技术总结
用于化学机械抛光圆片级超薄硅片的临时黏合方法,涉及半导体工艺和微制造领域。在承载片上加工出比超薄硅片外径略大三段等径同心圆弧槽,并开设三段溢流槽,溢流槽与圆弧槽相连;采用旋涂的方法,把黏胶涂覆于圆弧槽底,用于圆弧槽定位和承载超薄硅片;对整体硅片进行热压;当超薄硅片完成后续化学机械抛光后,先后采用冷却后硫酸和双氧水混合液与热丙酮即可完全溶解并去除黏胶,实现超薄硅片与承载片的无破损、无应力分离。不仅可解决超薄硅片在化学机械抛光过程中难以夹持,易破碎的问题,同时能有效减小超薄硅片后续抛光时累积加工误差,显著降低工艺成本。
技术研发人员:曾毅波;郭航
受保护的技术使用者:厦门大学
文档号码:201610217363
技术研发日:2016.04.08
技术公布日:2017.06.16
用于化学机械抛光圆片级超薄硅片的临时黏合方法,涉及半导体工艺和微制造领域。在承载片上加工出比超薄硅片外径略大三段等径同心圆弧槽,并开设三段溢流槽,溢流槽与圆弧槽相连;采用旋涂的方法,把黏胶涂覆于圆弧槽底,用于圆弧槽定位和承载超薄硅片;对整体硅片进行热压;当超薄硅片完成后续化学机械抛光后,先后采用冷却后硫酸和双氧水混合液与热丙酮即可完全溶解并去除黏胶,实现超薄硅片与承载片的无破损、无应力分离。不仅可解决超薄硅片在化学机械抛光过程中难以夹持,易破碎的问题,同时能有效减小超薄硅片后续抛光时累积加工误差,显著降低工艺成本。
技术研发人员:曾毅波;郭航
受保护的技术使用者:厦门大学
文档号码:201610217363
技术研发日:2016.04.08
技术公布日:2017.06.16
再多了解一些
本文用于企业家、创业者技术爱好者查询,结果仅供参考。