微机电器件、其制造方法及电子设备与流程

技术特征：

1.一种微机电器件的制造方法，包括：

在器件衬底上形成微机电单元，其中，所述器件衬底是激光透明的；

在微机电单元上执行至少一部分后续晶元处理；

从器件衬底侧照射激光，以通过选择性激光剥离，从器件衬底释放经至少一部分后续晶元处理的微机电单元，以形成微机电器件。

2.根据权利要求1所述的制造方法，其中，在完成全部晶圆处理之后释放所述微机电单元。

3.根据权利要求1所述的制造方法，其中，所述后续晶元处理包括晶元覆盖处理或晶圆级封装处理。

4.根据权利要求1-3中的任何一项所述的制造方法，其中，所述微机电器件包括应力诱导的微机电膜，

其中，从器件衬底侧照射激光，以通过选择性激光剥离，从器件衬底释放经后续晶元处理的微机电单元，以形成微机电器件包括：

从器件衬底释放所述应力诱导的微机电膜，以使得该微机电膜弯曲或偏斜，从而形成独立结构。

5.根据权利要求4所述的制造方法，其中，

所述微机电单元是微机电换能器，以及所述微机电膜是具有底电极的压电薄膜，

其中，在器件衬底上形成微机电单元包括：在器件衬底上形成所述底电极，

其中，从器件衬底侧照射激光，以通过选择性激光剥离，从器件衬底释放经后续晶元处理的微机电单元，以形成微机电器件包括：从器件衬底上释放所述底电极。

6.根据权利要求4所述的制造方法，其中，所述微机电膜的周边被锚定在所述器件衬底上。

7.根据权利要求1-3中的任何一项所述的制造方法，还包括：

从器件衬底侧照射激光，以通过选择性激光剥离，对所述微机电器件与所述器件衬底相邻的底层进行修整。

8.根据权利要求6所述的制造方法，其中，对所述底层进行选择性激光剥离和/或修整的厚度大于等于2nm并小于等于200nm。

9.一种使用根据权利要求1-8中的任何一项所述的制造方法制造的微机电器件。

10.一种电子设备，包括根据权利要求9所述的微机电器件。

技术总结
这里公开了一种微机电器件、其制造方法及电子设备。该制造方法包括：在器件衬底上形成微机电单元，其中，所述器件衬底是激光透明的；在微机电单元上执行至少一部分后续晶元处理；从器件衬底侧照射激光，以通过选择性激光剥离，从器件衬底释放经至少一部分后续晶元处理的微机电单元，以形成微机电器件。

技术研发人员：邹泉波
受保护的技术使用者：歌尔微电子股份有限公司
技术研发日：2021.04.27
技术公布日：2021.08.17