技术总结
本发明公开一种微流道芯片整体金属化加工方法,将微流道芯片采用金属化夹具装夹,所述微流道芯片被悬空夹持于所述金属化夹具装夹内,所述微流道芯片的侧壁与金属化夹具的内侧壁之间设置有间隙,仅通过微尺度精密夹持部件固定微流道芯片;将装夹好后的微流道芯片采用干法双面沉积金属化膜层,实现微流道芯片双面及侧壁同时金属化。通过对微流道芯片双面和侧壁进行整体金属化,实现了微流道芯片顶部的有效接地,避免在微流道芯片中引入TSV结构,在提升了集成密度的同时有效降低了微流道芯片加工难度和成本。此外,通过干法沉积金属化膜层,避免了高性能微流道芯片(流道宽度≤30μm)流道阻塞风险,提高了加工良率。提高了加工良率。提高了加工良率。
技术研发人员:王文博 向伟玮 张剑 卢茜 徐诺心 李阳阳 蒋苗苗 秦跃利 王春富 李彦睿 张健 李士群 叶永贵
受保护的技术使用者:中国电子科技集团公司第二十九研究所
技术研发日:2020.10.23
技术公布日:2021/3/5
本发明公开一种微流道芯片整体金属化加工方法,将微流道芯片采用金属化夹具装夹,所述微流道芯片被悬空夹持于所述金属化夹具装夹内,所述微流道芯片的侧壁与金属化夹具的内侧壁之间设置有间隙,仅通过微尺度精密夹持部件固定微流道芯片;将装夹好后的微流道芯片采用干法双面沉积金属化膜层,实现微流道芯片双面及侧壁同时金属化。通过对微流道芯片双面和侧壁进行整体金属化,实现了微流道芯片顶部的有效接地,避免在微流道芯片中引入TSV结构,在提升了集成密度的同时有效降低了微流道芯片加工难度和成本。此外,通过干法沉积金属化膜层,避免了高性能微流道芯片(流道宽度≤30μm)流道阻塞风险,提高了加工良率。提高了加工良率。提高了加工良率。
技术研发人员:王文博 向伟玮 张剑 卢茜 徐诺心 李阳阳 蒋苗苗 秦跃利 王春富 李彦睿 张健 李士群 叶永贵
受保护的技术使用者:中国电子科技集团公司第二十九研究所
技术研发日:2020.10.23
技术公布日:2021/3/5
再多了解一些
本文用于企业家、创业者技术爱好者查询,结果仅供参考。