全面屏结构以及用于屏下摄像头的OLED显示面板的制作方法

全面屏结构以及用于屏下摄像头的oled显示面板
技术领域
1.本技术涉及显示技术领域，具体涉及一种全面屏结构以及用于屏下摄像头的oled显示面板。


背景技术：

2.显示面板，如有机发光二极管(organic light
‑
emitting diode，简称：oled)因其在固态照明和平板显示的方向拥有巨大的发展潜力而得到了学术界和产业界的极大关注，有机发光二极管(oled)平板可以做的更轻更薄。
3.oled作为新型显示技术，具有其它一些显示技术所无以比拟的诸多优势，如广视角、高对比度、快响应、低功耗、可折叠和柔性等，因而在新世代显示器中具有强有力的竞争力。随着oled技术的广泛发展和应用深入，对具有更优视觉体验的高屏占比(甚至全面屏)显示屏的追求已成为当前显示技术发展的潮流之一。目前的全面屏设计是设置屏下摄像头，将屏下摄像头设置在oled显示面板的下方。
4.但是，由于屏下摄像头需要感光才能实现摄像功能，而光线要经过oled显示面板才能达到屏下摄像头，由于oled显示面板透光性以及内部构造的影响，严重影响屏下摄像头的摄像品质，造成所摄得的图像模糊。


技术实现要素：

5.本技术提供一种用于屏下摄像头的oled显示面板，能够提高屏下摄像头的摄像品质，解决所摄图像模糊的问题。
6.根据本技术的第一方面，一种实施例中提供一种用于屏下摄像头的oled显示面板，包括：摄像头区域；
7.所述摄像头区域包括：显示功能区以及感应区，其中，所述显示功能区包括依次层叠设置的衬底基板层、tft阵列器件层、发光功能层以及背板层；
8.所述感应区能够透光，包括依次层叠设置的衬底基板层、层间介质以及背板层，所述感应区的底部用于设置屏下摄像头。
9.可选的，所述tft阵列器件层包括第一部分阵列和第二部分阵列，所述第一部分阵列和所述第二部分阵列能够实现对所述发光功能层的发光状态的控制。
10.可选的，所述显示功能区包括发光区和非发光区，所述发光功能层位于所述发光区。
11.可选的，所述第一部分阵列和/或所述第二部分阵列位于所述发光区和/或所述非发光区。
12.可选的，当所述第一部分阵列和所述第二部分阵列同时位于所述发光区时，所述第一部分阵列位于所述第二部分阵列的上方或者下方，所述非发光区与所述感应区重合，底部用于设置屏下摄像头。
13.可选的，所述第一部分阵列和/或所述第二部分阵列为顶栅结构、背栅结构或双栅
结构。
14.可选的，所述发光功能层包括：按照远离所述tft阵列器件层的方向依次层叠设置的阳极层、发光层和阴极层，所述阳极层和所述阴极层在电场的作用下，所述发光层能够发光。
15.可选的，所述衬底基板层和/或所述背板层为硅、玻璃、聚酰亚胺或涤纶树脂。
16.根据本技术的第二方面，一种实施例中一种全面屏结构，包括：第一方面任一所述的oled显示面板。
17.可选的，还包括：可操控面板，用于显示和控制，所述可操控面板包括：依次层叠设置的衬底基板层、tft阵列器件层、发光功能层以及背板层。
18.依据上述实施例的全面屏结构以及用于屏下摄像头的oled显示面板，包括：摄像头区域，摄像头区域包括：显示功能区以及感应区，其中，感应区能够透光，包括衬底基板层、层间介质以及背板层，感应区的底部用于设置屏下摄像头。由于将屏下摄像头设置在感应区，此感应区中不布置tft阵列，从而能够保障光线直接穿过显示面板至屏下摄像头，避免光线经过tft阵列，不会在屏下摄像头处形成衍射和干涉图形，降低对屏下摄像头的摄像品质的影响。
附图说明
19.图1为现有技术中的oled显示面板的结构示意图；
20.图2为本实用新型一实施例提供的全面屏示意图；
21.图3为本实用新型一实施例提供的oled显示面板的结构示意图；
22.图4为本实用新型另一实施例提供的oled显示面板的结构示意图。
具体实施方式
23.下面通过具体实施方式结合附图对本技术作进一步详细说明。其中不同实施方式中类似元件采用了相关联的类似的元件标号。在以下的实施方式中，很多细节描述是为了使得本技术能被更好的理解。然而，本领域技术人员可以毫不费力的认识到，其中部分特征在不同情况下是可以省略的，或者可以由其他元件、材料、方法所替代。在某些情况下，本技术相关的一些操作并没有在说明书中显示或者描述，这是为了避免本技术的核心部分被过多的描述所淹没，而对于本领域技术人员而言，详细描述这些相关操作并不是必要的，他们根据说明书中的描述以及本领域的一般技术知识即可完整了解相关操作。
24.另外，说明书中所描述的特点、操作或者特征可以以任意适当的方式结合形成各种实施方式，各实施例所涉及的操作步骤也可以按照本领域技术人员所能显而易见的方式进行顺序调换或调整。因此，说明书和附图只是为了清楚描述某一个实施例，并不意味着是必须的组成和/或顺序。
25.本文中为部件所编序号本身，例如“第一”、“第二”等，仅用于区分所描述的对象，不具有任何顺序或技术含义。而本技术所说“连接”、“联接”，如无特别说明，均包括直接和间接连接（联接）。
26.由背景技术可知，现有技术中用于屏下摄像头的oled显示面板会影响屏下摄像头的拍摄品质，造成所摄得的图像模糊。
27.参考图1，目前的全面屏结构或是屏下摄像头的oled显示面板中，为了实现屏下摄像头能够实现摄像的功能，是在oled显示面板中国预留出发光区和非发光区，可以理解为发光区是像素区，其中设置有发光层，使得光线（图中底部箭头表示）无法穿透显示面板。非发光区是非像素区，这部分区域的光线是可以透过oled显示面板的，将屏下摄像头设置在该非发光区，不影响屏下摄像头的感光。但是，经研究发现，无论显示面板的非发光区还是发光区，都布置有薄膜晶体管阵列，即使屏下摄像头设置在非发光区，非发光区的透光率也较低，而且由于目前的tft（thin film transistor，薄膜晶体管）阵列的线宽越来越接近可见光波长，这会使得在屏下摄像头处形成衍射和干涉图形，从而严重影响屏下摄像头的摄像品质。
28.在本实施例中的一种全面屏结构或者用于屏下摄像头的oled显示面板中，在显示面板中设置感应区，将屏下摄像头设置在感应区，此感应区中不布置tft阵列，从而能够保障光线直接穿过显示面板至屏下摄像头，避免光线经过tft阵列，不会在屏下摄像头处形成衍射和干涉图形，降低对屏下摄像头的摄像品质的影响。或者，将原本非发光区的部分tft阵列布置在发光区，这样就能够保障光线直接穿过显示面板至屏下摄像头，避免光线经过tft阵列，不会在屏下摄像头处形成衍射和干涉图形，降低对屏下摄像头的摄像品质的影响。
29.可知，在全面屏结构中需要设置屏下摄像头，因此，可以将全面屏结构中划分出一个摄像头区域1，摄像头区域1的底部可以设置摄像头，其他区域为正常的oled显示面板，可以不考虑放置屏下摄像头。可以理解的是，摄像头区域1可以根据需要在该全面屏结构的任何区域。
30.请结合参考图2，本实施例中提供一种用于屏下摄像头的oled显示面板，包括：摄像头区域1。
31.参考图3或图4，摄像头区域1包括：显示功能区c以及感应区d，其中，显示功能区c包括依次层叠设置的衬底基板层100、tft阵列器件层200、发光功能层300以及背板层400。
32.感应区d包括衬底基板层100和背板层400，其中，衬底基板层100和背板层400之间不设置tft阵列，只有能够透光的层间介质，例如，该层间介质可以包括氧化硅。感应区d的下方能够设置屏下摄像头500。由于感应区d中没有任何tft阵列器件，使得感应区d在屏下摄像头的垂直投影中没有任何衍射或干涉现象的发生。因此，避免了tft阵列会在屏下摄像头500上形成衍射和干涉图形，能够提高屏下摄像头500的摄像品质。
33.本实施例中，发光功能层包括：按照远离tft阵列器件层200的方向依次层叠设置的阳极层、发光层和阴极层，阳极层和阴极层在电场的作用下，发光层能够发光。阳极层、发光层和阴极层形成像素区，能够发光。
34.本实施例中，显示功能区可以分为发光区c2和非发光区c1。
35.可以形成的结构如图3所示，tft阵列器件层中的所有阵列器件分布在发光区和非发光区，而只有发光区中设置发光功能层300，可以将设置有发光功能层300的非发光区理解为像素点区，没有设置发光功能层300的发光区理解为非像素点区。
36.由于用于屏下摄像头的oled显示面板在实际的设计过程中，为了提高其像素，需要越多的像素点，因此发光点较多，则所需要的tft阵列器件的数量也较多，即tft阵列器件层200中具有多个tft阵列器件。
37.本实施例中，将tft阵列器件层200分成两组，分别为：第一部分阵列201和第二部分阵列202，第一部分阵列201和第二部分阵列202都是能够实现对发光功能层的发光状态的控制的tft阵列器件。
38.本实施例中，将tft阵列器件层包括第一部分阵列201和第二部分阵列202，第一部分阵列201和/或第二部分阵列202位于发光区c2和/或非发光区c1。
39.例如，上述中的，将第一部分阵列201和第二部分阵列202同时分布设置在发光区和非发光区（例如，图3所示的情况，第一部分阵列设置在非发光区c1，第二部分阵列设置在发光区c2）。这种将第一部分阵列201和第二部分阵列202分别设置在发光区、非发光区的方式，使得像素点的数量受限，再加上感应区d所占用的显示面板面积，像素点的设置数量可能会少。
40.本实施例中，将第一部分阵列201和第二部分阵列202均设置在发光区c2，此时，感应区d与非发光区c1重合。
41.如图4所示，将第一部分阵列201和第二部分阵列202均设置在发光区c2，其中，第一部分阵列201设置在第二部分阵列202的上方，这样，原非发光区就可以节约出来，视为感应区d，该区域用来设置屏下摄像头500。在形成tft阵列器件层200时，先形成一部分其中的阵列器件后再其上再形成另一部分的阵列器件，这样可以最大限度的利用显示面板的面积，形成较多数量的像素点，不仅能够提高屏下摄像头500的摄像质量，还能够提高该显示面板的像素。
42.本实施例中，第一部分阵列可以是顶栅结构、背栅结构或双栅结构的tft阵列器件，第二部分阵列也可以为顶栅结构、背栅结构或双栅结构的tft阵列器件。
43.本实施例中，衬底基板层和背板层的材料可以相同，可以为oled显示面板中的各个器件层形成保护，衬底基板层的材料可以是硅、玻璃、聚酰亚胺或涤纶树脂，背板层的材料可以是硅、玻璃、聚酰亚胺或涤纶树脂。
44.本实施例中，还提供一种全面屏结构，包括上述中的oled显示面板。该全面屏结构可以是多种显示面板的组合，例如，参考图2，还可以包括可操控面板2，用于显示和控制，操作面板2可以和上述中oled显示面板中的显示功能区相同，包括：依次层叠设置的衬底基板层、tft阵列器件层、发光功能层以及背板层，在此操作面板2的结构中，不需要为屏下摄像头留出感应区。也可以将tft阵列器件层分为多组，并设置每组阵列彼此平行，以提高屏幕中像素点的利用率。
45.上述中的全面屏结构以及用于屏下摄像头的oled显示面板，用于在底部布置屏下摄像头的感应区d中不设置任何tft阵列，具体的，可以通过多设置一块不设置tft阵列的感应区，或者通过将原本非发光区的第一部分阵列移至发光区，与原发光区的第二部分阵列平行设置，从而原本非发光区的面积可以留出来作为感应区，在其底部设置屏下摄像头。这样就能够保障光线直接穿过显示面板至屏下摄像头，不会在屏下摄像头处形成衍射和干涉图形，降低对屏下摄像头的摄像品质的影响，提升屏下摄像头的摄像质量。
46.以上应用了具体个例对本实用新型进行阐述，只是用于帮助理解本实用新型，并不用以限制本实用新型。对于本实用新型所属技术领域的技术人员，依据本实用新型的思想，还可以做出若干简单推演、变形或替换。