技术总结
本发明提供了一种全硅结构MEMS微流道散热器及其加工方法,由下至上包括依次键合的第一硅结构层(1)、第二硅结构层(2)和第三硅结构层(3);在硅结构内部加工有微流孔和微流道,形成微流道通路,液体在微流道内部循环流动,将热量从待散热元件带走。整个微流道散热器均由高热导率的单晶硅材料构成,能够实现良好的散热效果;各层之间无中间层,避免了由于各层材料热膨胀系数不匹配造成的不同温度条件下结构弯曲形变,降低结构内部应力;单晶硅具有很高的杨氏模量,三层结构通过硅
技术研发人员:张乐民 刘福民 刘宇 马骁 张树伟 杨静 梁德春
受保护的技术使用者:北京航天控制仪器研究所
技术研发日:2021.02.20
技术公布日:2021/6/24
本发明提供了一种全硅结构MEMS微流道散热器及其加工方法,由下至上包括依次键合的第一硅结构层(1)、第二硅结构层(2)和第三硅结构层(3);在硅结构内部加工有微流孔和微流道,形成微流道通路,液体在微流道内部循环流动,将热量从待散热元件带走。整个微流道散热器均由高热导率的单晶硅材料构成,能够实现良好的散热效果;各层之间无中间层,避免了由于各层材料热膨胀系数不匹配造成的不同温度条件下结构弯曲形变,降低结构内部应力;单晶硅具有很高的杨氏模量,三层结构通过硅
技术研发人员:张乐民 刘福民 刘宇 马骁 张树伟 杨静 梁德春
受保护的技术使用者:北京航天控制仪器研究所
技术研发日:2021.02.20
技术公布日:2021/6/24
再多了解一些
本文用于企业家、创业者技术爱好者查询,结果仅供参考。