用于传感器应用的有贯穿端口的半导体封装体和制造方法与流程

技术特征：

1.一种半导体封装体，包括：

半导体芯片，所述半导体芯片具有设置在所述半导体芯片的第一侧处的传感器结构；以及

第一端口，所述第一端口从所述第一侧穿过所述半导体芯片延伸到所述半导体芯片的与所述第一侧相反的第二侧，以便提供到外部环境的链路。

2.根据权利要求1所述的半导体封装体，其中，所述第一端口包括从所述第二侧朝向所述第一侧延伸并在到达所述传感器结构之前终止的较大直径的孔以及从所述第一侧朝向所述第二侧延伸并设置在所述传感器结构周围的多个较小直径的孔，所述较小直径的孔在所述半导体芯片的位于所述传感器结构外的区域中与所述较大直径的孔敞开式连通。

3.根据权利要求2所述的半导体封装体，其中，所述半导体封装体还包括附连到所述半导体芯片的所述第一侧并覆盖所述传感器结构和所述较小直径的孔的盖/罩。

4.根据权利要求1所述的半导体封装体，其中，所述半导体封装体还包括在所述第二侧处附连所述半导体芯片的衬底，所述衬底具有至少部分与所述第一端口对正的开口。

5.根据权利要求1所述的半导体封装体，其中，所述半导体封装体还包括：

附连到所述半导体芯片的所述第一侧并覆盖所述传感器结构的盖/罩；以及

包封所述盖/罩和所述半导体芯片的所述第一侧的模制化合物。

6.根据权利要求5所述的半导体封装体，其中，所述半导体封装体还包括：

附连到所述模制化合物的衬底；以及

从所述半导体芯片的所述第一侧穿过所述模制化合物延伸到所述衬底的电导体。

7.根据权利要求5所述的半导体封装体，其中，所述半导体封装体还包括将所述半导体芯片的所述第二侧附连到所述衬底的引线框架，所述引线框架具有至少部分与所述第一端口对正的开口。

8.根据权利要求5所述的半导体封装体，其中，所述半导体封装体还包括：

附连到所述半导体芯片的所述第二侧的衬底；

从所述第一侧穿过所述半导体芯片在所述传感器结构外延伸到所述第二侧的第二端口；以及

在所述模制化合物中的延伸到所述半导体芯片的所述第一侧并至少部分与所述第二端口对正的开口；

其中，所述第二端口与所述第一端口敞开式连通。

9.根据权利要求5所述的半导体封装体，其中，所述半导体封装体还包括延伸穿过所述模制化合物并将所述半导体芯片的接合焊盘连接到所述模制化合物上的再分配层的贯穿模制互连结构。

10.根据权利要求9所述的半导体封装体，其中，所述模制化合物和所述贯穿模制互连结构在所述模制化合物的背离所述半导体芯片的一侧终止于相同的平坦化水平。

11.根据权利要求1所述的半导体封装体，其中，所述传感器结构是MEMS传感器结构。

12.根据权利要求1所述的半导体封装体，其中，所述半导体封装体还包括：

附连在所述半导体芯片的所述第一侧并覆盖所述传感器结构的内插器；以及

包封所述内插器和所述半导体芯片的所述第一侧的模制化合物。

13.根据权利要求12所述的半导体封装体，其中，所述半导体封装体还包括在所述模制化合物和所述内插器上的再分配层，所述内插器在所述半导体芯片与所述再分配层之间提供电连接。

14.根据权利要求13所述的半导体封装体，其中，所述模制化合物和所述内插器在所述模制化合物的背离所述半导体芯片的一侧终止于相同的平坦化水平。

15.一种半导体封装体，包括：

半导体芯片，所述半导体芯片具有设置在所述半导体芯片的第一侧处的传感器结构；以及

从第一侧穿过所述半导体芯片延伸到所述半导体芯片的与所述第一侧相反的第二侧的多个单独的沟槽，所述多个单独的沟槽围绕所述传感器结构形成缓冲隔离结构，所述缓冲隔离结构将所述传感器结构与机械应力解耦。

16.根据权利要求15所述的半导体封装体，其中，所述传感器结构是MEMS传感器结构。

17.一种制造半导体封装体的方法，所述方法包括：

在第一晶片的第一侧中刻蚀出空腔；

在所述第一晶片的所述第一侧中刻蚀出沟槽，所述空腔通过所述沟槽彼此分离；

将所述第一晶片在第一侧处附连到第二晶片，所述第二晶片具有面向并被在所述第一晶片的所述第一侧中刻蚀出的空腔覆盖的传感器结构；以及

在与所述第一侧相反的第二侧处薄化第一晶片，使得沟槽完全延伸穿过薄化后的第一晶片。

18.一种制造半导体封装体的方法，所述方法包括：

将多个半导体芯片附连到载体，每个半导体芯片具有设置在所述半导体芯片的第一侧处的传感器结构、从所述第一侧穿过所述半导体芯片延伸到与所述第一侧相反的第二侧的第一端口以及附连到所述第一侧并覆盖所述传感器结构和所述第一端口的盖/罩；

在每个半导体芯片的所述第一侧在所述传感器结构和所述盖/罩之外形成导电过孔；

用模制化合物包覆成型所述载体、所述盖/罩和所述半导体芯片；

在背离所述载体的一侧处薄化所述模制化合物，以暴露所述导电过孔；

在所述模制化合物的薄化侧上形成再分配层；

移除所述载体；以及

通过在相邻的半导体芯片之间切穿所述模制化合物来形成单独的半导体封装体。

19.根据权利要求18所述的方法，其中，通过磨削薄化所述模制化合物。

20.根据权利要求18所述的方法，其中，通过CMP(化学机械抛光)薄化所述模制化合物。

21.一种制造半导体封装体的方法，所述方法包括：

将多个半导体芯片附连到载体，每个半导体芯片具有设置在所述半导体芯片的第一侧处的传感器结构、从所述第一侧穿过所述半导体芯片延伸到与所述第一侧相反的第二侧的第一端口以及附连到所述第一侧并覆盖所述传感器结构和所述第一端口的内插器；

用模制化合物包覆成型所述载体、所述内插器和所述半导体芯片；

在背离所述载体的一侧处薄化所述模制化合物，以暴露所述内插器的背离所述载体的一侧；

在所述模制化合物的薄化侧上形成再分配层；

移除载体；以及

通过在相邻的半导体芯片之间切穿所述模制化合物来形成单独的半导体封装体。

22.根据权利要求21所述的方法，其中，通过磨削薄化所述模制化合物。

23.根据权利要求21所述的方法，其中，通过CMP(化学机械抛光)薄化所述模制化合物。