单晶硅压力敏感膜片结构及其制作方法与流程

技术特征：

1.一种单晶硅压力敏感膜片结构制作方法，其特征在于，所述制作方法至少包括以下步骤：

1)提供一单晶硅片；

2)在所述单晶硅片正面沉积钝化层；根据预设的微型释放孔图形在所述钝化层上刻蚀形成窗口；

3)利用Deep-RIE工艺自所述窗口刻蚀形成若干微型释放孔；

4)继续沉积保护层并覆盖所述微型释放孔内壁；

5)利用RIE工艺刻蚀掉位于微型释放孔底部的保护层，然后再利用Deep-RIE工艺沿着该微型释放孔底部继续刻蚀直至所需深度；

6)利用TMAH腐蚀溶液，从步骤5)之后获得的微型释放孔底部沿<211>和<110>晶向分别腐蚀释放单晶硅薄膜，然后再利用BOE溶液腐蚀掉微型释放孔侧壁残余的保护层；

7)沉积多晶硅填堵缝合所述微型释放孔，然后去除所述单晶硅薄膜上方的多晶硅；

8)在所述单晶硅薄膜正面利用Deep-RIE工艺刻蚀出位于单晶硅敏感薄膜上表面的梁-岛结构以及位于所述梁-岛结构两侧的至少一排微型柱；所述微型柱位于所述微型释放孔上方。

2.根据权利要求1所述的单晶硅压力敏感膜片结构制作方法，其特征在于，所述步骤1)中还包括将所述单晶硅片单面或双面抛光的步骤。

3.根据权利要求1所述的单晶硅压力敏感膜片结构制作方法，其特征在于，所述步骤8)中形成了位于所述单晶硅敏感膜上表面的梁-岛结构两侧的两排或两排以上的微型柱。

4.一种单晶硅压力敏感膜片结构，其特征在于：所述单晶硅压力敏感膜片结构包括

形成于单晶硅片上的单晶硅敏感膜；

形成于所述单晶硅敏感膜上的梁-岛结构；

所述梁-岛结构两侧的单晶硅敏感膜上设有至少一排微型释放孔；

所述微型释放孔上方形成有微型柱。

5.根据权利要求4所述的单晶硅压力敏感膜片结构，其特征在于，所述微型柱包括多晶硅实心柱以及包裹所述多晶硅实心柱的单晶硅环形柱。

6.根据权利要求4所述的单晶硅压力敏感膜片结构，其特征在于，所述微型柱为多晶硅实心柱。

7.根据权利要求4所述的单晶硅压力敏感膜片结构，其特征在于，所述梁-岛结构为对称结构。

8.根据权利要求7所述的单晶硅压力敏感膜片结构，其特征在于，所述梁-岛结构为采用梁结构连接两个岛结构，该梁结构与岛结构位于同一平面内。