失效单元测试方法及装置、存储介质、电子设备与流程

2021-06-08 13:40:00 来源：中国专利 TAG：集成电路失效电子设备装置单元测试

技术总结
本公开是关于一种失效单元测试方法及装置、存储介质、电子设备，涉及集成电路技术领域。该失效单元测试方法包括：在系统开机后，向所述DRAM中写入测试数据；停止向所述DRAM发送刷新指令，并等待预设时间；读取所述DRAM中的数据，并将所述读取的数据与写入的所述测试数据进行比较，根据所述读取的数据与写入的所述测试数据比较的结果，确定所述DRAM中发生翻转的数据；根据所述发生翻转的数据所在的存储单元确定所述DRAM中的失效单元。本公开提供一种在应用端执行失效单元测试的方法。在应用端执行失效单元测试的方法。在应用端执行失效单元测试的方法。

技术研发人员：余玉
受保护的技术使用者：长鑫存储技术有限公司
技术研发日：2021.03.01
技术公布日：2021/6/7

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