器件的制作方法与流程

技术特征：
1.一种器件的制作方法，其特征在于，所述器件包括包含电极的元件部分、包含第一表面和与第一表面相反的第二表面的基板、以及从第一表面延伸到第二表面的贯通布线，所述电极与所述贯通布线电连接，所述方法包括以下步骤：从基板的第一表面形成第一孔，第一孔具有第一孔不穿过基板的深度；在第一孔的内壁上形成第一绝缘膜；从基板的与第一绝缘膜相反的第二表面形成到达第一绝缘膜的第二孔；在第二孔上形成第二绝缘膜；将贯通布线的材料注入到第一孔中；在第一表面上形成所述元件部分，所述元件部分与所述贯通布线的材料电连接；从基板的第二表面将基板减薄至第二绝缘膜；和在第二绝缘膜上形成布线部分，所述布线部分与所述贯通布线的材料连接。2.根据权利要求1所述的器件的制作方法，其中，按照权利要求1的顺序执行上述步骤。3.根据权利要求1所述的器件的制作方法，其中，基板包含半导体基板。4.根据权利要求3所述的器件的制作方法，其中，半导体基板包含硅基板。5.根据权利要求4所述的器件的制作方法，其中，第一绝缘膜是\t硅热氧化物膜。6.根据权利要求4所述的器件的制作方法，其中，第二绝缘膜包含硅热氧化物膜。7.根据权利要求1所述的器件的制作方法，其中，第一孔具有300μm或更小的深度。8.根据权利要求1所述的器件的制作方法，其中，厚度减薄了的基板具有300μm或更小的厚度。9.根据权利要求1所述的器件的制作方法，其中，所述元件部分包括包含单胞的电容微加工超声换能器，该单胞包含第一电极、与第一电极跨着间隙设置的第二电极、以及由设置在第二电极之上和之下的绝缘膜形成的膜片，所述膜片被支撑以振动。10.根据权利要求1所述的器件的制作方法，其中，所述元件部分包括压电换能器，压电换能器包含第一电极和与第一电极跨着压电材料设置的第二电极。11.根据权利要求1所述的器件的制作方法，其中，在减薄步骤之前，在支撑基板与基板的第一表面接合的状态中，执行减薄基板的步骤。12.根据权利要求1所述的器件的制作方法，其中，注入贯通布线的材料的步骤包括通过使用电解镀覆将贯通布线的材料注入到第一孔中。13.根据权利要求1所述的器件的制作方法，其中，形成布线部\t分的步骤包括：在第一绝缘膜和第二绝缘膜中形成开口，以及，形成经由所述开口与所述贯通布线的材料电连接的所述布线部分。14.一种器件，其特征在于包括：包含第一表面和与第一表面相反的第二表面的半导体基板，所述基板具有300μm或更小的厚度；在第一表面与第二表面之间穿过所述基板的贯通布线；与所述贯通布线电连接的电极；和所述贯通布线与所述半导体基板之间的绝缘膜，所述绝缘膜是通过800℃或更高的温度下的热氧化形成的硅热氧化物膜、通过800℃或更高的温度下的CVD形成的氮化硅膜、或者所述硅热氧化物膜或所述氮化硅膜的两个或更多个层。15.根据权利要求14所述的器件，其中，所述器件包含电容微加工超声换能器。16.根据权利要求14所述的器件，其中，所述器件包含压电换能器。17.一种被检体信息获取装置，其特征在于包括：根据权利要求15的换能器；和被配置为通过使用从换能器输出的电信号获取被检体的信息的处理单元，其中，换能器接收来自被检体的声波，并且将声波转换成电信号。18.根据权利要求17所述的被检体信息获取装置，还包括：光源，其中，换能器接收从用从光源发射的光照射的被检体产生的光声波，并且将光声波转换成电信号，以及其中，处理单元通过使用电信号获取被检体的信息。19.一种被检体信息获取装置，其特征在于包括：根据权利要求16的换能器；和被配置为通过使用从换能器输出的电信号获取被检体的信息的处理单元，其中，换能器接收来自被检体的声波，并且将声波转换成电信号。20.根据权利要求19所述的被检体信息获取装置，还包括：光源，其中，换能器接收从用从光源发射的光照射的被检体产生的光声波，并且将光声波转换成电信号，以及其中，处理单元通过使用电信号获取被检体的信息。21.一种被检体信息获取装置，其特征在于包括：根据权利要求15的换能器；光源；和被配置为通过使用从换能器输出的电信号获取被检体的信息的处理单元，其中，换能器接收从用从光源发射的光照射的被检体产生的声波，并且将声波转换成电信号。22.一种被检体信息获取装置，其特征在于包括：根据权利要求16的换能器；光源；和被配置为通过使用从换能器输出的电信号获取被检体的信息的处理单元，其中，换能器接收从用从光源发射的光照射的被检体产生的声波，并且将声波转换成电信号。23.一种测量装置，其特征在于包括：被配置为接收外力的根据权利要求15的换能器，其中，测量装置通过使用来自换能器的电信号测量施加到换能器的表面的外力的大小。24.一种测量装置，其特征在于包括：被配置为接收外力的根据权利要求16的换能器，其中，测量装置通过使用来自换能器的电信号测量施加到换能器的表面的外力的大小。