基于旋转式光伏晶片双面清洗设备的制作方法

技术特征：
1.基于旋转式光伏晶片双面清洗设备，其特征在于，至少包括：顶部清洗机构(100)，所述顶部清洗机构(100)包括清洗架(110)，所述清洗架(110)底部转动设有毛刷辊(120)，所述毛刷辊(120)端部连接有转动电机(121)输出轴；底部边缘打扫机构(200)，所述底部边缘打扫机构(200)设置有对称的两个，所述底部边缘打扫机构(200)包括连接架(210)，所述连接架(210)固定在所述清洗架(110)靠近端部的底部，所述连接架(210)内表面开设有调节槽(211)，所述调节槽(211)内部转动设有调节丝杆(212)，所述调节丝杆(212)端部转动伸出所述调节槽(211)内部，且固定连接转盘(213)，所述调节丝杆(212)外壁滑动设有打扫架(220)，所述打扫架(220)外壁设有调节板(222)，所述调节板(222)与所述调节丝杆(212)外壁螺纹配合连接，所述打扫架(220)内部转动设有打扫辊(221)，所述打扫辊(221)外壁等间距设有多个打扫毛刷(2211)，所述打扫辊(221)端部连接有打扫电机(2212)。2.根据权利要求1所述的基于旋转式光伏晶片双面清洗设备，其特征在于：所述连接架(210)内表面开设有转槽(230)，所述转槽(230)内部转动设有多个滚轮(231)，所述滚轮(231)用于滚动在光伏晶片外壁。3.根据权利要求1所述的基于旋转式光伏晶片双面清洗设备，其特征在于：所述打扫架(220)内腔底部插设有收集箱(223)，所述收集箱(223)内壁设有引风机(2230)，所述收集箱(223)顶部设有过滤网(224)，所述过滤网(224)采用网孔直径为0.5
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1.0mm的聚氨酯滤网制成，所述过滤网(224)底部与所述收集箱(223)顶部之间固定连接有缓冲弹簧(2240)。4.根据权利要求3所述的基于旋转式光伏晶片双面清洗设备，其特征在于：所述收集箱(223)顶部边缘处开设有空腔(2231)，所述空腔(2231)内部转动有偏心齿轮(2232)，所述偏心齿轮(2232)端部连接有联动电机(2233)，所述偏心齿轮(2232)外壁与所述过滤网(224)底部紧密贴合。5.根据权利要求1所述的基于旋转式光伏晶片双面清洗设备，其特征在于：所述清洗架(110)包括两个对称的固定架(111)，其中一个所述固定架(111)顶部开设有凹槽(113)，另一个所述固定架(111)端部固定连接有活动板(112)，所述活动板(112)滑动在所述固定架(111)内部。6.根据权利要求5所述的基于旋转式光伏晶片双面清洗设备，其特征在于：所述活动板(112)靠近端部的外壁设有移动板(1120)，所述凹槽(113)内壁转动设有移动丝杆(114)，所述移动丝杆(114)表面与所述移动板(1120)表面螺纹配合连接，所述移动丝杆(114)端部连接有移动电机(1140)。7.根据权利要求1所述的基于旋转式光伏晶片双面清洗设备，其特征在于：所述清洗架(110)前表面设有洒水装置(130)，所述洒水装置(130)包括两个对称的固定箱(131)，所述固定箱(131)底部等间距开设有多个出水口(1310)，所述固定箱(131)端部连通有输水管(133)，所述输水管(133)端部通过水泵连通有水箱(134)，所述水箱(134)外壁固定在所述清洗架(110)端部。8.根据权利要求7所述的基于旋转式光伏晶片双面清洗设备，其特征在于：两个所述固定箱(131)均为中空结构，其中一个所述固定箱(131)端部连通有活动箱(132)，所述活动箱(132)滑动在另一个所述固定箱(131)内部，所述活动箱(132)底部连通有多个连通孔(1320)。
9.根据权利要求1所述的基于旋转式光伏晶片双面清洗设备，其特征在于：所述毛刷辊(120)包括两个对称的转杆(122)，所述转杆(122)外壁设有多个清洗毛刷(1220)，其中一个所述转杆(122)内部开设有滑槽(123)，所述滑槽(123)内部滑动设有滑杆(124)，所述滑杆(124)端部固定连接另一个所述转杆(122)端部，所述滑杆(124)外壁设有多个延伸毛刷(1240)，所述延伸毛刷(1240)采用尼龙材质。

技术总结
本发明涉及光伏晶片技术领域，具体地说，涉及基于旋转式光伏晶片双面清洗设备及其清洗方法。其至少包括：顶部清洗机构，顶部清洗机构包括清洗架，清洗架底部转动设有毛刷辊，底部边缘打扫机构，底部边缘打扫机构包括连接架，连接架固定在清洗架靠近端部的底部，连接架内表面开设有调节槽，调节槽内部转动设有调节丝杆，调节丝杆外壁滑动设有打扫架，打扫架外壁设有调节板，调节板与调节丝杆外壁螺纹配合连接，打扫架内部转动设有打扫辊，打扫辊外壁等间距设有多个打扫毛刷，本发明可以对光伏晶片上表面清洗的同时打扫底部边缘处，清理效果更佳，有利于降低劳动强度，且可以根据光伏晶片的长度调节清洗的范围。晶片的长度调节清洗的范围。晶片的长度调节清洗的范围。


技术研发人员：钱诚 田晓东 冯春
受保护的技术使用者：江苏亚电科技有限公司
技术研发日：2021.06.25
技术公布日：2021/10/23