地磁传感器件及其制造方法与流程

技术特征：

技术总结
本申请公开了一种地磁传感器件及其制造方法，该地磁传感器件包括：CMOS电路；以及传感器，位于在CMOS电路上，CMOS电路与传感器连接，用于驱动传感器和处理传感器产生的检测信号，其中，传感器包括：结构层；依次在结构层上形成的磁阻条、短路电极以及金属连线；以及第一导电层与第二导电层，位于结构层上方，第一导电层分别与CMOS电路以及金属连线相连，第二导电层分别与CMOS电路以及外部电路相连。通过在CMOS电路上形成传感器，并通过第一导电层与第二导电层实现CMOS电路与传感器的电连接，实现了CMOS电路驱动传感器和处理传感器产生的检测信号的功能，达到了CMOS电路与传感器将集成的目的。

技术研发人员：孙伟;刘琛;高周妙;罗燕飞;闻永祥
受保护的技术使用者：杭州士兰集成电路有限公司;杭州士兰微电子股份有限公司
技术研发日：2018.10.30
技术公布日：2019.02.22