锥形半导体激光器分离电极热沉的制作方法

技术特征：
1.一种锥形半导体激光器分离电极热沉，包括：散热基底，设置有凹槽，能够为设置于所述凹槽底部的半导体激光器芯片进行散热；绝缘体组，包括两个绝缘体，对应设置于所述半导体激光器芯片两侧的凹槽底部；以及分离电极，用于为所述半导体激光器芯片供电，包括位于每个所述绝缘体表面且通过绝缘凹槽相隔设置的mo电极单元和pa电极单元。2.根据权利要求1所述的锥形半导体激光器分离电极热沉，其中，所述分离电极包括：第一长方体电极和第二长方体电极；所述第一长方体电极与所述第二长方体电极各自的一侧与所述绝缘体连接，各自的另一侧的表面进行了镀金处理，相对应形成第一导电侧与第二导电侧。3.根据权利要求2所述的锥形半导体激光器分离电极热沉，其中，所述第一导电侧设置有将其分为两部分的第一绝缘凹槽，并形成靠近所述半导体激光器芯片的第一内侧电极与远离所述半导体激光器芯片的第一外侧电极；所述第二导电侧设置有将其分为两部分的第二绝缘凹槽，并形成靠近所述半导体激光器芯片的第二内侧电极与远离所述半导体激光器芯片的第二外侧电极；所述第一绝缘凹槽与所述第二绝缘凹槽相对于所述半导体激光器芯片为对称结构；所述第一内侧电极与所述第二内侧电极形成第一电极组，所述第一电极组用于对锥形半导体激光器锥形区施加电流；所述第一外侧电极与所述第二外侧电极形成第二电极组，所述第二电极组用于对锥形半导体激光器脊形波导区施加电流。4.根据权利要求3所述的锥形半导体激光器分离电极热沉，其中，所述第一内侧电极、所述第一外侧电极、所述第二内侧电极及所述第二外侧电极均在其导电侧设置有电极柱；各所述电极柱的一端与相对应的电极导电侧连接，各所述电极柱的另一端进行中空处理，形成各自的电极柱中空端，用于连接外部电源。5.根据权利要求4所述的锥形半导体激光器分离电极热沉，还包括：上盖板，设置有多个固定孔，所述固定孔与所述散热基底设有的螺纹孔相对应，能够通过螺栓固定所述上盖板；所述上盖板还设有能够将各所述电极柱中空端穿入的电极柱限位孔。6.根据权利要求5所述的锥形半导体激光器分离电极热沉，还包括：绝缘子：能够套接于所述电极柱中空端与所述电极柱限位孔之间，用于防止电极柱与上盖板电连通。7.根据权利要求1所述的锥形半导体激光器分离电极热沉，其中，每个所述mo电极单元包括mo电极和设置于所述mo电极上的电极柱；每个所述pa电极单元包括pa电极和设置于所述pa电极上的电极柱。8.根据权利要求7所述的锥形半导体激光器分离电极热沉，其中，所述mo电极和所述pa电极能够分别对所述锥形半导体激光器芯片进行供电。9.根据权利要求7所述的锥形半导体激光器分离电极热沉，其中，所述mo电极能够对锥形半导体激光器芯片的脊形波导区施加电流；所述pa电极能够对锥形半导体激光器芯片的锥型区施加电流。10.根据权利要求1所述的锥形半导体激光器分离电极热沉，其中，所述散热基底，为散
热性能良好的材料，且为铜材料。

技术总结
本公开提供一种锥形半导体激光器分离电极热沉，包括：散热基底，设置有凹槽，能够为设置于所述凹槽底部的半导体激光器芯片进行散热；绝缘体组，包括两个绝缘体，对应设置于所述半导体激光器芯片两侧的凹槽底部；以及分离电极，用于为所述半导体激光器芯片供电，包括位于每个所述绝缘体表面且通过绝缘凹槽相隔设置的MO电极单元和PA电极单元。改善了锥形激光器高功率输出时，由于所加在脊形区电流过大导致的模式跳变，输出功率曲线扭曲的现象，提升了锥形半导体激光器高功率输出时的光束质量。了锥形半导体激光器高功率输出时的光束质量。了锥形半导体激光器高功率输出时的光束质量。


技术研发人员：张娜玲 袁庆贺 井红旗 仲莉 刘素平 马骁宇
受保护的技术使用者：中国科学院半导体研究所
技术研发日：2021.04.22
技术公布日：2021/10/19