关于N型硅片测试寿命、样品厚度与体寿命之间对应关系的方法与流程

技术特征：
1.关于n型硅片测试寿命、样品厚度与体寿命之间对应关系的方法，其特征在于，包括以下步骤：s1：在n型单晶硅棒的一端用内圆切断机连续取样，切割成厚度不同的硅片，厚度在0.8
‑
2.8mm不等，共20个试验片：s2：将这20片硅片经过碱腐蚀，纯水清洗10分钟，再混合酸腐蚀成镜面，腐蚀厚度大于200μm，再纯水冲洗10分钟；s3：将这20硅片从纯水槽中拿出用氮气吹干水渍，再测量厚度，用聚丙烯袋装好；s4：将这20片硅片用2.5～5%碘酒钝化后分别测量相应硅片的少子寿命；s5：根据测试寿命及样块厚度的测试数据，利用数学统计工具，回归分析出厚度和测试寿命与体寿命的对应关系。2.根据权利要求1所述的关于n型硅片测试寿命、样品厚度与体寿命之间对应关系的方法，其特征在于，所述s5中样品厚度、测试寿命与体寿命之间的对应关系为：d≥2.5mm时，τ
bulk
=τ
meas
ꢀꢀ
公式（1）当d＜2.5mm时，τ
bulk
=τ
meas
y，而y可以通过d推算，其计算公式如下：y=51.96 522.6x
ꢀꢀ
公式（2）x=2.5
‑
d其中：y表示补偿寿命，d为样品厚度，x表示样品厚度与2.5mm的差值；τ
bulk
=τ
meas
51.96 522.6(2.5
‑
d)
ꢀꢀ
公式（3）其中：τ
bulk
表示体寿命，τ
meas
表示测试寿命，d表示样品厚度。3.根据权利要求1所述的关于n型硅片测试寿命、样品厚度与体寿命之间对应关系的方法，其特征在于，所述s1中的n型单晶硅棒电阻率＞1ω.cm，长200～300mm。4.根据权利要求1所述的关于n型硅片测试寿命、样品厚度与体寿命之间对应关系的方法，其特征在于，所述s4中不同硅片的测试寿命经少子寿命测试仪测试得到。

技术总结
本发明涉及一种关于N型硅片测试寿命、样品厚度与体寿命之间对应关系的方法，本发明有效解决现有技术手段在针对厚度较小硅片进行寿命测量时所测得的寿命与其真实体寿命偏差较大的问题；解决的技术方案包括：本发明通过试验N型硅片测试寿命、样品厚度与体寿命之间对应关系进而得出测试寿命、样品厚度与体寿命之间的对应关系式，通过本方案，可以通过测量任一厚度的硅片的测试寿命，进而精准的推算出样品的体寿命，从而实现了更好的管控硅抛光片少子寿命的效果。少子寿命的效果。少子寿命的效果。


技术研发人员：方丽霞 张奇 田素霞 张倩 刘丽娟
受保护的技术使用者：麦斯克电子材料股份有限公司
技术研发日：2021.07.08
技术公布日：2021/10/26