芯片的封装结构以及封装方法与流程

本发明涉及芯片封装技术领域，更具的说，涉及一种芯片的封装结构以及封装方法。

背景技术：

激光具有独特的光学特性，如单色性高、方向性强等特点，使得vcsel芯片件的发展速度越来越快，应用范围越来越广。特别是由于激光极强的方向性，使得它不需借助透镜就能在一定距离内保持光点的质量，使其成为条码扫描的首选光源。

目前，条码扫描过程中，除了需要采用激光芯片(vcsel芯片)作为激光光源之外，还需要控制激光进行扫描的扫描设备，通常使用具有振镜的mems(微机电系统，micro-electro-mechanicalsystems)芯片控制激光进行扫描。

mems芯片与vcsel芯片需要进行封装，形成封装结构，以便于与外部电路电连接。但是现有技术中，mems芯片与vcsel芯片形成的封装结构厚度较大。

技术实现要素：

为了解决上述问题，本发明技术方案提供了一种封装结构以及封装方法，减小了mems芯片与vcsel芯片形成的封装结构的厚度。

为了实现上述目的，本发明提供如下技术方案：

一种芯片的封装结构，所述封装结构包括：

电路板，所述电路板具有用于和外部电路连接的互联电路；

固定在所述电路板上的mems芯片、vcsel芯片以及透光盖板；所述mems芯片与所述vcsel芯片均与所述互联电路连接；

所述mems芯片具有相对的正面和背面，其正面具有振镜；

所述vcsel芯片具有相对的正面和背面，其正面用于发射激光；

所述透光盖板朝向所述电路板的表面具有第一区域以及第二区域，所述第一区域用于出射激光，所述第二区域具有反射结构；

所述mems芯片的正面以及所述vcsel芯片的正面均朝向所述透光盖板，所述vcsel芯片发射的激光通过所述反射结构反射至所述振镜，通过所述振镜反射至第一区域，经过所述第一区域出射。

优选的，在上述封装结构中，所述反射结构包括：形成在所述第二区域的凹槽以及形成在所述凹槽内壁的反射层，所述反射层用于将所述vcsel芯片发射的激光反射至所述振镜；

或，所述反射结构包括：形成在所述第二区域的凸起结构以及形成在所述凸起结构表面的反射层，所述反射层用于将所述vcsel芯片发射的激光反射至所述振镜；

或，所述反射结构包括固定在所述第二区域的反射镜。

优选的，在上述封装结构中，所述透光盖板为玻璃盖板；

或，所述vcsel芯片发射的激光为红外光，所述透光盖板为可以透过紫外光的硅盖板。

优选的，在上述封装结构中，所述电路板具有相对的正面以及背面；

所述透光盖板的周缘与所述电路板正面的周缘相互固定。

优选的，在上述封装结构中，所述透光盖板的周缘与所述电路板正面的周缘通过设定厚度的胶层相互固定；

或，所述透光盖板的周缘与所述电路板正面的周缘通过支架结构相互固定。

优选的，在上述封装结构中，所述mems芯片与所述vcsel芯片均绑定在所述电路板的正面，且位于所述电路板与所述透明盖板之间。

优选的，在上述封装结构中，所述mems芯片的背面具有焊接凸起，所述焊接凸起与所述互联电路焊接固定，或，所述mems芯片的背面与所述电路板的正面贴合固定，所述mems芯片的正面具有焊垫，所述焊垫通过导线与所述互联电路连接。

优选的，在上述封装结构中，所述vcsel芯片背面具有焊接凸起，所述焊接凸起与所述互联电路焊接固定，或，所述vcsel芯片的背面与所述电路板的正面贴合固定，所述vcsel芯片的正面具有焊垫，所述焊垫通过导线与所述互联电路连接。

优选的，在上述封装结构中，所述电路板具有透光孔；

所述mems芯片与所述vcsel芯片中的一者绑定在所述电路板的正面，另一者绑定在所述电路板的背面；

绑定在所述电路板正面的芯片与所述透光孔不交叠，绑定在所述电路板背面的芯片覆盖所述透光孔。

优选的，在上述封装结构中，对于绑定在所述电路板正面的芯片，该芯片背面具有焊接凸起，所述焊接凸起与所述互联电路焊接固定，或，该芯片背面与所述电路板的正面贴合固定，该芯片正面具有焊垫，所述焊垫通过导线与所述互联电路连接。

优选的，在上述封装结构中，述互联电路包括设置在所述电路板背面的焊盘；

对于绑定在所述电路板背面的芯片，该芯片正面具有焊垫，所述焊垫与所述电路板背面的焊盘焊接固定。

本发明还提供了一种芯片的封装方法，所述封装方法包括：

提供一基板，所述基板具有电路板，所述电路板包括用于和外部电路连接的互联电路，相邻两个所述电路板之间具有切割沟道；

在所述电路板上绑定mems芯片以及vcsel芯片；所述mems芯片与所述vcsel芯片均与所述互联电路连接；其中，所述mems芯片具有相对的正面和背面，其正面具有振镜；所述vcsel芯片具有相对的正面和背面，其正面用于发射激光；

基于所述切割沟道分割所述基板，形成多个单粒的所述电路板；

在所述电路板上固定透光盖板；所述透光盖板朝向所述电路板的表面具有第一区域以及第二区域，所述第一区域用于出射激光，所述第二区域具有反射结构；其中，所述mems芯片的正面以及所述vcsel芯片的正面均朝向所述透光盖板，所述vcsel芯片发射的激光通过所述反射结构反射至所述振镜，通过所述振镜反射至第一区域，经过所述第一区域出射。

优选的，在上述封装方法中，所述反射结构的封装方法包括：

在所述第二区域形成凹槽，在所述凹槽内壁形成反射层，所述反射层用于将所述vcsel芯片发射的激光反射至所述振镜；

或，在所述第二区域形成凸起结构，在所述凸起结构表面形成反射层，所述反射层用于将所述vcsel芯片发射的激光反射至所述振镜；

或，在所述第二区域固定反射镜，所述反射镜用于将所述vcsel芯片发射的激光反射至所述振镜。

优选的，在上述封装方法中，所述透光盖板为玻璃盖板；

或，所述vcsel芯片发射的激光为红外光，所述透光盖板为可以透过紫外光的硅盖板。

优选的，在上述封装方法中，所述电路板具有相对的正面以及背面；

所述在所述电路板上固定透光盖板包括：

将所述透光盖板的周缘与所述电路板正面的周缘相互固定。

优选的，在上述封装方法中，所述将所述透光盖板的周缘与所述电路板正面的周缘相互固定包括：

将所述透光盖板的周缘与所述电路板正面的周缘通过设定厚度的胶层相互固定；

或，将所述透光盖板的周缘与所述电路板正面的周缘通过支架结构相互固定。

优选的，在上述封装方法中，所述在所述电路板上绑定mems芯片以及vcsel芯片包括：

将所述mems芯片与所述vcsel芯片均绑定在所述电路板的正面，且位于所述电路板与所述透明盖板之间。

优选的，在上述封装方法中，在所述电路板的正面绑定mems芯片的方法包括：

所述mems芯片的背面具有焊接凸起，将所述焊接凸起与所述互联电路焊接固定；

或，将所述mems芯片的背面与所述电路板的正面贴合固定，所述mems芯片的正面具有焊垫，将所述焊垫通过导线与所述互联电路连接。

优选的，在上述封装方法中，在所述电路板的正面绑定vcsel芯片的方法包括：

所述vcsel芯片背面具有焊接凸起，将所述焊接凸起与所述互联电路焊接固定；

或，将所述vcsel芯片的背面与所述电路板的正面贴合固定，所述vcsel芯片的正面具有焊垫，将所述焊垫通过导线与所述互联电路连接。

优选的，在上述封装方法中，所述电路板具有透光孔；

所述在所述电路板上绑定mems芯片以及vcsel芯片包括：

将所述mems芯片与所述vcsel芯片中的一者绑定在所述电路板的正面，将另一者绑定在所述电路板的背面；其中，绑定在所述电路板正面的芯片与所述透光孔不交叠，绑定在所述电路板背面的芯片覆盖所述透光孔。

优选的，在上述封装方法中，将所述mems芯片与所述vcsel芯片中的一者绑定在所述电路板的正面的方法包括：

对于绑定在所述电路板正面的芯片，该芯片背面具有焊接凸起，将所述焊接凸起与所述互联电路焊接固定；

或，将该芯片背面与所述电路板的正面贴合固定，该芯片正面具有焊垫，将所述焊垫通过导线与所述互联电路连接。

优选的，在上述封装方法中，将所述mems芯片与所述vcsel芯片中的另一者绑定在所述电路板的背面的方法包括：

所述互联电路包括设置在所述电路板背面的焊盘，对于绑定在所述电路板背面的芯片，该芯片正面具有焊垫，将所述焊垫与所述电路板背面的焊盘焊接固定。

通过上述描述可知，本发明技术方案提供的芯片封装结构以及封装方法中，将所述mems芯片、vcsel芯片以及透光盖板同时固定在所述电路板上，所述透光盖板上具有反射结构，将反射结构集成在所述透光盖板上，无需单独设置反射结构，降低了封装结构的厚度。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为vcsel芯片与mems芯片上的振镜相互作用实现扫描的工作原理；

图2为一种vcsel芯片与mems芯片的封装结构的结构示意图；

图3为本发明实施例提供的一种芯片封装结构的结构示意图；

图4为本发明实施例提供的另一种芯片封装结构的结构示意图；

图5为本发明实施例提供的又一种芯片封装结构的结构示意图；

图6为本发明实施例提供的又一种芯片封装结构的结构示意图；

图7-图11为本发明实施例提供的一种封装方法的工艺流程图；

图12-图14为本发明实施例提供的另一种封装方法的工艺流程图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

参见图1，图1为vcsel(verticalcavitysurfaceemittinglaser，垂直腔面发射vcsel芯片)芯片与mems芯片上的微振镜相互作用实现扫描的工作原理；mems芯片02可以控制振镜进行发生偏转，以达到往复扫描的效果，如图1中所示，振镜021由状态l1偏转至状态l2，反射的激光沿a方向发生偏转，实现扫描。其中，振镜021为二维扫描设备，能够在一个振镜上同时完成两个方向的扫描，即沿图1中的箭头a所示的方向，以及垂直于图1所示的纸面的方向(本发明并未示出)。

如图1所示，通常将vcsel芯片01设置在mems芯片02的正上方，并通过其他辅助结构实现两者的位置固定。辅助结构包括厚度较大的陶瓷基板和框架结构，将mems芯片02固定在陶瓷基板一个表面上，将框架结构固定在所述表面，在框架结构的上端固定vcsel芯片01，框架结构用于保证mems芯片和vcsel芯片的距离，该距离一般在1mm左右。在vcsel芯片01背离陶瓷基板的另一侧需要设置透光盖板，透光盖板与所述陶瓷基板的表面形成密闭腔体，以对两个芯片进行密封保护。

可见，图1所示方式对vcsel芯片01以及mems芯片02进行封装时，由于vcsel芯片01与mems芯片02正对设置，且vcsel芯片01具有一定的面积，激光扫描过程中，vcsel芯片01会遮挡一部分被振镜反射的光，从而使得扫描过程中，存在一定的盲区，而若而当vcsel芯片01与mems芯片02上的振镜距离越近，形成的扫描盲区的面积越大。为了避免扫描盲区较大，影响扫描结果，现有技术中vcsel芯片01与mems芯片02之间的距离可选为1mm左右；再加上mems芯片02的厚度和vcsel芯片的厚度，以及陶瓷基板和框架结构的厚度，最终使得封装结构的封装总厚度较厚。

另一种方式如图2所示，图2为一种vcsel芯片与mems芯片的封装结构的结构示意图，图2所示方式中，采用一具有通光孔126的电路板125，将vcsel芯片121与mems芯片122分别绑定在电路板125的相对两侧，mems芯片122覆盖在通光孔126的一个开口，通光孔126的另一开口固定透光盖板123，两个芯片通过电路板25内的电路与锡球124连接，以便于与外部电路连接。该方式中相对于图1所示方式虽然可以降低封装结构厚度，但是其需要外置反射结构127，用于将vcsel芯片121发射的激光信号发射到mems芯片122，整个系统的厚度仍然较大。

为了解决上述问题，本发明实施例提供的封装结构中，将所述mems芯片、vcsel芯片以及透光盖板同时固定在同一电路板上，所述透光盖板上具有反射结构，将反射结构集成在所述透光盖板上，无需单独设置反射结构，降低了封装结构的厚度。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更加明显易懂，下面结合附图和具体实施方式对本发明作进一步详细的说明。

参考图3，图3为本发明实施例提供的一种芯片封装结构的结构示意图，该封装结构包括：电路板11，固定在所述电路板上的mems芯片、vcsel芯片以及透光盖板。

所述电路板11具有用于和外部电路连接的互联电路。图3中未示出所述互联电路。所述电路板11包括用于与外部电路电连接的焊接凸起18。所述互联电路与所述焊接凸起18连接。所述mems芯片13与所述vcsel芯片12均与所述互联电路连接。所述mems芯片13具有相对的正面和背面，其正面具有振镜。所述vcsel芯片12具有相对的正面和背面，其正面用于发射激光。所述透光盖板14朝向所述电路板11的表面具有第一区域以及第二区域，所述第一区域用于出射激光，所述第二区域具有反射结构10。

所述mems芯片13的正面以及所述vcsel芯片12的正面均朝向所述透光盖板14，所述vcsel芯片12发射的激光通过所述反射结构10反射至所述振镜，通过所述振镜反射至第一区域，经过所述第一区域出射。在垂直于电路板11的方向上，第二区域与mems芯片13不交叠，避免位于第二区域的反射结构10遮挡mems芯片13上振镜反射后的激光。这是由于振镜都是小角度出射，一般不和mems芯片13正对交叠，既可以避免遮光导致出现扫描盲区的问题。可以设置在垂直于电路板11的方向上，所述vcsel芯片12与所述第二区域正对设置。

图3所示方式中，电路板11具有相对的正面以及背面。焊接凸起18设置在电路板11的背面。所述mems芯片13的背面以及所述vcsel芯片12的背面均固定在电路板11的正面。两个芯片可以分别与互联电路连接，进而通过互联电路与焊接凸起18连接，以便于连接外部电路。所述透光盖板14通过支架结构19固定在所述电路板11的正面，与所述电路板11形成一密闭腔体，以实现对两个芯片的密封保护。

本发明实施例所述封装结构中，所述mems芯片13的正面以及所述vcsel芯片12的正面均朝向所述透光盖板14，无需将所述mems芯片13的正面与所述vcsel芯片12的正面相对设置，一方面，两个芯片正对设置导致具有扫描盲区的问题，另一方面，无需两芯片具有正对距离，降低了封装结构的厚度。而且，将反射结构10设置在透光盖板14上，这样在透光盖板14上集成反射结构10，无需单独设置反射结构10，进一步降低了封装结构的厚度。

在图3所示方式中，所述反射结构10包括：形成在所述第二区域的凹槽16以及形成在所述凹槽16内壁的反射层17，所述反射层17用于将所述vcsel芯片12发射的激光反射至所述振镜。该方式的一种实现方式是，采用玻璃基板或是硅基板，在基板上制作凹槽，在凹槽内沉积具有高反射率的金属层，如al层。如采用玻璃基板，可以通过机械挖槽工艺形成所述凹槽，如采用硅基板，可以采用刻蚀工艺形成所述凹槽。该方式直接在反射结构集成在透光盖板14朝向所述vcsel芯片12的表面内，不会额外增加封装结构的厚度以及透光盖板14的厚度。

参考图4，图4为本发明实施例提供的另一种芯片封装结构的结构示意图，该方式与图3不同在于反射结构10的实现方式不同，该方式中，所述反射结构10包括：形成在所述第二区域的凸起结构21以及形成在所述凸起结构21表面的反射层22，所述反射层22用于将所述vcsel芯片12发射的激光反射至所述振镜。该方式无需对透光盖板14进行挖槽处理，复用透光盖板14与电路板11之间的密封腔体的空间设置反射结构10，不会增大封装结构的厚度，制作工艺简单，不影响透光盖板14的机械强度。

参考图5，图5为本发明实施例提供的又一种芯片封装结构的结构示意图，该方式与图3不同在于反射结构10的实现方式不同，该方式中，所述反射结构10包括：固定在所述第二区域的反射镜31。同样，该该方式无需对透光盖板14进行挖槽处理，复用透光盖板14与电路板11之间的密封腔体的空间设置反射结构10，不会增大封装结构的厚度，制作工艺简单，不影响透光盖板14的机械强度。

在本发明实施例所述封装结构中，所述透光盖板14可以为玻璃盖板。其他方式中，所述透光盖板14还可以为可以透过紫外光的硅盖板，此时，所述vcsel芯片12发射的激光为红外光。

如上述，本发明实施例中，所述电路板11具有相对的正面以及背面；所述透光盖板14的周缘与所述电路板11正面的周缘相互固定，可以通过支架结构19将所述透光盖板14的周缘与所述电路板11正面的周缘相互固定。其他方式中，所述透光盖板14的周缘与所述电路板11正面的周缘还可以通过设定厚度的胶层相互固定。

在图3-图5所示方式中，所述mems芯片13与所述vcsel芯片12均绑定在所述电路板11的正面，且位于所述电路板11与所述透明盖板14之间。两个芯片分别通过导线15与所述互联电路连接。所述mems芯片13的背面与所述电路板11的正面贴合固定，所述mems芯片13的正面具有焊垫，所述焊垫通过导线15与所述互联电路连接。所述vcsel芯片12的背面与所述电路板11的正面贴合固定，所述vcsel芯片12的正面具有焊垫，所述焊垫通过导线15与所述互联电路连接。其他方式中，所述mems芯片13的背面具有焊接凸起，所述焊接凸起与所述互联电路焊接固定；所述vcsel芯片12背面具有焊接凸起，所述焊接凸起与所述互联电路焊接固定。

在上方式中，为了降低环境光的干扰，在支架结构19的内侧具有减反层，避免其内侧反射环境光入射所述mems芯片13。

参考图6，图6为本发明实施例提供的又一种芯片封装结构的结构示意图，该方式中，所述电路板11具有透光孔t；所述mems芯片13与所述vcsel芯片12中的一者绑定在所述电路板11的正面，另一者绑定在所述电路板11的背面；绑定在所述电路板11正面的芯片与所述透光孔t不交叠，绑定在所述电路板11背面的芯片覆盖所述透光孔t。对于绑定在所述电路板正面的芯片，该芯片背面具有焊接凸起，所述焊接凸起与所述互联电路焊接固定，或，该芯片背面与所述电路板的正面贴合固定，该芯片正面具有焊垫，所述焊垫通过导线15与所述互联电路连接。所述互联电路包括设置在所述电路板背面的焊盘；对于绑定在所述电路板11背面的芯片，该芯片正面具有焊垫，所述焊垫与所述电路板11背面的焊盘焊接固定。该方式同样需要在电路板11的表面固定透光盖板，所述透光盖板具有反射结构10，透光盖板及其具有的反射结构10的实现方式与上述方式相同。透光盖板通过支架结构固定在电路板11的表面。

在图6所示方式中，所述mems芯片13与所述焊接凸起18位于所述电路板11的同一侧，二者位于电路板11的背面。所述mems芯片13覆盖所述通光孔t。所述vcsel芯片12位于所述电路板11的正面，且与所述通光孔t不交叠。所述vcsel芯片12直接通过导线15与所述互联电路连接，通过单独的焊接凸起18与外部电路连接。所述mems芯片13正面焊垫直接与所述焊盘连接焊接固定，通过单独的焊接凸起18与外部电路连接。

在图6所示方式中，电路板11的正面固定有透光盖板，所述透光盖板具有反射结构10，图6中仅是示出了透光盖板中的反射结构10，未示出其整体结构，透光盖板及其具有的反射结构10的实现方式与上述方式相同。该方式中，为了降低环境光干扰，在通光孔t的侧壁设置有减反层，避免其内侧反射环境光入射所述mems芯片13。

需要说明的是，当芯片正面的焊垫通过导线15与电路板11上的互联电路连接时，本发明实施例附图中并未示出所述互联电路以及芯片正面的焊垫，互联电路与芯片正面焊垫的结构以及连接方式均可以根据现有技术电连接方式实现，不作具体图示以及说明；当芯片的背面焊接凸起直接与电路板11上的互联电路连接时，本发明实施例附图中并未示出所述互联电路以及芯片背面焊接凸起，互联电路与芯片背面焊接凸起的结构以及连接方式均可以根据现有技术电连接方式实现，不作具体图示以及说明。

通过上述描述可知，本发明实施例提供的封装结构中，包括具有反射结构的透光盖板，可以使得所述mems芯片13的正面与所述vcsel芯片12的正面均朝向同一方向，使得二者无需正对设置，避免了所述vcsel芯片12对所述mems芯片13反射激光的遮挡，也无需在封装结构外部单独设置反射结构，使得封装结构具有较小的厚度。

基于上述实施例，本发明另一实施例还提供了一种芯片的封装方法，用于制作上述封装结构，所述封装方法如图7-图11所示，图7-图11为本发明实施例提供的一种封装方法的工艺流程图，该封装方法包括：

步骤s11：如图7所示，提供一基板110。

所述基板110具有电路板11，所述电路板11包括用于和外部电路连接的互联电路，相邻两个所述电路板11之间具有切割沟道100。

步骤s12：如图8所示，在所述电路板11上绑定mems芯片13以及vcsel芯片12。

所述mems芯片13与所述vcsel芯片12均与所述互联电路连接；其中，所述mems芯片13具有相对的正面和背面，其正面具有振镜；所述vcsel芯片12具有相对的正面和背面，其正面用于发射激光。

步骤s13：如图9所示，基于所述切割沟道100分割所述基板110，形成多个单粒的所述电路板11。

分割后，每个电路板11的表面均固定有一个vcsel芯片12以及一个mems芯片13。

步骤s13：如图10和图11所示，在所述电路板11上固定透光盖板14。

所述透光盖板14朝向所述电路板11的表面具有第一区域以及第二区域，所述第一区域用于出射激光，所述第二区域具有反射结构10；其中，所述mems芯片13的正面以及所述vcsel芯片12的正面均朝向所述透光盖板14，所述vcsel芯片12发射的激光通过所述反射结构10反射至所述振镜，通过所述振镜反射至第一区域，经过所述第一区域出射。

在步骤s13中，所述电路板11具有相对的正面以及背面；所述在所述电路板11上固定透光盖板14包括：将所述透光盖板14的周缘与所述电路板11正面的周缘相互固定。所述电路板11背面具有焊接凸起18，与互联电路连接。

在图10和图11所示方式中，所述将所述透光盖板14的周缘与所述电路板11正面的周缘相互固定包括：将所述透光盖板14的周缘与所述电路板11正面的周缘通过支架结构19相互固定。首先如图10所示，在电路板11的正面固定支架结构19，该支架结构19包围两个芯片，然后，如图11所示，在支架结构10上固定透光盖板14。其他方式中，还可以将所述透光盖板14的周缘与所述电路板11正面的周缘通过设定厚度的胶层相互固定；

固定透光盖板14的方法包括：首先如图10所示，在电路板11的正面固定支架结构19，该支架结构19包括两个芯片，然后，如图11所示，在支架结构10上固定透光盖板14。

上述封装方法可以用于制作如图3-图5所示封装结构，所述mems芯片13与所述vcsel芯片12均固定在所述电路板11的正面，且量芯片的背面均朝向所述电路板11。

该封装方法中，所述反射结构10的封装方法包括：在所述第二区域形成凹槽，在所述凹槽内壁形成反射层，所述反射层用于将所述vcsel芯片12发射的激光反射至所述振镜；或，在所述第二区域形成凸起结构，在所述凸起结构表面形成反射层，所述反射层用于将所述vcsel芯片12发射的激光反射至所述振镜；或，在所述第二区域固定反射镜，所述反射镜用于将所述vcsel芯片12发射的激光反射至所述振镜。所述反射结构10具体结构可以参考上述实施例所述，在此不再赘述。

如上述实施例所述，所述透光盖板14为玻璃盖板；或，所述vcsel芯片12发射的激光为红外光，所述透光盖板14为可以透过紫外光的硅盖板。

在上述封装方法中，所述在所述电路板11上绑定mems芯片13以及vcsel芯片12包括：将所述mems芯片13与所述vcsel芯片12均绑定在所述电路板11的正面，且位于所述电路板11与所述透明盖板14之间。

在所述电路板11的正面绑定mems芯片13的方法包括：所述mems芯片13的背面具有焊接凸起，将所述焊接凸起与所述互联电路焊接固定；或，将所述mems芯片13的背面与所述电路板11的正面贴合固定，所述mems芯片13的正面具有焊垫，将所述焊垫通过导线与所述互联电路连接。在上述封装方法中，以所述mems芯片13的焊垫通过对应的导线15与所述互联电路连接为例进行图示说明。

在所述电路板11的正面绑定vcsel芯片12的方法包括：所述vcsel芯片12背面具有焊接凸起，将所述焊接凸起与所述互联电路焊接固定；或，将所述vcsel芯片12的背面与所述电路板11的正面贴合固定，所述vcsel芯片12的正面具有焊垫，将所述焊垫通过导线15与所述互联电路连接。在上述封装方法中，以所述vcsel芯片12的焊垫通过对应的导线15与所述互联电路连接为例进行图示说明。

当制作如图6所示封装结构时，所述封装方法如图12-图14所示，图12-图14为本发明实施例提供的另一种封装方法的工艺流程图。

如图12所示，提供一基板110，所述基板110中，所述电路板11具有透光孔t。

图12-图14所示方式中，所述在所述电路板11上绑定mems芯片13以及vcsel芯片12包括：如图13所示，将所述mems芯片13与所述vcsel芯片12中的一者绑定在所述电路板11的正面，将另一者绑定在所述电路板11的背面；其中，绑定在所述电路板11正面的芯片与所述透光孔t不交叠，绑定在所述电路板11背面的芯片覆盖所述透光孔t。

将所述mems芯片13与所述vcsel芯片12中的一者绑定在所述电路板11的正面的方法包括：对于绑定在所述电路板11正面的芯片，该芯片背面具有焊接凸起，将所述焊接凸起与所述互联电路焊接固定；或，将该芯片背面与所述电路板11的正面贴合固定，该芯片正面具有焊垫，将所述焊垫通过导线与所述互联电路连接。

将所述mems芯片13与所述vcsel芯片12中的另一者绑定在所述电路板11的背面的方法包括：所述互联电路包括设置在所述电路板11背面的焊盘，对于绑定在所述电路板11背面的芯片，该芯片正面具有焊垫，将所述焊垫与所述电路板11背面的焊盘焊接固定。

具体的，图12-图14所示方式中，mems芯片13固定在电路板11的背面，其正面焊垫直接与互联电路焊接固定，vcsel芯片12的背面固定在电路板11的正面，其正面焊垫通过导线15与互联电路电连接。

在本发明实施例所述封装方法中，可以在所述透光盖板14的第一区域设置减反层，以降低mems芯片13出射激光再次反射到mems芯片13，造成扫描干扰。

本发明实施例所述封装方法，可以用于制作上述实施例所述封装结构，制作工艺简单，制作成本低，且可以使得封装结构具有较小的厚度，便于设备小型化设计。

本说明书中各个实施例采用递进的方式描述，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处，各个实施例之间相同相似部分互相参见即可。对于实施例公开的封装方法而言，由于其与实施例公开的封装结构相对应，所以描述的比较简单，相关之处参见封装结构对应部分说明即可。

还需要说明的是，在本文中，诸如第一和第二等之类的关系术语仅仅用来将一个实体或者操作与另一个实体或操作区分开来，而不一定要求或者暗示这些实体或操作之间存在任何这种实际的关系或者顺序。而且，术语“包括”、“包含”或者其任何其他变体意在涵盖非排他性的包含，从而使得包括一系列要素的物品或者设备不仅包括那些要素，而且还包括没有明确列出的其他要素，或者是还包括为这种物品或者设备所固有的要素。在没有更多限制的情况下，由语句“包括一个……”限定的要素，并不排除在包括上述要素的物品或者设备中还存在另外的相同要素。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。