硅和硅锗纳米线结构的制作方法与工艺

2021-10-26 12:40:44 来源：中国专利 TAG：

技术总结
本申请公开了硅和硅锗纳米线结构。描述了形成微电子结构的方法。这些方法的实施例包括形成纳米线器件，该纳米线器件包括：衬底，衬底包括位于间隔物附近的源极/漏极结构；以及位于间隔物之间的纳米线沟道结构，其中纳米线沟道结构在彼此之上垂直地层叠。

技术研发人员：K·J·库恩;S·金;R·里奥斯;S·M·赛亚;M·D·贾尔斯;A·卡佩尔拉尼;T·拉克什特;P·常;W·瑞驰梅迪;
受保护的技术使用者：英特尔公司;
文档号码：201610421227
技术研发日：2011.11.23
技术公布日：2016.09.07

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