技术特征：
1.一种存储器系统，其中，包括：
一存储器；以及
一存储器控制器，耦接至该存储器，该存储器控制器配置为：
利用对应于与目标存储器数据相关的一第一组参数的一第一读取电压来获得该存储器的该目标存储器数据的一第一读取输出；
回应于确定该第一读取输出未通过一纠错码测试，利用对应于与该目标存储器数据相关的一第二组参数的一第二读取电压来获得该目标存储器数据的一第二读取输出，其中该第二读取电压系利用基于该第二组参数的至少一机器学习算法而产生，该第二组参数包括该第一组参数；以及
响应于确定该第二读取输出通过该纠错码测试，输出该第二读取输出以作为该目标存储器数据的一目标读取输出。
2.根据权利要求1所述的存储器系统，其中，该存储器控制器利用基于该第一组参数的存储的读取电压数据来产生该第一读取电压。
3.根据权利要求2所述的存储器系统，其中，存储的该读取电压数据系基于使用与该存储器及对应的多个最佳读取电压有关的多个输入的监督式机器学习训练所产生，各该最佳读取电压对应到在该些输入的个别输入之下，对应至该存储器的个别页面的读取输出的一最小错误位计数，各该输入包括多个参数的相应值，该些参数包括该第一组参数。
4.根据权利要求3所述的存储器系统，其中，各该参数对该存储器的一存储单元特性具有一相应影响程度，并且该些输入的该些参数的数值间隔系依据该些参数的该相应影响程度来确定。
5.根据权利要求3所述的存储器系统，其中，存储的该读取电压数据报括一转移函数，该转移函数依据该监督式机器学习训练来产生，该转移函数表示该些参数的输入与该最佳读取电压之间的关系。
6.根据权利要求2所述的存储器系统，其中，响应于确定该第二读取输出通过该纠错码测试，该存储器控制器利用该第二读取电压来更新存储的该读取电压数据。
7.根据权利要求6所述的存储器系统，其中，该存储器控制器配置为：
响应于确定该目标存储器数据的存储单元状态的阈值电压在对应的预定范围内，以更新存储的该读取电压数据。
8.根据权利要求1所述的存储器系统，其中，该存储器控制器配置为：
回应于确定该第二读取输出未通过该纠错码测试，调整该第二组参数，并且利用基于调整后的该第二组参数的该至少一机器学习算法而产生新的第二读取电压。
9.根据权利要求1所述的存储器系统，其中，该存储器控制器配置为：
确定该第一读取输出的一错误位计数是否超过一第一预定阈值，以确定该第一读取输出是否通过该纠错码测试。
10.根据权利要求9所述的存储器系统，其中，该存储器控制器配置为：
回应于确定该第一读取输出的该错误位计数不超过该第一预定阈值，确定该第一读取输出的该错误位计数是否超过一第二预定阈值，该第二预定阈值小于该第一预定阈值。
11.根据权利要求10所述的存储器系统，其中，该存储器控制器配置为：
回应于确定该第一读取输出的该错误位计数不超过该第二预定阈值，输出该第一读取输出以作为该目标存储器数据的该目标读取输出。
12.根据权利要求10所述的存储器系统，其中，该存储器控制器配置为：
回应于确定该第一读取输出的该错误位计数超过该第二预定阈值且该第一读取输出的该错误位计数不超过该第一预定阈值，利用该至少一机器学习算法来产生一第三读取电压。
13.根据权利要求12所述的存储器系统，其中，该存储器控制器配置为：
利用该第三读取电压来更新存储的该读取电压数据。
14.根据权利要求1所述的存储器系统，其中，该第一组参数包括地址信息、多个编程/擦除周期、一读取温度、一读取干扰程度或一保留时间的至少其中之一。
15.根据权利要求1所述的存储器系统，其中，该第二组参数包括该第一读取输出的一错误位计数、各个先前读取电压所获得的多个“1”值、该先前读取电压与当前读取电压之间的“1”值数量变化、一读取时间、一低密度奇偶检查码的一校验子与该低密度奇偶检查码的多个迭代的至少其中之一。
16.根据权利要求1所述的存储器系统，其中，该至少一机器学习算法包括一线性回归、一支持向量回归以及具有一卷积神经网络算法或一循环神经网络算法的一深度学习算法的至少其中之一。
17.一种存储器系统，其中，包括：
一存储器；以及
一存储器控制器，耦接至该存储器，并且该存储器控制器配置为：
利用基于与该存储器所读取的一存储器数据相关的一第一组参数而得到的存储的读取电压数据来确定一第一读取电压；
利用该第一读取电压读取该存储器数据，以获得一第一读取输出；
确定该第一读取输出是否通过一纠错码测试；
响应于确定该第一读取输出未通过该纠错码测试，利用基于与该存储器数据相关的一第二组参数的至少一机器学习算法而产生一第二读取电压，该第二组参数包括该第一组参数与至少一额外参数；
利用该第二读取电压读取该存储器数据，以获得一第二读取输出；
确定该第二读取输出是否通过该纠错码测试；以及
响应于确定该第二读取输出通过该纠错码测试，输出该第二读取输出以作为该存储器所读取的该存储器数据。
18.根据权利要求17所述的存储器系统，其中该存储器控制器配置为：
响应于确定该第二读取输出通过该纠错码测试，利用该第二读取电压来更新存储的该读取电压数据。
19.一种存储器控制器，耦接至一存储器，其中，该存储器控制器包括：
至少一处理器；
一纠错码电路；
一机器学习电路；以及
至少一非瞬时介质，该至少一非瞬时介质存储多个指令，该些指令系由该处理器来执行，其中，该存储器控制器配置为：
通过该机器学习电路，利用基于与该存储器所读取的一存储器数据相关的一第一组参数所得到的存储的读取电压数据来确定一第一读取电压；
通过该处理器，利用该第一读取电压读取该存储器数据，以获得一第一读取输出；
通过该纠错码电路，确定该第一读取输出是否通过一纠错码测试；
响应于确定该第一读取输出未通过该纠错码测试，通过该机器学习电路，利用基于与该存储器数据相关的一第二组参数的至少一机器学习算法而产生一第二读取电压，该第二组参数包括该第一组参数与至少一额外参数；
通过该处理器，利用该第二读取电压读取该存储器数据，以获得一第二读取输出；
通过该纠错码电路，确定该第二读取输出是否通过该纠错码测试；以及
响应于确定该第二读取输出通过该纠错码测试，通过该处理器，输出该第二读取输出以作为该存储器所读取的该存储器数据。
20.根据权利要求19所述的存储器控制器，其中，存储的该读取电压数据存储于该存储器；以及
其中该存储器控制器包括一存储器接口，并且该机器学习电路通过该存储器接口与该存储器进行通信。
技术总结
本发明公开了一种存储器系统及存储器控制器，其利用机器学习(ML)确定存储器系统的读取电压。在一方面，存储器系统包括存储器与存储器控制器，存储器控制器配置为：利用对应于与存储器数据相关的第一组参数的第一读取电压获得存储器数据的第一读取输出；若第一读取输出未通过纠错码(ECC)测试，利用对应于与存储器数据相关的第二组参数的第二读取电压获得存储器数据的第二读取输出，第二组参数包括第一组参数，第二读取电压系利用基于第二组参数的ML算法而产生；若第二读取输出通过ECC测试，输出第二读取输出以作为存储器数据的目标读取输出。
技术研发人员：李永骏;黄昱铭;施智怀
受保护的技术使用者：旺宏电子股份有限公司
技术研发日：2021.01.20
技术公布日：2021.08.03
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