一种MEMS晶圆芯片的分离方法与流程

技术特征：

1.一种MEMS晶圆芯片的分离方法，其特征在于，包括：

对MEMS晶圆进行划片，利用不同的切割道划分出多个芯片区域；

在所述切割道所在的位置贴上保护膜，保持所述芯片区域暴露在外面；

对所述MEMS晶圆进行裂片；

去除所述保护膜，并对所述MEMS晶圆进行扩膜，分离出芯片。

2.根据权利要求1所述的MEMS晶圆芯片的分离方法，其特征在于，所述在所述切割道所在的位置贴上保护膜为：

在所述切割道所在的位置贴上UV膜。

3.根据权利要求2所述的MEMS晶圆芯片的分离方法，其特征在于，所述去除所述保护膜为：

利用波长为365nm的能量为100mJ/cm²至500mJ/cm²紫外光照射所述UV膜0.5分钟至5分钟，进行解UV。

4.根据权利要求3所述的MEMS晶圆芯片的分离方法，其特征在于，所述对所述MEMS晶圆进行扩膜为：

利用扩膜机对所述MEMS晶圆进行扩膜，直到相邻的芯片间距范围达到50微米至200微米。

5.根据权利要求1所述的MEMS晶圆芯片的分离方法，其特征在于，所述在所述切割道所在的位置贴上保护膜之前，还包括：

对所述保护膜进行打孔，所述孔与所述芯片区域的尺寸和位置相对应。

6.根据权利要求1-5任一项所述的MEMS晶圆芯片的分离方法，其特征在于，所述对MEMS晶圆进行划片为：

对MEMS晶圆进行两次划片直到所述切割道的厚度为所述MEMS晶圆厚度的10％至30％。