一种薄型芯片真空封装结构的制作方法

技术特征：

1.一种薄型芯片真空封装结构，包括衬底、盖板、围堰和吸气剂，其特征在于，所述衬底、盖板和围堰通过键合组成真空密封腔体，所述衬底上设置芯片传感区和第一金属焊盘，所述芯片传感区和吸气剂置于真空密封腔体内，所述第一金属焊盘设置在真空密封腔体外围。

2.根据权利要求1所述的一种薄型芯片真空封装结构，其特征在于，所述吸气剂粘附在盖板上。

3.根据权利要求1所述的一种薄型芯片真空封装结构，其特征在于，所述围堰的材料为金、锡、铟、镍、铜、银、铬、钯中的一种单质金属或多种金属合金，高度为0.1um-1mm。

4.根据权利要求1所述的一种薄型芯片真空封装结构，其特征在于，所述盖板的材料为硅片、锗片、陶瓷片、金属片或塑料片，厚度为10um-2mm。

5.根据权利要求1所述的一种薄型芯片真空封装结构，其特征在于，所述吸气剂的材料为锆、镐、钛、锗、钒、铁、铼中的一种或多种金属合金。

6.根据权利要求1-5任一项所述的一种薄型芯片真空封装结构，其特征在于，还包括基板，所述衬底贴合在基板上，所述基板外围设有键合焊盘，所述第一金属焊盘与键合焊盘通过金属引线电性连接，所述基板下方植球，用于信号引出，实现基板级封装。

7.根据权利要求1-5任一项所述的一种薄型芯片真空封装结构，其特征在于，还包括金属引线框架，所述衬底贴合在金属引线框架内，所述第一金属焊盘与金属引线框的焊盘通过金属引线电性连接，实现引线框架封装。

8.根据权利要求1-5任一项所述的一种薄型芯片真空封装结构，其特征在于，还包括钝化层，所述衬底贴合在钝化层上，所述第一金属焊盘通过硅片通孔引导至衬底背面，与重布线层或球下金属层电性连接，所述重布线层或球下金属层下植球，实现晶圆级封装。