技术特征：
技术总结
本发明提供了一种硅基绝缘层上多晶硅与玻璃的阳极键合方法，所述方法为：(1)在硅衬底面上沉积一层绝缘层；(2)以光刻胶作掩膜，对绝缘层进行刻蚀，将硅衬底面与多晶硅将要连通的区域暴露出来形成开槽区；(3)在开设有开槽区的硅衬底面的绝缘层上沉积一层多晶硅，多晶硅在所述的开槽区与硅基导通；(4)所述的多晶硅与玻璃进行阳极键合；当硅‑玻璃键合面区域存在高压敏感结构时，本发明方法使键合电流在阳极键合过程中不通过这些结构，以实现MEMS器件的电学性能保护，同时仍然保证多晶硅‑玻璃的键合强度。
技术研发人员：柳俊文;何野;徐波
受保护的技术使用者：江苏英特神斯科技有限公司
技术研发日：2016.05.09
技术公布日：2017.11.17
再多了解一些
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