MEMS流量传感器的制作方法

技术特征：

1.一种MEMS流量传感器，其特征在于，包括：

SOI基底；所述SOI基底的上表面为第一氧化硅层，所述SOI基底的下表面为第二氧化硅层；所述第一氧化硅层的上表面为图形化导电金属层；所述图形化导电金属层的上表面为钝化保护层；所述钝化保护层上开设有引线焊盘窗口；所述SOI基底的硅衬底层和所述第二氧化硅层中设有背面空腔，所述背面空腔的位置与所述图形化导电金属层的位置对应；所述SOI基底的表面硅层厚度为预设厚度，所述预设厚度大于1微米。

2.如权利要求1所述的MEMS流量传感器，其特征在于，所述钝化保护层的上表面为抗油抗水涂层。

3.如权利要求1所述的MEMS流量传感器，其特征在于，所述背面空腔的腔壁与所述SOI基底的绝缘层垂直。

4.如权利要求1所述的MEMS流量传感器，其特征在于，所述背面空腔的腔壁与所述SOI基底的绝缘层之间具有大于90°的腐蚀角度。

5.如权利要求1所述的MEMS流量传感器，其特征在于，所述SOI基底的表面硅层设有凹槽。

6.如权利要求1所述的MEMS流量传感器，其特征在于，所述SOI基底从下至上依次为硅衬底层、绝缘层和表面硅层。

7.如权利要求1所述的MEMS流量传感器，其特征在于，所述背面空腔为1个以上。