技术总结
本发明涉及一种非制冷红外3D MEMS系统结构及其制作方法,涉及非制冷红外3D MEMS结构领域。目的在于采用新的MEMS结构后,解决了传统结构受像元尺寸的缩小无法解决器件平坦化的问题,以及解决了多层工艺导致金属互联困难的问题,并解决了器件像元缩小后,尽可能维持氧化钒的面积并减少了桥腿的热导,确保器件性能不降低的问题,并采用蜂窝状结构,增加了红外吸收因子。介质层中部设有凹槽,反射层位于介质层中部凹槽的上表面,反射层的上方依次为第一层牺牲层和第二层牺牲层,且所述第一层牺牲层位于介质层中部凹槽中。把第一层牺牲层结构埋在电路的介质中进行制作,有利于后面小尺寸线宽和小像元的制作。
技术研发人员:甘先锋;杨水长;王宏臣;王鹏;孙瑞山;陈文礼
受保护的技术使用者:烟台睿创微纳技术股份有限公司
文档号码:201610532815
技术研发日:2016.07.07
技术公布日:2016.12.14
本发明涉及一种非制冷红外3D MEMS系统结构及其制作方法,涉及非制冷红外3D MEMS结构领域。目的在于采用新的MEMS结构后,解决了传统结构受像元尺寸的缩小无法解决器件平坦化的问题,以及解决了多层工艺导致金属互联困难的问题,并解决了器件像元缩小后,尽可能维持氧化钒的面积并减少了桥腿的热导,确保器件性能不降低的问题,并采用蜂窝状结构,增加了红外吸收因子。介质层中部设有凹槽,反射层位于介质层中部凹槽的上表面,反射层的上方依次为第一层牺牲层和第二层牺牲层,且所述第一层牺牲层位于介质层中部凹槽中。把第一层牺牲层结构埋在电路的介质中进行制作,有利于后面小尺寸线宽和小像元的制作。
技术研发人员:甘先锋;杨水长;王宏臣;王鹏;孙瑞山;陈文礼
受保护的技术使用者:烟台睿创微纳技术股份有限公司
文档号码:201610532815
技术研发日:2016.07.07
技术公布日:2016.12.14
再多了解一些
本文用于企业家、创业者技术爱好者查询,结果仅供参考。