硅片背腔刻蚀方法及硅片器件与流程

技术特征：

1.一种硅片背腔刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、提供待处理硅片，所述待处理硅片具有背腔结构；

S2、对所述待处理硅片进行烘烤，随后用等离子体气体处理背腔面；

S3、将处理后的硅片加入至去离子水中浸泡，随后去除释放硅片的氧化层和牺牲层，最后将释放后的硅片进行清洗和去胶，得到背腔刻蚀均匀的硅片器件。

2.如权利要求1所述的硅片背腔刻蚀方法，其特征在于，步骤S2中，所述等离子体气体选自包括O₂和N₂。

3.如权利要求2所述的硅片背腔刻蚀方法，其特征在于，所述O₂与N₂的体积比为8:1至12:1。

4.如权利要求2或3所述的硅片背腔刻蚀方法，其特征在于，在所述等离子气体处理过程中，气压为2至8Torr，反应时间为20至70s。

5.如权利要求1所述的硅片背腔刻蚀方法，其特征在于，步骤S2中，在所述烘烤过程中，烘烤温度为90至120℃，烘烤时间为15至30min。

6.如权利要求1所述的硅片背腔刻蚀方法，其特征在于，步骤S3中，在所述浸泡过程中，浸泡温度为50至65℃，浸泡时间为10至30min。

7.如权利要求1所述的硅片背腔刻蚀方法，其特征在于，步骤S3中，所述氧化层和牺牲层在缓冲氧化物刻蚀液或气相氢氟酸或氢氟酸水溶液中去除释放。

8.如权利要求1所述的硅片背腔刻蚀方法，其特征在于，所述背腔结构选自包括圆形深孔或矩形深孔中的任一种或多种。

9.如权利要求8所述的硅片背腔刻蚀方法，其特征在于，所述背腔结构的深度为0至500μm，优选为350至450μm。

10.一种由权利要求1至9中任一项所述的硅片背腔刻蚀方法所得到的硅片器件，其特征在于，所述硅片器件的背面具有若干背腔结构，所述背腔结构为圆形深孔或矩形深孔，所述背腔结构的深度为0至500μm。