用于存储器感测的快速预充电的制作方法

交叉引用

本专利申请要求马耶鲁斯(majerus)于2019年11月5日提交的题为“用于存储器感测的快速预充电(quickprechargeformemorysensing)”的第16/675,065号美国专利申请的优先权，该专利已转让给本受让人，并且其全部内容通过引用明确地结合在此。

技术领域涉及用于存储器感测的快速预充电。

背景技术：

以下总体上涉及一种包括至少一个存储器器件的系统，并且更具体地涉及执行快速预充电命令序列。

存储器器件被广泛用来在诸如计算机、无线通信器件、相机、数字显示器等各种电子器件中存储信息。信息通过对存储器器件的不同状态进行编程来存储。例如，二进制器件最经常存储通常由逻辑1或逻辑0表示的两个状态之一。在其它器件中，可以存储不止两个状态。为存取所存储的信息，器件的组件可以读取或感测存储器器件中的至少一个所存储的状态。为存储信息，器件的组件可以在存储器器件中写入或编程状态。

存在各种类型的存储器器件，包括磁性硬盘、随机存取存储器(ram)、只读存储器(rom)、动态ram(dram)、同步动态ram(sdram)、铁电ram(feram)、磁性ram(mram)、电阻性ram(rram)、闪速存储器、相变存储器(pcm)及其它。存储器器件可以是易失性或非易失性的。例如feram的非易失性存储器即使在没有外部电源的情况下，也可以在延长的时间段内保持它们所存储的逻辑状态。例如dram的易失性存储器器件在与外部电源断开时可能丢失它们所存储的状态。feram可以能够实现类似于易失性存储器的密度，但是由于使用铁电电容器作为存储器件而具有非易失性属性。

在部署存储器器件之前，可对存储器器件执行测试程序以识别缺陷并确保存储器器件的可靠性。还可执行测试程序以识别在部署存储器器件时可能发生的存储器器件的故障。

技术实现要素：

描述了一种方法。所述方法可包括将包含存储器阵列的存储器器件配置在与相对于第二模式具有减少的持续时间的命令序列相关联第一模式中操作；在将所述存储器器件配置为在所述第一模式中操作之后，接收与所述存储器阵列的存储器单元相关联的预充电命令；以及至少部分地基于将所述存储器阵列配置为在所述第一模式中操作来执行用于执行所述预充电命令的第一组操作，其中所述第一组操作在比当所述存储器器件被配置为在所述第二模式中时用于执行所述预充电命令的第二组操作更短的持续时间中执行。

描述了一种装置。所述装置可以包括存储器单元和存储器控制器，所述存储器控制器与所述存储器单元耦合并且可被配置成在与相对于第二模式具有减少的持续时间的命令序列相关联的第一模式中操作。所述存储器控制器可操作以当被配置在所述第一模式中时，执行与所述第一模式相关联的第一组操作以执行用于存取所述存储器单元的第一命令，或当被配置在所述第二模式中时，执行与所述第二模式相关联的第二组操作以执行用于存取所述存储器单元的所述第一命令，其中执行所述第一组操作的持续时间短于执行所述第二组操作的持续时间。

描述了一种装置。所示装置可包括存储器阵列，所述存储器阵列包含存储器单元和与所述存储器阵列耦合的存储器控制器。所述存储器控制器可操作以配置与相对于第二模式具有减少的持续时间的一或多个命令序列相关联的第一模式；在配置所述第一模式之后接收与所述存储器单元相关联的预充电命令；以及至少部分地基于将所述存储器阵列配置为在所述第一模式中操作来执行用于执行所述预充电命令的第一组操作，其中所述第一组操作在比当配置所述第二模式时用于执行所述预充电命令的第二组操作更短的持续时间内执行。

附图说明

图1示出了支持执行本文所公开的快速预充电命令序列的系统的实例。

图2示出了支持执行本文所公开的快速预充电命令序列的存储器管芯的实例。

图3示出了用于执行本文所公开的快速预充电命令序列的方法的实例。

图4示出了支持执行本文所公开的快速预充电命令序列的存储器器件的框图。

图5和6示出了说明支持执行本文所公开的快速预充电命令序列的一或多个方法的流程图。

具体实施方式

可使用存取命令将信息存储在存储器器件中且从存储器器件读取信息，所述存取命令在存储器器件处触发用于存取(例如，从存储器器件读取或向存储器器件写入)由存取命令寻址的存储器单元的操作序列的性能。在一些实例中，用于执行所接收的存取命令的操作序列(或“存取命令序列”)基于存储器器件所使用的技术而不同。例如，用于存取铁电存储器单元的存取命令序列(例如，预充电(pre)命令序列)可以包括附加操作，并且具有比用于存取动态随机存取存储器(dram)单元的相应存取命令序列(例如，pre命令序列)更长的持续时间。

在一些实例中，存取命令还用于实施存储器器件的测试程序。也就是说，测试程序可通过向存储器器件提供特定系列的存取命令而以特定顺序将一系列电压施加到存储器器件的特定组件。然而，随着存储器器件的容量的增加，测试程序的持续时间也增加。对于使用存取命令来实施与较长持续时间存取命令序列相关联的测试程序和技术的存储器器件来说，可加剧测试程序持续时间的这种增加。除了增加的测试程序持续时间之外，使用存取命令序列来实施测试程序可导致增加的电流(且因此导致增加的功率)使用和可能不利地影响测试程序的无意干扰-例如，当存取命令序列使得存储器器件执行修改一或多个存储器组件的电压的不必要操作时。

为了减少测试持续时间，减少测试程序期间的电流汲取，且减轻无意干扰的不利影响，可在测试存储器器件时使用新存取命令序列。例如，当执行测试程序时，可以使用一组修改的操作来执行pre命令。在一些实例中，可以使用一组操作来执行pre命令，该组操作省略了原本将被执行以执行pre命令的操作-例如，可以省略与将逻辑状态写回到存储器单元相关联的操作。通过省略修改的一组操作中的某些操作，可以减少pre命令序列的持续时间，可以减少在pre命令序列期间由存储器器件汲取的电流量，或者可以减少由pre命令序列引起的干扰量，或者其任意组合。在一些实例中，用于执行pre命令的一组修改的操作被称为快速pre命令序列，并且一组未修改的操作可以被称为pre命令序列。

在一些实例中，当在存储器器件上执行的测试程序与存储器单元的逻辑状态无关时，例如，当测试程序不关心在测试程序期间是否从存储器单元读取正确的逻辑状态和向存储器单元写回正确的逻辑状态时，可以使用快速pre命令。另外，或者可替换地，当pre命令序列的持续时间超过阈值持续时间，由pre命令序列汲取的电流量超过阈值电流，或者由pre命令序列引起的扰动量超过阈值量，或者其任意组合时，可以使用快速pre命令。另外，或者可替换地，快速pre命令序列可以用于支持试图测试组件而不适应在pre命令序列期间将施加到组件或从组件去除的额外电压的测试程序。

如参考图1和2所描述的，首先在存储系统和管芯的上下文中描述本公开的特征。然后在用于执行图3中的快速预充电命令序列的示范性方法的上下文中描述本公开的特征。参考与执行图4至6中的快速预充电命令序列有关的装置图和流程图来进一步示出和描述本公开的这些和其它特征。

图1示出了支持执行本文所公开的快速预充电命令序列的系统100的实例。

系统100可以包括主机器件105、存储器器件110以及将主机器件105与存储器器件110耦合的多个信道115。系统100可以包括一或多个存储器器件110，但是可以在单个存储器器件(例如，存储器器件110)的上下文中描述一或多个存储器器件110的各方面。系统100可以包括电子器件的部分，例如计算器件、移动计算器件、无线器件、图形处理器件、车辆或其它系统。例如，系统100可以示出计算机、膝上型计算机、平板计算机、智能电话、蜂窝电话、可穿戴器件、互联网连接器件、车辆控制器等的各方面。存储器器件110可以是系统的组件，其可操作以存储用于系统100的一或多个其它组件的数据。

系统100的至少一部分可以是主机器件105的实例。主机器件105可以是使用存储器来执行过程的器件中的处理器或其它电路的实例，例如在计算器件、移动计算器件、无线器件、图形处理器件、计算机、膝上型计算机、平板计算机、智能电话、蜂窝电话、可穿戴器件、互联网连接器件或某些其它固定或便携式电子器件等其它实例。在一些实例中，主机器件105可以指代实现外部存储器控制器120的功能的硬件、固件、软件或其组合。在一些实例中，外部存储器控制器120可以被称为主机或主机器件105。

存储器器件110可以是独立器件或可操作以提供可由系统100使用或引用的物理存储器地址/空间的组件。在一些实例中，存储器器件110可以被配置为与一或多个不同类型的主机器件一起工作。主机器件105与存储器器件110之间的信令可操作以支持以下一或多个：用于调制信号的调制方案，用于传递信号的各种引脚配置，用于主机器件105和存储器器件110的物理封装的各种形状因数，主机器件105与存储器器件110之间的时钟信令和同步，时序约定或其它因素。

存储器器件110可操作以存储主机器件105的组件的数据。在一些实例中，存储器器件110可以充当主机器件105的从属类型的器件(例如，响应并执行主机器件105通过外部存储器控制器120提供的命令)。这样的命令可以包括用于写操作的写命令，用于读操作的读命令，用于刷新操作的刷新命令或其它命令中的一或多个。

主机器件105可以包括外部存储器控制器120、处理器125、基本输入/输出系统(bios)组件130或其它组件(诸如一或多个外围组件或一或多个输入/输出控制器)中的一或多个。主机器件的组件可使用总线135彼此耦合。

处理器125可操作为系统100的至少一部分或主机器件105的至少一部分提供控制或其它功能。处理器125可以是通用处理器、数字信号处理器(dsp)、专用集成电路(asic)、现场可编程门阵列(fpga)或其它可编程逻辑器件、离散门或晶体管逻辑、分立的硬件组件、或这些组件的组合。在这样的实例中，处理器125可以是中央处理单元(cpu)、图形处理单元(gpu)、通用gpu(gpgpu)或片上系统(soc)或其它实例的实例。在一些实例中，可以由处理器125来实现外部存储器控制器120或作为其一部分。

bios组件130可以是包括作为固件操作的bios的软件组件，该bios可以初始化并运行系统100或主机器件105的各种硬件组件。bios组件130还可以管理处理器125与系统100或主机器件105的各个组件之间的数据流。bios组件130可包括存储在只读存储器(rom)、闪存存储器或其它非易失性存储器中的一或多个中的程序或软件。

存储器器件110可以包括器件存储器控制器155和一或多个存储器管芯160(例如，存储器芯片)，以支持用于数据存储的期望容量或指定容量。每个存储器管芯160可以包括本地存储器控制器165(例如，本地存储器控制器165-a，本地存储器控制器165-b，本地存储器控制器165-n)和存储器阵列170(例如，存储器阵列170-a，存储器阵列170-b，存储器阵列170-n)。存储器阵列170可以是存储器单元的集合(例如，一或多个栅格、一或多个组、一或多个图块、一或多个部分)，其中每个存储器单元可操作以存储至少一个数据比特。包括两个或两个以上存储器管芯的存储器器件110可以被称为多管芯存储器或多管芯封装或多芯片存储器或多芯片封装。

器件存储器控制器155可以包括可操作以控制存储器器件110的操作的电路、逻辑或组件。器件存储器控制器155可以包括使存储器器件110能够执行各种操作的硬件、固件或指令，并且可以可操作来接收、发送或执行与存储器器件110的组件有关的命令、数据或控制信息。器件存储器控制器155可用于与外部存储器控制器120，一或多个存储器管芯160或处理器125中的一或多个通信。在一些实例中，器件存储器控制器155可以连同存储器管芯160的本地存储器控制器165，控制本文中所描述的存储器器件110的操作。

在一些实例中，存储器器件110可以从主机器件105接收数据或命令或两者。例如，存储器器件110可接收指示存储器器件110将存储用于主机器件105的数据的写命令或指示存储器器件110将存储在存储器管芯160中的数据提供给主机器件105的读取命令。

本地存储器控制器165(例如，在存储器管芯160本地)可用于控制存储器管芯160的操作。在一些实例中，本地存储器控制器165可操作以与器件存储器控制器155通信(例如，接收或发送数据或命令或两者)。在一些实例中，存储器器件110可以不包括器件存储器控制器155和本地存储器控制器165，或者外部存储器控制器120可以执行本文所述的各种功能。这样，本地存储器控制器165可操作以与器件存储器控制器155、与其它本地存储器控制器165、或直接与外部存储器控制器120、或处理器125或其组合进行通信。可以包括在器件存储器控制器155或本地存储器控制器165或两者中的组件的实例可以包括用于(例如，从外部存储器控制器120)接收信号的接收器，用于发送信号(例如，到外部存储器控制器120)的发送器，用于解码或解调接收到的信号的解码器，用于编码或调制要发送的信号的编码器，或可操作用于支持器件存储器控制器155或本地存储器控制器165或两者的所述操作的各种其它电路或控制器。

外部存储器控制器120可操作用于实现系统100或主机器件105(例如，处理器125)的组件与存储器器件110之间的信息、数据或命令中的一或多个的通信。外部存储器控制器120可以转换或翻译在主机器件105的组件和存储器器件110之间交换的通信。在一些实例中，外部存储器控制器120或系统100或主机器件105的其它组件，或本文所述的其功能可以由处理器125实现。例如，外部存储器控制器120可以是由处理器125或系统100或主机器件105的其它组件实现的硬件、固件或软件或其某种组合。尽管外部存储器控制器120被描述为在存储器器件110外部，但是在一些实例中，外部存储器控制器120或本文所述的其功能可以由存储器器件110的一或多个组件(例如，器件存储器控制器155、本地存储器控制器165)来实现，反之亦然。

主机器件105的组件可以使用一或多个信道115与存储器器件110交换信息。信道115可操作用于支持外部存储器控制器120和存储器器件110之间的通信。每个信道115可以是在主机器件105和存储器器件之间承载信号的传输介质的实例。每个信道115可以包括在与系统100的组件关联的端子之间的一或多个信号路径或传输介质(例如，导体)。信号路径可以是可操作来承载信号的导电路径的实例。例如，信道115可以包括第一端子，第一端子包括在主机器件105处的一或多个引脚或焊盘以及在存储器器件110处的一或多个引脚或焊盘。引脚可以是系统100的器件的导电输入或输出点的实例，并且引脚可以可操作以充当信道的一部分。

信道115(以及相关联的信号路径和终端)可以专用于传递一或多个类型的信息。例如，信道115可以包括一或多个命令和地址(ca)信道186、一或多个时钟信号(ck)信道188、一或多个数据(dq)信道190、一或多个其它信道192或其组合。在一些实例中，可以使用单数据速率(sdr)信令或双数据速率(ddr)信令在信道115上进行通信。在sdr信令中，可以为每个时钟周期(例如，在时钟信号的上升沿或下降沿)记录信号的一个调制符号(例如，信号电平)。在ddr信令中，可以为每个时钟周期(例如，在时钟信号的上升沿和下降沿两者上)记录信号的两个调制符号(例如，信号电平)。

在一些实例中，信道115可以包括一或多个命令和地址(ca)信道186。ca信道186可操作用于在主机器件105和存储器器件110之间传递命令，包括与命令相关联的控制信息(例如，地址信息)。例如，ca信道186可以包括带有所需数据的地址的读取命令。在一些实例中，ca信道186可以包括任何数量的信号路径以解码一或多个地址或命令数据(例如，八个或九个信号路径)。

可例如在部署存储器器件110之前或同时测试存储器器件110的可靠性和缺陷。在一些实例中，在主机器件105上运行的测试程序向存储器器件110提供存储器(或存取)命令序列-例如经由信道115，以在存储器器件110上执行测试程序。在一些实例中，存储器器件110可被配置成以基于正被配置在特定操作模式(例如，测试模式)中而使用经修改的存取命令序列来执行所接收的存取命令。例如，存储器器件110可执行省略一或多个操作的存取命令序列，所述一或多个操作原本用于在存储器器件110被配置成忽略存储在所存取的存储器单元中的数据的测试模式中时执行所接收的存取命令。省略操作的存取命令序列可以比包括省略操作的存取命令序列更短、使用更少的电流或引入更少的干扰(或其任何组合)。

图2示出了支持执行本文所公开的快速预充电命令序列的存储器管芯200的实例。

存储器管芯200可以是参考图1描述的存储器管芯160的实例。在一些实例中，存储器管芯200可以被称为存储器芯片、存储器器件或电子存储器装置。存储器管芯200可包括一或多个存储器单元205，所述存储器单元每个可经编程以存储不同逻辑状态(例如，一组两个或两个以上可能状态中的经编程的一个)。例如，存储器单元205可操作用于一次存储一比特信息(例如，逻辑0或逻辑1)。在一些实例中，存储器单元205(例如，多级存储器单元)可以一次存储多于一比特的信息(例如，逻辑00、逻辑01、逻辑10、逻辑11)。

存储器单元205可以在电容器中存储表示可编程状态的状态(例如，极化状态或介电电荷)。在feram架构中，存储器单元205可以包括电容器240，电容器240包括铁电材料以存储表示可编程状态的电荷和/或极化。存储器单元205可以包括逻辑存储组件(诸如电容器240)和切换组件245。电容器240可以是铁电电容器的实例。电容器240的第一节点可以与切换组件245相耦合，并且电容器240的第二节点可以与板线220相耦合。切换组件245可以是在两个组件之间选择性地建立或取消建立电子通信的晶体管或任何其它类型的开关器件的实例。

存储器管芯200可以包括以诸如网格状图案的图案布置的存取线(例如，字线210、数位线215和板线220)。存取线可以是与存储器单元205耦合的导线，并且可以用于在存储器单元205上执行存取操作。在一些实例中，字线210可以被称为行线。在一些实例中，数位线215可以被称为列线或位线。对存取线、行线、列线、字线、数位线、位线或板线或其类似表示的引用可以互换，而不会失去理解或操作。存储器单元205可以位于字线210、数位线215和/或板线220的交叉点处。

通过激活或选择存取线(诸如字线210、数位线215和/或板线220)，可以在存储器单元205上执行诸如读取和写入的操作。通过偏置字线210、数位线215和板线220(例如，将电压施加到字线210、数位线215或板线220)，可以在它们的交叉点处存取单个存储器单元205。激活或选择字线210、数位线215或板线220可以包括将电压施加到相应线。

可以通过行解码器225、列解码器230和板驱动器235来控制存取存储器单元205。例如，行解码器225可以从本地存储器控制器265接收行地址，并且基于所接收的行地址来激活字线210。列解码器230从本地存储器控制器265接收列地址，并且基于所接收的列地址来激活数位线215。板驱动器235可以从本地存储器控制器265接收板地址，并且基于所接收的板地址来激活板线220。

选择或取消选择存储器单元205可以通过激活或停用切换组件245来完成。使用切换组件245，电容器240可以与数位线215进行电子通信。例如，在切换组件245被停用时电容器240可以与数位线215隔离，并且在切换组件245被激活时电容器240可以与数位线215相耦合。

字线210可以是与存储器单元205进行电子通信的导电线，其被用来在存储器单元205上执行存取操作。在一些架构中，字线210可以与存储器单元205的切换组件245的栅极电连通，并且可以操作用于控制存储器单元的切换组件245。在一些架构中，字线210可以与存储器单元205的电容器的节点进行电子通信，并且存储器单元205可以不包括切换组件。

数位线215可以是连接存储器单元205与感测组件250的导电线。在一些架构中，存储器单元205可以在部分的存取操作期间选择性地与数位线215相耦合。例如，存储器单元205的字线210和切换组件245可操作用于选择耦合和/或隔离存储器单元205的电容器240和数位线215。在一些架构中，存储器单元205可以与数位线215进行电子通信(例如，恒定)。

板线220可以是与存储器单元205进行电子通信的导电线，其被用来在存储器单元205上执行存取操作。板线220可以与电容器240的节点(例如，单元底部)进行电子通信。在存储器单元205的存取操作期间，板线220可以与数位线215配合以偏置电容器240。

感测组件250可以确定存储在存储器单元205的电容器240上的状态(例如，极化状态或电荷)，并且基于检测到的状态来确定存储器单元205的逻辑状态。感测组件250可以包括一或多个感测放大器，以放大存储器单元205的信号输出。感测组件250可以将在数位线215两端从存储器单元205接收的信号与参考线255(例如，参考电压)进行比较。存储器单元205的检测到的逻辑状态可以被提供为感测组件250的输出(例如，到输入/输出260)，并且可以向包括存储器管芯200的存储器器件110的另一组件指示检测到的逻辑状态。

本地存储器控制器265可以通过各种组件(例如，行解码器225、列解码器230、板驱动器235和感测组件250)来控制存储器单元205的操作。本地存储器控制器265可以是参考图1所描述的本地存储器控制器165的实例。在一些实例中，行解码器225、列解码器230和板驱动器235及感测组件250中的一或多个可以与本地存储器控制器265在相同的位置。本地存储器控制器265可操作用于从一或多个不同的存储器控制器(例如，与主机器件105相关联的外部存储器控制器120，与存储器管芯200相关联的另一控制器)接收命令或数据中的一或多个命令或数据，将命令或数据(或两者)翻译为可被存储管芯200使用的信息，对存储管芯200执行一或多个操作，并基于执行的一或多个操作将数据从存储管芯200传递至主机器件105。本地存储器控制器265可以生成行信号和列地址信号以激活目标字线210、目标数位线215和目标板线220。本地存储器控制器265还可以生成和控制在存储器管芯200的操作期间使用的各种电压或电流。通常，对于在操作存储器管芯200中讨论的各种操作，本文讨论的施加电压或电流的幅度、形状或持续时间可以改变并且可以不同。

本地存储器控制器265可操作用于在存储器管芯200的一或多个存储器单元205上执行一或多个存取操作。存取操作的实例可以包括写操作、读操作、刷新操作、预充电操作或激活操作等。本地存储器控制器265可操作用于执行此处未列出的其它存取操作或与存取存储器单元205不直接相关的与存储器管芯200的操作相关的其它操作。

本地存储器控制器265可操作用于在存储器管芯200的一或多个存储器单元205上执行写操作(例如，编程操作)。在写操作期间，可以对存储器管芯205的存储器单元200进行编程以存储所期望的逻辑状态。本地存储器控制器265可以识别要在其上执行写操作的目标存储器单元205。本地存储器控制器265可以识别与目标存储器单元205耦合的目标字线210、目标数位线215和目标板线220。本地存储器控制器265可以激活目标字线210、目标数位线215和目标板线220(例如，向字线210、数位线215或板线220施加电压)以存取目标存储器单元205。在写操作期间，本地存储器控制器265可以在写操作期间将特定信号(例如，写脉冲)施加到数位线215，以将特定状态(例如，电荷)存储在存储器单元205的电容器240中。用作写操作的一部分的脉冲可以包括一个持续时间上的一或多个电压电平。

本地存储器控制器265可操作用于在存储器管芯200的一或多个存储器单元205上执行读操作(例如，感测操作)。在读操作期间，可以确定存储在存储器管芯200的存储器单元205中的逻辑状态。本地存储器控制器265可以识别要在其上执行读操作的目标存储器单元205。本地存储器控制器265可以识别与目标存储器单元205耦合的目标字线210、目标数位线215和目标板线220。本地存储器控制器265可以激活目标字线210、目标数位线215和目标板线220(例如，向字线210、数位线215或板线220施加电压)以存取目标存储器单元205。目标存储器单元205可以响应于偏置存取线而将信号传递到感测组件250。感测组件250可以放大信号。本地存储器控制器265可以激活感测组件250(例如，锁存感测组件)，并由此将从存储器单元205接收的信号与参考线255进行比较。基于该比较，感测组件250可以确定被存储在存储器单元205上的逻辑状态。

可使用触发将在存储器管芯200处执行的一组操作(其也可称为命令序列或存取命令序列)的存取命令将信息存储在存储器管芯200中并从其读取信息。在一些实例中，用于传送存取命令的信号包括对存取命令的类型的指示-例如，使用在信号中传送的两个比特-以及存取命令所针对的存储器单元的地址-例如，使用在信号中传送的其余比特来指示存储器组、存储器部分或存储行、或其任意组合。存取命令的类型可以包括激活(act)命令和预充电(pre)命令。act命令可用于准备(或打开)存储器单元205的寻址行以用于后续读操作或写操作。例如，act命令可用于将与字线210(例如，wl_1)耦合的所有存储器单元205连接到耦合的数位线215(例如，dl_1到dl_n)。在一些实例中，例如，通过在将一行存储器单元205连接到数位线215之后激活与数位线215耦合的感测组件250，还可使用act命令来感测该行存储器单元205的逻辑状态。

pre命令可用于在打开或存取或者打开并存取另一行存储器单元205之前关闭打开的一行存储器单元205。在一些实例中，可以使用pre命令来关闭包括一行存储器单元205的存储器部分或存储器组，使得可以打开存储器部分或存储器组中的不同行的存储器单元205。例如，pre命令可用于将与字线210(例如，wl_1)耦合的一行存储器单元205从耦合的数位线215(例如，dl_1到dl_n)断开。在一些实例中，pre命令还可用于将先前感测的逻辑状态(例如，在act命令期间由感测组件250感测的逻辑状态)写回到该行存储器单元205。在一些实例中，使用感测组件205的输出将先前感测的逻辑状态写回到该行存储器单元250。在一些实例中，在存储器管芯200处的本地存储器控制器265可以从外部器件(例如，主机器件)接收存取命令。在其它实例中，存取命令可以由存储器管芯200内部生成，例如，本地存储器控制器265可以根据安装在本地存储器控制器265上的测试程序或存储器管芯200上的另一组件来生成存取命令。

本地存储器控制器265可以执行所接收或产生的存取命令。为了执行存取命令，本地存储器控制器265可以执行与存取命令相对应的一组操作(或存取命令序列)-例如，本地存储器控制器265可以以预定顺序向特定组件施加一系列电压。在一些实例中，用于执行用于对一种技术执行存取命令的存取命令序列的持续时间可以比用于对另一技术执行相同存取命令的存取命令序列的持续时间长。例如，用于执行用于存取一种技术的存储器单元的存取命令的存取命令序列可以包括更长的定时间隔，或者相对于用于执行相同的存取命令以存取另一技术的存储器单元的存取命令序列而言的附加操作，或者两者。例如，执行存取命令序列以执行打开一行铁电存储器单元的act命令(或act命令序列)可能花费比执行打开一行dram单元的act命令序列更长的时间。类似地，执行一组操作以执行关闭一行铁电存储器单元的pre命令(或pre命令序列)可能花费比执行关闭一行dram单元的pre命令序列更长的时间。

在一些实例中，为一或多个铁电存储器单元205执行act命令序列可以包括三组操作。也就是说，act命令序列可以包括与将一或多个数位线215连接到一或多个铁电存储器单元205相关联的第一组操作。act命令序列还可以包括与例如基于存储在一或多个铁电存储器单元205中的电荷在一或多个铁电存储器单元205与一或多个数位线215之间交换电荷相关联的第二组操作。并且act命令序列可以包括与例如基于在一或多个数位线215和一或多个铁电存储器单元205之间交换的电荷，感测一或多个数位线215的电压以确定存储在一或多个铁电存储器单元205中的逻辑状态相关联的第三组操作。

act命令序列中的第一组操作可以包括在对act命令中包括的行地址进行解码的同时激活由act命令寻址的存储器组或存储器部分。在行地址被解码并且数位线215被预充电之后，可以识别与位于行地址的一行铁电存储器单元205耦合的字线210。

act命令序列中的第二组操作可以包括对存储器组或存储器部分中的与由act命令寻址的一行铁电存储器单元205耦合的数位线215预充电。在一些实例中，在解码行地址的同时对数位线215预充电。在其它实例中，在解码行地址之后对数位线215预充电。在一些实例中，对数位线215预充电可包括将数位线215充电到非零电压。在一些实例中，对数位线215预充电包括在将数位线215充电到中间电压之后向数位线215施加额外的“升压”电压-例如，以完成将数位线预充电到感测电压。在其它实例中，对数位线215预充电可包括将数位线215连接到接地或虚拟接地。

在解码行地址并对数位线215预充电之后，第二组操作可以包括激活与该行铁电存储器单元205耦合的字线210，例如，激活电压可以施加到字线210-使得存取电压施加在该行铁电存储器单元205两端。在激活字线210并在该行铁电存储器单元两端施加存取电压之后，第二组操作可包括当在该行铁电存储器单元205和数位线215之间交换电荷时，等待预定的持续时间以在数位线215上产生信号。在一些实例中，在产生信号的同时数位线215的电压可以被保持在感测电压，并且放大电容器可以被用于测量电荷量以保持感测电压。

可以在执行第二组操作之后执行act命令序列中的第三组操作。第三组操作可包括关闭隔离感测组件250与数位线215的栅极(或“隔离栅”)，从而将感测组件250连接到数位线215。在将感测组件250连接到数位线215之后，可基于该行铁电存储器单元205与数位线215之间的电荷交换而激活感测组件250以感测由该行铁电存储器单元205所存储的逻辑状态。在一些实例中，所述感测基于在信号产生等待时段结束时由放大电容器存储的电荷量。在一些实例中，感测逻辑状态可包括锁存感测组件250的输出以存储所感测的逻辑状态。

在感测并锁存该行铁电存储器单元205的逻辑状态之后，第三组操作可包括从该行铁电存储器单元205两端去除所施加的电压-例如，可在该行铁电存储器单元205两端施加零伏-以完成act命令序列。在一些实例中，当在铁电存储器单元205两端不施加电压时，铁电存储器单元205可称为处于零干扰状态。在一些实例中，用于完全执行act命令序列的持续时间可以延续大约77.5纳秒。在一些实例中，字线210在完成act命令序列之后保持激活。在一些实例中，从该行铁电存储器单元205两端移除电压可使得最初存储在该行铁电存储器单元205的一部分处的逻辑状态(例如，存储“0”的铁电存储器单元)被重写到铁电存储器单元的所述部分，且相反的逻辑状态被存储在该行铁电存储器单元205的另一部分处(例如，存储“1”的铁电存储器单元，或反之亦然)。在一些实例中，去除施加在该行铁电存储器单元205两端的电压可包括例如通过将数位线215放电到虚拟地来均衡(多个)板线220(例如pl_1)和数位线215的电压。

在一些实例中，为一或多个铁电存储器单元205执行pre命令序列可以包括两组操作。也就是说，pre命令序列可以包括与将先前感测的逻辑状态写回到一或多个铁电存储器单元205相关联的第一组操作。并且pre命令序列可以包括与从一或多个数位线215断开一或多个铁电存储器单元205相关联的第二组操作。

pre命令序列中的第一组操作可以包括例如通过向耦合感测组件250和数位线215的晶体管施加激活电压来关闭隔离感测组件250与耦合到一行铁电存储器单元205的数位线215的隔离栅。在一些实例中，在第一间隔期间，在感测组件250与数位线215耦合之后，向该行铁电存储器单元205中的一铁电存储器单元205两端施加电压-例如，如果在感测组件250处且与该铁电存储器单元205相关联的锁存器输出高电压并且将低电压施加到与该铁电存储器单元205耦合的板线220。

在关闭隔离栅之后并且在第二间隔期间，第一组操作可以包括向(多个)板线220施加电压。在一些实例中，在将电压施加到(多个)板线220之后，在该行铁电存储器单元205中的一铁电存储器单元205两端施加电压-例如，如果感测组件250输出低电压且将高电压施加到与该铁电存储器单元205耦合的板线220。在一些实例中，例如响应于act命令而感测的逻辑状态，感测组件250的(多个)输出基于在先前操作期间感测的该行铁电存储器单元205的逻辑状态。通过将(多个)板线205的电压从低电压移动到高电压，或反之亦然，可以将先前由感测组件250感测的该行铁电存储器单元205的逻辑状态写回到该行铁电存储器单元205。而且，通过执行第一组操作，该行铁电存储器单元205的逻辑状态可以在破坏性感测操作之后恢复。

pre命令序列中的第二组操作可以在执行第一组操作之后执行。第二组操作可以包括均衡数位线215和(多个)板线220的电压使得在该行铁电存储器单元205的两端不施加电压(即，0v)。在一些实例中，均衡数位线215和(多个)板线220的电压的步骤包括将相同的电压(例如，低、中或高电压)施加到数位线215和(多个)板线220。在一些实例中，均衡数位线215和(多个)板线220的电压包括等待与将位于该行铁电存储器单元205的底部和将该行铁电存储器单元205耦合到数位线215的选择组件之间的电荷去除相关联的持续时间。也就是说，等待该持续时间可以防止在停用选择组件时在铁电存储器单元205底部上捕获残留电荷。一旦数位线215和(多个)板线220的电压已被均衡或持续时间已期满(或两者)，则铁电存储器单元205可被称为处于零干扰状态。

在均衡(多个)板线220和数位线215的电压之后，第二组操作可以包括向与选择组件耦合的字线210施加停用电压，这可以停用选择组件并将该行铁电存储器单元205与数位线215隔离。第二组操作可以包括停用感测组件250。在一些实例中，在停用字线210的同时停用感测组件250。在其它实例中，在停用字线210之后停用感测组件。在感测组件250被停用之后，第二组操作可以包括均衡感测组件250的节点以完成pre命令序列。在一些实例中，感测组件250的节点可以对应于与数位线215耦合的第一输入节点和与参考线255耦合的第二输入节点。在一些实例中，用于完全执行pre命令序列的持续时间可以延续大约80纳秒。

可测试存储器管芯200以确保可靠性或识别故障(或两者)及其它原因。为了测试存储器管芯200，可以在存储器管芯200上执行一或多个测试程序。一些测试程序包括裕度测试、老化测试、可靠性测试、合格性测试和台架特性测试。裕度测试可包括在对存储器管芯200内的特定组件进行定时和电压测量的同时将特定图案施加到存储器管芯200内的组件。在一些实例中，裕度测试包括施加易于对存储器管芯200的组件造成信号干扰的图案。使用裕度测试识别存储器管芯200内易受这种干扰影响的区域-例如，通过测量超过阈值电压的某些组件处的电压。老化测试可包括在极端运行条件(例如，升高的温度和/或电压)下操作存储器管芯200达延长的时间段。在老化测试的初始阶段期间，较不稳健的组件可能失效(例如，断开的存取线、存储器单元可能短路等)，且因此可在部署之前识别。老化测试可用于引起早期故障，使得存储器管芯200可被配置成在部署存储器管芯200之前避免故障组件。

合格性测试可以包括在告知的规格内操作存储器管芯200-例如通过在指定的定时参数内执行命令序列。合格性测试可用于确认存储器管芯200符合告知的规格。类似地，台架特性测试可包括在某些参数内操作存储器器件-例如通过在实验定时参数内执行命令序列。台架特性测试可用于确定存储器管芯200的规格。

在一些实例中，例如，为了向存储器管芯200内的组件施加特定的电压图案，可以通过向存储器管芯200提供特定的存取命令序列来执行测试程序。例如，测试程序可以包括通过向本地存储器控制器265提供特定序列的act和pre命令，将一系列电压施加到存储器管芯200两端或存储器管芯200内的某些组件上。

随着存储器器件的容量增加，完成测试程序的持续时间也可增加-例如，随着测试更多的存储器单元、迹线、感测组件、驱动器等。此外，对于使用存取命令序列来执行测试程序的存储器器件，与高容量存储器器件相关联的测试程序的增加的持续时间可能对于使用与较长存取命令序列相关联的技术的存储器器件(例如feram存储器器件)会更为严重。

另外，对于使用存取命令序列来执行测试程序的存储器器件，为了执行存取命令而执行的某些操作可能不必要地汲取电流和/或干扰存储器器件中的其它组件-例如，当特定测试程序不打算汲取高电流和/或产生干扰时。

为了避免过多的成本和时间，可以采用缩短测试程序的技术。在一些实例中，为了减少测试持续时间和成本，存储器管芯200可被配置成在执行测试程序时使用经修改的一组操作(例如，缩短的一组操作)来执行存取命令序列。另外，或者可替换地，为了避免不必要的电流汲取和不利于测试程序的干扰，存储器管芯200可以被配置为当执行测试程序时使用修改的一组操作(例如，排除用于施加和移除电压的操作的一组操作)来执行存取命令序列。

例如，当执行测试程序时，可以使用一组修改的操作来执行act命令。例如，接收针对(或寻址)一行存储器单元205的act命令的本地存储器控制器265可以省略与该行存储器单元205和对应的数位线215之间的电荷交换相关联的act命令序列中的操作-例如，以设置感测操作。本地存储器控制器265还可省略用于感测由该行存储器单元205存储的逻辑状态的操作。这种命令序列可以被称为“快速act命令序列”。

在一些实例中，快速act命令序列可以包括两个操作。用于激活包括该行存储器单元205的存储器部分的第一操作和用于激活与该行存储器单元205耦合的字线210的后续操作。在一些实例中，快速act命令序列可以包括用于激活与该行存储器单元205耦合的感测组件250的第三操作，其发生在字线210被激活之后。在一些实例中，用于完全执行快速act命令序列的持续时间可以延续大约10纳秒。

因此，相对于完整的act命令序列，快速act命令序列可以省略用于将数位线215预充电到预充电电压的操作；允许在该行存储器单元205和数位线215之间交换电荷的延迟操作；用于将感测组件250连接到数位线215的操作；用于激活感测组件250的操作；用于存储由感测组件250感测的逻辑状态的操作；和/或用于将该行存储器单元205返回到零干扰状态的操作-例如，因为该行存储器单元205可以通过快速act命令序列保持在零干扰状态。在一些实例中，快速act命令或一系列快速act命令可用于以快速连续方式将一系列电压脉冲施加到字线210且不干扰与字线耦合的其它组件(例如，该行存储器单元205)。当快速act命令序列包括用于激活感测组件250的第三操作时，可以使用act命令或一系列act命令来快速连续地激活和停用感测组件250，而不干扰与感测组件250耦合的其它组件(例如，该行存储器单元205)。

在一些实例中，当存储器管芯200使用与超过阈值持续时间的用于感测逻辑状态的持续时间相关联的技术时-例如，如果act命令序列超过40纳秒，则可以使用快速act命令序列。在一些实例中，当在测试程序期间汲取的电流超过阈值电流时-例如，如果使用一或多个act命令来激活多个存储器区段，则可使用快速act命令序列。在一些实例中，当测试程序期间的干扰超过阈值干扰时-例如，如果测试程序想要独立于干扰进行测量，则可以使用快速act命令序列。另外，或者可替换地，当运行特定测试时-例如当执行忽略存储在存储器单元205中的逻辑状态的测试程序时，可以使用快速act命令序列。

通过使用快速act命令序列，使用包括act命令的命令序列的测试程序的持续时间可以显著地减少-例如，因为快速act命令序列的持续时间较短。而且，通过使用快速act命令序列，可以减少在测试程序期间使用的电流量-例如，因为减少了对存取线的电压的施加和去除、和/或减少了组件的激活。另外，通过使用快速act命令序列，可以减少对其它组件的无意干扰-因为减少了对存取线的电压的施加和去除、和/或减少了感测组件的激活。

在另一个实例中，当执行测试程序时，可以使用一组修改的操作来执行pre命令。例如，接收针对(或寻址)存储器组、存储器部分和/或(多)行存储器单元205的pre命令的本地存储器控制器265可以省略与将先前感测到的逻辑状态写回到打开的存储器单元205的行相关联的pre命令序列中的操作。这种命令序列可以被称为“快速pre命令序列”。

在一些实例中，快速pre命令序列可以包括三个操作。用于停用与该行存储器单元205耦合的字线210的第一操作。用于停用与存储器单元205耦合的感测组件250的以下操作。以及可以均衡用于均衡感测组件250的节点的最终操作。在一些实例中，快速pre命令序列可以包括四个操作。在这种情况下，快速pre命令序列可以从均衡数位线215和与该行存储器单元205耦合的(多个)板线220开始，其发生在字线210被停用之前。在一些实例中，用于完全执行快速pre命令序列的持续时间可以延续15纳秒。

因此，相对于完整的pre命令序列，快速pre命令序列可以省略用于均衡数位线215和与一行存储器单元205耦合的(多个)板线220的操作；用于将激活的感测组件250(或与感测组件250相关联的锁存器)连接到数位线215的操作；用于向(多个)板线220施加电压(例如，写电压)的操作；允许逻辑状态被写入该行存储器单元205的延迟操作；和/或允许从该行存储器单元205的底部去除电荷的延迟操作(例如，延迟操作)。在一些实例中，快速pre命令可以用于以减少的持续时间关闭一行存储器单元205，使得可以更快速地处理后续命令(例如act命令)，并允许将额外电压施加到该行存储器单元205、与该行存储器单元205和/或另一行存储器单元205相关联的组件。

在一些实例中，当存储器管芯200使用与超过阈值持续时间的写回逻辑状态的持续时间相关联的技术时-例如，如果pre命令序列超过40纳秒，则可以使用快速pre命令序列。在一些实例中，当在测试程序期间汲取的电流超过阈值电流时-例如，如果使用一或多个pre命令来关闭多个存储器部分，则可以使用快速pre命令序列。在一些实例中，当测试程序期间的干扰超过阈值干扰时-例如，如果测试程序想要独立于干扰进行测量，则可以使用快速pre命令序列。另外，或者可替换地，当运行特定测试时，例如当执行忽略存储在被存取的存储器单元205中的逻辑状态的测试程序时，可以使用快速pre命令序列。

通过使用快速pre命令序列，使用包括pre命令的命令序列的测试程序的持续时间可以显著地减少-例如，因为快速pre命令序列的持续时间较短。而且，通过使用快速pre命令序列，可以减少在测试程序期间使用的电流量-例如，因为减少了对存取线的电压的施加和去除。另外，通过使用快速pre命令序列，可以减少对其它组件的无意干扰-因为减少了对存取线的电压的施加和去除。

在一些实例中，快速act命令序列可以与快速pre命令序列结合使用，以进一步减少测试程序的持续时间。而且，使用快速act和快速pre命令序列，可以使特定的操作模式(例如，测试模式)能够执行过程(例如，测试程序)，而不适应act和pre命令序列中包括的某些操作。

图3示出了用于执行本文所公开的快速预充电命令序列的方法的实例。

流程图300示出了由存储器器件使用第一组操作来执行所接收的pre命令的各方面，所述第一组操作与相对于第二组操作(其也被称为pre命令序列)的更短持续时间、更少的电流消耗和/或更少的干扰(其也可以被称为快速pre命令序列)相关联。在一些实例中，当测试程序或测试程序的一部分忽略存储在存储器单元中的逻辑状态时，可以使用快速pre命令序列。对于此类测试程序，在执行存取操作之后，存储在存储器单元中的逻辑状态是否正确/恢复在整个测试程序中可能并不重要。因此，快速pre命令序列可以被配置为在缩短的持续时间内执行pre命令和/或省略与可靠地写入存储器单元或从存储器单元读取相关联的步骤。

在一些实例中，当执行监测存储在存储器单元中的逻辑状态的测试程序时或者当执行数据存取过程时，可以使用pre命令序列。对于这样的测试和数据存取过程，在执行存取操作之后，优选地，存储在存储器单元中的逻辑状态是正确的。因此，pre命令序列可以被配置为将逻辑状态可靠地存储到存储器单元中和/或恢复从存储器单元读取的逻辑状态。

在框305，可以为存储器器件或由存储器器件选择测试程序。在一些实例中，测试程序由工程师选择-例如，作为部署前测试的一部分或基于在操作期间识别的问题。在一些实例中，测试程序由存储器器件选择-例如，基于加载在存储器器件上的较大测试程序内的一部分或基于存储器器件在操作期间识别的问题。在一些实例中，所选择的测试程序可以是在执行存取操作之前和之后忽略由存储器单元存储的逻辑状态的测试程序。忽略逻辑状态的测试程序可以包括应力测试、晶片级裕度测试、晶片级老化测试、封装老化测试、单元级可靠性测试、合格性测试和/或特性测试。

在框310，存储器器件可接收所选择的测试程序的指示。在一些实例中，接收所选择的测试程序的指示可以包括接收所选择的特定测试程序或测试程序类型的指示。在一些实例中，从外部器件接收所选择的测试程序的指示。在其它实例中，从被编程为运行一个或一系列测试程序的内部组件接收所选择的测试程序的指示。

另外，或者可替换地，存储器器件可以接收使用特定的一组操作来执行所接收的存取命令的指示。在一些实例中，存储器器件可以接收将要使用快速pre命令序列的指示。在一些实例中，快速pre命令序列用于减少测试程序的持续时间，例如，因为快速pre命令序列可以省略原本用于执行pre命令序列的操作，并且可以更快地执行后续操作。类似地，快速pre命令序列可用于减少电流汲取和对其它存储器组件的干扰，例如，因为快速pre命令序列可省略原本用于改变一或多个存取线的电压和/或在pre命令序列期间激活和停用感测组件的操作。当pre命令寻址多个存储器组、存储器部分和/或存储器行时，快速pre命令序列还可以用于减少电流消耗。

在一些实例中，快速pre命令序列用于支持旨在对特定存储器组件进行单独控制的测试程序。例如，当快速pre命令序列省略了与向单元板施加电压相关的操作时，寻求控制单元板的测试程序可以使用快速pre命令序列。因此，测试程序可以避免考虑板线干扰，原本在执行pre命令序列时将电压施加到单元板将引起板线干扰。例如，在预定持续时间内将电压施加到板线的测试程序可以使用快速pre命令序列来防止在存储器单元关闭时在电压被去除之后将额外的电压施加到板线-例如，因为额外的电压可能使测试程序的目的无法达到。

类似地，快速pre命令序列可以用于支持寻求控制用于将感测组件连接到数位线的切换组件的测试程序。在一些实例中，快速pre命令序列还可便于将特定电压序列施加到特定存储器组件，而不考虑原本在执行pre命令序列时将施加的电压以关闭存储器单元。在一些实例中，将特定电压序列施加到(或循环)板线或数位线的测试程序可以使用快速pre命令序列来防止在关闭存储器单元时向板线或数位线施加额外的电压。在一些实例中，快速pre命令序列可用于通过保持存储器单元和数位线之间的电连接而不会在与存储器单元耦合的数位线或板线上施加电压，并且在停用相应的字线之前对存储器单元的底部放电。

在其它实例中，存储器器件可以接收将使用pre命令序列的指示。在一些实例中，用于执行pre命令序列的持续时间可以长于用于执行快速pre命令序列的持续时间。在一些实例中，pre命令序列可以包括包括在快速pre命令序列中的操作和附加操作。在一些实例中，包括在pre命令序列中的附加操作可以与将逻辑状态写回到先前感测的存储器单元相关联。

在框315，存储器器件可被配置为用于对应于所选择的测试程序的测试模式。在一些实例中，存储器器件在外部被配置为用于测试模式-例如，通过将电压施加到测试引脚，可激活和/或停用存储器器件内的某些组件以支持对应的测试模式。在一些实例中，在被配置为用于一测试模式之后，存储器器件可根据所配置的测试模式来处理接收到的存取命令。

例如，如果激活测试引脚导致与忽略被配置在存储器器件处的存储器单元的逻辑状态的测试程序相关联的第一测试模式，则存储器器件可以在接收到pre命令之后执行快速pre命令序列。在其它实例中，如果激活测试引脚导致保持被配置在存储器器件处的存储器单元的逻辑状态的第二测试模式，则存储器器件可以在接收到pre命令之后执行pre命令序列。

在一些实例中，激活测试引脚可以使得存储器器件内存储用于执行存取命令的第一组操作(例如，存储快速pre命令序列)的第一测试组件被激活，和/或使得存储器器件内的存储用于执行存取命令的第二组操作(例如，存储pre命令序列)的第二测试组件被停用。在一些实例中，激活测试引脚可使得感测组件制止执行与将逻辑状态写回到存储器单元相关联的动作或完全停用。

在其它实例中，存储器器件将其自身配置为测试模式-例如，存储器器件可基于接收测试模式的指示而激活和停用存储器器件内的某些组件。在一些实例中，存储器器件可以配置测试模块，以在接收到忽略逻辑状态的测试程序将要运行的指示之后，使用第一组操作来执行所接收的存储器命令(例如，快速pre命令序列)。在另一实例中，所述存储器器件可配置测试模块以在接收到将使用所述第一组操作的指示之后使用所述第一组操作来执行所接收的存储器命令。在一些实例中，该指示指示使用所指示的一组操作的特定持续时间。在其它实例中，存储器器件被配置成使用指示操作组直到接收到相反指示为止。

在一些实例中，配置测试模块以使用第一组操作可以包括激活存储用于执行存取命令的第一组操作的第一测试组件和/或停用存储用于执行存取命令的第二组操作(例如，pre命令序列)的第二测试组件。在一些实例中，存储器器件可配置感测组件以制止执行与将逻辑状态写回到存储器单元相关联的动作，或可完全基于接收测试程序的指示而停用感测组件。

在其它实例中，存储器器件可以配置测试模块，以在接收到旨在保持逻辑状态的测试程序将被运行的指示或者第二组操作将被使用的明确指示之后，使用第二组操作来执行所接收的存储器命令(例如，pre命令序列)。在一些实例中，配置测试模块以使用第二组操作可以包括激活第二测试组件和/或停用存储用于执行存取命令的第一组操作的第一测试组件。

在框320，存储器器件可以接收pre命令作为测试程序的一部分。在一些实例中，pre命令用于关闭存储器组、存储器部分和/或存储器单元行。关闭存储器单元可包括停用用于存取存储器单元的组件(例如，字线、感测组件、数位线等)。在一些实例中，关闭存储器单元还可包括基于对所述存储器单元执行的先前感测操作将逻辑状态写回到所述存储器单元。在一些实例中，从外部器件-例如，正在运行测试程序并产生命令(包括pre命令)以执行测试程序的主机器件-接收pre命令。在一些实例中，pre命令在存储器器件内产生-例如，通过运行测试程序的嵌入式测试模块。在一些实例中，所接收的pre命令包括识别所接收的pre命令所针对的一或多个存储器单元的地址信息。例如，所接收的pre命令可以包括与一或多个存储器单元相关联的存储器组地址、存储器部分地址和/或存储器行地址。

在一些实例中，接收(例如串行或并行地)pre命令和也用于执行测试程序的其它存取命令。在一些实例中，作为测试程序的一部分，在接收到一或多个存储器单元的act命令之后接收pre命令，并且pre命令可用于关闭存储器单元的行。在一些实例中，所接收的pre命令是preall命令。可以使用preall命令来关闭存储器器件中的所有存储器组(或激活的存储器组)、存储器组中的所有存储器部分、和/或存储器部分或所有存储器组中的所有存储器行。

在框325，存储器器件可以选择一组操作(或存取命令序列)用于执行所接收的pre命令。在一些实例中，作为被配置在与快速pre命令序列相关联的第一测试模式中的结果，存储器器件选择快速pre命令序列，即，存储器器件可以基于先前被配置在第一测试模式中而自动执行快速pre命令序列。在其它实例中，在确定存储器器件已经被配置在第一测试模式之后，存储器器件选择快速pre命令序列。在一些实例中，存储器器件基于确定正在执行特定测试程序或测试程序的类型来选择快速pre命令序列。

在一些实例中，快速pre命令序列省略了与将先前感测的逻辑状态写回到包括在pre命令序列中的存储器单元相关联的操作。通过省略与写回逻辑状态相关的操作，可以减少执行pre命令的持续时间。省略的操作可包括用于将感测组件连接到数位线的操作-例如，将感测组件的输出施加到存储器单元，其中输出基于先前从存储器单元感测到的逻辑状态。通过省略与向数位线施加电压相关联的操作，数位线的电压对于pre命令的执行的全部或较长部分可以保持固定(例如，在接地参考处)，从而在pre命令的执行期间减少电流汲取和对其它存储器组件的干扰。

省略的操作还可以包括用于向板线施加电压的操作-例如，向存储特定逻辑状态的存储器单元写回逻辑状态。通过省略用于向板线施加电压的操作，板线的电压可以在pre命令的执行的全部或较长的部分中保持固定(例如，在接地参考处)，从而在pre命令的执行期间减少电流消耗和对其它存储器组件的干扰。省略的操作还可以包括等待操作，该等待操作为可靠地写回到存储器单元的逻辑状态提供持续时间。另外，省略的操作可以包括用于均衡数位线和板线的电压的操作-例如，因为数位线和板线的电压在快速pre命令序列期间不改变。

类似地，通过省略用于将感测组件的输出连接到数位线和将电压连接到板线的操作，可以减少在preall命令期间汲取的电流量。在一些实例中，可以将汲取的电流量降低到阈值以下，这可以使preall命令能够寻址更多数量的存储器组和/或存储器部分。

在其它实例中，可以选择pre命令序列-例如，如果存储器器件被配置在与pre命令序列相关联的第二测试模式中。在这种情况下，存储器器件可以通过执行包括上述省略的操作的pre命令序列来执行接收到的pre命令。

在框330，存储器器件可以通过执行快速pre命令序列来执行所接收的pre命令-例如，基于正被配置的第一测试模式。当执行快速pre命令序列时，存储器器件可以通过均衡(多个)数位线和(多个)板线的电压开始，例如，如果(多个)数位线和(多个)板线的电压还没有均衡。在一些实例中，均衡(多个)数位线和(多个)板线的电压包括向(多个)数位线和(多个)板线施加相同的电压(例如，高电压或低电压)。接着，存储器器件可停用字线。在一些实例中，停用字线包括将高电压或低电压施加到字线，其可停用用于将一行存储器单元与数位线耦合和解耦合的选择组件。在一些实例中，第一组操作省略均衡操作，并且在开始上停用字线-例如，如果(多个)数位线和(多个)板线的电压已经被均衡。

在停用字线之后、同时或之前，可停用感测组件。停用感测组件可包括将感测组件从电压源断开。在停用感测组件之后，可以均衡感测组件的节点。均衡感测组件的节点可包括将相同电压(例如，高电压或低电压)施加到感测组件的输入和/或输出节点。在一些实例中，存储器器件使用与第一组操作相同的第三组操作，不同之处在于第三组操作可以总是省略均衡操作。在一些实例中，在完成快速pre命令序列之后，可以将逻辑状态写回到存储器单元，该逻辑状态不同于在紧接的先前感测操作之前由存储器单元存储的逻辑状态。在一些实例中，在完成快速pre命令序列之后，可以将软逻辑状态(例如，降低可靠性的逻辑状态)写回到存储器单元。

在一些实例中，pre命令可以寻址整个存储器组或存储器部分(例如，preall命令)，并且存储器器件可以均衡包括在存储器组或存储器部分中的所有板线和数位线的电压；停用所有字线；停用与所述存储器组或存储器部分耦合的所有感测组件，其可包括均衡所述感测组件的所有节点的电压。在一些情况下，存储器器件可省略用于均衡包括在存储器组或存储器部分中的所有板线和数位线的电压的操作。

在框335，存储器器件可以接收act命令作为测试程序的一部分。在一些实例中，act命令可打开存储器组、存储器部分或存储器单元行。打开存储器单元可以包括将存储器单元连接到数位线、存取存储器单元、和/或感测存储器单元的输出以确定由存储器单元存储的逻辑状态。在一些实例中，act命令可以针对由pre命令关闭的一行存储器单元或不同的一行存储器单元。在一些实例中，act命令可针对存储器器件中打开的所有行的存储器单元(例如，如果act命令是actall命令的话)。在一些实例中，从运行测试程序的外部器件或从为测试程序生成命令的内部器件接收act命令。

在框340，存储器器件可以执行act命令。在一些实例中，执行act命令包括执行act命令序列，该act命令序列包括用于将存储器单元连接到数位线的第一组操作，用于例如通过在存储器单元两端施加存取电压来存取存储器单元的第二组操作，以及用于例如通过在存取存储器单元之后感测数位线的电压来确定存储器单元的逻辑状态的第三组操作。在其它实例中，执行act命令包括执行快速act命令序列，该快速act命令序列省略了与存取存储器单元和/或感测存储器单元的输出相关联的操作-例如，基于存储器器件正被配置在第一测试模式中。相对于使用pre命令序列和/或act命令序列，用快速pre命令序列和/或快速act命令序列执行所接收的pre和act命令可以减少与测试程序相关联的持续时间。另外，使用快速pre命令序列和/或快速act命令序列可以减少测试程序期间的电流汲取和干扰。

在一些实例中，存储器器件可以接收另一个pre命令，并且可以通过框330重复在框320执行的操作。在一些实例中，可以在接收到另一个pre命令之前将存储器器件重新配置为新的测试模式。例如，存储器器件可被配置为用于第二测试模式。在这种情况下，可以使用包括从快速pre命令序列中省略的操作的pre命令序列来执行其它接收到的pre命令。

图4示出了根据本公开的各种实例的支持执行快速预充电命令序列的存储器器件的框图。

存储器器件400可以被称为电子存储器装置，并且可以包括存储器单元405、字线410、数位线415、板线420、感测组件450、参考线455和存储器控制器465，它们可以是存储器单元、字线、位线、板线、感测组件、参考线和本地存储器控制器的实例，如参考图1和2所述。存储器器件400还可包括锁存器425和参考组件430。存储器器件400的组件可彼此电子通信且可执行参考图1至3所描述的功能。

(多个)存储器单元405可以被配置为存储逻辑信息。在一些实例中，可使用触发向与(多个)存储器单元405耦合的组件顺序施加电压的一或多个存取命令来存取(多个)存储器单元405。

参考组件430可以包括各种组件以生成用于感测组件450的参考信号。参考组件430可包括被配置成产生参考信号的电路。

感测组件450可以将来自存储器单元405的信号(通过数位线415)与来自参考组件430的参考信号进行比较。一旦确定了逻辑状态，感测组件就可以将输出存储在锁存器425中，在锁存器中可以根据存储器器件400是其一部分的电子器件的操作来使用输出。

存储器控制器465可以与其它组件结合，在整个存储器设备400上施加电压，将数据写入存储器单元405，从存储器单元405读取数据，并且总体上操作存储器器件400，如图1至3所示。存储器控制器465可以与字线410、数位线415、板线420、参考组件430、感测组件450进行电子通信。存储器控制器465可以包括偏置组件470、定时组件475和配置组件480。在一些实例中，存储器控制器465可包括行解码器、列解码器或两者，如参考图2所描述的。这可以使得存储器控制器465能够存取一或多个存储器单元405。

在一些实例中，存储器控制器465可使用偏置组件470通过向那些各种节点施加电压来激活存取线。在一些实例中，偏置组件470可被配置成施加电压以操作存储器单元405来读取或写入存储器单元405，如上文所描述。在一些实例中，偏置组件470可本配置成向参考组件430提供电压电位，以便产生用于感测组件450的参考信号。另外，偏置组件470可以为感测组件450的操作提供电压电势。

定时组件475可被配置成控制各种字线选择或板偏置的定时，包括用于切换和用于执行例如本文中所讨论的读取和写入的存储器功能的电压施加的定时。在一些实例中，定时组件475可以控制偏置组件470的操作。在一些实例中，存储器控制器465还可包括参考组件430、感测组件450和锁存器425。

配置组件480可被配置成将存储器器件400配置在操作模式(例如，测试模式)中。例如，配置组件480可以将在存储器阵列配置在测试模式中，其中执行第一组操作以执行接收到的pre命令(例如，快速pre命令序列)或者执行与较长持续时间相关联的第二组操作以执行接收到的pre命令(例如，pre命令序列)。配置组件480可以包括第一操作模式组件485、第二操作模式组件490和命令处理组件495。

第一操作模式组件485可被配置成存储用于第一组命令的第一组命令序列。在一些实例中，第一操作模式组件485被配置成存储快速pre命令序列。在一些实例中，当存储器器件400被配置在第一测试模式中时，第一操作模式组件485可以用于根据所存储的第一组命令序列的相应命令序列来执行所接收的命令-例如，在存储器控制器465处接收到pre命令之后，第一操作模式组件485可以执行快速pre命令序列。

第二操作模式组件490可被配置成存储用于第二组命令的第二组命令序列。在一些实例中，第二组命令序列中的一或多个命令序列具有比第一组命令序列中的相应命令序列更长的持续时间。在一些实例中，第二操作模式组件490被配置成存储pre命令序列。在一些实例中，当将存储器器件400配置在第二测试模式或数据存取模式中时，第二操作模式组件490可用于根据所存储的第二组命令序列中的相应命令序列执行接收到的命令-例如，在存储器控制器465接收到pre命令之后，第二操作模式组件490可以执行pre命令序列。

命令处理组件495可以被配置为接收存取命令-例如，从外部器件或存储器控制器465的另一组件接收的存取命令。在一些实例中，命令处理组件495可以被配置为缓冲接收到的存取命令并将存取命令中继到存储器控制器465内的其它组件，例如第一操作模式组件485和第二操作模式组件490。在一些实例中，例如基于安装在存储器控制器465处的测试程序，命令处理组件495可被配置成生成存取命令。

在一些实例中，存储器控制器465可被配置成在与比第二模式(例如，第二测试模式)更短的命令序列相关联的第一模式(例如，第一测试模式)中操作。存储器控制器465还可以被配置成当被配置在第一模式中时执行与第一模式相关联的第一组操作(例如，快速pre命令序列)以执行第一存取命令(例如，pre命令)，或者当被配置在第二模式中时执行与第二模式相关联的第二组操作(例如，pre命令序列)以执行第一存取命令。在一些实例中，存储器控制器465可以在比第二组操作更短的持续时间内执行第一组操作。在一些实例中，存储器控制器465可使用配置组件480来识别外部器件所请求的测试模式。存储器控制器465还可使用配置组件480来为所识别的测试模式(例如，第一测试模式或第二测试模式)配置存储器器件400。在一些实例中，当配置了第一模式时，存储器控制器465使用配置组件480来配置感测组件450以制止在感测存储器单元之后将逻辑状态写回到存储器单元。

在一些实例中，存储器控制器465可以接收和处理存取命令。在一些实例中，当执行第一测试程序时，存储器控制器465使用第一操作模式组件485来处理存取命令。当第一操作模式组件485被激活时，存储器控制器465可以在接收到pre命令之后执行快速pre命令序列。为了执行快速pre命令序列，作为初始步骤，第一操作模式组件485可以使用偏置组件470向字线410施加停用电压。接着，第一操作模式组件485可以发送信号(例如，经由控制线440)以将感测组件450与电压源断开连接，这可以停用感测组件450。并且最后，第一操作模式组件485可以均衡感测组件450的节点。在一些实例中，均衡感测组件的节点包括将控制信号发送到将数位线415和参考线455连接到虚拟地的切换组件。在一些实例中，快速pre命令序列的初始步骤包括均衡数位线415和板线420的电压。在一些实例中，均衡板线420和数位线415的电压可以包括发送控制信号到将数位线415连接到虚拟地的切换组件。

图5示出了说明根据本公开的方面的支持执行快速预充电命令序列的一或多个方法500的流程图。方法500的操作可以由如本文所述的存储器阵列或其组件来实现。例如，方法500的操作可以由参考图4描述的存储器阵列来执行。在一些实例中，存储器阵列可以执行一组指令以控制存储器阵列的功能元件执行所描述的功能。另外，或可替换地，存储器阵列可以使用专用硬件来执行所描述的功能的各方面。

在505，存储器阵列可以配置包括存储器阵列的存储器器件以在与相对于第二模式具有减少的持续时间的命令序列相关联的第一模式中操作。505的操作可以根据本文中所描述的方法来执行。在一些实例中，505的操作的各方面可以由参考图4描述的配置组件来执行。

在510，在配置存储器器件在第一模式中操作之后，存储器阵列可以接收与存储器阵列的存储器单元相关联的预充电命令。510的操作可以根据本文中所描述的方法来执行。在一些实例中，510的操作的各方面可以由参考图4描述的命令处理组件来执行。

在515，存储器阵列可基于将存储器阵列配置为在第一模式中操作而执行用于执行预充电命令的第一组操作，其中与当将存储器器件被配置在第二模式中时用于执行预充电命令的第二组操作相比，第一组操作在较短的持续时间内执行。515的操作可以根据本文中所描述的方法来执行。在一些实例中，可以由参考图4描述的第一操作模式组件、偏置组件和/或定时组件来执行515的操作的各方面。

在一些实例中，如本文中所述的装置可以执行一或多个方法，诸如方法500。所述装置可以包括特征、构件或指令(例如，存储可由处理器执行的指令的非暂时性计算机可读介质)，用于将包括存储器阵列的存储器器件配置为以与相对于第二模式具有减少的持续时间的命令序列相关联的第一模式进行操作，在将存储器器件配置为在第一模式中操作之后，接收与存储器阵列的存储器单元相关联的预充电命令，并基于将存储器阵列配置为在第一模式中运行，执行用于执行预充电命令的第一组操作，其中第一组操作在比当将存储器器件配置为第二模式时用于执行预充电命令的第二组操作更短的持续时间内执行。

本文所述的方法500和装置的一些实例还可以包括操作、特征、构件或指令，用于基于将存储器阵列配置为在第一模式中操作来选择第一组操作而不是第二组操作用于执行预充电命令。

在本文所述的方法500和装置的一些实例中，执行第一组操作可以包括操作、特征、构件或指令，用于作为第一组操作的第一操作，均衡可以与存储器单元耦合的板线的电压和可以与存储器单元耦合的数位线的电压。

在本文所述的方法500和装置的一些实例中，在均衡板线的电压与数位线的电压之后，执行第一组操作可包括操作、特征、构件或指令，用于停用可与存储器单元耦合的字线，停用可以与存储器单元耦合的感测组件，以及均衡感测组件的第一节点的电压和感测组件的第二节点的电压。

在本文所述的方法500和装置的一些实例中，可以在字线可以被停用之后停用感测组件，并且其中可以在感测组件可以被停用之后，均衡第一节点的电压和第二节点的电压。

在本文所述的方法500和装置的一些实例中，执行第一组操作可包括操作、特征、构件或指令，用于作为第一组操作的第一操作，停用可以与存储器单元耦合的字线或可以与存储器单元耦合的感测组件。

在本文所述的方法500和装置的一些实例中，执行第一组操作可包括操作、特征、构件或指令，用于作为在第一操作之后发生的第一组操作的第二操作，基于在第一操作中是否可以停用字线或感测组件来停用字线或感测组件，并且在停用字线或感测组件之后，均衡感测组件的第一节点的电压与感测组件的第二节点的电压。

本文所述的方法500和装置的一些实例还可以包括操作、特征、构件或指令，用于将存储器器件配置为在第二模式中操作，在将存储器器件配置为在第二模式中操作之后接收与存储器单元相关联的第二预充电命令，以及基于将存储器阵列配置为在第二模式中操作来执行第二组操作以执行第二预充电命令。

在本文所述的方法500和装置的一些实例中，执行第二组操作可包括操作、特征、构件或指令，用于将感测组件的输出耦合到可与存储器单元耦合的数位线，其中输出的电压对应于在耦合之前被感测组件感测到的存储器单元所存储的逻辑状态，基于将感测组件的输出耦合到数位线，向可以与存储器单元耦合的板线施加电压，基于将电压施加到板线，均衡板线的电压和数位线的电压，在均衡板线的电压和数位线的电压之后，等待与从存储器单元的底部去除电荷相关的持续时间，在等待持续时间之后，停用可能与选择组件耦合的字线，其中选择组件可以与存储器单元耦合，基于停用字线来停用感测组件，并且基于停用感测组件，均衡感测组件的第一节点的电压和感测组件的第二节点的电压。

本文所述的方法500和装置的一些实例还可以包括操作、特征、构件或指令，用于在接收到预充电命令之前执行与存储器单元相关联的激活命令，并基于执行激活命令从存储器单元感测逻辑状态，其中基于执行第一组操作，可以丢弃从存储器单元感测到的逻辑状态。

在本文所述的方法500和装置的一些实例中，执行第一组操作可包括操作、特征、构件或指令，用于制止将感测组件从存储器单元感测到的逻辑状态写回到存储器单元。

在本文所述的方法500和装置的一些实例中，制止将从存储器单元感测到的逻辑状态写回到存储器单元可包括操作、特征、构件或指令，用于将感测组件的输出耦合到可与存储器单元耦合的数位线，基于将感测组件的输出耦合到数位线，将电压施加到可与所述存储器单元耦合的板线，均衡板线的电压与数位线的电压；或及其任何组合。

在本文所述的方法500和装置的一些实例中，存储器单元在接收预充电命令之前存储逻辑状态，并且在执行第一组操作之后存储不同的逻辑状态。

在本文所述的方法500和装置的一些实例中，预充电命令可以与包括存储器单元的一组存储器单元相关联，并且其中可以对该组存储器单元执行第一组操作。

在本文所述的方法500和装置的一些实例中，存储器阵列包括一或多个铁电存储器单元，且其中存储器单元可为铁电存储器单元。

在本文所述的方法500和装置的一些实例中，第一模式可与晶片级裕度测试、晶片级老化测试、晶片级可靠性测试、封装老化测试、单元级可靠性测试、合格性测试或台架特性测试中的一或多个相关联。

本文所述的方法500和装置的一些实例还可包括操作、特征、构件或指令，用于执行与操作第二存储器单元相关联的第一组操作，其中基于正被配置的第一模式，电流水平保持在阈值以下。

本文所述的方法500和装置的一些实例还可包括操作、特征、构件或指令，用于在执行与板线相关联的测试的同时在接收到预充电命令之前向与存储器单元耦合的板线施加一序列电压，其中基于正被配置的第一模式可以不向板线施加额外电压。

在本文所述的方法500和装置的一些实例中，第一模式可以是第一测试模式，并且第二模式可以是第二测试模式。

图6示出了说明根据本公开的方面的支持执行快速预充电命令序列的一或多个方法600的流程图。方法600的操作可以由如本文所述的存储器阵列或其组件来实现。例如，方法600的操作可以由参考图4描述的存储器阵列来执行。在一些实例中，存储器阵列可以执行一组指令以控制存储器阵列的功能元件以执行所描述的功能。另外，或可替换地，存储器阵列可以使用专用硬件来执行所描述的功能的各方面。

在605，存储器阵列可以配置包括存储器阵列的存储器器件以在与相对于第二模式相比具有减少的持续时间的命令序列相关联的第一模式中操作。605的操作可以根据本文中所描述的方法来执行。在一些实例中，605的操作的各方面可以由参考图4描述的配置组件来执行。

在610，在配置存储器器件在第一模式中操作之后，存储器阵列可以接收与存储器阵列的存储器单元相关联的预充电命令。610的操作可以根据本文中所描述的方法来执行。在一些实例中，610的操作的各方面可以由参考图4描述的命令处理组件来执行。

在615，存储器阵列可基于将存储器阵列配置为在第一模式中操作而执行用于执行预充电命令的第一组操作，其中与当将存储器器件被配置在第二模式中时用于执行预充电命令的第二组操作相比，第一组操作在较短的持续时间内执行。615的操作可以根据本文中所描述的方法来执行。在一些实例中，可以由参考图4描述的第一操作模式组件、偏置组件和/或定时组件来执行615的操作的各方面。

在620，作为第一组操作中的第一操作，存储器阵列可停用与存储器单元耦合的字线或与存储器单元耦合的感测组件。620的操作可以根据本文中所描述的方法来执行。在一些实例中，操作620的各方面可以由第一操作模式组件和偏置组件来执行，如参考图4所述。

在625，作为在第一操作之后发生的第一组操作中的第二操作，存储器阵列可基于字线或感测组件在第一操作中是否被停用而停用字线或感测组件。625的操作可以根据本文中所描述的方法来执行。在一些实例中，操作625的各方面可以由第一操作模式组件(例如，与偏置组件组合)来执行，如参考图4所述。

在630，在停用字线或感测组件之后，存储器阵列均衡感测组件的第一节点的电压和感测组件的第二节点的电压。630的操作可以根据本文中所描述的方法来执行。在一些实例中，操作630的各方面可以由第一操作模式组件(例如，与偏置组件组合)来执行，如参考图4所述。

应当注意，本文所述的方法是可能的实现，并且操作和步骤可以被重新布置或以其它方式修改，并且其它实现是可能的。此外，可以组合来自两个或两个以上方法的部分。

描述了一种装置。所述装置可包括存储器单元和存储器控制器，所述存储器控制器与所述存储器单元耦合且可被配置成在与相对于第二模式具有减少的持续时间的命令序列相关联的第一模式中操作，其中所述存储器控制器可操作以在配置于所述第一模式中时执行与所述第一模式相关联的第一组操作以执行用于存取所述存储器单元的第一命令，或在配置于所述第二模式中时执行与所述第二模式相关联的第二组操作以执行用于存取所述存储器单元的第一命令，其中执行第一组操作的持续时间短于执行第二组操作的持续时间。

在一些实例中，存储器控制器可以包括操作、特征、构件或指令，用于配置组件可操作以识别外部器件所请求的模式并且将所述装置配置为所识别的模式，所识别的模式包括第一模式或第二模式。

在一些实例中，存储器控制器可以包括操作、特征、构件或指令，用于第一操作模式组件可操作以存储与一组存取命令相对应的第一组命令序列，以及第二操作模式组件可操作为存储与该组存取命令相对应的第二组命令序列，其中所述第一组命令序列中的至少一个命令序列可以在比所述第二组命令序列中的相应命令序列更短的时间段内执行。

所述装置的一些实例可包括感测组件，所述感测组件与所述存储器单元耦合且可操作以在可配置所述第一模式时在感测所述存储器单元之后制止将逻辑状态写回到所述存储器单元。

描述了一种装置。所述装置可包括存储器阵列，所述存储器阵列包括存储器单元和与所述存储器阵列耦合的存储器控制器，所述存储器控制器可操作以配置与相对于第二模式具有减少的持续时间的一或多个命令序列相关联的第一模式，在配置所述第一模式之后接收与所述存储器单元相关联的预充电命令，以及基于将所述存储器阵列配置为在所述第一模式中操作来执行用于执行所述预充电命令的第一组操作，其中在比用于当配置所述第二模式时执行所述预充电命令的第二组操作更短的持续时间内执行所述第一组操作。

一些实例还可包括作为第一组操作的初始操作，均衡可与存储器单元耦合的板线的电压和可与存储器单元耦合的数位线的电压，且作为第一组操作的下一操作，停用可与存储器单元耦合的字线或可与存储器单元耦合的感测组件。

一些实例还可包括作为第一组操作的初始操作，停用可与存储器单元耦合的字线或可与存储器单元耦合的感测组件。

可以使用多种不同技术和工艺中的任一个来表示本文中所描述的信息和信号。例如，可以通过电压、电流、电磁波、磁场或磁性粒子、光场或光学粒子或其任何组合来表示可以贯穿上文描述所引用的数据、指令、命令、信息、信号、比特、符号和芯片。一些附图可以将信号图示为单个信号；然而，本领域普通技术人员将理解，信号可以表示信号总线，其中总线可以具有各种比特宽度。

术语“电子通信”、“导电接触”、“连接”和“耦合”可以指在组件之间的关系，其支持在组件之间信号的流动。如果在组件之间存在任何导电路径，其能够在任何时间支持在组件之间信号的流动，则组件被认为是彼此进行电子通信(或导电接触、连接或耦合)。在任何给定时间，基于包括所连接的组件的器件的操作，在彼此进行电子通信(或导电接触或连接或耦合)的组件之间的导电路径可以是开路或闭路。在连接的组件之间的导电路径可以是在组件之间的直接导电路径，或者在连接的组件之间的导电路径可以是可以包括中间组件(诸如开关、晶体管或其它组件)的间接导电路径。在一些实例中，可以例如使用诸如开关或晶体管的一或多个中间组件来将连接的组件之间信号流中断一段时间。

术语“耦合”是指从在组件之间的开路关系移动到在组件之间的闭路关系的情况，在开路关系中，当前不能通过导电路径在组件之间传递信号，在闭路关系中，能够通过导电路径在组件之间传递信号。在诸如控制器的组件将其它组件耦合在一起时，该组件发起允许信号通过先前不允许信号流动的导电路径在其它组件之间流动的改变。

术语“隔离”是指信号当前不能在组件之间流动的组件之间的关系。如果在组件之间存在开路，则组件被彼此隔离。例如，当开关打开时，由位于在组件之间的开关分隔的两个组件被彼此隔离。当控制器将两个组件彼此隔离时，控制器使用先前允许信号流动的导电路径来引发防止信号在组件之间流动的改变。

可以在诸如硅、锗、硅锗合金、砷化镓、氮化镓等的半导体衬底上形成包括存储器阵列的本文中所论述的器件。在一些实例中，衬底是半导体晶片。在其它实例中，衬底可以是绝缘体上硅(soi)衬底，例如玻璃上硅(sog)或蓝宝石上硅(sos)，或另一衬底上的半导体材料的外延层。可以通过使用包括但不限于磷、硼或砷的各种化学物质的掺杂来控制衬底或衬底的子区域的导电率。可以在衬底的初始形成或生长期间通过离子植入或通过任何其它掺杂手段来执行掺杂。

本文中所讨论的切换组件或晶体管可以表示场效应晶体管(fet)，并且包含包括源极、漏极和栅极的三端器件。端子可以通过例如金属的导电材料连接到其它电子元件。源极和漏极可以是导电的，并且可以包含重掺杂(例如，简并)半导体区。源极和漏极可以由轻掺杂半导体区或信道分隔。如果信道是n型(即，多数载流子是电子)，则fet可以被称为n型fet。如果信道是p型(即，多数载流子是空穴)，则fet可以被称为p型fet。信道可以由绝缘栅氧化物封端。可以通过将电压施加到栅极来控制信道导电性。例如，分别将正电压或负电压施加到n型fet或p型fet可以导致信道变得导电。大于或等于晶体管的阈值电压的电压被施加到晶体管栅极时，晶体管可以是“导通”的或被“激活”。小于晶体管的阈值电压的电压被施加到晶体管栅极时，晶体管可以是“关闭”的或被“停用”。

结合附图，本文阐述的描述描述了实例配置，并且不代表可以实现的或在权利要求的范围内的所有实例。本文中所使用的术语“示范性”表示“充当实例、例子或说明”，而不是“优选的”或“优于其它实例”。详细的描述包括提供对所描述的技术的理解的特定细节。然而，可在没有这些特定细节的情况下实践这些技术。在一些例子中，以框图形式示出了众所周知的结构和器件以避免使所描述实例的概念模糊。

在附图中，相似的组件或特征可以具有相同的附图标记。此外，可以通过在附图标记之后加上破折号和在类似组件之间进行区分的第二标记来区分相同类型的各种组件。如果在说明书中仅使用第一附图标记，则该描述适用于具有相同第一附图标记的类似组件中的任一个，而与第二附图标记无关。

可以使用多种不同技术和工艺中的任一个来表示本文中所描述的信息和信号。例如，可以通过电压、电流、电磁波、磁场或磁性粒子、光场或光学粒子或其任何组合来表示可以贯穿上文描述所引用的数据、指令、命令、信息、信号、位、符号和芯片。

通过设计成执行本文中所描述的功能的通用处理器、dsp、asic、fpga或其它可编程逻辑器件、离散门或晶体管逻辑、离散硬件组件或其任一组合，可以实现或执行结合本文中的公开所描述的各种说明性框和模块。通用处理器可以是微处理器，但在备选方案中，处理器可以是任何处理器、控制器、微控制器或状态机。处理器还可以被实现为计算器件的组合(例如，dsp与微处理器的组合、多个微处理器、结合dsp核的一或多个微处理器或任何其它此类配置)。

可以在硬件、由处理器执行的软件、固件或其任意组合中实现本文中所描述的功能。如果在由处理器执行的软件中实现，则功能可以作为一或多个指令或代码存储在计算机可读介质上或通过所述计算机可读介质传送。其它实例和实现在本公开和所附权利要求的范围内。例如，由于软件的特性，能够使用由处理器执行的软件、硬件、固件、硬连线或这些的任一个的组合来实现上述功能。实现功能的特征还可以在物理上位于各种位置，包括经分布而使得在不同的物理位置实现部分的功能。此外，如本文中所使用的，包括在权利要求中，如在项目列表中所使用的“或”(例如，由诸如“中的至少一个”或“的一或多个”的短语开头的项目列表)指示包括列表，使得例如a、b或c中的至少一个的列表表示a或b或c或ab或ac或bc或abc(即，a和b和c)。此外，如本文中所使用的，短语“基于”不应被解释为对封闭的一组条件的引用。例如，被描述为“基于条件a”的示范性步骤可以在不脱离本公开的范围的情况下是基于条件a和条件b两者。换而言之，如本文中所使用的，短语“基于”应以与短语“至少部分地基于”相同的方式来解释。

计算机可读介质包括非暂时性计算机存储介质和通信介质，通信介质包括促进计算机程序从一个地方传送到另一个地方的任何介质。非暂时存储介质可以是能够由通用或专用计算机存取的任何可用介质。作为实例而非限制，非暂时性计算机可读介质能够包含ram、rom、电可擦除可编程只读存储器(eeprom)、紧致盘(cd)rom或其它光盘存储器件、磁盘存储器件或其它磁存储器件或能够被用来以指令或数据结构的形式携带或存储所需程序代码构件和能够由通用或专用计算机或通用或专用处理器存取的任何其它非暂时性介质。此外，任何连接被适当地称为计算机可读介质。例如，如果使用同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(dsl)或诸如红外、无线电和微波的无线技术从网站、服务器或其它远程源传送软件，则同轴电缆、光纤电缆、双绞线、数字订户线(dsl)或诸如红外、无线电和微波的无线技术被包括在介质的定义中。如本文中所使用的盘和光盘包括cd、激光盘、光盘、数字通用盘(dvd)、软盘和蓝光盘，其中盘通常磁性地再现数据，而光盘通过激光光学地再现数据。上述内容的组合也被包括在计算机可读介质的范围内。

提供本文中的描述以使得所属领域的技术人员能够制作或使用本公开。所属领域的技术人员将明白对本公开的各种修改，并且本文中所定义的一般原理可以在不脱离本公开的范围的情况下被应用于其它变化。因此，本公开不限于本文中所描述的实例和设计，而是将符合与本文中所公开的原理和新颖特征一致的最广范围。