存储阵列的制作方法

技术特征：

1.一种存储阵列，其特征在于，包括硅衬底、控制电路，以及至少一层阵列排布的存储器单元；

所述控制电路设置于所述硅衬底上，至少一层所述存储器单元层叠设置于所述硅衬底上或所述控制电路远离所述硅衬底的一侧；

所述存储器单元包括选通器；

其中，所述选通器包括二维材料制备的基底。

2.根据权利要求1所述的存储阵列，其特征在于，还包括至少一层导电层；至少一层所述存储器单元层叠设置于所述控制电路远离所述硅衬底的一侧；沿所述硅衬底的厚度方向，所述导电层设置于所述控制电路与所述存储器单元之间，所述控制电路通过所述导电层与所述存储器单元连接。

3.根据权利要求1所述的存储阵列，其特征在于，还包括至少一层导电层，所述导电层设置于所述硅衬底上；至少一层所述存储器单元层叠设置于所述硅衬底上，所述控制电路通过所述导电层与所述存储器单元连接。

4.根据权利要求2或3所述的存储阵列，其特征在于，所述控制电路包括检测电路、字选通电路和位选通电路；

所述检测电路、字选通电路和位选通电路分别通过所述导电层与所述存储器单元连接。

5.根据权利要求1所述的存储阵列，其特征在于，所述存储阵列包括至少两层所述存储器单元，还包括绝缘层，所述绝缘层设置于相邻两层所述存储器单元之间。

6.根据权利要求1所述的存储阵列，其特征在于，所述存储阵列包括至少两层所述存储器单元，还包括层选通器；所述层选通器的数量与所述存储器单元的层数相同，每一所述层选通器与一层所述存储器单元串接；

所述层选通器用于选通至少两层所述存储器单元中的一层。

7.根据权利要求6所述的存储阵列，其特征在于，所述层选通器的结构与所述选通器的结构相同。

8.根据权利要求1所述的存储阵列，其特征在于，所述二维材料包括石墨烯、氮化硼、二硫化钼、二硫化钨和mxene中的至少一种。

9.根据权利要求1所述的存储阵列，其特征在于，所述选通器还包括设置于所述基底上的选通管，所述选通管为晶体管类型选通管；

所述选通管的第一极与选通线连接，所述选通管的栅极与字线连接，所述选通管的第二极与位线连接。

10.根据权利要求9所述的存储阵列，其特征在于，所述控制电路包括检测电路，同列排布的所述存储器单元的字线与同一字线连接，同行排布的所述存储器单元的位线与同一位线连接，同层排布的所述存储器单元的选通线与所述检测电路连接。

11.根据权利要求1所述的存储阵列，其特征在于，所述存储器单元还包括存储器，所述存储器包括非易失性存储器。

技术总结
本公开提供了一种存储阵列。该存储阵列包括硅衬底、控制电路，以及至少一层阵列排布的存储器单元；控制电路设置于硅衬底上，至少一层存储器单元层叠设置于硅衬底上或控制电路远离硅衬底的一侧；存储器单元包括选通器；其中，选通器包括二维材料制备的基底。本公开存储阵列通过选用二维材料制备选通器的基底，再由制备的选通器形成存储器单元时，不同的存储器单元可以进行层叠设置。当存储器单元形成存储阵列时，存储阵列可以形成层叠设置的多层阵列排布的存储器单元，从而可以减小包括多层阵列排布的存储器单元的占用面积，实现存储阵列的高度集成。

技术研发人员：何伟;祝夭龙
受保护的技术使用者：北京灵汐科技有限公司
技术研发日：2021.05.11
技术公布日：2021.08.13