技术特征:
技术总结
本发明公开了一种基于气相TMAH的硅刻蚀系统,包括:控制系统、传送系统、刻蚀系统和水冷系统;其中,水冷系统用于冷凝TMAH气体;刻蚀系统用于产生TMAH气体以及输送刻蚀气体至刻蚀腔体刻蚀硅片,刻蚀硅片时刻蚀腔内使用的温度为高于TMAH沸点,使TMAH呈气态的状态下对硅进行刻蚀,并且实现了对硅片非刻蚀面上结构实现了有效的保护,保证了硅刻蚀工艺与以完成工艺之间的兼容性。传送系统用于传输以及清洗所刻蚀硅片;控制系统用于控制水冷系统、刻蚀系统、传送系统的协调工作。实验研究证明,该系统实现了硅高速刻蚀的同时得到了较为光滑刻蚀表面,以及达到了同干法刻蚀一样保护了非刻蚀面结构的效果。与此同时,气相刻蚀可以通过增大刻蚀腔体的气压以进一步提高刻蚀速率。
技术研发人员:丑修建;徐方良;何剑;穆继亮;耿文平;侯晓娟;薛晨阳;胡磊;高翔;石树正
受保护的技术使用者:中北大学
技术研发日:2017.07.05
技术公布日:2017.12.08
再多了解一些
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