半导体器件及其制作方法与流程

技术特征：

1.一种半导体器件的制作方法，其特征在于，包括：

提供第一soi晶圆，所述第一soi晶圆包括依次叠层设置的第一硅材料层、第一绝缘层和第一背衬底；

在所述第一硅材料层的第一表面进行第一次刻蚀以形成第一沟槽，其中所述第一沟槽的深度小于所述第一硅材料层的厚度；

将经过氧化处理后的硅晶圆与所述第一soi晶圆进行键合，形成第一复合结构，其中所述第一硅材料层与所述硅晶圆贴合；

对所述第一复合结构进行减薄，去除所述第一背衬底和所述第一绝缘层；

在所述第一硅材料层的第二表面进行第二次刻蚀以形成下电极结构，并同时形成第二沟槽以至少暴露出部分所述第一沟槽的侧壁。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述第二沟槽的宽度大于所述第一沟槽的宽度，且通过所述第二沟槽完全暴露出所述第一沟槽的侧壁。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，利用bosch工艺对所述第一硅材料层进行所述第一次刻蚀和所述第二次刻蚀。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述将经过氧化处理后的硅晶圆与所述第一soi晶圆进行键合包括：

对所述硅晶圆进行氧化处理，在所述硅晶圆的表面形成氧化层，得到氧化处理后的所述硅晶圆；

将经过氧化处理后的所述硅晶圆与所述第一soi晶圆进行键合。

5.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，所述下电极结构为梳状结构，包括连接部和多个条状的下电极。

6.如权利要求1所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，还包括：在所述第一复合结构表面形成上电极结构。

7.如权利要求6所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，形成所述上电极结构的步骤包括：

在所述第一复合结构上形成第二硅材料层，其中所述第二硅材料层覆盖所述下电极；

对所述第二硅材料层进行刻蚀以形成上电极结构。

8.如权利要求7所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，形成所述第二硅材料的步骤包括：

提供第二soi晶圆，所述第二soi晶圆包括依次叠层设置的所述第二硅材料层、第二绝缘层和第二背衬底；

将所述第二soi晶圆与所述第一复合结构进行键合，形成第二复合结构，其中所述下电极结构与所述第二硅材料层相贴合；

对所述第二复合结构进行减薄处理，去除所述第二绝缘层和所述第二背衬底。

9.如权利要求1或8所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，利用刻蚀工艺或化学机械研磨工艺进行减薄处理。

10.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件采用如权利要求1～9任一项所述的制作方法制备。

技术总结
本发明涉及一种半导体器件及其制作方法。其中方法包括：在第一SOI晶圆中的第一硅材料层的第一表面形成沟第一槽结构，其中第一沟槽的深度小于第一硅材料层的厚度；将经过氧化处理后的硅晶圆与第一SOI晶圆进行键合，形成第一复合结构；对第一复合结构进行减薄，去除第一背衬底和第一绝缘层；在第一硅材料层的第二表面进行第二次刻蚀以形成下电极结构，并同时形成第二沟槽以至少暴露出部分第一沟槽。本发明中由于两次刻蚀过程是在所述第一硅材料层的两个表面分别进行的，因此不会在沟槽台阶边界处形成硅草，从而解决了因目前因台阶边界处形成硅草导致MEMS结构失效的问题，提高了产品良率。

技术研发人员：王新龙
受保护的技术使用者：中芯集成电路制造(绍兴)有限公司
技术研发日：2020.11.17
技术公布日：2021.03.19