×
10
19
atoms/cm3以下，进一步优选为5
×
10
18
atoms/cm3以下。
[0510]
为了防止氧化物层510中的氮浓度增加，优选降低绝缘层523至528中的氮浓度。具体而言，其氮浓度低于5
×
10
19
atoms/cm3，优选为5
×
10
18
atoms/cm3以下，更优选为1
×
10
18
atoms/cm3以下，进一步优选为5
×
10
17
atoms/cm3以下。
[0511]
上述氢浓度和氮浓度是通过二次离子质谱分析法(sims：secondary ion mass spectrometry)而测量的。
[0512]
在os晶体管501中，氧化物层510优选被对氧和氢具有阻挡性的绝缘层(以下称为阻挡层)包围。通过采用该结构，可以抑制氧从氧化物层510释放出并可以抑制氢侵入到氧化物层510，由此可以提高os晶体管501的可靠性及电特性。
[0513]
例如，绝缘层529被用作阻挡层，绝缘层521、522、524中的至少一个被用作阻挡层。阻挡层可以使用氧化铝、氧氮化铝、氧化镓、氧氮化镓、氧化钇、氧氮化钇、氧化铪、氧氮化铪、氮化硅等的材料形成。
[0514]
另外，还可以在氧化物层510和导电层550之间设置阻挡层。或者，也可以设置对氧和氢具有阻挡性的金属氧化物层作为金属氧化物层513。
[0515]
通过减薄绝缘层524、绝缘层525和绝缘层526的各厚度，可以容易使用导电层550的电压控制os晶体管的阈值电压，所以是优选的。例如，绝缘层524至526的各厚度为50nm以下。各厚度优选为30nm以下，更优选为10nm以下，进一步优选为5nm以下。
[0516]
在此示出绝缘层521至529的结构例子。在该例子中，绝缘层521、522、525、529都被用作阻挡层。绝缘层526至528是包含過剰氧的氧化物层。绝缘层521是氮化硅层，绝缘层522是氧化铝层，绝缘层523是氧氮化硅层。背栅极一侧的栅极绝缘层(524至526)是氧化硅、氧化铝和氧化硅的叠层。前栅极一侧的栅极绝缘层(527)是氧氮化硅层。层间绝缘层(528)是氧化硅层。绝缘层529是氧化铝层。
[0517]
<金属氧化物层>
以下的区域。氧化物层510中的碳浓度也是同样的。
[0529]
氧化物层510具有碱金属浓度为1
×
10
18
atoms/cm3以下，优选为2
×
10
16
atoms/cm3以下的区域。其碱土金属浓度也是同样的。
[0530]
氧化物层510具有氮浓度低于5
×
10
19
atoms/cm3，优选为5
×
10
18
atoms/cm3以下，更优选为1
×
10
18
atoms/cm3以下，进一步优选为5
×
10
17
atoms/cm3以下的区域。
[0531]
氧化物层510具有氢浓度低于1
×
10
20
atoms/cm3，优选低于1
×
10
19
atoms/cm3，更优选低于5
×
10
18
atoms/cm3，进一步优选低于1
×
10
18
atoms/cm3的区域。
[0532]
上述氧化物层510中的杂质浓度是通过sims而测量的。
[0533]
在金属氧化物层512具有氧缺陷的情况下，有时因为氢进入该氧缺陷部而形成施主能级。其结果是，os晶体管501的通态电流降低。氧缺陷部在氧进入时比氢进入时更加稳定。因此，通过降低金属氧化物层512中的氧缺陷，有时能够提高os晶体管501的通态电流。由此，通过减少金属氧化物层512中的氢来防止氢进入氧缺陷部的方法对通态电流特性的提高是有效的。
[0534]
包含在金属氧化物中的氢与键合于金属原子的氧起反应生成水，因此有时形成氧缺陷。当氢进入该氧缺陷时，有时产生作为载流子的电子。另外，有时氢的一部分与键合于金属原子的氧键合，而产生作为载流子的电子。由于沟道形成区域设置在金属氧化物层512中，所以当金属氧化物层512包含氢时，os晶体管501容易具有常开启特性。由此，优选尽可能减少金属氧化物层512中的氢。
[0535]
图33a至图33c示出氧化物层510为三层结构的例子，但是不局限于此。例如，氧化物层510也可以为没有金属氧化物层511或金属氧化物层513的两层结构。或者，也可以采用在金属氧化物层511之上或之下或者在金属氧化物层513之上或之下设置有作为金属氧化物层511、金属氧化物层512及金属氧化物层513而示出的氧化物半导体层中的任一个层的四层结构。或者，可以在氧化物层510的任意的层之间、氧化物层510之上和氧化物层510之下中的任两个以上的位置设置一层或多层与金属氧化物层511至513同样的金属氧化物层。
[0536]
<能带结构>参照图35对金属氧化物层511至513的叠层效果进行说明。图35是os晶体管501的沟道形成区域的能带结构的示意图。在此，以os晶体管501为例子进行说明，但是后述的os晶体管502中的金属氧化物层511至513的叠层效果也是同样的。
[0537]
ec526、ec511、ec512、ec513、ec527分别表示绝缘层526、金属氧化物层511、金属氧化物层512、金属氧化物层513、绝缘层527的导带底的能量。
[0538]
这里，真空能级与导带底的能量之间的能量差(也称为“电子亲和力”)是真空能级与价带顶之间的能量差(也称为电离电位)减去能隙而得到的值。另外，能隙可以利用光谱椭偏仪(horiba jobin yvon公司制造的ut
‑
300)来测量。此外，真空能级与价带顶之间的能量差可以利用紫外线光电子能谱(ups：ultraviolet photoelectron spectroscopy)装置(phi公司制造的versaprobe)来测量。
[0539]
因为绝缘层526、527是绝缘体，所以ec526及ec527比ec511、ec512及ec513更接近于真空能级(其电子亲和势小)。
[0540]
金属氧化物层512的电子亲和势比金属氧化物层511、513大。例如，金属氧化物层512与金属氧化物层511的电子亲和势之差以及金属氧化物层512与金属氧化物层513的电
子亲和势之差都为0.07ev以上且1.3ev以下。该电子亲和势之差优选为0.1ev以上且0.7ev以下，更优选为0.15ev以上且0.4ev以下。电子亲和势是真空能级与导带底之间的能量差。
[0541]
当对os晶体管501的栅电极(导电层550)施加电压时，沟道主要形成在金属氧化物层511、金属氧化物层512和金属氧化物层513中的电子亲和势较大的金属氧化物层512中。
[0542]
铟镓氧化物具有小电子亲和势和高氧阻挡性。因此，金属氧化物层513优选包含铟镓氧化物。镓原子的比率[ga/(in ga)]例如为70％以上，优选为80％以上，更优选为90％以上。
[0543]
有时在金属氧化物层511与金属氧化物层512之间存在金属氧化物层511和金属氧化物层512的混合区域。另外，有时在金属氧化物层513与金属氧化物层512之间存在金属氧化物层513和金属氧化物层512的混合区域。混合区域的界面态密度较低，因此在金属氧化物层511至513的叠层体(氧化物层510)的能带结构中，各界面附近的能量连续地变化(也称为连续接合)。
[0544]
在具有上述能带结构的氧化物层510中，电子主要在金属氧化物层512中迁移。因此，即使在金属氧化物层511与绝缘层526之间的界面或者金属氧化物层513与绝缘层527之间的界面存在能级，这些界面能级也不容易阻碍氧化物层510中的电子迁移，因此可以增加os晶体管501的通态电流。
[0545]
此外，如图35所示，虽然在金属氧化物层511与绝缘层526之间的界面附近以及金属氧化物层513与绝缘层527之间的界面附近有可能形成起因于杂质或缺陷的陷阱能级et526、et527，但是由于金属氧化物层511、513的存在，可以使金属氧化物层512远离陷阱能级et526、et527。
[0546]
在此，当ec511与ec512的能量差小时，有时金属氧化物层512的电子越过该能量差达到陷阱能级et526。在电子被陷阱能级et526俘获时，在绝缘膜的界面产生固定负电荷，这导致晶体管的阈值电压漂移到正方向。在ec513与ec512的能量差小时也是同样的。
[0547]
为了减小os晶体管501的阈值电压的变动而提高os晶体管501的电特性，ec511与ec512的能量差以及ec513与ec512的能量差优选为0.1ev以上，更优选为0.15ev以上。
[0548]
《os晶体管的结构例子2》图34a至图34c所示的os晶体管502是os晶体管501的变形例子。os晶体管502的导电层550包括导电层550a、导电层550b及导电层550c。
[0549]
导电层550a通过热cvd法、mocvd法或ald法形成。尤其是，优选利用原子层沉积(ald：atomic layer deposition)法形成。通过使用ald法等形成导电层550a，可以减少绝缘层527受到的等离子体所导致的损伤。另外，由于能够提高覆盖性，所以优选通过ald法等形成导电层550a。因此可以提供一种可靠性高的os晶体管502。
[0550]
导电层550b使用钽、钨、铜、铝等导电性高的材料形成。再者，形成在导电层550b上的导电层550c优选使用氮化钨等耐氧化性的导电体形成。当将其中的氧会脱离的氧化物材料用于绝缘层528时，可以防止脱离出的氧使导电层550氧化。因此，可以抑制导电层550的氧化，并且可以将从绝缘层528脱离的氧高效率地供应给氧化物层510。
[0551]
通过作为与具有过剩氧区域的绝缘层528接触的面积大的导电层550c使用耐氧化性的导电体，可以抑制绝缘层528的过剩氧被导电层550吸收。另外，通过作为导电层550b使用导电性高的导电体，可以提供一种功耗小的os晶体管502。
[0552]
实施方式10接着，参照图36说明使用上述实施方式所示的显示面板的显示模块的应用实例。
[0553]
在图36所示的显示模块800中，在上盖801与下盖802之间设置有连接于fpc803的触摸面板804、连接于fpc805的显示面板806、框架809、印刷电路板810和电池811。注意，有时没有设置电池811、触摸面板804等。
[0554]
可以将上述实施方式所示的显示面板用于图36中的显示面板806。
[0555]
上盖801和下盖802的形状或尺寸可以根据触摸面板804和显示面板806的尺寸适当地改变。
[0556]
触摸面板804可以为电阻膜式触摸面板或电容式触摸面板，并且能够被形成为与显示面板806重叠。可以使显示面板806的对置衬底(密封衬底)具有触摸面板功能。或者，光传感器可以被设置于显示面板806的各像素内，以制成光学式触摸面板。或者，触摸传感器用电极被设置于显示面板806的各像素内，以制成电容式触摸面板。此时，也可以省略触摸面板804。
[0557]
上盖801也可以包括光路。将从安装在印刷电路板810上的光源射出的光经过上盖801的光路从上盖的一边射出，并且，利用安装在印刷电路板810上的光电传感器判断入射到与射出光的一边不同的其它一边的光路中的光的有无，由此可以检测使用手指或笔等进行的屏幕触摸的有无。在此情况下，显示面板806或显示面板806的对置衬底可以不具有触摸面板功能，再者，也可以省略触摸面板804。
[0558]
图37a是示出使用互电容式的触摸传感器作为触摸面板804的一个例子时的结构实例的示意图。在图37a中，作为一个例子，以x1至x6的6个布线表示被施加脉冲电压的布线clx，并以y1至y6的6个布线表示检测电流变化的布线cly。布线的数量不局限于此。图37a示出在使布线clx与布线cly重叠或靠近地配置时形成的电容元件854。
[0559]
布线clx及布线cly与ic850电连接。ic850包括驱动电路851及检测电路852。
[0560]
驱动电路851例如是依次对x1至x6的布线施加脉冲的电路。通过对x1至x6的布线施加脉冲电压，在形成电容元件854的布线clx与布线cly之间产生电场。由于该脉冲电压，电流流过电容元件854。该产生于布线之间的电场由于手指或触屏笔等的触摸所带来的遮蔽等而变化。就是说，通过手指或触屏笔等的触摸，电容元件854的电容值产生变化。如此，通过利用手指或触屏笔等的触摸等带来的电容元件854的电容值变化，可以检测感测对象的靠近或接触。
[0561]
检测电路852是用来检测因电容元件854的电容值变化而产生的y1至y6的布线的电流变化的电路。在y1至y6的布线中，如果没有感测对象的靠近或接触，所检测的电流值则没有变化，另一方面，在由于所检测的感测对象的靠近或接触而电容值减少的情况下，检测到电流值减少的变化。另外，当检测电流时，可以检测电流量的总和。在此情况下，可以利用积分电路等检测电流。或者，可以检测电流的峰值。在此情况下，可以将电流转换为电压而检测电压值的峰值。
[0562]
在图37a中，驱动电路851及检测电路852使用同一ic形成，但是，也可以将各电路形成在不同的ic。检测电路852容易受到噪声的影响而引起错误工作。另一方面，驱动电路851有可能成为噪声发生源。通过使用不同的ic形成驱动电路851及检测电路852，可以防止检测电路852的错误工作。
[0563]
另外，也可以由一个ic形成驱动电路851、检测电路852及显示面板806的驱动电路。在此情况下，可以降低在显示模块的成本中ic的成本所占的比率。
[0564]
在图37a中ic850配置在触摸面板804，但是ic850也可以配置在fpc803。图37b示出此时的示意图。
[0565]
再次回到对图36的说明。
[0566]
框架809保护显示面板806，并且具有阻挡印刷电路板810的工作所产生的电磁波的电磁屏蔽的功能。框架809也可以具有散热板的功能。
[0567]
印刷电路板810包括电源电路以及用来输出视频信号及时钟信号的信号处理电路。此外，也可以包括用来检测触摸的光源及光电传感器。光源的波长区域优选大于780nm，更优选大于1.6μm。光电传感器具有检测特定范围的波长区域的光的功能。作为对电源电路供应电力的电源，既可以使用外部的商用电源，又可以使用利用另行设置的电池811的电源。注意，当使用商用电源时可以省略电池811。
[0568]
此外，在显示模块800中还可以设置偏振片、相位差板、棱镜片等构件。
[0569]
实施方式11在本实施方式中，参照附图说明本发明的一个方式的电子设备及照明装置。
[0570]
通过使用本发明的一个方式的具有子像素的高清晰显示部，可以制造薄型、轻量、具有曲面或具有柔性的发光装置、显示装置或半导体装置等。另外，通过使用这些应用本发明的一个方式的发光装置、显示装置或半导体装置等，可以制造薄型、轻量、具有曲面或具有柔性的电子设备或照明装置。
[0571]
作为电子设备，例如可以举出：电视装置(也称为电视或电视接收机)；用于计算机等的监视器；如数码相机、数码摄像机等影像拍摄装置；数码相框；移动电话机(也称为移动电话、移动电话装置)；便携式游戏机；便携式信息终端；声音再现装置；弹珠机等大型游戏机等。
[0572]
由于本发明的一个方式的电子设备或照明装置具有柔性，因此也可以将该电子设备或照明装置沿着房屋或高楼的内壁或外壁、汽车的内部装饰或外部装饰的曲面组装。
[0573]
本发明的一个方式的电子设备也可以包括二次电池，优选通过非接触电力传送对该二次电池充电。
[0574]
作为二次电池，例如，可以举出利用凝胶状电解质的锂聚合物电池(锂离子聚合物电池)等锂离子二次电池、镍氢电池、镍镉电池、有机自由基电池、铅蓄电池、空气二次电池、镍锌电池、银锌电池等。
[0575]
本发明的一个方式的电子设备也可以包括天线。通过由天线接收信号，可以在显示部上显示图像或信息等。另外，在电子设备包括天线及二次电池的情况下，可以将天线用于非接触电力传送。
[0576]
图38a、图38b、图38c1、图38c2、图38d及图38e示出具有弯曲的显示部7000的电子设备的一个例子。显示部7000的显示面是弯曲的，能够沿着弯曲的显示面进行显示。显示部7000也可以具有柔性。
[0577]
显示部7000包括通过使用本发明的一个方式的具有子像素的高清晰显示部而制造的发光装置、显示装置或输入输出装置。
[0578]
通过本发明的一个方式，能够提供一种具备弯曲的显示部的电子设备。
[0579]
图38a示出移动电话机的一个例子。移动电话机7100包括框体7101、显示部7000、操作按钮7103、外部连接端口7104、扬声器7105、麦克风7106等。
[0580]
图38a所示的移动电话机7100在显示部7000中具备触摸传感器。通过用指头或触屏笔等触摸显示部7000可以进行打电话或输入文字等所有操作。
[0581]
此外，通过操作按钮7103的操作，可以进行电源的on、off工作或切换显示在显示部7000的图像的种类。例如，可以将电子邮件的编写画面切换为主菜单画面。
[0582]
图38b示出电视装置的一个例子。在电视装置7200中，在框体7201中组装有显示部7000。在此示出利用支架7203支撑框体7201的结构。
[0583]
可以通过利用框体7201所具备的操作开关或另外提供的遥控操作机7211进行图38b所示的电视装置7200的操作。另外，也可以在显示部7000中具备触摸传感器，通过用指头等触摸显示部7000可以进行显示部7000的操作。可以在遥控操作机7211中具备从该遥控操作机7211输出的数据的显示部。通过利用遥控操作机7211所具备的操作键或触摸屏，可以进行频道或音量的操作，并可以对在显示部7000上显示的图像进行操作。
[0584]
另外，电视装置7200采用具备接收机及调制解调器等的结构。可以通过利用接收机接收一般的电视广播。再者，通过调制解调器将电视装置7200连接到有线或无线方式的通信网络，从而进行单向(从发送者到接收者)或双向(发送者和接收者之间或接收者之间等)的信息通信。
[0585]
图38c1、图38c2、图38d及图38e示出便携式信息终端的一个例子。各便携式信息终端包括框体7301及显示部7000。并且，也可以包括操作按钮、外部连接端口、扬声器、麦克风、天线或电池等。显示部7000具备触摸传感器。通过用指头或触屏笔等触摸显示部7000可以进行便携式信息终端的操作。
[0586]
图38c1是便携式信息终端7300的立体图，图38c2是便携式信息终端7300的俯视图。图38d是便携式信息终端7310的立体图。图38e是便携式信息终端7320的立体图。
[0587]
本实施方式所例示出的便携式信息终端例如具有选自电话机、电子笔记本和信息阅读装置等中的一种或多种的功能。具体而言，可以将该便携式信息终端用作智能手机。该本实施方式所例示出的便携式信息终端例如可以执行移动电话、电子邮件、文章的阅读及编写、音乐播放、网络通讯、电脑游戏等各种应用程序。
[0588]
便携式信息终端7300、7310及7320可以将文字及图像信息等显示在其多个面上。例如，如图38c1及图38d所示，可以将三个操作按钮7302显示在一个面上，而将由矩形表示的信息7303显示在另一个面上。图38c1及图38c2示出在便携式信息终端的上表面显示信息的例子，而图38d示出在便携式信息终端的侧面显示信息的例子。另外，也可以在三个面以上显示信息，图38e示出在互不相同的面分别显示信息7304、信息7305及信息7306的例子。
[0589]
此外，作为信息的例子，可以举出提示收到sns(social networking services：社交网络服务)的通知、电子邮件或电话等的显示；电子邮件等的标题或发送者姓名；日期；时间；电量；以及天线接收强度等。或者，也可以在显示信息的位置显示操作按钮或图标等代替信息。
[0590]
例如，便携式信息终端7300的使用者能够在将便携式信息终端7300放在上衣口袋里的状态下确认其显示(这里是信息7303)。
[0591]
具体而言，将打来电话的人的电话号码或姓名等显示在能够从便携式信息终端
7300的上方看到这些信息的位置。使用者可以确认到该显示而无需从口袋里拿出便携式信息终端7300，由此能够判断是否接电话。
[0592]
图38f至图38h示出具有弯曲发光部的照明装置的一个例子。
[0593]
图38f至图38h所示的各照明装置所具备的发光部包括通过使用本发明的一个方式而制造的发光装置。
[0594]
通过本发明的一个方式，能够提供一种具备弯曲的发光部且可靠性高的照明装置。
[0595]
图38f所示的照明装置7400包括具有波状的发光面的发光部7402。因此，提供设计性高的照明装置。
[0596]
图38g所示的照明装置7410所包括的发光部7412采用对称地配置弯曲为凸状的两个发光部的结构。因此，可以以照明装置7410为中心全方位地进行照射。
[0597]
图38h所示的照明装置7420包括弯曲为凹状的发光部7422。因此，因为将来自发光部7422的发光聚集到照明装置7420的前面，所以适合应用于照亮特定的范围的情况。通过采用这样结构，可以发挥不容易产生影子等的效果。
[0598]
此外，照明装置7400、照明装置7410及照明装置7420所包括的各发光部也可以具有柔性。可以采用使用可塑性构件或可动框架等构件固定发光部并按照用途能够随意使发光部的发光面弯曲的结构。
[0599]
照明装置7400、照明装置7410及照明装置7420都包括具备操作开关7403的底座7401以及由底座7401支撑的发光部。
[0600]
虽然在此例示了由底座支撑发光部的照明装置，但是也可以以将具备发光部的框体固定或吊在天花板上的方式使用照明装置。由于能够在使发光面弯曲的状态下使用照明装置，因此能够使发光面以凹状弯曲而照亮特定区域或者使发光面以凸状弯曲而照亮整个房间。
[0601]
图39a1、图39a2、图39b至图39i示出具有柔性显示部7001的便携式信息终端的一个例子。
[0602]
显示部7001包括通过使用本发明的一个方式的具有子像素的高清晰显示部而制造的发光装置、显示装置或输入输出装置。例如，可以适用能够以0.01mm以上且150m以下的曲率半径弯曲的发光装置、显示装置或输入输出装置等。显示部7001也可以具备触摸传感器，可以通过用手指等接触显示部7001进行便携式信息终端的操作。
[0603]
根据本发明的一个方式，可以提供具有柔性显示部的电子设备。
[0604]
图39a1是示出便携式信息终端的一个例子的立体图，并且图39a2是示出便携式信息终端的一个例子的侧面图。便携式信息终端7500包括框体7501、显示部7001、取出构件7502、操作按钮7503等。
[0605]
便携式信息终端7500在框体7501内包括有卷成卷筒状的具有柔性的显示部7001。可以利用取出构件7502取出显示部7001。
[0606]
此外，便携式信息终端7500能够由内置的控制部接收影像信号，且能够将所接收的影像显示于显示部7001。此外，在便携式信息终端7500中内置有电池。此外，也可以采用框体7501具备连接连接器的端子部而以有线的方式从外部直接供应影像信号及电力的结构。
[0607]
此外，可以由操作按钮7503进行电源的on、off工作或显示的影像的切换等。图39a1、图39a2和图39b示出在便携式信息终端7500的侧面配置操作按钮7503的例子，但是不局限于此，也可以将操作按钮7503配置在便携式终端7500的与显示面同一的面(正面)或背面上。
[0608]
图39b示出取出显示部7001的状态的便携式信息终端7500。在这样的状态下，可以在显示部7001上显示影像。可以在图39a1所示的显示部7001的一部分被卷成卷筒状状态和图39b所示的将显示部7001取出的状态下，便携式信息终端7500进行不同显示。例如，通过在图39a1的状态下使显示部7001的被卷成卷筒状的部分处于非显示状态，可以减少便携式信息终端7500的功耗。
[0609]
另外，可以在显示部7001的侧部设置用来加固的框，以便在取出显示部7001时该显示部7001的显示面被固定为平面状。
[0610]
此外，除了该结构以外，也可以采用在框体中设置扬声器并使用与影像信号同时接收的音频信号输出声音的结构。
[0611]
图39c至图39e示出能够折叠的便携式信息终端的一个例子。图39c示出展开状态的便携式信息终端7600，图39d示出从展开状态和折叠状态中的一个状态变为另一个状态时的中途状态的便携式信息终端7600，图39e示出折叠状态的便携式信息终端7600。便携式信息终端7600在折叠状态下可携带性好，在展开状态下因为具有无缝拼接的较大的显示区域所以显示一览性强。
[0612]
显示部7001由铰链7602所连接的三个框体7601来支撑。通过铰链7602使两个框体7601之间弯折，可以从便携式信息终端7600的展开状态可逆性地变为折叠状态。
[0613]
图39f及图39g示出能够折叠的便携式信息终端的一个例子。图39f示出以使显示部7001位于内侧的方式折叠的便携式信息终端7650。图39g示出以使显示部7001位于外侧的方式折叠的便携式信息终端7650。便携式信息终端7650具有显示部7001及非显示部7651。通过在不使用便携式信息终端7650时，以使显示部7001向内侧的方式折叠，能够抑制显示部7001被弄脏或受损伤。
[0614]
图39h示出具有柔性的便携式信息终端的一个例子。便携式信息终端7700包括框体7701及显示部7001。而且，便携式信息终端可以包括用作输入单元的按钮7703a及按钮7703b、用作声音输出单元的扬声器7704a、扬声器7704b、外部连接端口7705、麦克风7706等。便携式信息终端7700也可以安装有具有柔性的电池7709。例如，也可以以与显示部7001重叠的方式配置电池7709。
[0615]
框体7701、显示部7001及电池7709具有柔性。因此，可以容易地使便携式信息终端7700弯曲为所希望的形状并使便携式信息终端7700扭曲。例如，以使显示部7001位于内侧或外侧的方式折叠并使用便携式信息终端7700。或者，可以将便携式信息终端7700卷成卷筒状并使用。如此，可以自由地使框体7701及显示部7001变形，因此便携式信息终端7700具有如下优点：即使掉落或被施加非意图的外力，也不容易破损。
[0616]
因为便携式信息终端7700是轻量的，所以在使用夹子等夹住框体7701的上部将便携式信息终端7700吊下并使用的情况或者在使用磁铁等将框体7701固定在墙上并使用的情况等各种情况下可以以良好的方便性使用便携式信息终端7700。
[0617]
图39i示出手表型的便携式信息终端的一个例子。便携式信息终端7800具有表带
7801、显示部7001、输入输出端子7802、操作按钮7803等。表带7801被用作框体。便携式信息终端7800可以安装有具有柔性的电池7805。例如，也可以与显示部7001或表带7801重叠的方式配置电池7805。
[0618]
表带7801、显示部7001及电池7805具有柔性。因此容易使便携式信息终端7800弯曲为所希望的形状。
[0619]
操作按钮7803除了时间设定之外还可以具有电源开关、无线通信的开关、静音模式的开启及关闭、省电模式的开启及关闭等各种功能。例如，通过利用组装在便携式信息终端7800中的操作系统，还可以自由地设定操作按钮7803的功能。
[0620]
通过使用指头等接触显示在显示部7001上的图标7804，可以启动应用程序。
[0621]
另外，便携式信息终端7800可以进行被通信标准化的近距离无线通信。例如，通过与可进行无线通信的耳麦相互通信，可以进行免提通话。
[0622]
此外，便携式信息终端7800也可以包括输入输出端子7802。在便携式信息终端7800包括输入输出端子7802的情况下，可以通过连接器直接与其他信息终端进行数据的交换。另外，也可以通过输入输出端子7802进行充电。另外，在本实施方式中例示出的便携式信息终端的充电工作也可以利用非接触电力传送进行，而不通过输入输出端子。
[0623]
图40a示出汽车9700的外观。图40b示出汽车9700的驾驶座。汽车9700包括车体9701、车轮9702、挡风玻璃9703等。应用本发明的一个方式的发光装置、显示装置或输入输出装置等可以用于汽车9700的显示部等。例如，可以在图40b所示的显示部9710至显示部9715中设置应用本发明的一个方式的发光装置等。
[0624]
显示部9712是设置在立柱部分的显示装置。例如，通过将来自设置在车体的成像单元的影像显示在显示部9712，可以补充被立柱遮挡的视野。显示部9713是设置在仪表盘部分的显示装置。例如，通过将来自设置在车体的成像单元的影像显示在显示部9713，可以补充被仪表盘遮挡的视野。即，通过显示来自设置在汽车外侧的成像单元的影像，可以补充死角，从而提高安全性。另外，通过显示补充看不到的部分的影像，可以更自然、更自在地确认安全。
[0625]
另外，图40c示出作为驾驶座和副驾驶座采用了长条座椅的汽车室内。显示部9721是设置于车门部位的显示装置。例如,通过将设置于车体外侧的成像单元所拍摄的影像显示在显示部9721，可以补充被车门遮挡的视野。另外，显示部9722是设置于方向盘的显示装置。显示部9723是设置于横排长座的座位中央部的显示装置。注意，通过将显示装置设置于座椅或靠背等并以该显示装置的发热为热源，可以将该显示装置用作座椅加热器。
[0626]
显示部9714、显示部9715或显示部9722可以提供导航信息、速度计、转速计、里程、油量表、换挡指示灯、空调的设定以及其他各种信息。另外，使用者可以适当地改变显示部所显示的显示内容及布置等。另外，显示部9712、显示部9713、显示部9721、显示部9723也可以显示上述信息。显示部9713至显示部9715、显示部9721至显示部9723还可以被用作照明装置。
[0627]
平面显示部可以包括通过使用本发明的一个方式而制造的发光装置、显示装置或输出输入装置。
[0628]
图40d所示的便携式游戏机包括框体9801、框体9802、显示部9803、显示部9804、麦克风9805、扬声器9806、操作键9807以及触屏笔9808等。
[0629]
图40d所示的便携式游戏机包括两个显示部(显示部9803和显示部9804)。注意，本发明的一个方式的电子设备所包括的显示部的数量不局限于两个，而可以包括一个或三个以上的显示部。在电子设备包括多个显示部的情况下，至少一个显示部包括应用本发明的一个方式的发光装置、显示装置、或输入输出装置等。
[0630]
图40e示出笔记本式个人计算机，该笔记本式个人计算机包括框体9821、显示部9822、键盘9823、指向装置9824等。
[0631]
本实施方式所示的结构、方法及驱动时序可以与其他实施方式所示的结构、方法及驱动时序适当地组合而使用。
[0632]
本实施方式可以与本说明书所示的其他实施方式适当地组合。
[0633]
例如，在本说明书等中，当明确地记载为“x与y连接”时，在本说明书等中公开了如下情况：x与y电连接的情况；x与y在功能上连接的情况；以及x与y直接连接的情况。因此，不局限于附图或文中所示的连接关系等规定的连接关系，附图或文中所示的连接关系以外的连接关系也记载于附图或文中。
[0634]
在此，x和y为对象物(例如，装置、元件、电路、布线、电极、端子、导电膜、层等)。
[0635]
作为x与y直接连接的情况的一个例子，可以举出在x与y之间没有连接能够电连接x与y的元件(例如开关、晶体管、电容元件、电感器、电阻元件、二极管、显示元件、发光元件和负载等)，并且x与y没有通过能够电连接x与y的元件(例如开关、晶体管、电容元件、电感器、电阻元件、二极管、显示元件、发光元件和负载等)连接的情况。
[0636]
作为x和y电连接的情况的一个例子，可以在x和y之间连接一个以上的能够电连接x和y的元件(例如开关、晶体管、电容元件、电感器、电阻元件、二极管、显示元件、发光元件、负载等)。此外，开关具有控制导通或关闭的功能。换言之，开关具有其成为导通状态(开启状态)或非导通状态(关闭状态)而控制是否使电流流过的功能。或者，开关具有选择并切换电流路径的功能。另外，x和y电连接的情况包括x与y直接连接的情况。
[0637]
作为x和y在功能上连接的情况的一个例子，可以在x和y之间连接一个以上的能够在功能上连接x和y的电路(例如，逻辑电路(反相器、nand电路、nor电路等)、信号转换电路(da转换电路、ad转换电路、γ(伽马)校正电路等)、电压电平转换电路(电源电路(升压电路、降压电路等)、改变信号的电压电平的电平转换器电路等)、电压源、电流源、切换电路、放大电路(能够增大信号振幅或电流量等的电路、运算放大器、差动放大电路、源极跟随电路、缓冲器电路等)、信号产生电路、存储电路、控制电路等)。注意，例如，即使在x与y之间夹有其他电路，当从x输出的信号传送到y时，也可以说x与y在功能上是连接着的。另外，x与y在功能上连接的情况包括x与y直接连接的情况及x与y电连接的情况。
[0638]
此外，当明确地记载为“x与y电连接”时，在本说明书等中公开了如下情况：x与y电连接的情况(换言之，以中间夹有其他元件或其他电路的方式连接x与y的情况)；x与y在功能上连接的情况(换言之，以中间夹有其他电路的方式在功能上连接x与y的情况)；以及x与y直接连接的情况(换言之，以中间不夹有其他元件或其他电路的方式连接x与y的情况)。换言之，当明确记载为“电连接”时，在本说明书等中公开了与只明确记载为“连接”的情况相同的内容。
[0639]
注意，例如，在晶体管的源极(或第一端子等)通过z1(或没有通过z1)与x电连接，晶体管的漏极(或第二端子等)通过z2(或没有通过z2)与y电连接的情况下以及在晶体管的
源极(或第一端子等)与z1的一部分直接连接，z1的另一部分与x直接连接，晶体管的漏极(或第二端子等)与z2的一部分直接连接，z2的另一部分与y直接连接的情况下，可以表示为如下。
[0640]
例如，可以表示为“x、y、晶体管的源极(或第一端子等)及晶体管的漏极(或第二端子等)互相电连接，并按x、晶体管的源极(或第一端子等)、晶体管的漏极(或第二端子等)及y的顺序电连接”。或者，可以表示为“晶体管的源极(或第一端子等)与x电连接，晶体管的漏极(或第二端子等)与y电连接，x、晶体管的源极(或第一端子等)、晶体管的漏极(或第二端子等)与y依次电连接”。或者，可以表示为“x通过晶体管的源极(或第一端子等)及漏极(或第二端子等)与y电连接，x、晶体管的源极(或第一端子等)、晶体管的漏极(或第二端子等)、y依次设置为相互连接”。通过使用与这种例子相同的表示方法规定电路结构中的连接顺序，可以区别晶体管的源极(或第一端子等)与漏极(或第二端子等)而决定技术范围。
[0641]
另外，作为其他表示方法，例如可以表示为“晶体管的源极(或第一端子等)至少通过第一连接路径与x电连接，上述第一连接路径不具有第二连接路径，上述第二连接路径是晶体管的源极(或第一端子等)与晶体管的漏极(或第二端子等)之间的路径，上述第一连接路径是通过z1的路径，晶体管的漏极(或第二端子等)至少通过第三连接路径与y电连接，上述第三连接路径不具有上述第二连接路径，上述第三连接路径是通过z2的路径”。或者，也可以表示为“晶体管的源极(或第一端子等)至少在第一连接路径上通过z1与x电连接，上述第一连接路径不具有第二连接路径，上述第二连接路径具有通过晶体管的连接路径，晶体管的漏极(或第二端子等)至少在第三连接路径上通过z2与y电连接，上述第三连接路径不具有上述第二连接路径”。或者，也可以表示为“晶体管的源极(或第一端子等)至少经过第一电路径，通过z1与x电连接，上述第一电路径不具有第二电路径，上述第二电路径是从晶体管的源极(或第一端子等)到晶体管的漏极(或第二端子等)的电路径，晶体管的漏极(或第二端子等)至少经过第三电路径，通过z2与y电连接，上述第三电路径不具有第四电路径，上述第四电路径是从晶体管的漏极(或第二端子等)到晶体管的源极(或第一端子等)的电路径”。通过使用与这些例子同样的表述方法规定电路结构中的连接路径，可以区别晶体管的源极(或第一端子等)和漏极(或第二端子等)来确定技术范围。
[0642]
注意，这种表示方法是一个例子，不局限于上述表示方法。在此，x、y、z1及z2为对象物(例如，装置、元件、电路、布线、电极、端子、导电膜及层等)。
[0643]
另外，即使在电路图上独立的构成要素彼此电连接，也有时一个构成要素兼有多个构成要素的功能。例如，在布线的一部分用作电极时，一个导电膜兼有布线和电极的两个构成要素的功能。因此，本说明书中的“电连接”的范畴内还包括这种一个导电膜兼有多个构成要素的功能的情况。符号说明
[0644]
af1 取向膜af2 取向膜c1 电容元件c2 电容元件cf1 着色膜f1 帧
f2 帧f3 帧f21 时序图f22 时序图g1 扫描线g2 扫描线g3 扫描线kb1 结构体m_1 晶体管m_2 晶体管m_3 晶体管s1 信号线s2 信号线sw1 晶体管sw1_1 晶体管sw1_2 晶体管sw1b 晶体管sw2 晶体管sw2_1 晶体管sw2_2 晶体管sw3 晶体管20 选择电路21 判定电路22 判定电路25 电路26 缓冲器电路26a 缓冲器电路26b 缓冲器电路30 选择信号输出电路110 栅极驱动器110a 栅极驱动器110b 栅极驱动器110c 栅极驱动器110d 栅极驱动器111 移位寄存器电路111a 移位寄存器电路111b 移位寄存器电路111c 移位寄存器电路111d 移位寄存器电路
120 显示部121 液晶显示区域122 发光显示区域122a 发光显示区域501 os晶体管502 os晶体管510 氧化物层511 金属氧化物层512 金属氧化物层513 金属氧化物层521 绝缘层522 绝缘层523 绝缘层524 绝缘层525 绝缘层526 绝缘层527 绝缘层528 绝缘层529 绝缘层550 导电层550a 导电层550b 导电层550c 导电层551 导电层552 导电层553 导电层553a 导电层553b 导电层601c 绝缘膜604 导电膜605 接合层606 绝缘膜608 半导体膜608a 区域608b 区域608c 区域611b 导电膜611c 导电膜612a 导电膜
612b 导电膜616 绝缘膜618 绝缘膜619b 端子619c 端子620 功能层621 绝缘膜622 连接部624 导电膜628 绝缘膜650 显示元件650c 像素电路651 电极652 电极653 层670 衬底671 电极691a 开口691b 开口691c 开口700 显示装置700b 显示装置701 显示装置702 显示装置705 密封剂710c 像素电路720c 像素电路750 显示元件750c 像素电路751 电极751h 开口752 电极753 层770 衬底770p 功能膜771 绝缘膜800 显示模块801 上盖802 下盖
803 fpc804 触摸面板805 fpc806 显示面板809 框架810 印刷电路板811 电池850 ic851 驱动电路852 检测电路854 电容元件6000 电子构件6001 引线6002 印刷电路板6004 电路衬底6100 半导体晶片6102 电路区域6104 分离区域6106 分离线6110 芯片7000 显示部7001 显示部7100 移动电话机7101 框体7103 操作按钮7104 外部连接端口7105 扬声器7106 麦克风7200 电视装置7201 框体7203 支架7211 遥控操作机7300 便携式信息终端7301 框体7302 操作按钮7303 信息7304 信息7305 信息7306 信息
7310 便携式信息终端7320 便携式信息终端7400 照明装置7401 底座7402 发光部7403 操作开关7410 照明装置7412 发光部7420 照明装置7422 发光部7500 便携式信息终端7501 框体7502 构件7503 操作按钮7600 便携式信息终端7601 框体7602 铰链7650 便携式信息终端7651 非显示部7700 便携式信息终端7701 框体7703a 按钮7703b 按钮7704a 扬声器7704b 扬声器7705 外部连接端口7706 麦克风7709 电池7800 便携式信息终端7801 表带7802 输入输出端子7803 操作按钮7804 图标7805 电池9700 汽车9701 车身9702 车轮9703 挡风玻璃9710 显示部
9712 显示部9713 显示部9714 显示部9715 显示部9721 显示部9722 显示部9723 显示部9801 框体9802 框体9803 显示部9804 显示部9805 麦克风9806 扬声器9807 操作键9808 触屏笔9821 框体9822 显示部9823 键盘9824 指向装置